本發(fā)明大體上涉及質譜法領域，包含用于離子分離的系統(tǒng)和方法。

背景技術：

例如四極質譜儀等過濾型質譜法裝置經(jīng)受降低的效率(工作循環(huán))，因為它們每次發(fā)射單一m/z比的離子，同時其余部分浪費。當執(zhí)行復雜樣本的分析時，通過在離子之間切換可以同時以多個分析物(N個)為目標，且工作循環(huán)限于1/N。雖然通過僅以對應于在給定時刻的離子洗提的轉變?yōu)槟繕丝梢宰龀龈倪M，但當多個離子同時洗提時或當滯留時間不可預測時，調(diào)度這些實驗可能是困難的。在一個四極每次分析僅一個m/z目標的同時，在阱中積聚寬范圍的離子且基于m/z將其選擇性噴出到所述四極有可能避免丟失或遺失離子。然而，質量解析離子阱受限于每秒大約10⁷到大約10⁹個離子之間，這顯著低于現(xiàn)有離子源的亮度，現(xiàn)有離子源可每秒產(chǎn)生大約10¹⁰個離子或更多。因此，與其中四極在多種m/z比之間循環(huán)的正常流過機制相比，無法處置整個負載將抵消潛在的增益。

從前述內(nèi)容將了解，存在對用于在將離子發(fā)送到過濾型質譜法裝置之前分離離子的改進系統(tǒng)和方法的需要。

技術實現(xiàn)要素：

在第一方面中，一種用于分析樣本的系統(tǒng)可包含：源，其經(jīng)配置以從所述樣本的構成組分產(chǎn)生離子；遷移率分離器，其經(jīng)配置以基于在氣體中的遷移率而分離從所述源接收的離子；多個離子通道，其鄰近于所述遷移率分離器而布置以使得來自所述遷移率分離器的離子根據(jù)所述離子的相應遷移率而被引導到不同通道；以及質量分析器，其經(jīng)配置以確定所述離子的質荷比。所述遷移率分離器可提供第一方向上的氣流和沿著第二方向的電場梯度，以使得離子在所述第一方向上移動且根據(jù)其遷移率在所述第二方向上漂移，以使得基于所述離子的相應遷移率來分揀所述離子。

在所述第一方面的各種實施例中，所述第一方向與所述第二方向之間的角度可在約45°與約135°之間。在具體實施例中，所述第一方向與所述第二方向之間的角度可在約70°與約110°之間。在具體實施例中，所述第一方向和所述第二方向可正交。

在所述第一方面的各種實施例中，所述離子通道可選自由以下各者組成的群組：RF離子導引件、離子阱、DC離子透鏡，和其組合。

在所述第一方面的各種實施例中，所述系統(tǒng)可進一步包含經(jīng)配置以將離子從所述多個離子通道輸送到所述質量分析器的轉移導引件。

在所述第一方面的各種實施例中，個別離子通道可由多個桿界定。在具體實施例中，個別離子通道可具有一或多個曳力葉片。在具體實施例中，所述多個離子通道可包含多個導引桿對。個別的導引桿可沿著離子通道長度延伸，導引桿對的導引桿可在正交于所述離子通道長度的第一分離方向上分離，且所述導引桿對在正交于所述離子通道長度和所述第一分離方向的第二分離方向中分離。鄰近離子通道可共享位于所述鄰近離子通道之間的導引桿對。所述多個曳力葉片對可經(jīng)布置以使得個別的曳力葉片對沿著所述第二分離方向定位于鄰近導引桿對之間，以使得個別離子通道具有唯一的曳力葉片對。

在所述第一方面的各種實施例中，所述多個離子通道可包含約3個離子通道與約50個離子通道之間。在具體實施例中，所述多個離子通道可包含約5個離子通道與約20個離子通道之間。在具體實施例中，所述多個離子通道可包含約7個離子通道與約15個離子通道之間。

