于2015年7月29日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的名為“有機(jī)發(fā)光像素及包括有機(jī)發(fā)光像素的有機(jī)發(fā)光顯示裝置”的第10-2015-0107358號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)通過(guò)引用全部并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光像素和包括有機(jī)發(fā)光像素的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管是自發(fā)射型裝置并具有寬視角和優(yōu)良的對(duì)比度。有機(jī)發(fā)光二極管也具有快速的響應(yīng)時(shí)間、高照度以及低驅(qū)動(dòng)電壓。

有機(jī)發(fā)光二極管可包括陽(yáng)極和依次層壓在陽(yáng)極上的空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及陰極。例如，空穴傳輸層、發(fā)光層以及電子傳輸層可以是包括有機(jī)化合物的有機(jī)薄膜。

有機(jī)發(fā)光二極管的工作原理可以是如下的。當(dāng)不同的電壓被分別施加至陽(yáng)極和陰極時(shí)，空穴可從陽(yáng)極注入并可通過(guò)空穴傳輸層移動(dòng)至發(fā)光層，并且電子可從陰極注入并可通過(guò)電子傳輸層移動(dòng)至發(fā)光層。空穴和電子可在發(fā)光層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。光隨著激子從激發(fā)態(tài)移動(dòng)到基態(tài)而產(chǎn)生。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光像素及包括有機(jī)發(fā)光像素的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

實(shí)施方式可通過(guò)提供有機(jī)發(fā)光像素實(shí)現(xiàn)，該有機(jī)發(fā)光像素包括用于發(fā)射具有第一波長(zhǎng)的第n階諧振模的光的第一有機(jī)發(fā)光二極管，n 為至少為1的自然數(shù)；用于發(fā)射具有第二波長(zhǎng)的第n階諧振模的光的第二有機(jī)發(fā)光二極管，第二波長(zhǎng)比第一波長(zhǎng)短；以及用于發(fā)射具有第三波長(zhǎng)的第m階諧振模的光的第三有機(jī)發(fā)光二極管，第三波長(zhǎng)比第一波長(zhǎng)和第二波長(zhǎng)短，并且m為比n大的自然數(shù)。

第一有機(jī)發(fā)光二極管可包括第一陽(yáng)極、第一空穴控制層、第一諧振控制層、第一發(fā)光層、第一電子控制層以及第一陰極，其中，第一空穴控制層位于第一陽(yáng)極上，第一諧振控制層位于第一空穴控制層上，第一發(fā)光層位于第一諧振控制層上，第一電子控制層位于第一發(fā)光層上，第一陰極位于第一電子控制層上；第二有機(jī)發(fā)光二極管可包括第二陽(yáng)極、第二空穴控制層、第二諧振控制層、第二發(fā)光層、第二電子控制層以及第二陰極，其中，第二空穴控制層位于第二陽(yáng)極上，第二諧振控制層位于第二空穴控制層上，第二發(fā)光層位于第二諧振控制層上，第二電子控制層位于第二發(fā)光層上，第二陰極位于第二電子控制層上，第二陰極與第一陰極是一體的；以及第三有機(jī)發(fā)光二極管可包括第三陽(yáng)極、第三空穴控制層、第三諧振控制層、第三發(fā)光層、第三電子控制層以及第三陰極，其中，第三空穴控制層位于第三陽(yáng)極上，第三諧振控制層位于第三空穴控制層上，第三發(fā)光層至少位于第三諧振控制層上，第三電子控制層位于第三發(fā)光層上，第三陰極位于第三電子控制層上，第三陰極與第二陰極是一體的。

第一空穴控制層、第二空穴控制層以及第三空穴控制層可以是一體的，并且一體的第一空穴控制層、第二空穴控制層以及第三空穴控制層可以是公共空穴控制層。

公共空穴控制層可包括將空穴傳輸至第一發(fā)光層、第二發(fā)光層和第三發(fā)光層的空穴傳輸層。

空穴傳輸層可包括在空穴傳輸層的厚度方向上所劃分的摻雜層和無(wú)摻雜層，無(wú)摻雜層比摻雜層更靠近第一發(fā)光層、第二發(fā)光層和第三發(fā)光層，摻雜層可包括p型摻雜劑和空穴傳輸材料，并且無(wú)摻雜層可包括空穴傳輸材料。

公共空穴控制層還可包括將空穴從第一陽(yáng)極、第二陽(yáng)極和第三陽(yáng)極注入至空穴傳輸層的空穴注入層。

有機(jī)發(fā)光像素還可包括位于公共空穴控制層與第一陽(yáng)極、第二陽(yáng)極和第三陽(yáng)極之間并產(chǎn)生空穴的中間層。

中間層可包括六氮雜苯并菲六腈、三氧化鉬或富勒烯。

第一電子控制層、第二電子控制層以及第三電子控制層可以是一體的，并且一體的第一電子控制層、第二電子控制層以及第三電子控制層可以是公共電子控制層。

第三發(fā)光層可包括與第一發(fā)光層重疊的第一部分，與第二發(fā)光層重疊的第二部分以及與第三諧振控制層重疊的第三部分。

第三發(fā)光層可包括雙極性化合物。

雙極性化合物可包括蒽、9-苯基蒽、9,10-二苯基蒽、或苯并(B)萘并(2,3-D)呋喃。

第一部分可位于公共空穴控制層和第一發(fā)光層之間，第二部分可位于公共空穴控制層和第二發(fā)光層之間，并且第三部分可位于第三諧振控制層和公共電子控制層之間。

第一諧振控制層可具有比第一發(fā)光層的LUMO能級(jí)高至少0.2eV的LUMO能級(jí)。

第一部分可位于公共電子控制層和第一發(fā)光層之間，第二部分可位于公共電子控制層和第二發(fā)光層之間，并且第三部分可位于第三諧振控制層和公共電子控制層之間。

第一波長(zhǎng)可以是約620至約750nm，第二波長(zhǎng)可以是約495至約570nm，并且第三波長(zhǎng)可以是約450至約495nm。

n可以為1并且m可以為2。

第一有機(jī)發(fā)光二極管可具有根據(jù)下列等式1的第一諧振長(zhǎng)度(Lc1)：

第二有機(jī)發(fā)光二極管可具有根據(jù)下列等式2的第二諧振長(zhǎng)度(Lc2)：

以及

第三有機(jī)發(fā)光二極管可具有根據(jù)下列等式3的第三諧振長(zhǎng)度(Lc3)，

其中，在等式1至等式3中，

Nc1是提供第一有機(jī)發(fā)光二極管的第一諧振長(zhǎng)度的第一諧振結(jié)構(gòu)的第一折射率，λ1是第一波長(zhǎng)，Nc2是提供第二有機(jī)發(fā)光二極管的第二諧振長(zhǎng)度的第二諧振結(jié)構(gòu)的第二折射率，λ2是第二波長(zhǎng)，Nc3是提供第三有機(jī)發(fā)光二極管的第三諧振長(zhǎng)度的第三諧振結(jié)構(gòu)的第三折射率，以及λ3是第三波長(zhǎng)。

n可以為1并且m可以為2。

實(shí)施方式可通過(guò)提供有機(jī)發(fā)光顯示裝置實(shí)現(xiàn)，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有第一光發(fā)射區(qū)、第二光發(fā)射區(qū)和第三光發(fā)射區(qū)以及鄰近于第一光發(fā)射區(qū)、第二光發(fā)射區(qū)和第三光發(fā)射區(qū)的非光發(fā)射區(qū)，該裝置包括基礎(chǔ)層；第一有機(jī)發(fā)光二極管，在第一光發(fā)射區(qū)中位于基礎(chǔ)層上，用于發(fā)射具有第一波長(zhǎng)的第一階諧振模的光；第二有機(jī)發(fā)光二極管，在第二光發(fā)射區(qū)中位于基礎(chǔ)層上，用于發(fā)射具有第二波長(zhǎng)的第一階諧振模的光，第二波長(zhǎng)比第一波長(zhǎng)短；以及第三有機(jī)發(fā)光二極管，在第三光發(fā)射區(qū)中位于基礎(chǔ)層上，用于發(fā)射具有第三波長(zhǎng)的第二階諧振模的光，第三波長(zhǎng)比第一波長(zhǎng)和第二波長(zhǎng)短。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可包括位于基礎(chǔ)層上的像素限定膜，像素限定膜包括分別覆蓋第一光發(fā)射區(qū)、第二光發(fā)射區(qū)和第三光發(fā)射區(qū)的第一開(kāi)口、第二開(kāi)口和第三開(kāi)口。

