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一種C波段與X波段數(shù)控衰減濾波器集成芯片的制作方法

文檔序號(hào):11871248閱讀:來源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種C波段與X波段數(shù)控衰減濾波器集成芯片,其特征在于:包括微波帶通濾波器F1和數(shù)控衰減器芯片WSD,數(shù)控衰減器芯片WSD位于微波帶通濾波器F1的上表面,數(shù)控衰減器芯片WSD的左邊從前至后依次間隔設(shè)有輸出引腳RFout、第二接地引腳G2和輸入引腳RFin,數(shù)控衰減器芯片WSD的右邊從前至后依次間隔設(shè)有第一電源控鍵V1、第一接地引腳G1和第二電源控鍵V2,微波帶通濾波器F1的前側(cè)面設(shè)有引腳P1,微波帶通濾波器F1的左側(cè)面設(shè)有引腳P6,微波帶通濾波器F1的后側(cè)面設(shè)有引腳P2,微波帶通濾波器F1的右側(cè)面設(shè)有引腳P3、引腳P5和引腳P4,引腳P3、引腳P5和引腳P4為從后至前依次間隔設(shè)置,引腳P1通過金屬連接線連接輸出引腳RFout,引腳P6通過金屬連接線連接第二接地引腳G2,引腳P3通過金屬連接線連接第二電源控鍵V2,引腳P5通過金屬連接線連接第一接地引腳G1,引腳P4通過金屬連接線連接第一電源控鍵V1;

微波帶通濾波器F1包括第一帶狀線層、第二帶狀線層、第三帶狀線層和接地層GND1,第一帶狀線層、第二帶狀線層、第三帶狀線層和接地層GND1為從上至下依次設(shè)置;

第一帶狀線層包括第一輸入電感Lin1、第一帶狀線L11、第二帶狀線L12、第三帶狀線L13、第四帶狀線L14、第五帶狀線L15和第一接地線C1,第一輸入電感Lin1與第一帶狀線L11連接,第一輸入電感Lin1還與引腳P1連接,第一帶狀線L11的左端、第二帶狀線L12的左端、第三帶狀線L13的左端、第四帶狀線L14的左端和第五帶狀線L15的左端均通過第一接地線C1連接在一起,第一接地線C1連接引腳P6,第一帶狀線L11的右端、第二帶狀線L12的右端、第三帶狀線L13的右端、第四帶狀線L14的右端和第五帶狀線L15的右端均為開路;

第二帶狀線層包括第六帶狀線L21、第七帶狀線L22、第八帶狀線L23、第九帶狀線L24、第十帶狀線L25、第二接地線C2和第一輸出電感Lout1,第一輸出電感Lout1連接第十帶狀線L25,第一輸出電感Lout1還連接引腳P2,第六帶狀線L21的左端、第七帶狀線L22的左端、第八帶狀線L23的左端、第九帶狀線L24的左端和第十帶狀線L25的左端均為開路,第六帶狀線L21的右端、第七帶狀線L22的右端、第八帶狀線L23的右端、第九帶狀線L24的右端和第十帶狀線L25的右端均通過第二接地線C2連接在一起,第二接地線C2還連接引腳P5;

第三帶狀線層包括第一S型耦合帶狀線S1,第一S型耦合帶狀線S1的左端連接引腳P6,第一S型耦合帶狀線S1的右端連接引腳P5;

引腳P5和引腳P6均連接接地層GND1。

2.如權(quán)利要求1所述的一種C波段與X波段數(shù)控衰減濾波器集成芯片,其特征在于:所述引腳P1為所述一種C波段與X波段數(shù)控衰減濾波器集成芯片的50歐姆阻抗的信號(hào)輸入端口,引腳P2為所述一種C波段與X波段數(shù)控衰減濾波器集成芯片的50歐姆阻抗信號(hào)輸出端口。

3.如權(quán)利要求1所述的一種C波段與X波段數(shù)控衰減濾波器集成芯片,其特征在于:所述數(shù)控衰減器芯片WSD的型號(hào)為WSD000080-01。

4.如權(quán)利要求1所述的一種C波段與X波段數(shù)控衰減濾波器集成芯片,其特征在于:所述一種C波段與X波段數(shù)控衰減濾波器集成芯片通過LTCC工藝制成。

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