在所述第一方面的各種實施例中，所述遷移率分離器中的電場梯度可為大體上均勻的電場梯度。在所述第一方面的各種實施例中，所述電場梯度可為非均勻的電場梯度。在所述第一方面的各種實施例中，所述電場梯度可由一系列離散電極、一或多個連續(xù)電阻性元件或其組合產(chǎn)生。

在所述第一方面的各種實施例中，所述遷移率分離器內(nèi)的氣體壓力可在約1托到約20托之間。在具體實施例中，所述遷移率分離器內(nèi)的所述氣體壓力可在約3托到約6托之間。在所述第一方面的各種實施例中，所述遷移率分離器內(nèi)的氣體流量可在約15slm與約30slm之間。在所述第一方面的各種實施例中，所述遷移率分離器內(nèi)的氣體速度可在約100m/s與約300m/s之間。在具體實施例中，所述遷移率分離器內(nèi)的所述氣體速度可在約150m/s與約200m/s之間。

在所述第一方面的各種實施例中，所述系統(tǒng)可進一步包含定位于所述遷移率分離器與所述多個離子通道之間的透鏡陣列，所述透鏡陣列經(jīng)配置以將離子導引到相應離子通道中。

在第二方面中，一種用于基于離子的離子遷移率而分離離子的離子遷移率裝置可包含：遷移率單元，其具有氣體入口和沿著第一方向與所述入口相對的氣體出口，以使得在所述氣體入口處引入的氣流將在第一方向上流動到所述氣體出口。所述遷移率單元可進一步具有離子入口和多個離子出口孔，所述離子出口孔沿著第二方向與所述離子入口相對且從所述離子入口偏移且沿著所述第一方向彼此間隔開。所述離子遷移率裝置可進一步包含多個電極，其經(jīng)配置以在所述第二方向上產(chǎn)生電場梯度，以使得進入所述遷移率單元的離子在所述第一方向上與所述氣體一起流動且根據(jù)其在所述氣體中的遷移率在所述第二方向上漂移。所述離子遷移率裝置可進一步包含多個離子通道，其彼此平行地布置且鄰近于所述遷移率單元布置在所述多個離子出口孔處。所述離子通道可經(jīng)配置以從所述遷移率單元接收離子以使得進入個別通道的離子具有的離子遷移率范圍不同于進入鄰近離子通道的離子的離子遷移率范圍。

在所述第二方面的各種實施例中，所述遷移率單元內(nèi)的氣體壓力可在約1托到約20托之間。在具體實施例中，所述遷移率單元內(nèi)的氣體壓力可在約3托到約6托之間。

在所述第二方面的各種實施例中，所述遷移率單元內(nèi)的氣體流量可在約15slm與約30slm之間。在所述第二方面的各種實施例中，所述遷移率單元內(nèi)的氣體速度可在約100m/s與約300m/s之間。在具體實施例中，所述遷移率單元內(nèi)的氣體速度可在約150m/s與約200m/s之間。

在所述第二方面的各種實施例中，所述第一方向與所述第二方向之間的角度可在約45°與約135°之間。在具體實施例中，所述第一方向與所述第二方向之間的角度可在約70°與約110°之間。在具體實施例中，所述第一方向和所述第二方向可正交。

在所述第二方面的各種實施例中，所述離子通道可選自由以下各者組成的群組：RF離子阱、離子導引件、DC離子透鏡，和其組合。在所述第二方面的各種實施例中，個別離子通道可由多個桿界定。在所述第二方面的各種實施例中，個別離子通道可具有一或多個曳力葉片。在具體實施例中，所述多個離子通道可包含多個導引桿對和多個曳力葉片對。個別的導引桿可沿著離子通道長度延伸，其中導引桿對的導引桿在正交于所述離子通道長度的第一分離方向上分離，且所述導引桿對在正交于所述離子通道長度和所述第一分離方向的第二分離方向中分離。鄰近離子通道可共享位于所述鄰近離子通道之間的導引桿對。所述多個曳力葉片對可經(jīng)布置以使得個別的曳力葉片對沿著所述第二分離方向定位于鄰近導引桿對之間，以使得個別離子通道具有唯一的曳力葉片對。

