本申請(qǐng)要求于2015年5月28日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2015-0074968號(hào)的權(quán)益,其全部?jī)?nèi)容通過本文中的引用合并到本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置,并且更具體地,涉及能夠防止發(fā)光二極管損壞的柔性O(shè)LED顯示裝置。
背景技術(shù):
目前正在使用用于顯示圖像的各種顯示裝置。廣泛地研究并使用平板顯示裝置,例如,液晶顯示(LCD)裝置、等離子體顯示面板(PDP)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置,取代陰極射線管(CRT)顯示裝置,原因是平板顯示裝置具有薄外形和輕重量的優(yōu)異性能。
在平板顯示裝置中,因?yàn)镺LED顯示裝置具有在響應(yīng)時(shí)間、對(duì)比度、視角以及功耗方面的優(yōu)點(diǎn),所以O(shè)LED顯示裝置被廣泛地研究。
包括有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光二極管非常容易受潮。為了使發(fā)光二極管防潮并且保護(hù)發(fā)光二極管,在發(fā)光二極管上附接玻璃的密封基板。
近來,提出了柔性顯示裝置,例如,可折疊顯示裝置、可彎曲顯示裝置或可卷曲顯示裝置。在柔性顯示裝置中,使用包括無機(jī)層和有機(jī)層的新的封裝膜,而非玻璃密封基板。
圖1是相關(guān)技術(shù)OLED顯示裝置的示意性截面圖。如圖1所示,OLED顯示裝置1包括:柔性基板10,在柔性基板10中限定有顯示區(qū)AA以及在顯示區(qū)AA外周的非顯示區(qū)NA;柔性基板10上的發(fā)光二極管D;以及覆蓋發(fā)光二極管D的封裝膜20。
柔性基板10可以由聚合物(例如,聚酰亞胺)形成,并且在柔性基板10上形成有發(fā)光二極管D。
發(fā)光二極管D設(shè)置在顯示區(qū)AA中,并且在非顯示區(qū)NA中可以形成有用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管D的驅(qū)動(dòng)單元(未示出)。
雖然未示出,但是發(fā)光二極管D包括:第一電極;面對(duì)第一電極的第二電極;以及在第一電極與第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層。另外,在每個(gè)像素區(qū)域中并在柔性基板10上形成有作為開關(guān)元件的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)以及作為驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)TFT。例如,發(fā)光二極管D的第一電極可以連接至驅(qū)動(dòng)TFT。
封裝膜20覆蓋發(fā)光二極管D并且對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)AA和非顯示區(qū)NA。由封裝膜20來防止在高溫以及高濕度條件下的發(fā)光二極管D損壞。
在封裝膜20中,無機(jī)層與有機(jī)層交替地堆疊。例如,封裝膜20可以包括:在發(fā)光二極管D上的第一無機(jī)層22;在第一無機(jī)層22上的有機(jī)層24;以及在有機(jī)層24上的第二無機(jī)層26。即,封裝膜20可以具有三層結(jié)構(gòu)。
另外,可以使用粘合層32將阻擋膜30附接至封裝膜20。
然而,當(dāng)重復(fù)地折疊、重復(fù)地彎曲或重復(fù)地卷曲OLED顯示裝置時(shí),發(fā)光二極管D會(huì)損壞。因此,在相關(guān)技術(shù)的OLED顯示裝置1中會(huì)出現(xiàn)顯示質(zhì)量和/或壽命的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
實(shí)施方案涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置,其包括:柔性基板,該柔性基板具有顯示區(qū)和非顯示區(qū);在柔性基板的顯示區(qū)上的多個(gè)像素區(qū)域,其中每個(gè)像素區(qū)域包括有機(jī)發(fā)光二極管;多層封裝膜,所述多層封裝膜覆蓋所述多個(gè)像素區(qū)域,該多層封裝膜包括第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層;以及在所述多層封裝膜的至少部分上或所述多層封裝膜的至少部分內(nèi)的金屬層,其中所述多層封裝膜的所述部分在所述柔性基板的彎曲區(qū)域中,所述柔性基板在所述彎曲區(qū)域處被折疊、彎曲或卷曲。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層跨柔性基板的整個(gè)表面。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層沿彎曲區(qū)域的第一方向的第一長(zhǎng)度小于或等于柔性基板的第一長(zhǎng)度,但大于封裝膜的第一長(zhǎng)度,并且金屬層沿與第一方向垂直的第二方向的寬度小于封裝膜的第二長(zhǎng)度以及柔性基板的第二長(zhǎng)度。