本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，且特別是涉及一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

存儲(chǔ)器為用以存儲(chǔ)信息或數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體組件，廣泛地應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、網(wǎng)絡(luò)等方面，已成為生活中不可或缺的重要電子產(chǎn)品。由于計(jì)算機(jī)微處理器的功能越來(lái)越強(qiáng)，軟件所進(jìn)行的程序與運(yùn)算也隨之增加，且各種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量也日趨增加，因此存儲(chǔ)器的容量需求也就越來(lái)越高。

在目前存儲(chǔ)器組件不斷微小化的趨勢(shì)下，業(yè)界積極地在有限的空間中提升存儲(chǔ)器組件的積集度，也因而使得存儲(chǔ)器組件的結(jié)構(gòu)與制作工藝日趨復(fù)雜。因此，在存儲(chǔ)器組件的制作過(guò)程中，常需要使用許多光掩模來(lái)完成存儲(chǔ)器組件的制作，進(jìn)而造成制造成本大幅地提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且制作工藝的復(fù)雜度低，進(jìn)而可有效地降低制造成本。

本發(fā)明提出一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，包括基底、選擇柵極結(jié)構(gòu)、第一重?fù)诫s區(qū)、第二重?fù)诫s區(qū)及浮置接觸窗。選擇柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于基底上。第一重?fù)诫s區(qū)與第二重?fù)诫s區(qū)分別設(shè)置于選擇柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)與另一側(cè)的基底中。浮置接觸窗設(shè)置于第一重?fù)诫s區(qū)與選擇柵極結(jié)構(gòu)之間的基底上，且與基底相互隔離。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，選擇柵極結(jié)構(gòu)包括選擇柵極及介電層。選擇柵極設(shè)置于基底上。介電層設(shè)置于選擇柵極與基底之間。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，浮置接觸窗的頂面例如是高于選擇柵極結(jié)構(gòu)的頂面。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，浮置接觸窗例如是橫越主動(dòng)區(qū)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，浮置接觸窗與基底之間例如是不具有金屬硅化物層。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括介電結(jié)構(gòu)。介電結(jié)構(gòu)設(shè)置于浮置接觸窗與基底之間，可用以隔離浮置接觸窗與基底。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，介電結(jié)構(gòu)可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括第一輕摻雜區(qū)。第一輕摻雜區(qū)設(shè)置于第一重?fù)诫s區(qū)與選擇柵極結(jié)構(gòu)之間的基底中。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括第二輕摻雜區(qū)。第二輕摻雜區(qū)設(shè)置于第二重?fù)诫s區(qū)與選擇柵極結(jié)構(gòu)之間的基底中。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括第一接觸窗。第一接觸窗電連接至第一重?fù)诫s區(qū)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括第一內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)及第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。第一內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)電連接于第一接觸窗。第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)電連接于浮置接觸窗。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，位于第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)側(cè)邊的第一內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)可位于第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的一側(cè)、位于第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)或環(huán)繞第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，部分第一內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)可位于第二內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的上方。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，還包括第二接觸窗。第二接觸窗電連接至第二重?fù)诫s區(qū)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)可用于作為一次可編程的存儲(chǔ)器(otpmemory)、多次可編程的存儲(chǔ)器(mtpmemory)或閃存存儲(chǔ)器(flashmemory)。

基于上述，由于本發(fā)明所提出的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)是使用浮置接觸窗來(lái)進(jìn)行電荷的存儲(chǔ)，所以存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，且可通過(guò)簡(jiǎn)易的制作工藝形成，進(jìn)而可有效地降低制造成本。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖2為圖1中的浮置接觸窗與主動(dòng)區(qū)的示意圖；

圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的剖視圖；

符號(hào)說(shuō)明

100、100a、100b：存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

102：基底

104：選擇柵極結(jié)構(gòu)

106、108：重?fù)诫s區(qū)

110：浮置接觸窗

110a、132a、134a：接觸窗開口

112：選擇柵極

114：介電層

116：間隙壁

118、120：輕摻雜區(qū)

122、122a：介電結(jié)構(gòu)

123：原子層沉積氧化硅層

124：介電層

126：接觸窗蝕刻終止層

128：介電層結(jié)構(gòu)

130a～130c：金屬硅化物層

132、134：接觸窗

136a～136c、146、150、154：阻障層

138、140、142：內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)

144、148、152：導(dǎo)體層

aa：主動(dòng)區(qū)

具體實(shí)施方式

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2為圖1中的浮置 接觸窗與主動(dòng)區(qū)的示意圖。圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的剖視圖。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100包括基底102、選擇柵極結(jié)構(gòu)104、重?fù)诫s區(qū)106、重?fù)诫s區(qū)108及浮置接觸窗110。存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100可用于作為一次可編程的存儲(chǔ)器、多次可編程的存儲(chǔ)器或閃存存儲(chǔ)器?；?02例如是半導(dǎo)體基底，如硅基底等。

