技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種NMOS晶體管及其形成方法，其中形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有若干淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，相鄰淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的半導(dǎo)體襯底為有源區(qū)；在有源區(qū)表面上形成柵極結(jié)構(gòu)；在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成第一側(cè)墻；刻蝕淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和第一側(cè)墻之間的半導(dǎo)體襯底形成凹槽，凹槽的深度小于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的深度，所述凹槽暴露出淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁；對(duì)凹槽底部的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行非晶化處理，在凹槽底部的半導(dǎo)體襯底中形成非晶化區(qū)；非晶化處理后，通過外延工藝，在凹槽中形成半導(dǎo)體材料層，半導(dǎo)體材料層中摻雜雜質(zhì)離子。本發(fā)明的方法可以釋放或減小淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)對(duì)溝道區(qū)域的壓應(yīng)力，提高了NMOS晶體管的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：趙猛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.11
技術(shù)公布日：2017.07.18