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層在第二無機(jī)層之上。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層在第一無機(jī)層與第一有機(jī)層之間。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層的第一長(zhǎng)度等于第一無機(jī)層的第一長(zhǎng)度。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層在第一有機(jī)層與第二無機(jī)層之間。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層包括:在封裝膜的第一端部上或在封裝膜的第一端部?jī)?nèi)的第一圖案,第一圖案從彎曲區(qū)域的一個(gè)端部延伸;以及在封裝膜的第二端部上或在封裝膜的第二端部?jī)?nèi)的第二圖案,第二圖案從彎曲區(qū)域的相反的端部延伸并且與第一圖案間隔開。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層的第一圖案和第二圖案在第二無機(jī)層之上。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層的第一圖案和第二圖案在第一無機(jī)層與第一有機(jī)層之間。
在一個(gè)實(shí)施方案中,第一金屬層的第一圖案和第二圖案在第一有機(jī)層與第二無機(jī)層之間。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層由銀(Ag)、金(Au)、鈀(Pd)或它們的合金中的至少之一形成,并且金屬層的厚度為100埃至200埃。
在一個(gè)實(shí)施方案中,顯示裝置還包括在封裝膜上的粘合層以及在粘合層上的阻擋膜。
實(shí)施方案還涉及制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的方法。在柔性基板的顯示區(qū)上形成多個(gè)像素區(qū)域,每個(gè)像素區(qū)域包括有機(jī)發(fā)光二極管。在所述多個(gè)像素區(qū)域上形成第一無機(jī)層。在形成第一無機(jī)層之后形成第一有機(jī)層。在形成第一有機(jī)層之后形成第二無機(jī)層。在形成所述多個(gè)像素區(qū)域之后,在顯示裝置的至少部分上形成金屬層。顯示裝置的所述部分在柔性基板的彎曲區(qū)域中,柔性基板在彎曲區(qū)域處被折疊、彎曲或卷曲。
在一個(gè)實(shí)施方案中,跨越柔性基板的整個(gè)表面來形成金屬層。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層沿彎曲區(qū)域的第一方向的第一長(zhǎng)度小于或等于柔性基板的第一長(zhǎng)度,但大于第二無機(jī)層的第一長(zhǎng)度,并且金屬層沿與第一方向垂直的第二方向的寬度小于第二無機(jī)層的第二長(zhǎng)度以及柔性基板的第二長(zhǎng)度。
在一個(gè)實(shí)施方案中,當(dāng)形成金屬層時(shí),第一圖案形成為從彎曲區(qū)域的 一端延伸,并且第二圖案形成為從彎曲區(qū)域的另一端延伸,第二圖案與第一圖案間隔開。
在一個(gè)實(shí)施方案中,在形成第一無機(jī)層之后而在形成第一有機(jī)層之前形成金屬層,其中金屬層的第一長(zhǎng)度等于第一無機(jī)層的第一長(zhǎng)度。
在一個(gè)實(shí)施方案中,金屬層由銀(Ag)、金(Au)、鈀(Pd)或它們的合金中的至少之一形成,并且金屬層的厚度為100埃至200埃。
在一個(gè)實(shí)施方案中,在第二無機(jī)層上形成粘合層,并且在粘合層上形成阻擋膜。
應(yīng)該理解的是,先前的一般描述和下面的詳細(xì)描述皆是示例性的和說明性的,并且旨在提供對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。
附圖說明
本申請(qǐng)包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且附圖被合并在本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分,附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方案,并且與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是相關(guān)技術(shù)的OLED顯示裝置的示意性截面圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性平面圖。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的包括發(fā)光二極管的一個(gè)像素區(qū)域的示意性截面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性平面圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)地參考優(yōu)選的實(shí)施方案,附圖中示出了其實(shí)例。
