本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著平板顯示技術(shù)的不斷進步，液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)已經(jīng)成功應(yīng)用于筆記本notebook、監(jiān)視器monitor、電視機TV等顯示設(shè)備中。其中，液晶顯示裝置中包括多個像素區(qū)，每一像素區(qū)都以薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT，也即薄膜場效應(yīng)晶體管)作為驅(qū)動元件，控制每一像素區(qū)的灰階，從而實現(xiàn)高速度、高亮度、高對比度的顯示屏幕信息的顯示。

通常情況下，像素區(qū)內(nèi)的像素結(jié)構(gòu)，不可避免地存在因耦合電容、以及柵極電壓由高電位至低電位所導(dǎo)致的跳變電壓。跳變電壓會直接影響到液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)，跳變電壓ΔVp的理論公式如下：

ΔVp＝Cgs*(Vgh-Vgl)/(Cgs+Cst+Clc)

其中：ΔVp為跳變電壓，Vgh為柵極高電壓，Vgl為柵極低電壓，Cst為存儲電容，Clc為液晶電容。通常情況下，Cgs為柵極、源極以及二者之間的柵極絕緣層構(gòu)成的電容，Cst為像素電極和公共電極以及二者之間的絕緣層構(gòu)成的存儲電容。

現(xiàn)有的顯示屏，薄膜晶體管的柵極和源極形成寄生電容Cgs，寄生電容Cgs差異太大會導(dǎo)致較大的跳變電壓ΔVp。其中，柵極、柵線是同層的，而源極、漏極是同層的，而由于沉積偏差和曝光偏差等原因，故在不同制備工藝形成顯示屏(如不同母板中的顯示屏，或同一母板中不同區(qū)域的顯示屏)中，柵極、柵線和源極、漏極間可能產(chǎn)生不同的位置偏移，即可因工藝差異導(dǎo)致不同顯示屏的柵極和源極的相對位置不同，即有有偏移，從而使構(gòu)成寄生電容Cgs的電容電極的交疊面積發(fā)生變化。然而，目前由于調(diào)試電路是固定的，只能提供固定的公共電壓Vcom，對于同一調(diào)試過程而言，難以針對不同顯示屏的差異給予不同的適當(dāng)?shù)腣com。因此，在對多塊顯示屏同時進行測試并設(shè)定公共電壓時，調(diào)試電路調(diào)節(jié)的公共電壓對不同顯示屏的設(shè)定是一樣的，這樣量產(chǎn)出來的產(chǎn)品，因寄生電容Cgs不一樣引起的跳變電壓ΔVp不一樣會導(dǎo)致灰階變化，從而顯示屏導(dǎo)致畫面閃爍(Fliker)和畫面灰度不均勻(Mura)的不良，影響顯示畫質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，至少部分解決不同顯示屏中由于工藝差異造成的寄生電容Cgs不同而導(dǎo)致跳變電壓不一樣，給電路調(diào)試帶來麻煩的問題。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，劃分為多個像素區(qū)，每一所述像素區(qū)內(nèi)均包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，且

所述源極和與其對應(yīng)的柵極或柵線在正投影方向上至少部分重疊，與任一源極對應(yīng)的柵極和柵線包括該源極所在薄膜晶體管的柵極，以及與該源極所在薄膜晶體管的柵極電連接的柵極和柵線；所述像素電極和與其對應(yīng)的柵極或柵線在正投影方向上至少部分重疊，與任一像素電極對應(yīng)的柵極和柵線包括該像素電極所在像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極，以及與該像素電極所在像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極和柵線。

優(yōu)選的是，所述源極、所述漏極和所述像素電極采用同一構(gòu)圖工藝形成。

優(yōu)選的是，所述源極向第一方向延伸而和與其對應(yīng)的柵極或者柵線重疊，所述像素電極向第二方向延伸而和與其對應(yīng)的柵極或者柵線重疊，所述第一與方向第二方向相反。

進一步優(yōu)選的是，所述源極中，與柵極或者柵線重疊的部分和非重疊的部分間具有邊界線，所述源極靠近該邊界線的部分為第一調(diào)整部；所述像素電極中，與柵極或者柵線重疊的部分和非重疊的部分間具有邊界線，所述像素電極靠近該邊界線的部分為第二調(diào)整部；在垂直于第一方向和第二方向的方向上，所述第一調(diào)整部和所述第二調(diào)整部的尺寸相等。