第一有機(jī)發(fā)光二極管可包括第一陽(yáng)極、第一空穴控制層、第一諧振控制層、第一發(fā)光層、第一電子控制層以及第一陰極，其中，第一陽(yáng)極位于第一光發(fā)射區(qū)中，第一空穴控制層位于第一陽(yáng)極上，第一諧振控制層位于第一空穴控制層上，第一發(fā)光層位于第一諧振控制層上，第一電子控制層位于第一發(fā)光層上，第一陰極位于第一電子控制層上；第二有機(jī)發(fā)光二極管可包括第二陽(yáng)極、第二空穴控制層、第二諧振控制層、第二發(fā)光層、第二電子控制層以及第二陰極，其中，第二陽(yáng)極位于第二光發(fā)射區(qū)中，第二空穴控制層位于第二陽(yáng)極上，第二諧振控制層位于第二空穴控制層上，第二發(fā)光層位于第二諧振控制層上，第二電子控制層位于第二發(fā)光層上，第二陰極位于第二電子控制層上； 第三有機(jī)發(fā)光二極管可包括第三陽(yáng)極、第三空穴控制層、第三諧振控制層、第三發(fā)光層、第三電子控制層以及第三陰極，其中，第三陽(yáng)極位于第三光發(fā)射區(qū)中，第三空穴控制層位于第三陽(yáng)極上，第三諧振控制層位于第三空穴控制層上，第三發(fā)光層位于第三諧振控制層上并與第一光發(fā)射區(qū)、第二光發(fā)射區(qū)和第三光發(fā)射區(qū)以及非光發(fā)射區(qū)重疊，第三電子控制層位于第三發(fā)光層上，第三陰極位于第三電子控制層上，第一空穴控制層、第二空穴控制層和第三空穴控制層可以是一體的公共空穴控制層的部分，第一電子控制層、第二電子控制層和第三電子控制層可以是一體的公共電子控制層的部分，并且第一陰極、第二陰極和第三陰極可以是一體的公共陰極的部分。

公共空穴控制層可包括將空穴傳輸至第一發(fā)光層、第二發(fā)光層和第三發(fā)光層的空穴傳輸層。

空穴傳輸層可包括在空穴傳輸層的厚度方向上所劃分的摻雜層和無(wú)摻雜層，無(wú)摻雜層比摻雜層更靠近第一發(fā)光層、第二發(fā)光層和第三發(fā)光層，摻雜層可包括p型摻雜劑和空穴傳輸材料，并且無(wú)摻雜層可包括空穴傳輸材料。

公共空穴控制層還可包括將空穴從第一陽(yáng)極、第二陽(yáng)極和第三陽(yáng)極注入至空穴傳輸層的空穴注入層。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可包括位于公共空穴控制層與第一陽(yáng)極、第二陽(yáng)極和第三陽(yáng)極之間并產(chǎn)生空穴的中間層。

中間層可包括六氮雜苯并菲六腈、三氧化鉬或富勒烯。

第三發(fā)光層可包括雙極性化合物。

雙極性化合物可包括蒽、9-苯基蒽、9,10-聯(lián)苯基蒽、或苯并(B)萘并(2,3-D)呋喃。

第三發(fā)光層可包括位于公共空穴控制層和第一發(fā)光層之間的第一部分，位于公共空穴控制層和第二發(fā)光層之間的第二部分，以及位于第三諧振控制層和公共電子控制層之間的第三部分。

第一諧振控制層可具有比第一發(fā)光層的LUMO能級(jí)高至少0.2eV的LUMO能級(jí)。

第三發(fā)光層可包括位于公共的電子控制層和第一發(fā)光層之間的第 一部分，位于公共電子控制層和第二發(fā)光層之間的第二部分，以及位于第三諧振控制層和公共電子控制層之間的第三部分。

第一波長(zhǎng)的光可以是紅光，第二波長(zhǎng)的光可以是綠光，并且第三波長(zhǎng)的光可以是藍(lán)光。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照所附附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，特征將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)，在附圖中：

圖1示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的框圖；

圖2示出了根據(jù)實(shí)施方式的子像素的電路圖；

圖3示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板的立體圖；

圖4A至圖4D示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板的平面圖；

圖5示出了根據(jù)實(shí)施方式的像素的剖視圖；

圖6A至圖6C示出了根據(jù)實(shí)施方式的空穴控制層的剖視圖；

圖7示出了根據(jù)實(shí)施方式的電子控制層的剖視圖；

圖8A、圖8B、圖9A以及圖9B示出了根據(jù)實(shí)施方式的像素的剖視圖；

圖10A和圖10B示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖視圖；以及

圖11示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將參照附圖在下文中更加全面地描述示例性實(shí)施方式；但是，它們可以以不同形式具體化，并且不應(yīng)被看作為對(duì)本文中陳述的實(shí)施方式的限制。相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開(kāi)將是周密而完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全地傳達(dá)示例性實(shí)現(xiàn)方式。

在附圖的各圖中，為了清楚說(shuō)明，層和區(qū)的大小可能被夸大。也應(yīng)理解，當(dāng)元件被稱為在另一元件“上”時(shí)，其可直接位于另一元件上，或也可存在介于中間的元件。此外，應(yīng)理解，當(dāng)元件被稱為在另 一元件“下”時(shí)，其可直接位于另一元件下，并且也可存在一個(gè)或多個(gè)介于中間的元件。另外，還應(yīng)理解，當(dāng)元件被稱為在兩個(gè)元件“之間”時(shí)，其可以是兩個(gè)元件之間的唯一元件，或也可存在一個(gè)或多個(gè)介于中間的元件。在說(shuō)明書(shū)全文中，相同的附圖標(biāo)號(hào)指代相同的元件。

圖1示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的框圖。圖2示出了根據(jù)實(shí)施方式的子像素的電路圖。在下文中，將參照?qǐng)D1和圖2描述根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

如圖1中所示，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可包括時(shí)序控制單元100、掃描驅(qū)動(dòng)單元200、源驅(qū)動(dòng)單元300以及有機(jī)發(fā)光顯示面板DP。

時(shí)序控制單元100可接收輸入圖像信號(hào)，并可根據(jù)與源驅(qū)動(dòng)單元300的接口規(guī)格來(lái)轉(zhuǎn)換輸入圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)格式以生成圖像數(shù)據(jù)D-RGB。時(shí)序控制單元100可輸出圖像數(shù)據(jù)D-RGB和多種控制信號(hào)(DCS、SCS)。

掃描驅(qū)動(dòng)單元200可從時(shí)序控制單元100接收掃描控制信號(hào)SCS。掃描控制信號(hào)SCS可包括啟動(dòng)掃描驅(qū)動(dòng)單元200的操作的垂直啟動(dòng)信號(hào)、確定信號(hào)的輸出時(shí)間的時(shí)鐘信號(hào)等。掃描驅(qū)動(dòng)單元200可響應(yīng)于掃描控制信號(hào)SCS生成柵信號(hào)，并可依次將柵信號(hào)輸出至下文描述的掃描線SL1至SLn。

圖1將柵信號(hào)示出為正從掃描驅(qū)動(dòng)線之一輸出。在實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可包括多個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)線。掃描驅(qū)動(dòng)線可輸出彼此不同的柵信號(hào)。

