1.一種用于制造多個轉(zhuǎn)換元件(10)的方法，所述方法具有下列步驟：
-提供載體襯底(1)；
-將轉(zhuǎn)換材料(3)引入到基體材料(2)中；
-將具有所述轉(zhuǎn)換材料(3)的所述基體材料(2)以不連貫的樣式施加到所述載體襯底(1)的各個區(qū)域(8)上；
-將阻擋襯底(5)施加到所述基體材料(2)和所述載體襯底(1)上；
-將所述載體襯底(1)連同所述基體材料(2)和所述阻擋襯底(5)沿著分割線(V)分割成多個轉(zhuǎn)換元件(10)，其中所述轉(zhuǎn)換元件(10)分別包括所述基體材料(2)的所述區(qū)域(8)中的至少一個。
2.根據(jù)上一項權(quán)利要求所述的方法，
其中所述轉(zhuǎn)換材料(3)包括量子點波長轉(zhuǎn)換器。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，
其中將所述阻擋襯底(5)作為囊封件施加到所述基體材料(2)和所述載體襯底(1)上。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，
其中所述載體襯底(1)和所述阻擋襯底(5)由不同的材料構(gòu)成。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，
其中所述阻擋襯底(5)從氣相沉積到所述基體材料(2)和所述載體襯底(1)上。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，
其中將所述區(qū)域(8)成型為所述載體襯底(1)中的腔。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，
其中借助于掩模(15)施加具有所述轉(zhuǎn)換材料(3)的所述基體材料(2)，其中將所述掩模(15)施加到所述載體襯底(1)上。
8.根據(jù)上一項權(quán)利要求所述的方法，
其中在施加所述基體材料(2)之后，再次移除所述掩模(15)。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，
其中所述基體材料(2)的施加在保護(hù)氣體或真空下借助于噴濺覆層、點膠、印刷或噴射(Jetting)進(jìn)行。
10.一種轉(zhuǎn)換元件(10)，所述轉(zhuǎn)換元件包括：
-載體襯底(1)；
-具有基體材料(2)的至少一個區(qū)域(8)，其中轉(zhuǎn)換材料(3)嵌入到所述基體材料(2)中；
-阻擋襯底(5)，其中在所述載體襯底(1)和所述阻擋襯底(5)之間圍住具有所述轉(zhuǎn)換材料(3)的所述基體材料(2)，其中所述轉(zhuǎn)換元件(10)具有小板形狀或條帶形狀。
11.一種光電子器件(20)，所述光電子器件包括在連接板(11)上的至少一個半導(dǎo)體芯片(21)和至少一個根據(jù)權(quán)利要求10所述的轉(zhuǎn)換元件(10)，其中至少一個所述半導(dǎo)體芯片(21)分別配設(shè)有至少一個所述轉(zhuǎn)換元件(10)。
12.根據(jù)上一項權(quán)利要求所述的光電子器件(20)，
其中所述轉(zhuǎn)換元件(10)具有條帶形狀并且由多個半導(dǎo)體芯片(21)輻照。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的光電子器件(20)，
其中所述轉(zhuǎn)換元件(10)直接施加到所屬的半導(dǎo)體芯片(21)的發(fā)射面(22)上。
14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的光電子器件(20)，
其中所述轉(zhuǎn)換元件(10)與所述半導(dǎo)體芯片(21)并且與所述半導(dǎo)體芯片的發(fā)射面(22)間隔開。