在所述第二方面的各種實施例中，所述多個離子通道包含約3個離子通道與約50個離子通道之間。

在具體實施例中，所述多個離子通道可包含約5個離子通道與約20個離子通道之間。在具體實施例中，所述多個離子通道可包含約7個離子通道與約15個離子通道之間。

在所述第二方面的各種實施例中，所述電場梯度可由一系列離散電極、一或多個連續(xù)電阻性元件或其組合產(chǎn)生。

在所述第二方面的各種實施例中，所述離子遷移率裝置可進一步包含定位于所述離子出口孔與所述多個離子通道之間的透鏡陣列。所述透鏡陣列可經(jīng)配置以將離子導引到相應離子通道中。

在第三方面中，一種用于識別樣本的組分的方法可包含：將樣本提供到離子源，且從所述樣本的構成組分產(chǎn)生多個離子；將所述離子引導到遷移率分離器中，所述遷移率分離器具有第一方向上的氣流和沿著第二方向的電場梯度，以使得所述離子在所述第一方向上移動且根據(jù)其遷移率在所述第二方向上漂移；以及將所述離子分離到多個離子通道中以使得進入個別通道的離子具有的離子遷移率范圍不同于進入鄰近離子通道的離子的離子遷移率范圍。所述方法可進一步包含：將來自個別離子通道的離子引導到質量分析器中；以及使用所述質量分析器來確定所述離子的質荷比。

在所述第三方面的各種實施例中，所述遷移率分離器內(nèi)的氣體壓力可在約1托到約20托之間。在具體實施例中，所述遷移率分離器內(nèi)的所述氣體壓力可在約3托到約6托之間。在所述第三方面的各種實施例中，所述遷移率分離器內(nèi)的氣體流量可在約15slm與約30slm之間。在所述第三方面的各種實施例中，所述遷移率分離器內(nèi)的氣體速度可在約100m/s與約300m/s之間。在具體實施例中，所述遷移率分離器內(nèi)的所述氣體速度可在約150m/s與約200m/s之間。

在所述第三方面的各種實施例中，所述第一方向與所述第二方向之間的角度可在約45°與約135°之間。在具體實施例中，所述第一方向與所述第二方向之間的角度可在約70°與約110°之間。在具體實施例中，所述第一方向和所述第二方向可正交。

在所述第三方面的各種實施例中，所述離子通道可選自由以下各者組成的群組：離子阱、離子導引件，和四極質量過濾器。在所述第三方面的各種實施例中，個別離子通道可由多個桿界定。在具體實施例中，個別離子通道可具有一或多個曳力葉片。

在具體實施例中，所述多個離子通道可包含多個導引桿對和多個曳力葉片對。所述多個導引桿對可包含沿著離子通道長度延伸的個別導引桿。導引桿對的導引桿可在正交于所述離子通道長度的第一分離方向上分離，且所述導引桿對可在正交于所述離子通道長度和所述第一分離方向的第二分離方向中分離，以使得鄰近離子通道共享位于所述鄰近離子通道之間的導引桿對。所述多個曳力葉片對可經(jīng)布置以使得個別的曳力葉片對沿著所述第二分離方向定位于鄰近導引桿對之間，以使得個別離子通道具有唯一的曳力葉片對。

在所述第三方面的各種實施例中，所述多個離子通道可包含約3個離子通道與約50個離子通道之間。在具體實施例中，所述多個離子通道可包含約5個離子通道與約20個離子通道之間。在具體實施例中，所述多個離子通道可包含約7個離子通道與約15個離子通道之間。

