本發(fā)明涉及一種半導體激光照器，具體地說，涉及一種半導體激光照射源電路。

背景技術：

近年來，隨著光電子技術的發(fā)展，半導體激光器得到了越來越廣泛的應用，可應用于激光照明、測量、醫(yī)療、瞄準指示等.其半導體激光照射源裝置是半導體激光器的重要組成部分，直接影響到半導體激光器的性能，傳統(tǒng)的激光器普遍存在結構復雜、體積大、散熱不充分以及激光功率損失較大的缺點。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種半導體激光照射源電路裝置，具有結構簡單，體積小，而且散熱效果好，能最大限度的減少激光功率的損失的特點，能解決傳統(tǒng)照明激光器存在的問題。

為了達到上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案：一種半導體激光照射源電路，由電源、激光器驅動電路、激光控制電路、系統(tǒng)狀態(tài)指示電路、溫度保護電路以及紅光指示電路組成；電源包括有：電路供電源VCC、開關電源PWR、芯片電源VDD；激光器驅動電路包括有：激光器恒壓電路、激光器恒流源電路，激光器恒壓電路與電路供電源VCC、開關電源PWR連接；所述激光器驅動電路與激光控制電路、開關電源PWR連接；系統(tǒng)狀態(tài)指示電路與開關電源PWR連接；溫度保護電路與芯片電源VDD連接；紅光指示電路與芯片電源VDD連接。

優(yōu)選的，所述激光器恒壓電路硬件上包括有：芯片U1、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7、電容C8、電容C9、電容C10、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓二極管D1；電路連接上為：芯片U1中，Vout引腳連接在開關電源PWR上，VIN引腳與電路供電源VCC連接；電容C1、電容C2、電容C3、電容C4為并聯(lián)電容，四個電容的正極與芯片U1的VIN引腳連接，負極接地；電容C5正極接芯片U1的SS引腳，負極接地；電容C6、電容C7、電容C8、電容C9、電容C10為并聯(lián)電容，五個電容的正極與芯片U1的Vout引腳連接，負極接地；電阻R3與穩(wěn)壓二極管D1并聯(lián)連接后與電阻R1串聯(lián)，電阻R1的另一個引腳串聯(lián)在芯片U1的EN引腳上；電阻R4一端接地，另一端串聯(lián)在芯片U1的FB引腳上；電阻R2一端與芯片U1的FB引腳連接，另一端串聯(lián)在芯片U1的Vout引腳上。

優(yōu)選的，所述激光器恒流源電路中，激光二極管J1的正負極之間連接有二極管D3，激光二極管J1的正極與開關電源PWR連接，激光二極管J1的正極與兩個反向串聯(lián)的二極管D2、D4連接；電阻R8兩端分別接激光二極管J1的正極、接地；電阻R6一端接激光二極管J1的正極，另一端與電容C21連接后接地；電阻R7一端接激光二極管J1的正極，另一端串聯(lián)電容C22后接地；激光二極管的負極接MOS管，MOS管的柵極連接比較器U5，MOS管的源極分成兩路支路連接比較器的輸入端，其中一支連接電阻R14后接入比較器反相輸入端，另一支連接電阻R16、電阻R11后接入比較器正相輸入端；比較器的輸出端與電阻R12連接，電阻R12串聯(lián)阻直流信號模塊后接入MOS管漏極；比較器的正相輸入端還連接有電阻R10，電阻R10的另一端與并聯(lián)的滑動變阻器RP1和電容C26連接；滑動變阻器RP1還與芯片電源VDD連接。

優(yōu)選的，所述激光控制電路中，三極管的集電極與芯片電源VDD連接，三極管的發(fā)射極與二極管D1的陰極連接；發(fā)光二極管U8的陰極和陽極之間串接電容C34。

優(yōu)選的，所述溫度保護電路中，比較器U7正相輸入端接電阻R19后接地，比較器U7正相輸入端接入溫度測量值和電阻R18；比較器的反相輸入端通過電阻R23接入電壓Vref；電阻R18的另一端接比較器的輸出端；比較器的輸出端連接有電阻R20、阻直流信號模塊2、MOS管。

優(yōu)選的，系統(tǒng)狀態(tài)指示電路中，發(fā)光二極管U9的陽極連接電阻R26后與開關電源PWR連接，發(fā)光二極管的陰極接地，發(fā)光二極管的陰極和陽極之間還連接有電容C35。

優(yōu)選的，紅光指示電路張，ICL7662芯片的VIN引腳與芯片電源VDD連接，ICL7662芯片的Vout引腳接-5v電壓。

本發(fā)明的有益效果：本電路具有寬范圍電源輸入、小型化、高度集成、輸出電功率高等特點，可以驅動15W 1064nm半導體激光器，并能夠提供各種系統(tǒng)集成所需的控制信號和狀態(tài)指令信號，方便二次集成。