優(yōu)選的是，任一所述像素區(qū)內(nèi)的所述薄膜晶體管的所述柵極，向相鄰所述像素區(qū)反向延伸形成柵極補償部，所述柵極補償部與其所在所述像素區(qū)的所述像素電極在正投影方向上至少部分重疊。

進一步優(yōu)選的是，所述像素電極為板狀，在對應(yīng)著所述柵極補償部的至少部分區(qū)域形成彎折部，且所述彎折部與相鄰所述像素區(qū)延伸至該所述像素區(qū)的所述柵極補償部在正投影方向上至少部分重疊。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其特包括權(quán)利上述的陣列基板。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板的制備方法，包括形成薄膜晶體管和像素電極的步驟，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，且

采用同一構(gòu)圖工藝形成所述源極、所述漏極和所述像素電極；

所述源極和與其對應(yīng)的柵極或柵線在正投影方向上至少部分重疊，與任一源極對應(yīng)的柵極和柵線包括該源極所在薄膜晶體管的柵極，以及與該源極所在薄膜晶體管的柵極電連接的柵極和柵線；所述像素電極和與其對應(yīng)的柵極或柵線在正投影方向上至少部分重疊，與任一像素電極對應(yīng)的柵極和柵線包括該像素電極所在像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極，以及與該像素電極所在像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極和柵線。

優(yōu)選的是，所述源極向第一方向延伸而和與其對應(yīng)的柵極或者柵線重疊，所述像素電極向第二方向延伸而和與其對應(yīng)的柵極或者柵線重疊，所述第一與方向第二方向相反。

進一步優(yōu)選的是，所述源極中，與柵極或者柵線重疊的部分和非重疊的部分間具有邊界線，所述源極靠近該邊界線的部分為第一調(diào)整部；所述像素電極中，與柵極或者柵線重疊的部分和非重疊的部分間具有邊界線，所述像素電極靠近該邊界線的部分為第二調(diào)整部；在垂直于第一方向和第二方向的方向上，所述第一調(diào)整部和所述第二調(diào)整部的尺寸相等。

優(yōu)選的是，任一所述像素區(qū)內(nèi)的所述薄膜晶體管的所述柵極，向相鄰所述像素區(qū)反向延伸形成柵極補償部，所述柵極補償部與其所在所述像素區(qū)的所述像素電極在正投影方向上至少部分重疊。

進一步優(yōu)選的是，所述像素電極為板狀，在對應(yīng)著所述柵極補償部的至少部分區(qū)域形成彎折部，且所述彎折部與相鄰所述像素區(qū)延伸至該所述像素區(qū)的所述柵極補償部在正投影方向上至少部分重疊。

優(yōu)選的是，采用同一構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述像素電極，包括步驟：

形成像素電極膜層；

在所述源漏極膜層上方形成源漏極膜層；

采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板進行第一次曝光工藝，去除全透明區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠；

采用第一次刻蝕工藝，去除無光刻膠覆蓋的所述像素電極膜層和所述源漏極膜層，保留對應(yīng)著形成源極和漏極、像素電極區(qū)域的所述像素電極膜層和所述源漏極膜層；

采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板進行第二次曝光工藝，去除半透明區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠；

采用第二次刻蝕工藝，去除無光刻膠覆蓋、包括對應(yīng)著形成像素電極區(qū)域的所述源漏極膜層，形成包括源極和漏極、像素電極的圖形；

其中，所述半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板中，對應(yīng)著形成像素電極的區(qū)域為半透明區(qū)域，對應(yīng)著形成源極圖形和漏極圖形的區(qū)域為不透明區(qū)域，其他區(qū)域為全透明區(qū)域。

本發(fā)明的有益效果是：

該陣列基板具有補償寄生電容，可保證不同顯示屏的跳變電壓保持一致，在電路調(diào)試時具有更高的準確度和方便度，提高屏的顯示品質(zhì)；

該陣列基板的制備方法中，源極和漏極以及像素電極在同一構(gòu)圖工藝中同時形成，減少了一次構(gòu)圖工藝的流程，而且節(jié)省了掩模板的費用。

附圖說明

圖1A和圖1B為本發(fā)明實施例1中陣列基板的平面示意圖；

圖2A和圖2B為圖1A中陣列基板的局部放大示意圖；

圖3為發(fā)明實施例1中陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的寄生電容的補償原理圖；

圖4A-圖4E為本發(fā)明實施例1中形成陣列基板的工藝流程圖；

圖5為本發(fā)明實施例1中形成陣列基板采用的半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖標記中：

