技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種內(nèi)置緩沖層的熔斷器及其制造方法，它包括絕緣基體、形成在所述絕緣基體內(nèi)的至少一個(gè)熔斷體以及形成在所述絕緣基體兩端部且與所述熔斷體相連接的端電極，它還包括形成在所述絕緣基體內(nèi)且位于所述熔斷體四周的至少一個(gè)滅弧層以及形成在所述滅弧層周面或/和所述熔斷體周面的至少一個(gè)緩沖層，所述緩沖層為容置空間或者具有多孔結(jié)構(gòu)。克服了熔斷體在與緩沖層在排膠燒結(jié)過程中收縮不匹配或互相擴(kuò)散，避免導(dǎo)致熔斷體發(fā)生變形、彎曲、缺陷等現(xiàn)象，確保了熔斷體的阻值分布集中，熔斷體熔斷線性度好，不會(huì)出現(xiàn)熔斷非線性現(xiàn)象，同時(shí)還可以確保線路工作正常。

技術(shù)研發(fā)人員：林丹博;楊永林;徐恩慧;李向明;汪立無;陳錫慶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：AEM科技（蘇州）股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610778532
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2016.12.07