源驅(qū)動(dòng)單元300可從時(shí)序控制單元100接收數(shù)據(jù)控制信號(hào)DCS以及圖像數(shù)據(jù)D-RGB。源驅(qū)動(dòng)單元300可將圖像數(shù)據(jù)D-RGB轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)信號(hào)，并可將數(shù)據(jù)信號(hào)輸出至下文描述的源線DL1至DLm。數(shù)據(jù)信號(hào)可以是分別與圖像數(shù)據(jù)D-RGB的層次值(gradation value)對(duì)應(yīng)的模擬電壓。

有機(jī)發(fā)光顯示面板DP可包括掃描線SL1至SLn、源線DL1至DLm以及子像素SPX。掃描線SL1至SLn可在第一方向軸線DR1上延伸，并可沿與第一方向軸線DR1交叉的第二方向軸線DR2排列。源線DL1至DLm可與掃描線SL1至SLn交叉使得它們之間保持絕緣。 根據(jù)子像素SPX的電路結(jié)構(gòu)，根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板DP還可包括向子像素SPX提供與柵信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)不同的信號(hào)的信號(hào)線。

子像素SPX中的每個(gè)可連接至掃描線SL1至SLn中的對(duì)應(yīng)的掃描線，以及源線DL1至DLm中的對(duì)應(yīng)的源線。子像素SPX中的每個(gè)可接收第一電壓ELVDD和第二電壓ELVSS，第二電壓ELVSS的電平低于第一電壓ELVDD的電平。子像素SPX中的每個(gè)可連接至電力線PL，第一電壓ELVDD被施加至電力線PL。

在圖2中，連接至第i掃描線SLi和第j源線DLj的子像素SPXij的等效電路被示例性地示出。雖然沒(méi)有具體示出，但是圖1中所示的其它子像素也可具有相同的等效電路。

如圖2中所示，子像素SPXij包括至少一個(gè)晶體管、至少一個(gè)電容器以及有機(jī)發(fā)光二極管。在本實(shí)施方式中示例性地示出了具有兩個(gè)晶體管以及一個(gè)電容器的像素電路，但是子像素SPXij的配置不限于此。

子像素SPXij包括第一晶體管TR1、第二晶體管TR2、電容器Cap以及有機(jī)發(fā)光二極管OLED。響應(yīng)于被施加至第i掃描線SLi的柵信號(hào)，第一晶體管TR1輸出施加至第j源線DLj的數(shù)據(jù)信號(hào)。電容器Cap被充電有與從第一晶體管TR1接收的數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓。響應(yīng)于存儲(chǔ)在電容器Cap中的電壓，第二晶體管TR2控制在有機(jī)發(fā)光二極管OLED中流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流。

圖3示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板DP的立體圖。圖4A至圖4D是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板DP的平面圖。

如圖3中所示，有機(jī)發(fā)光顯示面板DP包括多個(gè)子像素SPX-R、SPX-G以及SPX-B。作為示例示出了三種類型的子像素SPX-R、SPX-G以及SPX-B，并且三種類型的子像素SPX-R、SPX-G以及SPX-B可產(chǎn)生彼此不同顏色的光。例如，三種類型的子像素SPX-R、SPX-G以及SPX-B可分別發(fā)射紅光、綠光以及藍(lán)光。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式的三種類型的子像素SPX-R、SPX-G以及SPX-B也可分別發(fā)射洋紅光、 黃光以及青色光。三種類型的子像素SPX-R、SPX-G以及SPX-B可沿圖3中的第三方向軸線DR3發(fā)射光。

產(chǎn)生彼此不同顏色的光的子像素SPX-R、SPX-G以及SPX-B的組合被定義為像素PX。如圖3中所示，像素PX可包括三種類型的子像素SPX-R、SPX-G以及SPX-B。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式的像素PX也可包括四種類型的子像素，并且四種類型的子像素也可分別發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光以及白光。

如圖4A中所示，在由第一方向軸線DR1和第二方向軸線DR2限定的平面上，有機(jī)發(fā)光顯示面板DP被劃分為多個(gè)光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G以及PXA-B，和非光發(fā)射區(qū)NPXA。圖4A示出了作為示例的以矩陣形式排列的三種類型的光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G以及PXA-B。三種類型的子像素SPX-R、SPX-G以及SPX-B(參照?qǐng)D3)的有機(jī)發(fā)光二極管分別排列在三種類型的光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G以及PXA-B中。

非光發(fā)射區(qū)NPXA可被劃分為圍繞三種類型的光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G和PXA-B的第一非光發(fā)射區(qū)NPXA-1以及布置在第一非光發(fā)射區(qū)NPXA-1之間的第二非光發(fā)射區(qū)NPXA-2。信號(hào)線，例如掃描線SLi(參照?qǐng)D2)、源線DLj(參照?qǐng)D2)或電力線PL(參照?qǐng)D2)布置在第一非光發(fā)射區(qū)NPXA-1中。子像素的對(duì)應(yīng)電路，例如第一晶體管TR1和第二晶體管TR2(參照?qǐng)D2)或電容器Cap(參照?qǐng)D2)布置在第二非光發(fā)射區(qū)NPXA-2中的每個(gè)中。

圖4B至圖4D作為示例示出了具有不同于圖4A中示出的條紋像素排列的子像素排列的有機(jī)發(fā)光顯示面板DP-1、DP-2以及DP-3的平面圖。如圖4B和圖4C中所示，光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G1、PXA-B以及PXA-G2中的四個(gè)可以以重復(fù)的方式排列。對(duì)應(yīng)子像素的有機(jī)發(fā)光二極管分別布置在四個(gè)光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G1、PXA-B以及PXA-G2中。藍(lán)光發(fā)射區(qū)PXA-B和紅光發(fā)射區(qū)PXA-R的位置可根據(jù)像素行而彼此替代。如圖4D中所示，藍(lán)光發(fā)射區(qū)PXA-B可被紅光發(fā)射區(qū)PXA-R中的兩個(gè)和綠光發(fā)射區(qū)PXA-G中的兩個(gè)圍繞。這里，紅光發(fā)射區(qū)PXA-R中的兩個(gè)可沿對(duì)角線設(shè)置，并且綠光發(fā)射區(qū)PXA-G 中的兩個(gè)可沿對(duì)角線設(shè)置。同樣地，發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式不限于典型的條紋子像素排列。

圖5示出了根據(jù)實(shí)施方式的像素PX的剖視圖。示出了沿圖4A中的線I-I'截取的橫截面。

像素PX可包括第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G以及第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B。第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G以及第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B可分別布置在第一光發(fā)射區(qū)PXA-R、第二光發(fā)射區(qū)PXA-G以及第三光發(fā)射區(qū)PXA-B中。

第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R可發(fā)射具有第一波長(zhǎng)的第n階諧振模的光(其中，n是至少為1的自然數(shù))。第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G可發(fā)射具有第二波長(zhǎng)的第n階諧振模的光。第二波長(zhǎng)可比第一波長(zhǎng)短。第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B可發(fā)射具有第三波長(zhǎng)的第m階諧振模的光(其中，m為大于n的自然數(shù))，并且第三波長(zhǎng)可比第一波長(zhǎng)和第二波長(zhǎng)短。在實(shí)現(xiàn)方式中，n可以是1并且m可以是2。

第一至第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、OLED-G以及OLED-B中的每個(gè)均可包括陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B；空穴控制層HCL；諧振控制層SL-R、SL-G以及SL-B；發(fā)光層EML-R、EML-G以及EML-B；電子控制層ECL以及陰極E2。在第一至第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、OLED-G以及OLED-B中的每個(gè)中，陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B的前表面(例如，沿第三方向軸線DR3的頂表面)與陰極E2的下表面(例如，沿第三方向軸線DR3的底表面)之間的距離可限定為根據(jù)以下等式A的諧振長(zhǎng)度Lc。

在等式A中，Nc定義為諧振結(jié)構(gòu)的有效折射率，λ定義為待諧振的光的波長(zhǎng)，以及k定義為諧振模的階。例如，k是諧振模的階。諧振結(jié)構(gòu)可包括陽(yáng)極E1-R、E1-G和E1-B與陰極E2之間的全部功能層。在實(shí)現(xiàn)方式中，功能層可包括諧振控制層SL-R、SL-G以及SL-B；發(fā)光層EML-R、EML-G以及EML-B；和電子控制層ECL中的至少一 個(gè)。因此，功能層還可包括附加功能層。包括多個(gè)功能層的諧振結(jié)構(gòu)的有效折射率可通過(guò)計(jì)算多個(gè)功能層的折射率而導(dǎo)出。例如，包括兩個(gè)功能層的諧振結(jié)構(gòu)的有效折射率可根據(jù)以下等式B導(dǎo)出。