1－薄膜晶體管；10－襯底；11－柵極；110－柵極補償部；

12－柵絕緣層；13－有源層；14－源極；15－漏極；

2－柵線；3－數(shù)據(jù)線；

4－像素電極；5－公共電極；6－鈍化層。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明陣列基板及其制備方法、顯示裝置作進一步詳細描述。

本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思在于：顯示屏中不可避免地會存在柵極電壓由高電位至低電位所導(dǎo)致的跳變電壓，跳變電壓是直接影響TFT-LCD顯示品質(zhì)的根本?，F(xiàn)有技術(shù)中，薄膜晶體管及其像素電極的制備工藝流程為：形成包括柵極的圖形→形成包括有源層的圖形→形成包括源極和漏極的圖形→形成包括像素電極的圖形；進一步的，ADS型液晶顯示屏的像素結(jié)構(gòu)還有：形成包括鈍化層的圖形→形成包括公共電極的圖形。其中的柵極和源極形成寄生電容Cgs，由于工藝在形成寄生電容的電極(表現(xiàn)為金屬線)的過程的時候，柵極和源極不是同層做出來的，不同顯示屏?xí)捎诠に嚥町悓?dǎo)致柵極和源極有偏移，不同的偏移量導(dǎo)致不同的寄生電容。本發(fā)明從影響跳變電壓的重要因素之一的Cgs入手，保證不同顯示屏的跳變電壓一致，提高顯示屏的顯示品質(zhì)，保證電路調(diào)試的準確度和方便度。

實施例1：

本實施例提供一陣列基板及其制備方法，該陣列基板具有補償寄生電容，保證不同顯示屏的跳變電壓保持一致，在電路調(diào)試時具有更高的準確度和方便度，提高屏的顯示品質(zhì)。

一種陣列基板，劃分為多個像素區(qū)，以如圖1A所示的其中一個像素區(qū)為例，每一像素區(qū)由柵線2和數(shù)據(jù)線3劃分形成。

每一像素區(qū)內(nèi)均包括薄膜晶體管11和像素電極4，薄膜晶體管1包括柵極11、柵絕緣層12、有源層13、源極14和漏極15。該陣列基板中的柵線2與柵極11連接，數(shù)據(jù)線3與漏極15連接，即本發(fā)明中，以薄膜晶體管中與數(shù)據(jù)線3相連的電極為漏極15，與像素電極4相連的電極為源極14。本實施例中，以源極14、漏極15同層且與像素電極4為相鄰層，而像素電極4位于源極14和漏極15的下方為例進行說明。

其中，源極14和與其對應(yīng)的柵極11或柵線2在正投影方向上至少部分重疊，而與源極14對應(yīng)的柵極11和柵線2包括該源極14所在薄膜晶體管的柵極11，以及與該源極14所在薄膜晶體管的柵極11電連接的柵極11和柵線2(一般即為同行像素區(qū)中的柵極11和相應(yīng)的柵線2)。本實施例中，以源極14與同一像素區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的柵極11在正投影方向上至少部分重疊為例進行說明。

而像素電極4也和與其對應(yīng)的柵極11或柵線2在正投影方向上至少部分重疊，相應(yīng)的，與像素電極4對應(yīng)的柵極11和柵線2包括該像素電極4所在像素區(qū)中的薄膜晶體管的柵極11，以及與該像素電極4所在像素區(qū)中的薄膜晶體管的柵極11電連接的柵極11和柵線2(一般即為同行像素區(qū)中的柵極11和相應(yīng)的柵線2)。本實施例中，以像素電極4與相鄰像素區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的柵極11在投影方向上至少部分重疊為例進行說明。

本實施例的陣列基板中，像素電極4也與柵極11或柵線2重疊，從而其也可產(chǎn)生寄生電容(補償寄生電容)，當(dāng)不同陣列基板中，柵極11與源極14偏移而導(dǎo)致寄生電容變化時，補償寄生電容可補償該寄生電容的變化，使總的寄生電容不變或變化較小，從而提高顯示質(zhì)量。