在OLED顯示裝置中,因?yàn)樵谡郫B區(qū)域、彎曲區(qū)域或卷曲區(qū)域中的邊緣處的封裝膜中會(huì)產(chǎn)生裂紋,所以可能產(chǎn)生發(fā)光二極管的損壞。
即,當(dāng)折疊、彎曲或卷曲顯示裝置時(shí),應(yīng)力集中在折疊區(qū)域、彎曲區(qū)域或卷曲區(qū)域中的邊緣處的封裝膜中,在封裝膜中可能產(chǎn)生裂紋,并且水分(moisture)可能通過裂紋而滲入顯示裝置的顯示區(qū)。
因此,在相關(guān)技術(shù)的柔性O(shè)LED顯示裝置中,發(fā)光二極管和/或薄膜晶體管被損壞,導(dǎo)致相關(guān)技術(shù)的柔性O(shè)LED顯示裝置的顯示質(zhì)量和/或壽命降低。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置100包括:柔性基板110,在其中限定有顯示區(qū)AA以及在顯示區(qū)AA外周的非顯示區(qū)NA;在柔性基板110上的發(fā)光二極管D;覆蓋發(fā)光二極管D的封裝膜120;以及覆蓋封裝膜120的金屬層(或“金屬圖案”)130。
柔性基板110可以由聚合物(例如,聚酰亞胺)形成。然而,不限于此。
在柔性基板110上或上方形成有發(fā)光二極管D。發(fā)光二極管D位于顯示區(qū)AA中,并且在非顯示區(qū)NA中可以設(shè)置有用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管D的驅(qū)動(dòng)單元(未示出)。
發(fā)光二極管D包括:第一電極(未示出);面對(duì)第一電極的第二電極(未示出);以及在第一電極與第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層(未示出)。另外,在柔性基板110上并在各個(gè)像素區(qū)域中形成有作為開關(guān)元件的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)(未示出)以及作為驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)TFT(未示出)。發(fā)光二極管D的第一電極連接至驅(qū)動(dòng)TFT。
封裝膜120覆蓋發(fā)光二極管D并且與顯示區(qū)AA和非顯示區(qū)NA對(duì) 應(yīng)。通過封裝膜120來防止水分滲入顯示區(qū)AA中的元件,例如,發(fā)光二極管D。因此,可以減少發(fā)光二極管D的損壞。
封裝膜120包括在發(fā)光二極管D上交替地堆疊的無機(jī)層和有機(jī)層。封裝膜120可以具有下述三層結(jié)構(gòu):在發(fā)光二極管D上的第一無機(jī)層122;在第一無機(jī)層122上的有機(jī)層124;以及在有機(jī)層124上的第二無機(jī)層126。然而,封裝膜的布置或結(jié)構(gòu)不限于此。
第一無機(jī)層122和第二無機(jī)層126中的每一個(gè)可以由選自包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和鋁氧化物(AlOx)的無機(jī)材料中的至少一種材料形成,但不限于這些材料。有機(jī)層124可以由熱固性或紫外可固化材料(例如,環(huán)氧化合物、丙烯酸類(acryl)化合物、聚氨酯化合物、橡膠化合物)形成,但不限于這些材料。
例如,在第二無機(jī)層126上還可以形成有有機(jī)層,使得封裝膜120可以具有四層結(jié)構(gòu),或者在第二無機(jī)層126上可以堆疊有機(jī)層和無機(jī)層,使得封裝膜120可以具有五層結(jié)構(gòu)。
金屬層130覆蓋封裝膜120,并且與柔性基板110的整個(gè)表面對(duì)應(yīng)。
金屬層130可以包含低剛度材料。即,金屬層130可以包含具有低模量值(modulus value)的金屬材料。例如,金屬層130可以包含銀(Ag)、金(Au)、鈀(Pd)或它們的合金。然而,不限于此。在一個(gè)實(shí)施方案中,可以通過濺射或者用于沉積金屬材料的任意沉積方法來沉積金屬層130。
通過金屬層130來阻擋水分滲入顯示區(qū)AA。另外,通過金屬層130來減小在折疊操作、彎曲操作或卷曲操作期間在封裝膜120中產(chǎn)生的應(yīng)力。因此,防止了在折疊操作、彎曲操作或卷曲操作期間在封裝膜120中產(chǎn)生裂紋。
可以使用粘合層142將阻擋膜140附接至金屬層130上,阻擋膜140進(jìn)一步使水分滲透最小化并且保護(hù)金屬層130和封裝膜120。例如,粘合層142可以是壓敏粘合劑。可以省略阻擋膜140和粘合層142。
可替代地,在阻擋膜140的外側(cè)上可以附接有偏振板(未示出),以減少環(huán)境光反射并增加對(duì)比度。在這種情況下,偏振板可以是圓形偏振板。
如上所述,通過在封裝膜120上形成具有低模量特性的金屬層130,防止了在封裝膜120中產(chǎn)生裂紋,使得防止了由于水分滲透而造成元件(例如,發(fā)光二極管D)的損壞。
因此,提高了柔性O(shè)LED顯示裝置100的顯示質(zhì)量和壽命。
然而,在柔性O(shè)LED顯示裝置100為頂部發(fā)光型的情況下,柔性O(shè)LED顯示裝置100的透光率會(huì)降低,原因是金屬層130覆蓋了柔性基板110的整個(gè)表面。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性平面圖,并且圖4是示出包括發(fā)光二極管的一個(gè)像素區(qū)域的示意性截面圖。