在等式B中，N1是功能層中的任何一個(gè)的折射率，并且N2是功能層中的另一個(gè)的折射率。包括三個(gè)或更多功能層的諧振結(jié)構(gòu)的有效折射率可通過(guò)其它合適的方法導(dǎo)出。

在圖5中，第一諧振長(zhǎng)度Lc-R表示根據(jù)等式A的第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R的諧振長(zhǎng)度，第二諧振長(zhǎng)度Lc-G表示根據(jù)等式A的第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G的諧振長(zhǎng)度，以及第三諧振長(zhǎng)度Lc-B表示根據(jù)等式A的第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B的諧振長(zhǎng)度。

在實(shí)現(xiàn)方式中，從第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R發(fā)射的光的第一波長(zhǎng)可以是例如約620至約750nm，從第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G發(fā)射的光的第二波長(zhǎng)可以是例如約495至約570nm，和/或從第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B發(fā)射的光的第三波長(zhǎng)可以是例如約450至約495nm。在實(shí)現(xiàn)方式中，第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R可發(fā)射例如紅光，第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G可發(fā)射例如綠光，以及第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B可發(fā)射例如藍(lán)光。

在實(shí)現(xiàn)方式中，第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R和第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G中的每個(gè)均可具有第一階諧振結(jié)構(gòu)，并且第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B可具有第二階諧振結(jié)構(gòu)，并且第三諧振長(zhǎng)度Lc-B可大于第一諧振長(zhǎng)度Lc-R和/或第二諧振長(zhǎng)度Lc-G。第一波長(zhǎng)可以比第二波長(zhǎng)長(zhǎng)，并且第一諧振長(zhǎng)度Lc-R可大于第二諧振長(zhǎng)度Lc-G。

第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R和第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G中的每個(gè)均可具有第一階諧振結(jié)構(gòu)，并且第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B具有第二階諧振結(jié)構(gòu)，從而減少制造成本。例如，第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R和第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G中的每個(gè)均可具有第一階諧振結(jié)構(gòu)，以使得第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R中的諧振控制層SL-R和發(fā)光層EML-R以及第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G中的諧振控制層SL-G和發(fā)光層EML-G的厚度可變得更薄。從而，在諧振控制層SL-R 和SL-G以及發(fā)光層EML-R和EML-G中使用的材料的量可有利地減少。

如下表1中所示，第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R和第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G的驅(qū)動(dòng)效率可改善。相對(duì)于相同照度測(cè)量了驅(qū)動(dòng)電壓和電流效率。

【表1】

如表1中所看到的，具有第一階諧振模的第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R比具有第二諧振的第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R具有更低的驅(qū)動(dòng)電壓和更高的電流效率。具有第一階諧振模的第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G具有更低的驅(qū)動(dòng)電壓，并保持與具有第二諧振的第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G的電流效率相同的電流效率。

通過(guò)具有第二階諧振模的第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B，可減少第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B的故障。如果第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B具有第一階諧振結(jié)構(gòu)，則陽(yáng)極E1-B和發(fā)光層EML-B之間的距離將是短的，并因此雜質(zhì)可能導(dǎo)致暗點(diǎn)的產(chǎn)生。諧振控制層SL-B可保持陽(yáng)極E1-B和發(fā)光層EML-B之間的至少某一距離的間隔，并且第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B中的暗點(diǎn)缺陷可減少。

將參照?qǐng)D5更加詳細(xì)地描述包括在像素PX中的第一至第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、OLED-G以及OLED-B的層壓結(jié)構(gòu)。下文描述的層壓結(jié)構(gòu)僅是示例。

第一至第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、OLED-G以及OLED-B可布置在基礎(chǔ)層BL上?；A(chǔ)層BL可包括例如有機(jī)層、無(wú)機(jī)層、玻璃襯底、金屬襯底等。

第一至第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、OLED-G以及OLED-B中的第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B可布置在基礎(chǔ)層BL上。根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)射方向，第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B中的每個(gè)可以是例如透射電極、半透射半反射電極或反射電極。例如，底部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管可包括透射陽(yáng)極，以及頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管可包括反射陽(yáng)極或半透射半反射陽(yáng)極。

透射的第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B中的每個(gè)可包括例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物(ZnO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)等。半透射半反射或反射的第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B中的每個(gè)可包括例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或這些金屬的混合物。

第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B可以是例如由透明金屬氧化物或金屬制成的單層結(jié)構(gòu)或具有多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B中的每個(gè)均可具有ITO、Ag或金屬混合物(例如，銀和鎂的金屬混合物)的單層結(jié)構(gòu)、ITO/Mg或ITO/氟化鎂(MgF)的雙層結(jié)構(gòu)、或ITO/Ag/MgF的三層結(jié)構(gòu)。第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B可通過(guò)使用具有多個(gè)開(kāi)口的精細(xì)金屬掩 模(FMM)通過(guò)沉積工藝形成。

空穴控制層HCL(其覆蓋第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B)可布置在基礎(chǔ)層BL上。在實(shí)現(xiàn)方式中，空穴控制層HCL可具有或提供如圖5中所示的平坦表面。在實(shí)現(xiàn)方式中，多個(gè)臺(tái)階狀部分也可被提供為與第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B對(duì)應(yīng)。

空穴控制層HCL可包括與第一至第三光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G以及PXA-B對(duì)應(yīng)的第一至第三部分HCL-R、HCL-G以及HCL-B?？昭刂茖親CL可設(shè)置在第一至第三光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G和PXA-B中以及在非光發(fā)射區(qū)NPXA中?？昭刂茖親CL可通過(guò)使用開(kāi)口掩模通過(guò)沉積工藝形成。第一至第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、OLED-G以及OLED-B的空穴控制層HCL可形成為一體(例如，可以整體地形成為單片結(jié)構(gòu))。第一至第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、OLED-G以及OLED-B的一體的空穴控制層HCL可限定為公共空穴控制層。

空穴控制層HCL可具有由單一材料制成的單層結(jié)構(gòu)、包括多個(gè)不同材料(例如，混合層)的單層結(jié)構(gòu)、或具有由多個(gè)不同材料制成的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)?？昭刂茖親CL可包括空穴注入層、空穴傳輸層、緩沖層和電子阻擋層中的至少一個(gè)?？昭刂茖親CL中的這些功能層可使用多種方法形成，例如，真空沉積、旋涂、鑄造、Langmuir-Blodgett、噴墨印刷、激光印刷、激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)等。

第一至第三諧振控制層SL-R、SL-G以及SL-B可布置在空穴控制層HCL上。第一至第三諧振控制層SL-R、SL-G以及SL-B可包括例如空穴傳輸材料。第一至第三諧振控制層SL-R、SL-G以及SL-B可設(shè)置為實(shí)現(xiàn)第一至第三諧振長(zhǎng)度Lc-R、Lc-G以及Lc-B。

第一至第三發(fā)光層EML-R、EML-G以及EML-B可布置在第一至第三諧振控制層SL-R、SL-G以及SL-B上。第一至第三發(fā)光層EML-R、EML-G以及EML-B中的每個(gè)均可具有例如由單一材料制成的單層結(jié)構(gòu)、包括多個(gè)不同材料的單層結(jié)構(gòu)、或具有由多個(gè)不同材料制成的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。第一至第三發(fā)光層EML-R、EML-G以及EML-B可通過(guò)使用多種方法形成，例如真空沉積、旋涂、鑄造、 Langmuir-Blodgett、噴墨印刷、激光印刷、激光誘發(fā)熱成像(LITI)等。