優(yōu)選的，源極14、漏極15和像素電極4采用同一構(gòu)圖工藝形成。

由于以上結(jié)構(gòu)采用同一構(gòu)圖工藝形成，故在不同的陣列基板中，源極14與像素電極4具有相同的位置偏移，即二者之間具有確定的位置關(guān)系，不會產(chǎn)生偏移。

優(yōu)選的，源極14向第一方向(如向下)延伸而和與其對應(yīng)的柵極11或者柵線2重疊，像素電極4向第二方向(如向上)延伸而和與其對應(yīng)的柵極11或者柵線2重疊，第一與方向第二方向相反。

也就是說，源極14和像素電極4從不同方向上與柵極11或柵線2重疊，由此，當(dāng)陣列基板中，因偏移導(dǎo)致其中一者與柵極11或柵線2的重疊部分面積減小時，另一者與柵極11或柵線2的重疊部分面積必然增大，從而一個像素區(qū)中源極14和像素電極4與柵極11或柵線2的重疊部分的總面積不變或變化很小，相應(yīng)的寄生電容的變化也很小，不同顯示屏的跳變電壓ΔVp相等或接近，能設(shè)置更準確的公共電壓，提高顯示品質(zhì)。

更優(yōu)選的，源極14中，與柵極11或者柵線2重疊的部分和非重疊的部分間具有邊界線，源極14靠近該邊界線的部分為第一調(diào)整部；像素電極4中，與柵極11或者柵線2重疊的部分和非重疊的部分間具有邊界線，像素電極4靠近該邊界線的部分為第二調(diào)整部；在垂直于第一方向和第二方向的方向上，第一調(diào)整部和第二調(diào)整部的尺寸相等。

其中，以上“靠近邊界線的區(qū)域”是指在不同陣列基板中，因為偏移的不同，而可能處于重疊狀態(tài)也可能處于不重疊的狀態(tài)的區(qū)域。由于源極14和像素電極4中以上區(qū)域的寬度相同，故當(dāng)源極14和像素電極4發(fā)生相同程度的偏移后，它們的重疊面積的變化量的絕對值必然相等但變化方向相反，故二者的總重疊面積是不變的，相應(yīng)的，總寄生電容量也是不變的，最有利于保證寄生電容的穩(wěn)定。

具體的，可如圖1A、圖2A和圖2B所示，任一像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極11，向相鄰像素區(qū)反向延伸形成柵極補償部110(當(dāng)然柵極補償部110屬于柵極11的一部分)，柵極補償部110與其所在像素區(qū)的像素電極4在正投影方向上至少部分重疊。其中，像素電極4為板狀，在對應(yīng)著相鄰像素區(qū)的柵極補償部110的至少部分區(qū)域形成彎折部(當(dāng)然其屬于像素電極4的一部分)，且彎折部與相鄰像素區(qū)延伸至該像素區(qū)的柵極補償部110’(這里以110’表示柵極補償部由相鄰像素區(qū)延伸而來)在正投影方向上至少部分重疊。其中，圖2A對應(yīng)著圖1A的I部放大，圖2B對應(yīng)著圖1A的II部放大。

其中，采用本實施例中像素電極4在右下角區(qū)域的彎折部與相鄰像素區(qū)的柵極補償部110’時，即使在不同工藝對位過程中出現(xiàn)偏移，尤其是上下偏移，也能保證像素區(qū)內(nèi)的形成寄生電容的相對面積是相等的，從而保證總寄生電容值是相等的，達到寄生電容Cgs補償?shù)哪康摹?/p>

優(yōu)選的是，位于同行的像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極11與同一柵線2連接，其中的柵極補償部110與柵線2平行，使得彎折部更容易與相鄰像素區(qū)的柵極補償部110’在橫向方向上實現(xiàn)Cgs的面積補償，使得每塊顯示屏的總寄生電容相等，從而不同顯示屏的跳變電壓ΔVp一致，能設(shè)置更準確的公共電壓，提高每塊顯示屏的顯示品質(zhì)。

優(yōu)選的是，源極14和漏極15采用不透明導(dǎo)電材料形成，例如鉬(Mo)、鉬鈮合金(MoNb)、鋁(Al)、鋁釹合金(AlNd)、鈦(Ti)和銅(Cu)中的至少一種材料形成的單層或多層復(fù)合疊層；像素電極4采用透明導(dǎo)電材料形成，例如氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，簡稱IZO)、氧化銦錫(Indium Tin Oxide，簡稱ITO)、氧化銦鎵錫中的至少一種形成。