附圖說明

圖1為本發(fā)明關于激光器恒壓電路的原理圖；

圖2為本發(fā)明關于激光器恒流源電路的原理圖；

圖3為本發(fā)明關于激光控制電路的原理圖；

圖4為本發(fā)明關于溫度保護電路的原理圖；

圖5為本發(fā)明關于系統(tǒng)狀態(tài)指示電路的原理圖；

圖6為本發(fā)明關于紅光指示電路的原理圖。

具體實施方式

由圖1至圖6所示可知，本實施例由電源、激光器驅動電路、激光控制電路、系統(tǒng)狀態(tài)指示電路、溫度保護電路以及紅光指示電路組成；電源包括有：電路供電源VCC、開關電源PWR、芯片電源VDD；激光器驅動電路包括有：激光器恒壓電路、激光器恒流源電路，激光器恒壓電路與電路供電源VCC、開關電源PWR連接；所述激光器驅動電路與激光控制電路、開關電源PWR連接；系統(tǒng)狀態(tài)指示電路與開關電源PWR連接；溫度保護電路與芯片電源VDD連接；紅光指示電路與芯片電源VDD連接。

優(yōu)選的，由圖1所示可知，所述激光器恒壓電路硬件上包括有：芯片U1、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7、電容C8、電容C9、電容C10、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓二極管D1；電路連接上為：芯片U1中，Vout引腳連接在開關電源PWR上，VIN引腳與電路供電源VCC連接；電容C1、電容C2、電容C3、電容C4為并聯(lián)電容，四個電容的正極與芯片U1的VIN引腳連接，負極接地；電容C5正極接芯片U1的SS引腳，負極接地；電容C6、電容C7、電容C8、電容C9、電容C10為并聯(lián)電容，五個電容的正極與芯片U1的Vout引腳連接，負極接地；電阻R3與穩(wěn)壓二極管D1并聯(lián)連接后與電阻R1串聯(lián)，電阻R1的另一個引腳串聯(lián)在芯片U1的EN引腳上；電阻R4一端接地，另一端串聯(lián)在芯片U1的FB引腳上；電阻R2一端與芯片U1的FB引腳連接，另一端串聯(lián)在芯片U1的Vout引腳上。

優(yōu)選的，由圖2所示可知，所述激光器恒流源電路中，激光二極管J1的正負極之間連接有二極管D3，激光二極管J1的正極與開關電源PWR連接，光二極管J1的正極與兩個反向串聯(lián)的二極管D2、D4連接；電阻R8兩端分別接激光二極管J1的正極、接地；電阻R6一端接激光二極管J1的正極，另一端與電容C21連接后接地；電阻R7一端接激光二極管J1的正極，另一端串聯(lián)電容C22后接地；激光二極管的負極接MOS管，MOS管的柵極連接比較器U5，MOS管的源極分成兩路支路連接比較器的輸入端，其中一支連接電阻R14后接入比較器反相輸入端，另一支連接電阻R16、電阻R11后接入比較器正相輸入端；比較器的輸出端與電阻R12連接，電阻R12串聯(lián)阻直流信號模塊后接入MOS管漏極；比較器的正相輸入端還連接有電阻R10，電阻R10的另一端與并聯(lián)的滑動變阻器RP1和電容C26連接；滑動變阻器RP1還與芯片電源VDD連接。

優(yōu)選的，由圖3所示可知，所述激光控制電路中，三極管的集電極與芯片電源VDD連接，三極管的發(fā)射極與二極管D1的陰極連接；發(fā)光二極管U8的陰極和陽極之間串接電容C34。

優(yōu)選的，由圖4所示可知，所述溫度保護電路中，比較器U7正相輸入端接電阻R19后接地，比較器U7正相輸入端接入溫度測量值和電阻R18；比較器的反相輸入端通過電阻R23接入電壓Vref；電阻R18的另一端接比較器的輸出端；比較器的輸出端連接有電阻R20、阻直流信號模塊2、MOS管。

優(yōu)選的，由圖5所示可知，系統(tǒng)狀態(tài)指示電路中，發(fā)光二極管U9的陽極連接電阻R26后與開關電源PWR連接，發(fā)光二極管的陰極接地，發(fā)光二極管的陰極和陽極之間還連接有電容C35。

優(yōu)選的，由圖6所示可知，紅光指示電路張，ICL7662芯片的VIN引腳與芯片電源VDD連接，ICL7662芯片的Vout引腳接-5v電壓。

上述實施例僅例示性說明本專利申請的原理及其功效，而非用于限制本專利申請。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本專利申請的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本專利申請所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本專利請的權利要求所涵蓋。