參考圖3和圖4,根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置200包括:柔性基板210,在柔性基板210中限定有顯示區(qū)AA以及在顯示區(qū)AA外周的非顯示區(qū)NA;在柔性基板210上的發(fā)光二極管D;覆蓋發(fā)光二極管D的封裝膜220;以及金屬層230,金屬層230位于彎曲區(qū)域BR中并且覆蓋封裝膜220。本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示裝置200中被折疊、彎曲和/或卷曲的的區(qū)域被限定為彎曲區(qū)域BR。
柔性基板210可以由聚合物(例如,聚酰亞胺)形成。然而,不限于此。雖然未示出,但是在柔性基板210上可以形成有緩沖層,該緩沖層由無機(jī)材料(例如,硅氧化物或硅氮化物)形成。
在柔性基板210上或上方,形成有驅(qū)動(dòng)TFT Td以及連接至驅(qū)動(dòng)TFT Td的發(fā)光二極管D。
另外,在柔性基板210上還形成有:柵極線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出),柵極線與數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)域;電源線(未示出),電源線平行于柵極線或數(shù)據(jù)線,并且與柵極線或數(shù)據(jù)線間隔開;開關(guān)TFT(未示出),開關(guān)TFT連接至柵極線和數(shù)據(jù)線;存儲(chǔ)電容器(未示出),存儲(chǔ)電容器連接至電源線和開關(guān)TFT的電極。
驅(qū)動(dòng)TFT Td連接至開關(guān)TFT,并且包括半導(dǎo)體層252、柵電極260、源電極270和漏電極272。
半導(dǎo)體層252設(shè)置在柔性基板210上,并且可以包含氧化物半導(dǎo)體材料或多晶硅。
在半導(dǎo)體層252包含氧化物半導(dǎo)體材料的情況下,在半導(dǎo)體層252下方可以形成有遮光圖案(未示出)。通過遮光圖案來遮蔽或阻擋向半導(dǎo)體層252發(fā)射的光,使得可以防止半導(dǎo)體層252的熱劣化。另一方面,在半導(dǎo)體層252包含多晶硅的情況下,半導(dǎo)體層252的兩側(cè)皆可以摻入有雜質(zhì)。
在包括半導(dǎo)體層252的柔性基板210的整個(gè)表面上形成有柵極絕緣層254。柵極絕緣層254可以由無機(jī)絕緣材料(例如,硅氧化物或硅氮化物)形成。
在柵極絕緣層254上形成有由導(dǎo)電材料(例如,金屬)形成的柵電極260,以與半導(dǎo)體層252的中心對(duì)應(yīng)。柵電極260連接至開關(guān)TFT。
在圖4中,柵極絕緣層254形成在柔性基板210的整個(gè)表面上??商娲?,可以對(duì)柵極絕緣層254進(jìn)行圖案化,以具有與柵電極260相同的形狀。
在包括柵電極260的柔性基板210的整個(gè)表面上形成有由絕緣材料形成的層間絕緣層262。層間絕緣層262可以由無機(jī)絕緣材料(例如,硅氧化物或硅氮化物)或有機(jī)絕緣材料(例如,苯并環(huán)丁烯或光丙烯酸類(acryl))形成。
層間絕緣層262包括使半導(dǎo)體層252的兩側(cè)露出的第一接觸孔264和第二接觸孔266。第一接觸孔264和第二接觸孔266位于柵電極260的兩側(cè),以與柵電極260間隔開。
在圖4中,第一接觸孔264和第二接觸孔266延伸到柵極絕緣層254中??商娲兀?dāng)對(duì)柵極絕緣層254進(jìn)行圖形化以具有與柵電極260相同的形狀時(shí),在柵極絕緣層254中可以沒有第一接觸孔264和第二接觸孔266。
在層間絕緣層262上形成有源電極270和漏電極272,源電極270和漏電極272由導(dǎo)電材料(例如,金屬)形成。源電極270和漏電極272相對(duì)于柵電極260彼此間隔開,并且通過第一接觸孔264和第二接觸孔266而分別地接觸半導(dǎo)體層252的兩側(cè)。源電極270連接至電源線(未示出)。
半導(dǎo)體層252、柵電極260、源電極270和漏電極272構(gòu)成驅(qū)動(dòng)TFT Td。在圖4中,柵電極260、源電極270和漏電極272位于半導(dǎo)體層252的上方。即,驅(qū)動(dòng)TFT Td具有共面結(jié)構(gòu)。
可替代地,在驅(qū)動(dòng)TFT Td中,柵電極可以位于半導(dǎo)體層的下方,并且源電極和漏電極可以位于半導(dǎo)體層的上方,使得驅(qū)動(dòng)TFT Td可以具有反向交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。在這種情況下,半導(dǎo)體層可以包含非晶硅。
開關(guān)TFT(未示出)可以具有與驅(qū)動(dòng)TFT Td基本上相同的結(jié)構(gòu)。
形成鈍化層274以覆蓋驅(qū)動(dòng)TFT Td,鈍化層274包括使驅(qū)動(dòng)TFT Td 的漏電極272露出的漏極接觸孔276。