在圖1A的基礎(chǔ)上，如圖1B所示，該陣列基板還包括梳齒狀的公共電極5，公共電極5位于源極14和漏極15的上方，像素電極4和公共電極5在像素區(qū)重疊。為能更突出地示意本實施例中陣列基板中各層結(jié)構(gòu)以及各層之間的位置關(guān)系，圖1B中像素區(qū)的公共電極5設(shè)置為具有一定透明度。

另外，在圖1A和圖1B中，柵絕緣層、鈍化層等層通常采用透明材料(硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物、硅氮氧化物、鋁氧化物)形成，對平面圖的觀察不會造成阻礙，因此在圖1A和圖1B中略去柵絕緣層、鈍化層的示意，以便能更好地示出柵極11、柵線2、源極14、漏極15與像素電極4等的相對位置關(guān)系。

容易理解的是，在集成化工藝生產(chǎn)中，陣列基板包括多個隔離設(shè)置的重復(fù)單元，每一重復(fù)單元均包括多個像素區(qū)，像素區(qū)中的柵極11同層形成且具有相同的圖形，像素區(qū)中的源極14同層形成且具有相同的圖形，像素區(qū)中的像素電極4同層形成且具有相同的圖形。這里的陣列基板即母板，重復(fù)單元可理解為設(shè)置在陣列基板中的獨立子板，每一獨立子板在后續(xù)工藝中可與一相應(yīng)尺寸的彩膜基板對合，進而形成一獨立的顯示屏，采用重復(fù)單元能極大地提高工藝效率，降低工藝成本。

如圖3所示，每一像素區(qū)的源極14與柵極11相交疊形成寄生電容Cgs，像素電極4與相鄰像素區(qū)的柵極補償部110’相交疊形成補償寄生電容Cgs’，由于源極14與像素電極4在同一構(gòu)圖工藝中制備形成，因此源極14與像素電極4具有相同的位置偏移，故在不同的制備過程中，若某陣列基板(或重復(fù)單元)中因源極14偏移(如向上偏移)導(dǎo)致寄生電容Cgs變化(減小)一定的值，則像素電極4也會產(chǎn)生相同方向和相同程度的偏移(向上偏移)，而該偏移導(dǎo)致的補償寄生電容Cgs’的變化量相同但反方向相反(增大)，從而保證Cgs+Cgs’的和不變，即利用與源極14具有相同的位置偏移的像素電極4形成對寄生電容Cgs補償?shù)慕Y(jié)構(gòu)，從而補償因工藝差異帶來的寄生電容Cgs差異，此時即使發(fā)生柵極11/柵線2與源極14的工藝偏移，但整個像素結(jié)構(gòu)的總寄生電容不會發(fā)生變化。因此，在公共電壓調(diào)試過程中，多塊不同工藝制備并裁切形成的顯示屏即使層間偏移量較大，但不同顯示屏中引起寄生電容的整體的重疊面積相等，其總寄生電容值也是相等的，能夠消除不同顯示屏之間由于工藝過程帶來的跳變電壓的差異，保證每塊顯示屏的跳變電壓一致，由于調(diào)試電路的設(shè)定電壓是一定的，調(diào)試電路電壓信號會給每個顯示屏一個相同的公共電壓，使得多塊顯示屏的公共電壓恒定且大小相等，量產(chǎn)后每一塊顯示屏都保持調(diào)節(jié)后的該公共電壓Vcom，因此保證每塊顯示屏的公共電壓恒定。進而，每塊顯示屏的畫面閃爍(Fliker)水平也是一致的，從而能減少畫面閃爍(Fliker)和畫面灰度不均勻(Mura)的問題，改善了畫面顯示品質(zhì)并提高了良率。

作為ADS型液晶顯示屏，該像素結(jié)構(gòu)還包括梳齒狀的公共電極5，公共電極5位于源極14和漏極15的上方，像素電極4和公共電極5在像素區(qū)重疊，形成存儲電容Cst。根據(jù)跳變電壓ΔVp的理論公式：

ΔVp＝(Cgs_on+Cgs’_on)*(Vgh-Vgl)/(Cgs_on+Cgs’_on+Cst+Clc)