在所述第三方面的各種實施例中，所述電場梯度可由一系列離散電極、一或多個連續(xù)電阻性元件或其組合產(chǎn)生。

附圖說明

為了更完整地理解本文所揭示的原理以及其優(yōu)點，現(xiàn)在參考下文結合附圖進行的描述，在附圖中：

圖1為根據(jù)各種實施例的示范性質譜系統(tǒng)的框圖。

圖2是根據(jù)各種實施例的用于分離離子的示范性方法的流程圖。

圖3是說明根據(jù)各種實施例的示范性離子遷移率分離器的框圖。

圖4是說明根據(jù)各種實施例的示范性離子通道陣列的框圖。

圖5A、5B和5C是根據(jù)各種實施例的用于跨越離子遷移率分離器產(chǎn)生電場梯度的示范性電極布置。

圖6和7是示范性離子遷移率分離器內(nèi)的離子模擬的說明。

應理解，圖式不一定按比例繪制，圖式中的對象也不一定關于彼此按比例繪制。圖式是意圖引入本文中所揭示的設備、系統(tǒng)和方法的各種實施例的清晰性和對其的理解的描繪。在可能的情況下，將在整個附圖中使用相同的參考數(shù)字來指代相同或類似的部分。此外，應了解，附圖并不打算以任何方式限制本發(fā)明教示的范圍。

具體實施方式

本文中描述用于離子分離的系統(tǒng)和方法的實施例。

本文所用的章節(jié)標題僅用于組織目的并且不應理解為以任何方式限制所描述的主題。

在各種實施例的此詳細描述中，出于解釋的目的，闡述許多特定細節(jié)以提供所揭示的實施例的透徹理解。然而，所屬領域的技術人員將了解，這些各種實施例可以在具有或不具有這些特定細節(jié)的情況下實踐。在其它情況下，結構和裝置以框圖形式示出。此外，所屬領域的技術人員可以容易地了解，用以呈現(xiàn)和執(zhí)行方法的具體順序為說明性的，且預期順序可以改變且仍保持在本文中所揭示的各種實施例的精神和范圍內(nèi)。

本申請中引用的所有文獻和類似材料(包括(但不限于)專利、專利申請、文章、書籍、論文和因特網(wǎng)網(wǎng)頁)出于任何目的明確以全文引用的方式并入。除非另外描述，否則本文所用的所有技術和科學術語具有與本文所描述的各種實施例所屬的領域的一般技術人員通常所了解相同的含義。

應了解，在本教導中論述的溫度、濃度、時間、壓力、流動速率、橫截面面積等之前存在隱含的“約”，使得略微和非大幅的偏差在本教導的范圍內(nèi)。在本申請案中，除非另外明確陳述，否則單數(shù)的使用包含復數(shù)。此外，“包括(comprise/comprises/comprising)”、“含有(contain/contains/containing)”以及“包含(include/includes/including)”的使用并不意圖為限制性的。應理解，以上大體描述和以下詳細描述均僅是示例性和說明性的且并不限制本發(fā)明教示。

如本文所用，“一(a/an)”也可指“至少一個”或“一或多個”。此外，“或”的使用是包括性的，使得當“A”真實、“B”真實，或“A”和“B”都真實時，短語“A或B”真實。此外，除非上下文另外需要，否則單數(shù)術語應包括復數(shù)并且復數(shù)術語應包括單數(shù)。

闡述一組組分的“系統(tǒng)”(真實或抽象)包含一個整體，其中每一組分與整體內(nèi)的至少一個其它組分相互作用或與其相關。

質譜平臺

質譜平臺100的各種實施例可包含如圖1的框圖中顯示的組件。在各種實施例中，圖1的元件可并入到質譜平臺100中。根據(jù)各種實施例,質譜儀100可包含離子源102、質量分析器104、離子檢測器106和控制器108。

在各種實施例中，離子源102從樣本產(chǎn)生多個離子。離子源可包含(但不限于)矩陣輔助激光解吸附/電離(MALDI)源、電噴霧電離(ESI)源、大氣壓化學電離(APCI)源、大氣壓光致電離源(APPI)、電感耦合等離子體(ICP)源、電子電離源、化學電離源、光致電離源、輝光放電電離源、熱噴霧電離源等等。