合適的材料可用于形成第一至第三發(fā)光層EML-R、EML-G以及EML-B，例如，第一至第三發(fā)光層EML-R、EML-G以及EML-B可由發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光的材料或包括熒光材料或磷光材料的材料制成。在實(shí)現(xiàn)方式中，第一發(fā)光層EML-R和第二發(fā)光層EML-G可包括磷光材料，并且第三發(fā)光層EML-B可包括熒光材料。

在實(shí)現(xiàn)方式中，第一至第三發(fā)光層EML-R、EML-G以及EML-B中的每個(gè)均可包括主體和摻雜劑。主體的示例可包括三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、4,4'-雙(N-咔唑基)-1,1'-聯(lián)苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔-丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、聯(lián)苯乙烯基亞芳基(DSA)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-聯(lián)苯(CDBP)、以及2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽(MADN)。

第一發(fā)光層EML-R可包括，例如包括(二苯甲酰甲烷)鄰二氮菲銪(PBD:Eu(DBM)₃(Phen))或二萘嵌苯的熒光材料。在實(shí)現(xiàn)方式中，第一發(fā)光層EML-R可包括例如金屬?gòu)?fù)合摻雜劑或有機(jī)金屬?gòu)?fù)合摻雜劑，其中，金屬?gòu)?fù)合摻雜劑例如雙(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥(PIQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)銥(PQIr)或八乙基卟啉鉑(PtOEP)。在實(shí)現(xiàn)方式中，第一發(fā)光層EML-R可包括諸如Btp₂Ir(acac)等的磷光材料。在實(shí)現(xiàn)方式中，第一發(fā)光層EML-R可包括其它發(fā)光材料。

在實(shí)現(xiàn)方式中，第二發(fā)光層EML-G可包括熒光材料，該熒光材料包括三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)。在實(shí)現(xiàn)方式中，第二發(fā)光層EML-G例如可包括例如面式-三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)₃)的金屬?gòu)?fù)合摻雜劑、或有機(jī)金屬?gòu)?fù)合摻雜劑。在實(shí)現(xiàn)方式中，第二發(fā)光層EML-G可包括例如諸如Ir(ppy)₃等的磷光材料。在實(shí)現(xiàn)方式中，第二發(fā)光層EML-G可包括其它發(fā)光材料。

在實(shí)現(xiàn)方式中，第三發(fā)光層EML-B可包括熒光材料，例如，螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基-苯(DSB)、二苯乙烯基-亞芳基(DSA)、 聚芴(PFO)基聚合物、和/或聚(p-苯撐乙烯)(PPV)基聚合物。在實(shí)現(xiàn)方式中，第三發(fā)光層EML-B例如可包括例如(4,6-F₂ppy)₂Irpic的金屬?gòu)?fù)合摻雜劑或有機(jī)金屬?gòu)?fù)合摻雜劑。在實(shí)現(xiàn)方式中，第三發(fā)光層EML-B可包括其它發(fā)光材料。

電子控制層ECL(其覆蓋第一至第三發(fā)光層EML-R、EML-G以及EML-B)可布置在空穴控制層HCL上。電子控制層ECL可包括與第一至第三光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G以及PXA-B對(duì)應(yīng)的第一至第三部分ECL-R、ECL-G以及ECL-B(在下文中，稱為第一至第三電子控制層)。電子控制層ECL可形成于第一至第三光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G和PXA-B中以及在非光發(fā)射區(qū)NPXA中。在實(shí)現(xiàn)方式中，電子控制層ECL可通過(guò)使用開(kāi)口掩模通過(guò)沉積工藝來(lái)形成。第一至第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、OLED-G以及OLED-B中的電子控制層可形成為一體。第一至第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、OLED-G以及OLED-B中的一體的電子控制層可限定為公共電子控制層。

在實(shí)現(xiàn)方式中，電子控制層ECL可包括電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)。電子控制層ECL中的這些功能層可通過(guò)使用多種方法例如真空沉積、旋涂、鑄造、Langmuir-Blodgett、噴墨印刷、激光印刷、激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)等形成。

陰極E2可布置在空穴控制層HCL上。陰極E2可包括與第一至第三光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G以及PXA-B對(duì)應(yīng)的第一至第三部分E2-R、E2-G以及E2-B(在下文中，稱為第一至第三陰極)。陰極E2可形成在第一至第三光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G和PXA-B中以及在非光發(fā)射區(qū)NPXA中。在實(shí)現(xiàn)方式中，陰極E2可通過(guò)使用開(kāi)口掩模通過(guò)沉積操作形成。在實(shí)現(xiàn)方式中，第一至第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、OLED-G以及OLED-B的陰極可形成為一體。第一至第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R、OLED-G以及OLED-B中的一體的陰極可限定為公共電極。

陰極E2可以是例如透射電極、半透射半反射電極或反射電極。在實(shí)現(xiàn)方式中，透射陰極E2可包括Li、Liq、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag或它們的化合物或混合物(例如，Ag和Mg 的混合物)。在實(shí)現(xiàn)方式中，半透射半反射電極或反射陰極E2可包括Ag、Liq、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或它們的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。在實(shí)現(xiàn)方式中，半透射半反射電極或反射陰極E2可具有包括由上述這些材料制成的反射層或半透射半反射層，或包括由ITO、IZO、ZnO、ITZO等制成的透明導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。

在實(shí)現(xiàn)方式中，陰極E2可包括輔助電極(或輔助線)。輔助電極是用于防止電壓降的電極，并且可包括例如ITO、IZO、ZnO或ITZO，和/或也可包括Mo、Ti或Ag。

頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管可包括反射陽(yáng)極、以及透射陰極或半透射半反射陰極。頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管可包括透射陽(yáng)極或半透射半反射陽(yáng)極、以及反射陰極。

圖6A至圖6C示出了根據(jù)實(shí)施方式的空穴控制層HCL-1、HCL-2和HCL-3的剖視圖。在下文中，將參照?qǐng)D6A至圖6C更詳細(xì)地描述空穴控制層HCL-1、HCL-2和HCL-3。下文描述的空穴控制層HCL-1、HCL-2和HCL-3可用作圖5中的空穴控制層HCL。

如圖6A中所示，空穴控制層HCL-1可包括空穴注入層HIL和空穴傳輸層HTL，空穴傳輸層HTL在空穴控制層HCL-1的厚度方向上位于空穴注入層HIL上。

空穴注入層HIL可包括例如諸如銅酞菁等的酞菁化合物，或可包括N,N'-二苯基-N,N'-雙-[4-(苯基-m-甲苯基-氨基)-苯基]-二苯基-4,4'-二胺(DNTPD)、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4"-三(N,N-二苯胺)三苯胺(TDATA)、4,4',4"-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺(2TNATA)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PANI/CSA(聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/DBSA)、(聚苯胺)/聚(4-磺苯乙烯)(PANI/PSS)等。

空穴傳輸層HTL例如可包括諸如N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等的咔唑衍生物、氟衍生物、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-二苯基]-4,4'-二胺(TPD)、諸如4,4,4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)等的三苯胺衍生物、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(NPB)、4,4'-亞環(huán) 己基雙[N,N–雙(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)等。

空穴注入層HIL的厚度可以是例如約50至約和/或空穴傳輸層HTL的厚度可以是例如約100至約當(dāng)空穴傳輸層HTL的厚度落入所描述的范圍內(nèi)時(shí)，可在不有效增加驅(qū)動(dòng)電壓的情況下實(shí)現(xiàn)充分滿意的空穴傳輸特性。

在實(shí)現(xiàn)方式中，空穴注入層HIL的厚度可以是約50至約并且空穴傳輸層HTL的厚度可以是約100至約在實(shí)現(xiàn)方式中，空穴注入層可省略。在實(shí)現(xiàn)方式中，空穴控制層可包括用p型摻雜劑摻雜的空穴注入層。在實(shí)現(xiàn)方式中，可在空穴控制層中省略空穴傳輸層。在實(shí)現(xiàn)方式中，用p型摻雜劑摻雜的空穴注入層的厚度可以是約100至約