在每個(gè)像素區(qū)域中獨(dú)立地形成有第一電極280,第一電極280通過漏極接觸孔276連接至驅(qū)動(dòng)TFT Td的漏電極272。第一電極280可以為陽極,并且可以由具有相對(duì)高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如,第一電極280可以由透明導(dǎo)電材料(例如,銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO))形成。
在柔性O(shè)LED顯示裝置200以底部發(fā)光型進(jìn)行工作的情況下,第一電極280可以具有由透明導(dǎo)電材料形成的單層結(jié)構(gòu)。
另一方面,在柔性O(shè)LED顯示裝置200以頂部發(fā)光型進(jìn)行工作的情況下,在第一電極280的下方可以形成有反射電極或反射層。例如,反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(APC)合金形成。
在鈍化層274上形成有覆蓋第一電極280的邊緣的堤層286。像素區(qū)域中的第一電極280的中心通過堤層286的開口而露出。
在第一電極280上形成有有機(jī)發(fā)光層282。有機(jī)發(fā)光層282可以具有由發(fā)光材料形成的發(fā)光材料層的單層結(jié)構(gòu)??商娲?,為了提高發(fā)光效率,有機(jī)發(fā)光層282可以具有多層結(jié)構(gòu),該多層結(jié)構(gòu)包括順次堆疊在第一電極280上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層。
在包括有機(jī)發(fā)光層282的柔性基板210上方形成有第二電極284。第二電極284位于顯示區(qū)AA的整個(gè)表面。第二電極284可以為陰極,并且可以由具有相對(duì)低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如,第二電極284可以由鋁(Al)、鎂(Mg)或Al-Mg合金形成。
第一電極280、有機(jī)發(fā)光層282和第二電極284構(gòu)成發(fā)光二極管D。
在發(fā)光二極管D上形成有封裝膜220,以防止水分滲入發(fā)光二極管D。
封裝膜220具有第一無機(jī)層222、有機(jī)層224和第二無機(jī)層226的三層結(jié)構(gòu)。然而,不限于此。
第一無機(jī)層222和第二無機(jī)層226中的每一個(gè)可以由選自包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和鋁氧化物(AlOx)的無機(jī)材料中的至少一種材料形成。然而,不限于此。有機(jī)層224可以由熱固性或紫外可固化性材料(例如,環(huán)氧化合物、丙烯酸類(acryl)化合物、聚氨酯化合物、橡膠化合物)形成。然而,不限于此。
例如,在第二無機(jī)層226上還可以形成有有機(jī)層,使得封裝膜220可以具有四層結(jié)構(gòu),或者在第二無機(jī)層226上可以堆疊有有機(jī)層和無機(jī)層,使得封裝膜220可以具有五層結(jié)構(gòu)。
金屬圖案230覆蓋封裝膜220,并且延伸橫過(run across)柔性基板210。也就是說,金屬圖案230的長(zhǎng)度L(即,水平長(zhǎng)度)小于或等于柔性基板210的長(zhǎng)度,并且大于封裝膜220的長(zhǎng)度。
例如,如圖3所示,金屬圖案230的長(zhǎng)度與柔性基板210的長(zhǎng)度相同。可替代地,金屬圖案230的末端可以設(shè)置在柔性基板210的末端與封裝膜220的末端之間,使得金屬圖案230的長(zhǎng)度L可以小于柔性基板210的長(zhǎng)度。
另外,金屬圖案230位于彎曲區(qū)域BR中。也就是說,金屬圖案230的寬度W(即,豎直長(zhǎng)度)小于柔性基板210的寬度和封裝膜220的寬度??梢愿鶕?jù)柔性O(shè)LED顯示裝置200的曲率半徑來確定金屬圖案230的寬度W。
在圖3中,因?yàn)閺澢鷧^(qū)域BR是沿柔性基板210的短邊來限定的,所以金屬圖案230沿彎曲區(qū)域的第一方向的長(zhǎng)度L等于柔性基板210的短邊的長(zhǎng)度,并且金屬圖案230沿與第一方向垂直的第二方向的寬度W小于柔性基板210的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度。
可替代地,在可以沿柔性基板210的長(zhǎng)邊來限定彎曲區(qū)域BR的情況下,金屬圖案230沿彎曲區(qū)域的第一方向的長(zhǎng)度L可以等于柔性基板210的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度,并且金屬圖案230沿垂直于第一方向的第二方向的寬度W可以小于柔性基板210的短邊的長(zhǎng)度。
金屬圖案230可以包含低剛度材料。即,金屬圖案230可以包含具有低模量值的金屬材料。例如,金屬圖案230可以包含銀(Ag)、金(Au)、鈀(Pd)或它們的合金。然而,不限于此。
金屬圖案230的厚度可以為約100埃至200埃。在頂部發(fā)光型OLED顯示裝置中,顯示裝置的透光率會(huì)由金屬圖案230而減小。然而,在金屬圖案230具有上述范圍的厚度的情況下,與沒有金屬圖案230的顯示裝置相比,由于表面等離子體效應(yīng)(Surface Plasmon Effect)而會(huì)增大顯示裝置的透光率。