在各種實施例中，質量分析器104可基于離子的質荷比分離離子。舉例來說，質量分析器104可包含四極質量過濾器分析器、四極離子阱分析器、飛行時間(TOF)分析器、靜電阱(例如，軌道阱)質量分析器、傅里葉變換離子回旋共振(FT-ICR)質量分析器等等。在各種實施例中，質量分析器104還可經(jīng)配置以使用碰撞引發(fā)分解(CID)、電子轉移分解(ETD)、電子俘獲分解(ECD)、光引發(fā)分解(PID)、表面引發(fā)分解(SID)等等將離子分段，且進一步基于質荷比分離經(jīng)分段離子。

在各種實施例中，離子檢測器106可檢測離子。舉例來說，離子檢測器106可包含電子倍增器、法拉弟杯等等。離開質量分析器的離子可由離子檢測器檢測到。在各種實施例中，離子檢測器可定量,使得可確定離子的準確計數(shù)。

在各種實施例中，控制器108可與離子源102、質量分析器104和離子檢測器106通信。舉例來說，控制器108可配置離子源或啟用/停用離子源。另外，控制器108可配置質量分析器104以選擇待檢測的特定質量范圍。此外，控制器108可例如通過調(diào)節(jié)增益而調(diào)節(jié)離子檢測器106的靈敏度。另外，控制器108可基于正檢測的離子的極性調(diào)節(jié)離子檢測器106的極性。舉例來說，離子檢測器106可經(jīng)配置以檢測正離子或經(jīng)配置以檢測負離子。

低壓離子遷移率分離

圖2是說明根據(jù)離子的遷移率分離離子以便增加例如圖1中的質譜平臺100等質譜平臺的效率的示范性方法200的流程圖。

在202，可將樣本提供到系統(tǒng)。在各種實施例中，所述樣本可為來自液相層析柱的流出物、來自氣相層析柱的流出物、直接注入樣本(液體或氣體)或嵌入實心基質中的樣本。

在204，系統(tǒng)可從所述樣本產(chǎn)生離子。所述樣本可進入離子源以產(chǎn)生離子。所述離子源可利用各種能源，例如電、光、等離子、化學、電子、熱或類似物來電離所述樣本或所述樣本的組分。

在206，離子可從源移動到遷移率分離器中。在各種實施例中，遷移率分離器可包含第一方向上的氣流和第二方向上的電場。在各種實施例中，離子可由于氣體的流動而在第一方向上以大體上類似的速度移動。然而，在第二方向上的速度會受到與氣體離子的碰撞的影響，且因此較大離子(具有較大碰撞橫截面)將在第二方向上更緩慢地移動，從而導致沿著第一方向的離子的分離隨著在第二方向上的運送時間而變。即，在第二方向上更緩慢地移動的較大離子將在它們在第二方向上橫穿遷移率分離器所花費的時間中在第一方向上進一步移動，而較小離子將跨越遷移率分離器較快地移動，且因此行進的距離將較小。以此方式，進入離子通道的離子可具有到進入鄰近離子通道的離子的離子遷移率上的不同范圍。

在208，可分離離子且將離子遞送到沿著遷移率分離器的第一方向布置的多個離子通道中。較小離子可進入相對于離子入口沿著第一方向以較小距離定位的離子通道，而較大離子可進入相對于離子入口沿著第一方向以較大距離定位的離子通道。隨著離子進入遷移率分離器，可基于其離子遷移率而在離子通道中積聚。

在各種實施例中，離子通道可包含離子阱、RF離子導引件、DC離子透鏡或其組合。在具體實施例中，離子通道可包含各自由多個桿界定的離子阱。另外，每一離子阱可包含一或多個曳力葉片。在某些實施例中，離子阱陣列中的鄰近離子阱可共享一對桿。

在210，離子可從離子通道/阱中的一者噴出且發(fā)送到質量分析器。在替代實施例中，離子在到達質量分析器之前可經(jīng)受其它過程，例如基于質荷比的分離、分段或類似過程。在各種實施例中，其它遷移率的離子可繼續(xù)在其相應阱中積聚。另外，離子可循序地從多個離子通道/阱噴出，以使得可分析離子。