如圖6B中所示，空穴控制層HCL-2可包括例如摻雜層DL-P和無(wú)摻雜層NDL，無(wú)摻雜層NDL在空穴控制層HCL-2的厚度方向上位于摻雜層DL-P上。在實(shí)現(xiàn)方式中，無(wú)摻雜層NDL可包括空穴控制材料(空穴傳輸材料和/或空穴注入材料)。上文已經(jīng)描述了空穴控制材料，并且可省略對(duì)其另外的重復(fù)描述。

在實(shí)現(xiàn)方式中，摻雜層DL-P可包括空穴控制材料和空穴產(chǎn)生材料。空穴產(chǎn)生材料可均勻地或非均勻地分布在空穴控制材料內(nèi)?？昭óa(chǎn)生材料可以是例如p型摻雜劑。在實(shí)現(xiàn)方式中，p型摻雜劑可包括例如醌衍生物、金屬氧化物或包含氰基組的化合物。例如，p型摻雜劑可包括諸如四氰基苯醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟-四氰基苯醌二甲烷(F4-TCNQ)的醌衍生物、或諸如氧化鎢或氧化鉬的金屬氧化物。

包括摻雜層DL-P和無(wú)摻雜層NDL的空穴控制層HCL-2可通過(guò)沉積工藝來(lái)形成。在沉積工藝中的早期階段，摻雜劑和空穴控制材料可同時(shí)以預(yù)定比率沉積以形成摻雜層DL-P。在沉積工藝的中間階段之后，空穴控制材料可被沉積以形成無(wú)摻雜層NDL。

基于空穴控制層HCL-2的總厚度為100％，摻雜層DL-P的厚度可以是例如約10％至約30％。在實(shí)現(xiàn)方式中，摻雜層DL-P的厚度可以是約30至約摻雜層DL-P中的摻雜劑的相對(duì)于空穴控制材 料和摻雜劑的混合物的重量百分比可以是約1wt％至約3wt％。

如圖6C中所示，空穴控制層HCL-3可包括例如依次層壓在空穴控制層HCL-3的厚度方向DR3上的空穴注入層HIL、摻雜層DL-P以及空穴傳輸層HTL。上文已經(jīng)描述了層中的每個(gè)，并且可省略對(duì)其的重復(fù)詳細(xì)描述。

如上所述，因?yàn)榭昭刂茖親CL-1、HCL-2以及HCL-3可包括空穴產(chǎn)生材料(例如，p型摻雜劑)，所以空穴注入效率可增加。因此，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)射效率可改善。

在實(shí)現(xiàn)方式中，除了空穴注入層和空穴傳輸層之外，根據(jù)實(shí)施方式的空穴控制層還可包括電子阻擋層。電子阻擋層可幫助防止電子從電子傳輸層注入至空穴傳輸層。

圖7示出了根據(jù)實(shí)施方式的電子控制層ECL的剖視圖。在下文中，將參照?qǐng)D7更加詳細(xì)地描述電子控制層ECL。將在下文中描述的電子控制層ECL也可用作圖5中的電子控制層ECL。

如圖7中所示，電子控制層ECL可包括例如電子注入層EIL以及電子傳輸層ETL，電子傳輸層ETL在電子控制層ECL的厚度方向DR3上位于電子注入層EIL下。

在實(shí)現(xiàn)方式中，電子傳輸層ETL可包括例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-鄰二氮菲(BCP)、4,7-二苯基-1,10-鄰二氮菲(Bphen)、3-(4-二苯基)-4-苯基-5-叔-丁基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-二苯基)-5-(4-叔-丁基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-二苯基-4-羥基)鋁(BAlq)、鈹雙(苯并喹啉-10-羥基)(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、或它們的混合物。在實(shí)現(xiàn)方式中，電子傳輸層ETL的厚度可以是約100至約或例如約150至約當(dāng)電子傳輸層ETL的厚度落入這種范圍內(nèi)時(shí)，可在不有效增加驅(qū)動(dòng)電壓的情況下實(shí)現(xiàn)滿意的電子傳輸特性。

電子注入層EIL的示例可包括氟化鋰(LiF)、喹啉鋰(LiQ)、氧化鋰(Li₂O)、氧化鋇(BaO)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、諸如 鐿(Yb)的鑭族金屬、諸如氯化銣(RbCl)、碘化銣(RbI)的鹵化金屬等。在實(shí)現(xiàn)方式中，電子注入層EIL還可包括與電子傳輸材料絕緣的絕緣有機(jī)金屬鹽。有機(jī)金屬鹽可以是具有至少約4eV的能帶間隙的材料。有機(jī)金屬鹽的示例可包括金屬醋酸鹽、金屬苯酸鹽、金屬乙酰醋酸鹽、金屬乙酰丙酮鹽以及金屬硬酯酸鹽。在實(shí)現(xiàn)方式中，電子注入層EIL的厚度可以是約1至約例如，約3至約當(dāng)電子注入層EIL的厚度落入這種范圍內(nèi)時(shí)，可在不有效增加驅(qū)動(dòng)電壓的情況下實(shí)現(xiàn)滿意的電子注入特性。

在實(shí)現(xiàn)方式中，電子控制層ECL還可包括空穴阻擋層。空穴阻擋層可包括例如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-鄰二氮菲(BCP)和/或4,7-二苯基-1,10-鄰二氮菲(Bphen)。在實(shí)現(xiàn)方式中，空穴阻擋層的厚度可以是約20至約例如，約30至約當(dāng)空穴阻擋層的厚度落入這種范圍內(nèi)時(shí)，可以在不有效增加驅(qū)動(dòng)電壓的情況下實(shí)現(xiàn)良好的空穴阻擋特性。

例如，電子控制層ECL可具有連續(xù)層壓在第一至第三發(fā)光層EML-R、EML-G以及EML-B(參照?qǐng)D5)上的、電子傳輸層/電子注入層或空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)。在實(shí)現(xiàn)方式中，電子控制層ECL可包括功能層，該功能層為電子傳輸材料、電子注入材料以及空穴阻擋材料中的至少兩個(gè)的混合。

圖8A、圖8B、圖9A以及圖9B示出了根據(jù)實(shí)施方式的像素PX-1至PX-4的剖視圖。在下文中，參照?qǐng)D8A至圖9B提供了根據(jù)實(shí)施方式的像素PX-1至PX-4的描述。但是，與參照?qǐng)D1至圖7描述的配置相同的配置的重復(fù)詳細(xì)描述可省略。雖然沒(méi)有具體示出，但是參照?qǐng)D1至圖7描述的配置可以以類似方式應(yīng)用至圖8A至圖9B中所示的像素PX-1至PX-4。

參照?qǐng)D8A和圖8B，像素PX-1和PX-2中的每個(gè)還可包括例如中間層CGL。中間層CGL可產(chǎn)生電荷，例如空穴。中間層CGL可包括六氮雜苯并菲六腈(HAT-CN，hexaazatriphenylene hexacarbonitrile)、三氧化鉬(MoO₃)或富勒烯(C₆₀)中的至少一個(gè)?？昭ㄗ⑷胄士赏ㄟ^(guò)包括包含上述空穴產(chǎn)生材料的中間層CGL來(lái)提高。例如，有機(jī)發(fā) 光二極管的發(fā)射效率被改善。在實(shí)現(xiàn)方式中，中間層CGL的厚度可以是例如約30至約

如圖8A中所示，中間層CGL可位于空穴控制層HCL與第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G和E1-B之間?？昭刂茖親CL可包括空穴注入層或空穴傳輸層中的至少一個(gè)?？昭刂茖親CL可包括空穴注入材料和空穴傳輸材料的混合。

如圖8B中所示，中間層CGL可布置在第一空穴控制層HCL1和第二空穴控制層HCL2之間。第一空穴控制層HCL1和第二空穴控制層HCL2中的每個(gè)均可包括空穴注入層或空穴傳輸層中的至少一個(gè)。當(dāng)?shù)谝豢昭刂茖親CL1為空穴注入層時(shí)，第二空穴控制層HCL2可以是空穴傳輸層。