也就是說,在金屬圖案230不具有上述的厚度的情況下,光會(huì)由金屬圖案230而被阻擋,使得顯示裝置的透光率減小。然而,由于表面等離子 體效應(yīng),包括上述厚度范圍的金屬圖案230的柔性顯示裝置200的透光率會(huì)增大。
通過金屬圖案230阻擋了水分,并且釋放了在折疊操作、彎曲操作和/或卷曲操作期間在封裝膜220中集中的應(yīng)力。因此,通過折疊操作、彎曲操作和/或卷曲操作在封裝膜220中不會(huì)產(chǎn)生裂紋。
另外,因?yàn)榻饘賵D案230形成在彎曲區(qū)域BR中,所以在無論怎樣的金屬圖案230的厚度的情況下使頂部發(fā)光型柔性O(shè)LED顯示裝置的透光率減小量最小化,其中在頂部發(fā)光型柔性O(shè)LED顯示裝置中,來自有機(jī)發(fā)光層282的光穿過第二電極284以顯示圖像。
可以使用粘合層242將阻擋膜240附接到金屬圖案230上,阻擋膜240進(jìn)一步使水分滲透最小化并且保護(hù)金屬圖案230和封裝膜220。例如,粘合層242可以是壓敏粘合劑。阻擋膜240和粘合層242可以省略。
可替代地,在阻擋膜240的外側(cè)上可以附接有偏振板(未示出),以減少環(huán)境光反射并增加對(duì)比度。在這種情況下,偏振板可以是圓形偏振板。
如上所述,通過在封裝膜220上形成具有低模量特性的金屬圖案230,防止了在封裝膜220中產(chǎn)生裂紋,使得防止了由于水分滲透而造成元件(例如,發(fā)光二極管D)的損壞。
因此,提高了柔性O(shè)LED顯示裝置200的顯示質(zhì)量和壽命,并且在柔性O(shè)LED顯示裝置200中可以提供相對(duì)小的曲率半徑。
另外,因?yàn)榻饘賵D案230位于彎曲區(qū)域BR中,所以可以使柔性O(shè)LED顯示裝置200的透光率減小量最小化。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。
參考圖5,根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置300包括:柔性基板310,在柔性基板310中限定有顯示區(qū)AA以及在顯示區(qū)AA外周的非顯示區(qū)NA;設(shè)置在柔性基板310上的發(fā)光二極管D;封裝膜320,封裝膜320覆蓋發(fā)光二極管D并且包括第一無機(jī)層322、有機(jī)層324和第二無機(jī)層326;以及金屬層330,金屬層330位于(圖3的)彎曲區(qū)域BR中并且位于第一無機(jī)層322與有機(jī)層324之間。本發(fā)明中柔性O(shè)LED顯示裝置300的被折疊、彎曲和/或卷曲的區(qū)域被限定為彎曲區(qū)域BR。
柔性基板310可以由聚合物(例如,聚酰亞胺)形成。然而,不限于此。
在柔性基板310上或上方,形成有驅(qū)動(dòng)TFT Td以及連接至驅(qū)動(dòng)TFT Td的發(fā)光二極管D。
如圖4所示,驅(qū)動(dòng)TFT Td包括半導(dǎo)體層252、柵電極260、源電極270和漏電極272,并且發(fā)光二極管D包括:第一電極280,第一電極280連接至漏電極272;第二電極284,第二電極284面對(duì)第一電極280;以及在第一電極280與第二電極284之間的有機(jī)發(fā)光層282。
在發(fā)光二極管D上形成有封裝膜320,以防止水分滲入發(fā)光二極管D。
封裝膜320具有第一無機(jī)層322、有機(jī)層324和第二無機(jī)層326的三層結(jié)構(gòu)。然而,不限于此。
第一無機(jī)層322和第二無機(jī)層326中的每一個(gè)可以由選自包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和鋁氧化物(AlOx)的無機(jī)材料中的至少一種材料形成。然而,不限于此。有機(jī)層324可以由熱固性或紫外可固化性材料(例如,環(huán)氧化合物、丙烯酸類化合物、聚氨酯化合物、橡膠化合物)形成。然而,不限于此。
例如,在第二無機(jī)層326上還可以形成有有機(jī)層,使得封裝膜320可以具有四層結(jié)構(gòu),或者在第二無機(jī)層326上可以堆疊有機(jī)層和無機(jī)層,使得封裝膜320可以具有五層結(jié)構(gòu)。
金屬圖案330位于第一無機(jī)層322與有機(jī)層324之間,并且設(shè)置在(圖3的)彎曲區(qū)域BR中。即,與本發(fā)明的第二實(shí)施方案不同,根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置300中的金屬圖案330延伸穿過封裝膜320。
因?yàn)橛糜诜乐顾譂B入發(fā)光二極管D的主要元件或決定性元件是第一無機(jī)層322,所以在第一無機(jī)層322與有機(jī)層324之間形成金屬圖案330,以有效地防止在第一無機(jī)層322中產(chǎn)生裂紋。即,金屬圖案330形成為與第一無機(jī)層322的上表面接觸,第一無機(jī)層322與封裝膜320的其他元件相比,更接近發(fā)光二極管D。
金屬圖案330的長(zhǎng)度L(即,水平長(zhǎng)度)小于或等于柔性基板310的長(zhǎng)度,并且大于封裝膜320的長(zhǎng)度。
例如,如圖5所示,金屬圖案330的長(zhǎng)度與柔性基板310的長(zhǎng)度相同。 可替代地,金屬圖案330的端部可以設(shè)置在柔性基板310的端部與封裝膜320的端部之間,使得金屬圖案330的長(zhǎng)度L可以小于柔性基板310的長(zhǎng)度。