由于像素電極4在對應(yīng)著柵極補償部110的至少部分區(qū)域形成彎折部，使得像素電極4與公共電極5的重疊面積相對現(xiàn)有技術(shù)增大，即存儲電容Cst在一定程度上增大；然而，由于此時不論如何偏移，彎折部都和公共電極5都是完全對應(yīng)的，故該彎折部引起的存儲電容Cst的變化是確定且相同的，該變化不會造成不同屏中跳變電壓ΔVp的不同。

ADS是平面電場寬視角核心技術(shù)-高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super Dimension Switch)，其通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。針對不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進技術(shù)有高透過率I-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。

相應(yīng)的，本實施例還提供一種陣列基板的制備方法，包括形成薄膜晶體管1和像素電極4的步驟，薄膜晶體管1包括柵極11、柵絕緣層12、有源層13、源極14和漏極15，采用同一構(gòu)圖工藝形成位于相鄰兩層的源極14、漏極15和像素電極4；并且，其中源極14和與其對應(yīng)的柵極11或柵線2在正投影方向上至少部分重疊，而與源極14對應(yīng)的柵極11和柵線2包括該源極14所在薄膜晶體管的柵極11，以及與該源極14所在薄膜晶體管的柵極11電連接的柵極11和柵線2；而像素電極4也和與其對應(yīng)的柵極11或柵線2在正投影方向上至少部分重疊，相應(yīng)的，與像素電極4對應(yīng)的柵極11和柵線2包括該像素電極4所在像素區(qū)中的薄膜晶體管的柵極11，以及與該像素電極4所在像素區(qū)中的薄膜晶體管的柵極11電連接的柵極11和柵線2。

其中，優(yōu)選的，源極14向第一方向(如向下)延伸而和與其對應(yīng)的柵極11或者柵線2重疊，像素電極4向第二方向(如向上)延伸而和與其對應(yīng)的柵極11或者柵線2重疊，第一與方向第二方向相反。更優(yōu)選的，源極14中，與柵極11或者柵線2重疊的部分和非重疊的部分間具有邊界線，源極14靠近該邊界線的部分為第一調(diào)整部；像素電極4中，與柵極11或者柵線2重疊的部分和非重疊的部分間具有邊界線，像素電極4靠近該邊界線的部分為第二調(diào)整部；在垂直于第一方向和第二方向的方向上，第一調(diào)整部和第二調(diào)整部的尺寸相等。

另外，本實施例將陣列基板中源極14和漏極15、像素電極4的制備合到同一構(gòu)圖工藝中，采用半色調(diào)掩模(Half Tone Mask，簡稱HTM)工藝或灰色調(diào)掩模(Gray Tone Mask，簡稱GTM)工藝分別形成相應(yīng)的層圖形。具體的，采用同一構(gòu)圖工藝形成源極14和像素電極4，包括步驟：

形成像素電極膜層；

在源漏極膜層上方形成源漏極膜層；

采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板進行第一次曝光工藝，全透明區(qū)域(即100％透過區(qū)域)的光刻膠PR完全感應(yīng)，通過顯影工藝去掉對應(yīng)區(qū)域的光刻膠PR；

采用第一次刻蝕工藝，去除無光刻膠覆蓋的像素電極膜層和源漏極膜層，保留對應(yīng)著形成源極和漏極、像素電極區(qū)域的像素電極膜層和源漏極膜層；

采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板進行第二次曝光工藝，利用灰化工藝把半透明區(qū)域(例如40％透過區(qū)域)的光刻膠PR去除；

采用第二次刻蝕工藝，去除無光刻膠覆蓋、包括對應(yīng)著形成像素電極區(qū)域的源漏極膜層，形成包括源極和漏極、像素電極的圖形。

不透明區(qū)域的光刻膠PR使得對應(yīng)區(qū)域的像素電極膜層和源漏極膜層得以保留，此時，只要存在源漏極膜層的下方仍存在像素電極膜層，而在形成像素電極圖形的區(qū)域無源漏極膜層。以形成ADS型液晶顯示裝置的陣列基板作為示例，如圖4A-圖4E所示，本實施例的陣列基板的制備工藝過程為：