在212，質量分析器可確定離子或者離子的片段(如果離子在質量分析器之前經(jīng)受分段)的質荷比。

圖3是說明遷移率分離器300的框圖。遷移率分離器300可包含由例如大體上矩形區(qū)等區(qū)組成的遷移率單元302，其中氣流304在第一方向上從一個末端處的氣體入口306移動到相對末端處的氣體出口308。另外，可在第二方向上施加電場梯度310。在各種實施例中，第一方向和第二方向可形成的角度在約45°與135°之間，例如在約70°與約110°之間。在具體實施例中，第一方向和第二方向可彼此正交(成直角、垂直)。

在各種實施例中，遷移率單元302內(nèi)的氣體壓力可在約1托與約20托之間，例如約3托與約6托之間。在各種實施例中，氣流可在約15slm與約30slm之間。在各種實施例中，遷移率分析器單元302內(nèi)的氣體速度可在約100m/s與約300m/s之間，例如約150m/s與約200m/s之間。

離子源312可接近離子入口314而定位，且離子通道316陣列可接近離子出口孔318陣列而定位。離子出口孔318可在第二方向上與離子入口314相對而定位，且可從離子入口314偏移且在第一方向上彼此間隔開。從離子源312進入遷移率單元302的離子320a到320e可分離到離子出口孔318中，且根據(jù)其在遷移率單元302內(nèi)的離子遷移率而被引導進入離子通道316陣列。在各種實施例中，離子320a到320e可沿著第一方向以大體上相同速度流動，且可根據(jù)其碰撞橫截面而在第二方向上移動。因此，具有較大碰撞橫截面的離子320e可相對于具有較小碰撞橫截面的離子320a在第二方向上更緩慢地移動，原因是與氣流中的分子的大量的碰撞。由于在第二方向上的更慢移動，離子320e可在其跨越遷移率單元302的運送期間沿著第一方向進一步移動。以此方式，具有連續(xù)較大碰撞橫截面的離子可被分揀到離子通道316陣列中，以使得離子通道中的離子具有與鄰近離子通道中的離子不同的離子遷移率范圍。

在各種實施例中，透鏡陣列(未圖示)可定位在離子出口孔318與離子通道316之間。所述透鏡陣列可經(jīng)配置以例如通過朝向通道的中心線聚焦離子而將離子導引到相應通道中。

在各種實施例中，所述多個離子通道316可包含約3個離子通道與約50個離子通道之間，例如約5個離子通道與約20個離子通道之間，甚至約7個離子通道與約15個離子阱之間。

冷卻/轉移導引件322可鄰近于所述多個離子通道316定位。離子可從離子通道316中的一者噴出到冷卻/轉移導引件322中。從冷卻/轉移導引件322，離子可被引導到質量分析器324。在各種實施例中，離子可在質量分析器之前被引導到其它過程，例如分段單元(未圖示)。

在各種實施例中，遷移率分離器系統(tǒng)300可在空間上分離離子以允許每次僅一個或幾個類型的離子被引導到質量分析器，同時捕獲可儲存在阱中且隨后注入到質量分析器中的多個群組的離子。從離子通道316的噴出可允許質量分析器執(zhí)行離子包的質量分析，同時其它離子繼續(xù)積聚且儲存在離子阱316中。遷移率分離器提供的潛在增益可等于單獨通道的數(shù)目。

圖4是說明示范性離子通道陣列400的框圖，例如圖3中的離子通道316陣列。在各種實施例中，離子通道陣列400可包含四極棒對陣列402和曳力葉片對陣列404。例如離子通道406、408和410等每一離子通道可由4個四極桿(2對)界定。例如，離子通道406由四極桿412a、412b、414a和414b界定，離子通道408由四極桿414a、414b、416a和416b界定，且離子通道410由四極桿416a、416b、418a和418b界定。另外，鄰近離子通道可在其之間共享四極桿對，例如離子通道406和408共享四極桿414a和414b，且離子通道408和410共享四極桿416a和416b。四極桿可在每一離子通道中產(chǎn)生四極場以將離子限制在通道內(nèi)。