另外,金屬圖案330位于彎曲區(qū)域BR中。也就是說,金屬圖案330的寬度W(即,豎直長(zhǎng)度)小于柔性基板310和封裝膜320的寬度??梢愿鶕?jù)柔性O(shè)LED顯示裝置300的曲率半徑來確定金屬圖案330的寬度W。
金屬圖案330可以包含低剛度材料。即,金屬圖案330可以包含具有低模量值的金屬材料。例如,金屬圖案330可以包含銀(Ag)、金(Au)、鈀(Pd)或它們的合金。然而,不限于此。
金屬圖案330的厚度可以為約100埃至200埃。在金屬圖案330具有上述范圍的厚度的情況下,與沒有金屬圖案330的顯示裝置相比,由于表面等離子體效應(yīng)而會(huì)增大顯示裝置的透光率。
通過金屬圖案330阻止了水分,并且釋放了在折疊操作、彎曲操作和/或卷曲操作期間在封裝膜320的第一無機(jī)層322中集中的應(yīng)力。因此,通過折疊操作、彎曲操作和/或卷曲操作在封裝膜320的第一無機(jī)層322中不會(huì)產(chǎn)生裂紋。
另外,因?yàn)榻饘賵D案330形成在彎曲區(qū)域BR中,所以無論怎樣的金屬圖案330的厚度,使頂部發(fā)光型柔性O(shè)LED顯示裝置的透光率減小量最小化。
可以使用粘合層342將阻擋膜340附接到封裝膜320的第二無機(jī)層326上,阻擋膜340進(jìn)一步使水分滲透最小化并且保護(hù)封裝膜320。例如,粘合層342可以是壓敏粘合劑??梢允÷宰钃跄?40和粘合層342。
可替代地,在阻擋膜340的外側(cè)上可以附接有偏振板(未示出),以減少環(huán)境光反射并增加對(duì)比度。在這種情況下,偏振板可以是圓形偏振板。
如上所述,通過在封裝膜320的第一無機(jī)層322上形成具有低模量特性的金屬圖案330,防止了在封裝膜320的第一無機(jī)層322中產(chǎn)生裂紋,使得防止了由于水分滲透而造成元件(例如,發(fā)光二極管D)的損壞。
因此,提高了柔性O(shè)LED顯示裝置300的顯示質(zhì)量和壽命,并且在柔性O(shè)LED顯示裝置300中可以提供相對(duì)小的曲率半徑。
另外,因?yàn)榻饘賵D案330位于彎曲區(qū)域BR中,所以可以使柔性O(shè)LED 顯示裝置300的透光率減小量最小化。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。
參考圖6,根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置400包括:柔性基板410,在柔性基板410中限定有顯示區(qū)AA以及在顯示區(qū)AA外周的非顯示區(qū)NA;設(shè)置在柔性基板410上的發(fā)光二極管D;封裝膜420,封裝膜420覆蓋發(fā)光二極管D并且包括第一無機(jī)層422、有機(jī)層424和第二無機(jī)層426;以及金屬層430,金屬層430位于(圖3的)彎曲區(qū)域BR中并且在有機(jī)層424與第二無機(jī)層426之間。本發(fā)明中柔性O(shè)LED顯示裝置400的被折疊、彎曲和/或卷曲的區(qū)域被限定為彎曲區(qū)域BR。
柔性基板410可以由聚合物(例如,聚酰亞胺)形成。然而,不限于此。
在柔性基板410上或上方,形成有驅(qū)動(dòng)TFT Td以及連接至驅(qū)動(dòng)TFT Td的發(fā)光二極管D。
如圖4所示,驅(qū)動(dòng)TFT Td包括半導(dǎo)體層252、柵電極260、源電極270和漏電極272,并且發(fā)光二極管D包括:第一電極280,第一電極280連接至漏電極272;第二電極284,第二電極284面對(duì)第一電極280;以及在第一電極280與第二電極284之間的有機(jī)發(fā)光層282。
在發(fā)光二極管D上形成有封裝膜420,以防止水分滲入發(fā)光二極管D。
封裝膜420具有第一無機(jī)層422、有機(jī)層424和第二無機(jī)層426的三層結(jié)構(gòu)。然而,不限于此。
第一無機(jī)層422和第二無機(jī)層426中的每一個(gè)可以由選自包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和鋁氧化物(AlOx)的無機(jī)材料中的至少一種材料形成。然而,不限于此。有機(jī)層424可以由熱固性或紫外可固化性材料(例如,環(huán)氧化合物、丙烯酸類(acryl)化合物、聚氨酯化合物、橡膠化合物)形成。然而,不限于此。
例如,在第二無機(jī)層426上還可以形成有有機(jī)層,使得封裝膜420可以具有四層結(jié)構(gòu),或者在第二無機(jī)層426上可以堆疊有機(jī)層和無機(jī)層,使得封裝膜420可以具有五層結(jié)構(gòu)。
金屬圖案430位于有機(jī)層424與第二無機(jī)層426之間,并且在(圖3 的)彎曲區(qū)域BR中。即,與本發(fā)明的第二實(shí)施方案不同,根據(jù)本發(fā)明的第三和第四實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置300和400中的金屬圖案330和金屬圖案430延伸穿過封裝膜320和封裝膜420并且位于封裝膜320和封裝膜420內(nèi)。
金屬圖案430的長(zhǎng)度L(即,水平長(zhǎng)度)小于或等于柔性基板410的長(zhǎng)度,并且大于封裝膜420的長(zhǎng)度。