在襯底10的上方形成包括柵極11和柵極補償部110的圖形→形成柵絕緣層12以及形成包括有源層13的圖形→形成包括像素電極4以及源極14和漏極15的圖形→形成包括鈍化層6的圖形→形成包括公共電極5的圖形。

其中的源極14和漏極15以及像素電極4的圖形是先后緊接著沉積并采用同一構(gòu)圖工藝形成的。如圖5所示，對應(yīng)著形成圖1A所示的陣列基板的AA截面圖，在該掩模板中對應(yīng)著形成源極圖形和漏極圖形的區(qū)域為不透明區(qū)域，相應(yīng)的像素電極膜層和源漏極膜層均保留；對應(yīng)著形成像素電極的區(qū)域為半透明區(qū)域，相應(yīng)的源漏極膜層去除，而保留像素電極膜層；其他區(qū)域為全透明區(qū)域，相應(yīng)的像素電極膜層和源漏極膜層均去除。

優(yōu)選的是，源極14和漏極15采用不透明導(dǎo)電材料形成，像素電極4采用透明導(dǎo)電材料形成。該陣列基板采用上述制備順序制備像素電極4、源極14和漏極15，能通過像素電極4保證有源層13與源極14和漏極15之間的導(dǎo)電性，保證薄膜晶體管的正常性能；同時，也能保證像素區(qū)的透光性，保證正常顯示。從嚴格意義上來說，漏極15下方的源漏極膜層部分并不是像素電極，其為獨立部分而未延伸至透光區(qū)，在這里起接觸導(dǎo)電的作用。

優(yōu)選的，像素電極4為板狀，在對應(yīng)著柵極補償部110的至少部分區(qū)域形成彎折部，且彎折部與相鄰像素區(qū)延伸至該像素區(qū)的柵極補償部110’在正投影方向上至少部分重疊。采用本實施例中像素電極4在右下角區(qū)域的彎折部時，即使在不同工藝對位過程中出現(xiàn)上下偏移，也能保證像素區(qū)內(nèi)的形成寄生電容的相對面積是相等的，從而保證總寄生電容值是相等的，達到寄生電容Cgs補償?shù)哪康摹?/p>

優(yōu)選的是，位于同行的像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極11與同一柵線2連接，其中的柵極補償部110與柵線2平行，使得彎折部更容易與相鄰像素區(qū)的柵極補償部110’在橫向方向上實現(xiàn)寄生電容Cgs的面積補償，使得每塊顯示屏的總寄生電容相等，從而跳變電壓ΔVp一致，提高每塊顯示屏的顯示品質(zhì)。

另外，作為ADS型液晶顯示器，如前所示，還包括形成梳齒狀的公共電極5的步驟，公共電極5位于像素電極4的上方，像素電極4和公共電極5在像素區(qū)重疊，由像素電極4和公共電極5形成存儲電容Cst，在顯示階段起到保持電壓的作用。

采用上述制備方法形成的陣列基板，不僅能夠補償寄生電容，保證像素結(jié)構(gòu)的總寄生電容不會發(fā)生變化，從而消除不同顯示屏之間由于工藝過程帶來的跳變電壓的變化，改善了畫面的顯示品質(zhì)；而且，其中的源極14和漏極15以及像素電極4在同一構(gòu)圖工藝中同時形成，減少了一次構(gòu)圖工藝的流程，而且節(jié)省了掩模板的費用。

本實施例中的陣列基板及其制備方法，通過半色調(diào)掩模(Half Tone Mask)工藝或灰色調(diào)掩模(Gray Tone Mask)工藝將源極和漏極以及像素電極在同一構(gòu)圖工藝中形成，保證柵極與源極和漏極以及像素電極的偏移量是一樣的，能夠補償寄生電容，保證像素結(jié)構(gòu)的總寄生電容不會發(fā)生變化，從而消除不同顯示屏之間由于工藝過程帶來的跳變電壓的變化，改善了畫面的顯示品質(zhì)；而且，該陣列基板的制備方法中，其中的源極和漏極以及像素電極在同一構(gòu)圖工藝中同時形成，減少了一次構(gòu)圖工藝的流程，而且節(jié)省了掩模板的費用。

實施例2：

本實施例提供一種顯示裝置，其包括實施例1中的陣列基板。

該顯示裝置可以為電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

由于其采用的陣列基板具有較好的顯示品質(zhì)，該顯示裝置具有較佳的顯示效果。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。