1.一種方法，包括：
提供用于電耦合一或多個下層的半導體裝置的起始金屬化結構，該結構包含具有一或多個金屬填充通孔位于其中的介電材料底層、在該底層上方的保護層、及在該保護層上方的介電材料頂層；
在該介電材料頂層上方形成非晶硅的犧牲層；
在該犧牲層上方形成保護層；以及
在該一或多個金屬填充通孔上方形成通過每個層的至少一個通孔，以露出該一或多個金屬填充通孔的該金屬。
2.如權利要求1所述的方法，更包括：
選擇性地移除該保護層；以及
移除該非晶硅的犧牲層。
3.如權利要求2所述的方法，其中，移除該非晶硅的犧牲層包括采用選擇性濕式蝕刻制程。
4.如權利要求3所述的方法，其中，該選擇性濕式蝕刻制程包括使用四甲基氫氧化銨(TMAH)的溶液。
5.如權利要求1所述的方法，其中，形成該至少一個通孔包括使用反應性離子蝕刻制程。
6.如權利要求1所述的方法，其中，形成該至少一個通孔包括采用光刻。
7.如權利要求6所述的方法，其中，形成該至少一個通孔更包括使用反應性離子蝕刻制程。
8.如權利要求1所述的方法，更包括以導電材料填充該至少一個 通孔。
9.如權利要求8所述的方法，其中，該填充包括采用銅電鍍制程。
10.如權利要求8所述的方法，其中，該填充包括：
以該導電材料過量填充該至少一個通孔；以及
將過量的導電材料平坦化以露出該填充的至少一個通孔。
11.如權利要求1所述的方法，其中，形成該保護層包括形成金屬氮化物層。
12.一種中間半導體結構，包括：
用于電耦合一或多個下層的半導體裝置的金屬化結構，該結構包括具有一或多個金屬填充通孔位于其中的介電材料底層、在該底層上方的保護層、及在該保護層上方的介電材料頂層；
在該介電材料頂層上方的非晶硅的犧牲層；
在該犧牲層上方的保護層；以及
在該一或多個金屬填充通孔上方通過每個層的至少一個通孔，以露出該一或多個金屬填充通孔的該金屬。