可將額外停止DC電壓施加于在四極桿的組之前和之后的光學元件以在通道內(nèi)部截留離子，所述通道在此情況下作為離子阱而操作。在需要時，可快速降低這些電壓以從通道釋放離子。

另外，為了確保僅從特定通道快速釋放離子，每一離子通道可包含對應的一對曳力葉片。例如，離子通道406可具有包含曳力葉片420a和420b，離子通道408可具有包含曳力葉片422a和422b，且離子通道410可具有包含曳力葉片424a和424b。通過沿著一對曳力葉片安置DC梯度，可將離子從通道驅出，例如進入圖3的冷卻/轉移導引件322。另外，由于每一離子通道具有唯一的一對曳力葉片，因此可以從一個離子通道驅動離子而無需從鄰近離子通道驅動離子。

圖5A到5C示出用于沿著例如圖3中的遷移率單元302等遷移率單元的第二方向建立電場梯度的電極布置。圖5A說明在遷移率分析器單元的壁上使用一組離散電極(502a到502h)。所述離散電極可具有從接近離子入口的V₀變?yōu)榻咏x子出口的V_N的增加的DC電勢。另外，在各種實施例中，所述離散電極可經(jīng)配置以建立非均勻電場梯度，以使得電場梯度系統(tǒng)地變化。此電場梯度可部分地限制離子且朝向中心線聚焦離子以補償漫射加寬。

圖5B說明使用電阻式層504以產(chǎn)生從接近離子入口的V₀到接近離子出口的V_N的連續(xù)電勢分布。電阻式層504可用以建立大體上均勻的電場梯度。

圖5C說明遷移率單元的壁上的一組離散電極(506a到506h)，其中所述離散電極經(jīng)配置有交替的RF電勢以朝向中心限制離子且從接近離子入口的V₀到接近離子出口的V_N而增加DC電勢。

雖然結合各種實施例來描述本發(fā)明傳授內(nèi)容，但是并不打算將本發(fā)明傳授內(nèi)容限制于這類實施例。相反地，如所屬領域的技術人員應了解，本傳授內(nèi)容涵蓋各種替代方案、修改和等效物。

另外，在描述各種實施例中，說明書可能將方法和/或過程呈現(xiàn)為特定順序的步驟。然而，在方法或過程不依賴于本文闡述的步驟的特定順序的程度上，方法或過程不應限于所描述的步驟的特定順序。如所屬領域的技術人員將了解，步驟的其它順序可以是可能的。因此，在說明書中闡述的步驟的特定次序不應解釋為對權利要求書的限制。另外，針對方法和/或過程的權利要求書不應限于以書寫的次序執(zhí)行其步驟，并且本領域技術人員可以易于了解的是順序可以變化并且仍保持在各種實施例的精神和范圍內(nèi)。

模擬結果

圖6示出9通道DMA離子遷移率分離器的SIMION模擬的結果。表1中示出參數(shù)。模擬三個不同質量離子的分離，包含m1具有300Da的質量和1nm的碰撞橫截面，m2具有600Da的質量和1.6nm的碰撞橫截面，以及m3具有1000Da的質量和2.4nm的碰撞橫截面。所述模擬示出離子被分離到不同的離子通道中，其中m1離子進入第一離子通道，m3離子進入最后離子通道，且m2離子在第四與第五離子通道之間分裂。

圖7示出9通道DMA離子遷移率分離器的SIMION模擬的結果。模擬三個不同質量離子的分離，包含m1具有300Da的質量和1.6nm的碰撞橫截面，m2具有350Da的質量和1.6nm的碰撞橫截面，以及m3具有400Da的質量和1.6nm的碰撞橫截面。所述模擬示出離子被分離到不同的離子通道中，其中m1離子進入第四離子通道，m2離子進入第五離子通道，且m3離子進入第六離子通道。

表1