選擇柵極結(jié)構(gòu)104設(shè)置于基底102上。選擇柵極結(jié)構(gòu)104包括選擇柵極112及介電層114，且還可包括間隙壁116。選擇柵極112設(shè)置于基底102上。選擇柵極112的材料例如是摻雜多晶硅等導(dǎo)體材料。選擇柵極112的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。介電層114設(shè)置于選擇柵極112與基底102之間，可作為柵介電層使用。介電層114的材料例如是氧化硅。介電層114的形成方法例如是熱氧化法。間隙壁116設(shè)置于選擇柵極112的側(cè)壁上。間隙壁116的材料例如是氮化硅。間隙壁116的形成方法例如是先形成覆蓋選擇柵極112的間隙壁材料層(未繪示)，再對(duì)間隙壁材料層進(jìn)行回蝕刻制作工藝而形成。

重?fù)诫s區(qū)106、108分別設(shè)置于選擇柵極結(jié)構(gòu)104一側(cè)與另一側(cè)的基底102中。重?fù)诫s區(qū)106、108分別可為n型重?fù)诫s區(qū)或p型重?fù)诫s區(qū)。在此實(shí)施例中，重?fù)诫s區(qū)106、108是以n型重?fù)诫s區(qū)為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。重?fù)诫s區(qū)106、108的形成方法例如是離子注入法。

浮置接觸窗110設(shè)置于重?fù)诫s區(qū)106與選擇柵極結(jié)構(gòu)104之間的基底102上，且與基底102相互隔離。浮置接觸窗110可用于存儲(chǔ)電荷。由于存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100是使用浮置接觸窗110來(lái)進(jìn)行電荷的存儲(chǔ)，所以存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，且可通過(guò)簡(jiǎn)易的制作工藝形成，進(jìn)而可有效地降低制造成本。浮置接觸窗110的頂面例如是高于選擇柵極結(jié)構(gòu)104的頂面。浮置接觸窗110與基底102之間例如是不具有金屬硅化物層，因此不會(huì)產(chǎn)生電荷被金屬硅化物層所捕獲的情況，而能夠有效地進(jìn)行存儲(chǔ)器的操作。此外，請(qǐng)參照?qǐng)D2，浮置接觸窗110例如是橫越主動(dòng)區(qū)aa，由此可防止漏電流產(chǎn)生。浮置接觸窗110的材料例如是導(dǎo)體材料，如鎢等金屬或摻雜多晶硅。在此實(shí)施例中，浮置接觸窗110的材料是以鎢為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。浮置接觸窗110的形成方法例如是金屬鑲嵌法。

另外，請(qǐng)參照?qǐng)D1，存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100還可選擇性地包括輕摻雜區(qū)118、輕摻雜區(qū)120、介電結(jié)構(gòu)122、介電層124、接觸窗蝕刻終止層(cesl)126、 介電層結(jié)構(gòu)128、金屬硅化物層130a～130c、接觸窗132、接觸窗134、阻障層136a～136c、金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)138、140、142中的至少一者。

輕摻雜區(qū)118設(shè)置于重?fù)诫s區(qū)106與選擇柵極結(jié)構(gòu)104之間的基底102中。輕摻雜區(qū)120設(shè)置于重?fù)诫s區(qū)108與選擇柵極結(jié)構(gòu)104之間的基底102中。輕摻雜區(qū)118、120的摻雜濃度與深度例如是小于重?fù)诫s區(qū)106、108的摻雜濃度與深度。輕摻雜區(qū)118、120可為n型輕摻雜區(qū)或p型輕摻雜區(qū)。在此實(shí)施例中，輕摻雜區(qū)118、120是以n型輕摻雜區(qū)為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。輕摻雜區(qū)118、120的形成方法例如是離子注入法。

介電結(jié)構(gòu)122設(shè)置于浮置接觸窗110與基底102之間，可用以隔離浮置接觸窗110與基底102。介電結(jié)構(gòu)122可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。在此實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)122是以單層的原子層沉積(ald)氧化硅層為例進(jìn)行說(shuō)明，然而本發(fā)明并不以此為限。在其他實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)122亦可為多層結(jié)構(gòu)。所屬技術(shù)領(lǐng)域熟悉此技術(shù)者可基于可靠度與制造成本的考慮來(lái)調(diào)整介電結(jié)構(gòu)122的層數(shù)與型態(tài)。