如圖9A和圖9B中所示，第三發(fā)光層EML-B可與第一至第三光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非光發(fā)射區(qū)NPXA重疊(例如，通?？裳由煸竭^(guò))。第三發(fā)光層EML-B可包括分別與第一至第三光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G和PXA-B重疊的第一至第三部分EML-B1、EML-B2和EML-B3。例如，第三發(fā)光層EML-B可布置為與像素PX-3和PX-4完全重疊。

將參照?qǐng)D4A更加詳細(xì)地描述第三發(fā)光層EML-B的平面排列。第三發(fā)光層EML-B可包括分別與第一至第三光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G和PXA-B重疊的垂直延伸(在第二方向軸線DR2上)的條紋圖案。在實(shí)現(xiàn)方式中，第三發(fā)光層EML-B可包括分別與第一至第三光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G和PXA-B重疊的水平延伸(在第一方向軸線DR1上)的條紋圖案。第三發(fā)光層EML-B也可與由圖4A和圖4B中的第一方向軸線DR1和第二方向軸線DR2限定的整個(gè)平面重疊。

如圖9A中所示，第三發(fā)光層EML-B的第一部分EML-B1和第二部分EML-B2可布置在空穴控制層HCL上。第一部分EML-B1可位于空穴控制層HCL和第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R的諧振控制層SL-R之間，并且第二部分EML-B2可位于空穴控制層HCL和第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G的諧振控制層SL-G之間。第三發(fā)光層EML-B的第三部分EML-B3可位于第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B的第三諧振 控制層SL-B與電子控制層ECL之間。第三發(fā)光層EML-B的與非光發(fā)射區(qū)NPXA重疊的其它部分可位于與第三發(fā)光層EML-B的第一部分EML-B1和第二部分EML-B2相同的層上。

如圖9B中所示，第三發(fā)光層EML-B的第一部分EML-B1可位于第一發(fā)光層EML-R和電子控制層ECL之間，并且第二部分EML-B2可位于第二發(fā)光層EML-G和電子控制層ECL之間。第三發(fā)光層EML-B的第三部分EML-B3可位于第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B的第三諧振控制層SL-B和電子控制層ECL之間。第三發(fā)光層EML-B的與非光發(fā)射區(qū)NPXA重疊的其它部分可布置在與第三發(fā)光層EML-B的第一部分EML-B1和第二部分EML-B2相同的層上。

如圖9A和圖9B中所示，第三發(fā)光層EML-B可通過(guò)使用開(kāi)口掩模沉積為與像素PX-3和PX-4完全重疊。例如，可不使用精細(xì)金屬掩模(FMM)。因此，可減少用于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造成本。

圖9A和圖9B中所示的第三發(fā)光層EML-B可包括雙極性化合物。雙極性化合物可以是具有優(yōu)良空穴傳輸能力和電子傳輸能力的化合物。雙極性化合物可包括例如蒽、9-苯基蒽、9,10-二苯基蒽(DPA)、或苯并(B)萘并(2,3-D)呋喃。

參照?qǐng)D9A，雙極性化合物可更有效地向第一發(fā)光層EML-R和第二發(fā)光層EML-G提供空穴，并且可減小驅(qū)動(dòng)電壓。參照?qǐng)D9B，雙極性化合物可更有效地向第一發(fā)光層EML-R和第二發(fā)光層EML-G提供電子，并且可減小驅(qū)動(dòng)電壓。

參照?qǐng)D9A，第一諧振控制層SL-R可具有比第一發(fā)光層EML-R高至少0.2eV(例如，高0.2eV)的最低未占分子軌道(LUMO)能級(jí)，并且第二諧振控制層SL-G可具有比第二發(fā)光層EML-G高至少0.2eV(例如，高0.2eV)的LUMO能級(jí)。從而可防止電子從第一發(fā)光層EML-R和第二發(fā)光層EML-G被傳輸至第三發(fā)光層EML-B。因此，即使當(dāng)?shù)谌l(fā)光層EML-B的第一部分EML-B1和第二部分EML-B2沉積在除了第三光發(fā)射區(qū)PXA-B之外的區(qū)域上時(shí)，也可不出現(xiàn)藍(lán)光從第一光發(fā)射區(qū)PXA-R和第二光發(fā)射區(qū)PXA-G被發(fā)射的錯(cuò)誤。

參照?qǐng)D9A和圖9B，由第一發(fā)光層EML-R和第二發(fā)光層EML-G 的光發(fā)射所需的能隙可小于由第三發(fā)光層EML-B的光發(fā)射所需的能隙。因此，即使當(dāng)?shù)谌l(fā)光層EML-B的第一部分EML-B1和第二部分EML-B2沉積在除第三光發(fā)射區(qū)PXA-B之外的區(qū)域上時(shí)，也可不出現(xiàn)藍(lán)光從第一光發(fā)射區(qū)PXA-R和第二光發(fā)射區(qū)PXA-G被發(fā)射的錯(cuò)誤。例如，通過(guò)第一發(fā)光層EML-R和第二發(fā)光層EML-G的光發(fā)射所需的能隙可分別是2.0eV和2.4eV，并且通過(guò)第三發(fā)光層EML-B的光發(fā)射所需的能隙可以是2.7eV或更大。

圖10A和圖10B示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板DP(參照?qǐng)D2)的剖視圖。圖10A和圖10B中所示的剖視圖分別與由圖2中所示的等效電路表示的子像素SPXij的部分對(duì)應(yīng)。有機(jī)發(fā)光顯示面板DP參照子像素SPXij進(jìn)行描述。

有機(jī)發(fā)光顯示面板DP可包括基礎(chǔ)構(gòu)件SUB1；功能層12、14、16、PXL和18；信號(hào)線SLi、DLj和PL(參照?qǐng)D2)；子像素SPXij以及封裝構(gòu)件SUB2?；A(chǔ)構(gòu)件SUB1；功能層12、14、16、PXL和18；信號(hào)線SLi、DLj和PL；子像素SPXij以及封裝構(gòu)件SUB2的配置可根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示面板DP的目的而被修改。

基礎(chǔ)構(gòu)件SUB1可包括由聚酰胺等制成的柔性塑料襯底、玻璃襯底、金屬襯底等。第一晶體管TR1的半導(dǎo)體圖案AL1(在下文中，第一半導(dǎo)體圖案)以及第二晶體管TR2的半導(dǎo)體圖案AL2(在下文中，第二半導(dǎo)體圖案)可布置在基礎(chǔ)構(gòu)件SUB1上。第一半導(dǎo)體圖案AL1和第二半導(dǎo)體圖案AL2可包括在低溫形成的非晶硅。第一半導(dǎo)體圖案AL1和第二半導(dǎo)體圖案AL2也可包括金屬氧化物半導(dǎo)體。雖然沒(méi)有具體示出，但是附加功能層可布置在基礎(chǔ)構(gòu)件SUB1的一個(gè)表面上。附加功能層可包括屏障層和緩沖層中的至少一個(gè)。第一半導(dǎo)體圖案AL1和第二半導(dǎo)體圖案AL2可布置在屏障層或緩沖層上。

覆蓋第一半導(dǎo)體圖案AL1和第二半導(dǎo)體圖案AL2的第一絕緣層12可布置在基礎(chǔ)構(gòu)件SUB1上。第一絕緣層12可包括有機(jī)膜和/或無(wú)機(jī)膜。第一絕緣層12可特別地包括多個(gè)無(wú)機(jī)薄膜。多個(gè)無(wú)機(jī)薄膜可包括氮化硅層和氧化硅層。

掃描線SLi可布置在第一絕緣層12上。第一晶體管TR1的柵電 極GE1(在下文中，第一柵電極)和第二晶體管TR2的柵電極GE2(在下文中，第二柵電極)可布置在第一絕緣層12上。

電容器Cap的第一電極CE1可布置在第一絕緣層12上。第一電極CE1可通過(guò)與掃描線SLi相同的光刻工藝制造。例如，第一電極CE1可由與掃描線SLi相同的材料制成。

第二絕緣層14可布置在第一絕緣層12上以覆蓋第一柵電極GE1、第二柵電極GE2以及第一電極CE1。第二絕緣層14可包括有機(jī)膜和/或無(wú)機(jī)膜。第二絕緣層14可特別地包括多個(gè)無(wú)機(jī)薄膜。多個(gè)無(wú)機(jī)薄膜可包括氮化硅層和氧化硅層。

源線DLj和電力線PL可布置在第二絕緣層14上。第一晶體管TR1的源電極SE1(在下文中，第一源電極)和漏電極DE1(在下文中，第一漏電極)可布置在第二絕緣層14上。第二晶體管TR2的源電極SE2(在下文中，第二源電極)和漏電極DE2(在下文中，第二漏電極)可布置在第二絕緣層14上。第一源電極SE1可從源線DLj分出。第二源電極SE2可從電力線PL分出。

電容器Cap的第二電極CE2可布置在第二絕緣層14上。第二電極CE2可通過(guò)與源線DLj和電力線PL相同的光刻工藝制造，且由與源線DLj和電力線PL相同的材料制成。

第一源電極SE1和第一漏電極DE1可分別通過(guò)穿透第一絕緣層12和第二絕緣層14的第一通孔CH1和第二通孔CH2連接至第一半導(dǎo)體圖案AL1。第一漏電極DE1可電連接至第一電極CE1。例如，第一漏電極DE1可通過(guò)穿透第二絕緣層14的通孔(未示出)連接至第一電極CE1。第二源電極SE2和第二漏電極DE2分別通過(guò)穿透第一絕緣層12和第二絕緣層14的第四通孔CH4和第五通孔CH5連接至第二半導(dǎo)體圖案AL2。在另一實(shí)施方式中，第一晶體管TR1和第二晶體管TR2可實(shí)現(xiàn)為底柵配置。

第三絕緣層16可布置在第二絕緣層14上以覆蓋第一源電極SE1、第一漏電極DE1、第二源電極SE2以及第二漏電極DE2。第三絕緣層16可包括有機(jī)膜和/或無(wú)機(jī)膜。第三絕緣層16可特別地包括有機(jī)材料以提供平坦表面。

第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B可布置在第三絕緣層16上。第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B可以是參照?qǐng)D5至圖9B描述的有機(jī)發(fā)光二極管中的任一個(gè)。圖10B中示例性地示出了圖5中的第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B。

第三陽(yáng)極E1-B可通過(guò)穿透第三絕緣層16的第六通孔CH6連接至第二漏電極DE2。像素限定膜PXL中的開(kāi)口OP-B暴露第三陽(yáng)極E1-B的至少一部分。保護(hù)層18可布置在陰極E2上。保護(hù)層18保護(hù)陰極E2免受外部濕氣影響。保護(hù)層18可具有預(yù)定折射率以幫助改善光提取效率并幫助防止外部光反射。

封裝構(gòu)件SUB2可布置在保護(hù)層18上。在實(shí)現(xiàn)方式中，封裝構(gòu)件SUB2可由多個(gè)薄膜封裝層替代。在實(shí)現(xiàn)方式中，保護(hù)層18可省略。在實(shí)現(xiàn)方式中，保護(hù)層18可布置在基礎(chǔ)構(gòu)件SUB1的外側(cè)表面(圖10A和圖10B的后表面)上。保護(hù)層18可保護(hù)子像素SPXij免受外部沖擊。

圖11示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖視圖。圖11示出了沿圖4A中的線I-I'截取的有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖視圖。示例性地示出了圖11中的第三絕緣層16之下的區(qū)域的配置。第三絕緣層16可與圖5中的基礎(chǔ)層BL對(duì)應(yīng)。

第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B可布置在第三絕緣層16上。像素限定膜PXL可布置在第三絕緣層16上，第一至第三開(kāi)口OP-R、OP-G以及OP-B限定在像素限定膜PXL中。

空穴控制層HCL(接觸第一至第三陽(yáng)極E1-R、E1-G以及E1-B中的每個(gè))可布置在像素限定膜PXL上。如參照?qǐng)D6B描述的，空穴控制層HCL可包括摻雜層DL-P和無(wú)摻雜層NDL。摻雜層DL-P的厚度可以是約無(wú)摻雜層NDL的厚度可以是約

第一諧振控制層SL-R可布置在空穴控制層HCL中的第一光發(fā)射區(qū)PXA-R上，并且第一發(fā)光層EML-R可布置在第一諧振控制層SL-R上。第一諧振控制層SL-R的厚度可以是約并且第一發(fā)光層EML-R的厚度可以是約

第二諧振控制層SL-G可布置在空穴控制層HCL中的第二光發(fā)射 區(qū)PXA-G上，并且第二發(fā)光層EML-G可布置在第二諧振控制層SL-G上。第二諧振控制層SL-G的厚度可以是約并且第二發(fā)光層EML-G的厚度可以是約

第三諧振控制層SL-B可布置在空穴控制層HCL的第三光發(fā)射區(qū)PXA-B上，并且第三發(fā)光層EML-B可布置在第三諧振控制層SL-B上。第三諧振控制層SL-B的厚度可以是約并且第三發(fā)光層EML-B的厚度可以是約如參照?qǐng)D9B描述的，第三發(fā)光層EML-B也可布置在第一光發(fā)射區(qū)PXA-R和第二光發(fā)射區(qū)PXA-G上。

電子控制層ECL可布置在第三發(fā)光層EML-B上。電子控制層ECL可布置在第一至第三光發(fā)射區(qū)PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非光發(fā)射區(qū)NPXA中。電子控制層ECL的厚度可以是約

因此，在本實(shí)施方式中，第一有機(jī)發(fā)光二極管OLED-R的諧振長(zhǎng)度可以是約第二有機(jī)發(fā)光二極管OLED-G的諧振長(zhǎng)度可以是約以及第三有機(jī)發(fā)光二極管OLED-B的諧振長(zhǎng)度可以是約

陰極E2可布置在電子控制層ECL上，并且保護(hù)層18和封裝構(gòu)件SUB2可布置在陰極E2上。圖11示出了根據(jù)實(shí)施方式的包括像素PX的有機(jī)發(fā)光顯示面板。像素PX可由參照?qǐng)D5至圖9B描述的像素PX-1至PX-4或由它們的組合替代。

因此，第一有機(jī)發(fā)光二極管和第二有機(jī)發(fā)光二極管中的每個(gè)均可具有第一階諧振結(jié)構(gòu)，并且第一有機(jī)發(fā)光二極管和第二有機(jī)發(fā)光二極管中的諧振控制層和發(fā)光層的厚度可以更薄。因此，可減少在諧振控制層和發(fā)光層中使用的材料。此外，可改善第一有機(jī)發(fā)光二極管和第二有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)效率。對(duì)于第一有機(jī)發(fā)光二極管，驅(qū)動(dòng)電壓可減小并且電流效率增加。對(duì)于第二有機(jī)發(fā)光二極管，驅(qū)動(dòng)電壓可減小并且電流效率可被維持在與具有第二階諧振結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管相同的水平處。

發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光層可通過(guò)使用開(kāi)口掩模沉積為與多個(gè)光發(fā)射區(qū)和非光發(fā)射區(qū)重疊。例如，可不使用精細(xì)金屬掩模(FMM)。因此，減少了用于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造成本。

實(shí)施方式可提供具有改善的顯示質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光像素。

實(shí)施方式可提供具有減少的制造成本的有機(jī)發(fā)光像素。

實(shí)施方式可提供包括有機(jī)發(fā)光像素的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

在本文中已經(jīng)公開(kāi)了示例性實(shí)施方式，并且雖然使用了特定術(shù)語(yǔ)，但是它們只以一般意義和描述意義被使用并將以一般意義和描述意義來(lái)解釋，并非為了限制的目的。在一些情況下，如自提交本申請(qǐng)起對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的，除非另有具體指示，否則結(jié)合特定實(shí)施方式描述的特征、特性、和/或元件可以單獨(dú)使用或與結(jié)合其它實(shí)施方式描述的特征、特性、和/或元件組合使用。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不背離如所附權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。