以下，以圖1、圖3與圖4的實(shí)施例來(lái)對(duì)介電結(jié)構(gòu)的不同態(tài)樣進(jìn)行比較說(shuō)明，但本發(fā)明并不以此為限。此外，在圖3的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100a與圖4的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100b中，與圖1的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100相似的構(gòu)件的材料、配置方式與功效等請(qǐng)參照?qǐng)D1的實(shí)施例的說(shuō)明，于此不再贅述。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，介電結(jié)構(gòu)122的形成方法包括以下步驟。形成穿過(guò)介電層結(jié)構(gòu)128、接觸窗蝕刻終止層126與介電層124的接觸窗開口110a，其中接觸窗開口110a是用于形成浮置接觸窗110。接著，再于接觸窗開口110a中形成介電結(jié)構(gòu)122。在圖1的實(shí)施例中，由于介電結(jié)構(gòu)122是在接觸窗開口110a形成之后才形成，因此可靠度較佳。此外，介電結(jié)構(gòu)122也會(huì)分別形成在接觸窗開口132a、134a中。因此，相較于圖3與圖4的實(shí)施例，圖1的實(shí)施例為了使后續(xù)形成于接觸窗開口132a、134a中的接觸窗132、134能夠分別電連接至重?fù)诫s區(qū)106、108，因此會(huì)多進(jìn)行一道光掩模制作工藝來(lái)移除位于接觸窗開口132a、134a底部的介電結(jié)構(gòu)122。因此，相較于圖3與圖4的實(shí)施例，圖1的實(shí)施例的制造成本較高。

請(qǐng)參照?qǐng)D3，在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100a中，介電結(jié)構(gòu)122a包括原子層沉積氧化硅層123與介電層124所形成的雙層結(jié)構(gòu)。原子層沉積氧化硅層123與介電層124依序設(shè)置于基底102上。在圖3的實(shí)施例中，在形成原子層沉積氧 化硅層123與介電層124之后，再于原子層沉積氧化硅層123與介電層124中形成接觸窗開口110a。由于接觸窗開口110a是停止在介電層124中，所以在制作工藝上較不易控制接觸窗開口110a底部的停止位置。因此，在將圖1的實(shí)施例與圖3的實(shí)施例進(jìn)行比較時(shí)，圖1的實(shí)施例的可靠度較佳，但圖3的實(shí)施例的制造成本較低。

請(qǐng)參照?qǐng)D4，在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100b中，以單層介電層124作為介電結(jié)構(gòu)。在圖4的實(shí)施例中，在形成介電層124之后，再于介電層124中形成接觸窗開口110a。由于接觸窗開口110a是停止在介電層124中，所以在制作工藝上較不易控制接觸窗開口110a底部的停止位置。此外，在將圖3的實(shí)施例與圖4的實(shí)施例進(jìn)行比較時(shí)，由于圖4的實(shí)施例并不具有圖3中的原子層沉積氧化硅層123，因此圖3的實(shí)施例的可靠度較佳，但圖4的實(shí)施例的制造成本較低。

請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1，介電層124設(shè)置于重?fù)诫s區(qū)106與選擇柵極結(jié)構(gòu)104之間的基底102上。因此，在形成金屬硅化物層130時(shí)，由于尚未在介電層124中形成接觸窗開口110a，所以介電層124會(huì)覆蓋住位于重?fù)诫s區(qū)106與選擇柵極結(jié)構(gòu)104之間的基底102，而可用以防止在重?fù)诫s區(qū)106與選擇柵極結(jié)構(gòu)104之間的基底102上形成金屬硅化物層。介電層124例如是通過(guò)含磷四乙氧基硅烷(p-teos)所形成的氧化硅層。

接觸窗蝕刻終止層126設(shè)置于介電層124與金屬硅化物層130a～130c上。接觸窗蝕刻終止層126的材料例如是氮化硅。接觸窗蝕刻終止層126的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。

介電層結(jié)構(gòu)128設(shè)置于接觸窗蝕刻終止層126上。介電層結(jié)構(gòu)128例如是由多層介電層所形成的結(jié)構(gòu)。介電層結(jié)構(gòu)128的材料例如是氧化硅。介電層結(jié)構(gòu)128的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。在此實(shí)施例中，存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100的導(dǎo)電構(gòu)件(如接觸窗132、134、浮置接觸窗110與內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138、140、142等)是以設(shè)置于介電層結(jié)構(gòu)128中為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。

金屬硅化物層130a～130c分別設(shè)置于重?fù)诫s區(qū)106、重?fù)诫s區(qū)108與選擇柵極112上。金屬硅化物層130a～130c的材料例如是硅化鈦、硅化鈷、硅化鎳、硅化鈀、硅化鉑或硅化鉬。金屬硅化物層130a～130c例如是進(jìn)行自行對(duì)金屬硅化物(self-alignedsilicide，salicide)制作工藝而形成。

接觸窗132、134分別電連接至重?fù)诫s區(qū)106、108。接觸窗132、134 分別可通過(guò)金屬硅化物層130a、130b電連接至重?fù)诫s區(qū)106、108。接觸窗132可作為源極線使用，且接觸窗134可作為位線使用。接觸窗132、134的材料例如是導(dǎo)體材料，如鎢等金屬或摻雜多晶硅。在此實(shí)施例中，接觸窗132、134的材料是以鎢為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。接觸窗132、134的形成方法例如是金屬鑲嵌法。此外，接觸窗132、134與浮置接觸窗110可通過(guò)相同制作工藝同時(shí)形成。

另一方面，由于浮置接觸窗110與接觸窗132之間會(huì)產(chǎn)生耦合效應(yīng)，因此可有效地提升浮置接觸窗110與接觸窗132之間的耦合率(couplingratio)與電容比(capacitanceratio)，進(jìn)而能夠以低電壓進(jìn)行存儲(chǔ)器組件的操作。由此，存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)100可通過(guò)源極側(cè)注入(sourcesideinjection，ssi)的方式來(lái)進(jìn)行程序化操作。

阻障層136a～136c分別可設(shè)置于接觸窗132、浮置接觸窗110與接觸窗134的兩側(cè)與底部。阻障層136a～136c的材料例如是tin或tan。阻障層136a～136c的形成方法例如是物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。

內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138電連接于接觸窗132，可用以作為源極線使用。內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138包括導(dǎo)體層144與阻障層146。阻障層146可設(shè)置于導(dǎo)體層144的兩側(cè)與底部。導(dǎo)體層144的材料例如是銅或鋁等金屬。導(dǎo)體層144的形成方法例如是金屬鑲嵌法。阻障層146的材料例如是tin或tan。阻障層146的形成方法例如是物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。此外，圖1中的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138所具有的導(dǎo)體層144的層數(shù)僅為舉例說(shuō)明，于此技術(shù)領(lǐng)域熟悉此技術(shù)者可依照產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求來(lái)調(diào)整內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138中的導(dǎo)體層144的層數(shù)。

內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)140電連接于浮置接觸窗110，可用于存儲(chǔ)電荷。內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)140包括導(dǎo)體層148與阻障層150。阻障層150可設(shè)置于導(dǎo)體層148的兩側(cè)與底部。導(dǎo)體層148的材料例如是銅或鋁等金屬。導(dǎo)體層148的形成方法例如是金屬鑲嵌法。阻障層150的材料例如是tin或tan。阻障層150的形成方法例如是物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。

此外，由于內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138、140之間會(huì)產(chǎn)生耦合效應(yīng)，因此可進(jìn)一步地提升耦合率與電容比，而能夠進(jìn)一步地降低存儲(chǔ)器組件的操作電壓。此外，部分內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138可位于內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)140的上方，以進(jìn)一步提高耦合率與電容比。

另一方面，位于內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)140側(cè)邊的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138可位于內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié) 構(gòu)140的一側(cè)、位于內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)140的兩側(cè)或環(huán)繞內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)140。上述三種情況的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138、140之間的耦合面積、耦合率與電容比由小到大遞增，且存儲(chǔ)單元尺寸由小到大遞增。因此，所屬技術(shù)領(lǐng)域熟悉此技術(shù)者可基于耦合面積、耦合率、電容比以及存儲(chǔ)單元尺寸的考慮，來(lái)選擇內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138的設(shè)置方式。在此實(shí)施例中，內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138是以位于內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)140的兩側(cè)為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。

內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)142電連接于接觸窗134，可用以作為位線使用。內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)142包括導(dǎo)體層152與阻障層154。阻障層154可設(shè)置于導(dǎo)體層152的兩側(cè)與底部。導(dǎo)體層152的材料例如是銅或鋁等金屬。導(dǎo)體層152的形成方法例如是金屬鑲嵌法。阻障層154的材料例如是tin或tan。阻障層154的形成方法例如是物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。

此外，圖1中的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138、140、142所具有的導(dǎo)體層144、148、152的層數(shù)僅為舉例說(shuō)明，于此技術(shù)領(lǐng)域熟悉此技術(shù)者可依照產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求來(lái)調(diào)整內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138、140、142中的導(dǎo)體層144、148、152的層數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，可同時(shí)增加內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138、140中的導(dǎo)體層144、148的層數(shù)來(lái)提高內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)138、140之間的耦合面積，以進(jìn)一步地提高耦合率與電容比。

綜上所述，由于上述實(shí)施例的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)是使用浮置接觸窗來(lái)進(jìn)行電荷的存儲(chǔ)，所以存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，且可通過(guò)簡(jiǎn)易的制作工藝形成，進(jìn)而可有效地降低制造成本。

雖然結(jié)合以上實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。