例如,如圖6所示,金屬圖案430的長(zhǎng)度與柔性基板410的長(zhǎng)度相同??商娲兀饘賵D案430的末端可以設(shè)置在柔性基板410的末端與封裝膜420的末端之間,使得金屬圖案430的長(zhǎng)度L可以小于柔性基板410的長(zhǎng)度。
另外,金屬圖案430位于彎曲區(qū)域BR中。也就是說,金屬圖案430的寬度W(即,豎直長(zhǎng)度)小于柔性基板410和封裝膜420的寬度??梢愿鶕?jù)柔性O(shè)LED顯示裝置400的曲率半徑來確定金屬圖案430的寬度W。
金屬圖案430可以包含低剛度材料。即,金屬圖案430可以包含具有低模量值的金屬材料。例如,金屬圖案430可以包含銀(Ag)、金(Au)、鈀(Pd)或它們的合金。然而,不限于此。
金屬圖案430的厚度可以為約100埃至200埃。在金屬圖案430具有上述范圍的厚度的情況下,與沒有金屬圖案430的顯示裝置相比,由于表面等離子體效應(yīng)而會(huì)增大顯示裝置的透光率。
通過金屬圖案430阻止了水分,并且釋放了在折疊操作、彎曲操作和/或卷曲操作期間在封裝膜420的有機(jī)層424和第一無機(jī)層422中集中的應(yīng)力。因此,通過折疊操作、彎曲操作和/或卷曲操作在封裝膜420的第一無機(jī)層422和有機(jī)層424中不會(huì)產(chǎn)生裂紋,尤其在第一無機(jī)層422中不會(huì)產(chǎn)生裂紋。
另外,因?yàn)榻饘賵D案430形成在彎曲區(qū)域BR中,所以無論怎樣的金屬圖案430的厚度,使頂部發(fā)光型柔性O(shè)LED顯示裝置的透光率減小量最小化。
可以使用粘合層442將阻擋膜440附接到封裝膜420的第二無機(jī)層426上,阻擋膜440進(jìn)一步使水分滲透最小化并且保護(hù)封裝膜420。例如,粘合層442可以是壓敏粘合劑。可以省略阻擋膜440和粘合層442。
可替代地,在阻擋膜440的外側(cè)上可以附接有偏振板(未示出),以 減少環(huán)境光反射并增加對(duì)比度。在這種情況下,偏振板可以是圓形偏振板。
如上所述,通過在封裝膜420的有機(jī)層424上形成具有低模量特性的金屬圖案430,防止了在封裝膜420的第一無機(jī)層422和有機(jī)層424中產(chǎn)生裂紋,使得防止了由于水分滲透而造成元件(例如,發(fā)光二極管D)的損壞。
因此,提高了柔性O(shè)LED顯示裝置400的顯示質(zhì)量和壽命,并且在柔性O(shè)LED顯示裝置400中可以提供相對(duì)小的曲率半徑。
另外,因?yàn)榻饘賵D案430位于彎曲區(qū)域BR中,所以可以使柔性O(shè)LED顯示裝置400的透光率減小量最小化。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性平面圖,并且圖8是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。
參考圖7和圖8,根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置500包括:柔性基板510,在柔性基板510中限定有顯示區(qū)AA以及在顯示區(qū)AA外周的非顯示區(qū)NA;在柔性基板510上的發(fā)光二極管D;封裝膜520,封裝膜520覆蓋發(fā)光二極管D;以及金屬層530,金屬層530位于(圖3的)彎曲區(qū)域BR的兩端并且覆蓋封裝膜520。本發(fā)明中被折疊、彎曲和/或卷曲的柔性O(shè)LED顯示裝置500的區(qū)域被限定為彎曲區(qū)域BR。
柔性基板510可以由聚合物(例如,聚酰亞胺)形成。然而,不限于此。
在柔性基板510上或上方,形成有驅(qū)動(dòng)TFT Td以及連接至驅(qū)動(dòng)TFT Td的發(fā)光二極管D。
如圖4所示,驅(qū)動(dòng)TFT Td包括半導(dǎo)體層252、柵電極260、源電極270和漏電極272,并且發(fā)光二極管D包括:第一電極280,第一電極280連接至漏電極272;第二電極284,第二電極284面對(duì)第一電極280;以及第一電極280與第二電極284之間的有機(jī)發(fā)光層282。
在發(fā)光二極管D上形成有封裝膜520,以防止水分滲入發(fā)光二極管D。
封裝膜520具有第一無機(jī)層522、有機(jī)層524和第二無機(jī)層526的三層結(jié)構(gòu)。然而,不限于此。
第一無機(jī)層522和第二無機(jī)層526中的每一個(gè)可以由選自包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和鋁氧化物(AlOx)的無機(jī)材料中的至少 一種材料形成。然而,不限于此。有機(jī)層524可以由熱固性或紫外可固化性材料(例如,環(huán)氧化合物、丙烯酸類化合物、聚氨酯化合物、橡膠化合物)形成。然而,不限于此。
例如,在第二無機(jī)層526上還可以形成有有機(jī)層,使得封裝膜520可以具有四層結(jié)構(gòu),或者在第二無機(jī)層526上可以堆疊有機(jī)層和無機(jī)層,使得封裝膜520可以具有五層結(jié)構(gòu)。
金屬圖案530位于作為封裝膜520的最上層的第二無機(jī)層526上,并且在彎曲區(qū)域BR的兩端。即,金屬圖案530包括在彎曲區(qū)域BR的一個(gè)端的第一圖案532以及在彎曲區(qū)域BR的相反的端的第二圖案534。換言之,第一圖案532與第二圖案534彼此間隔開,以覆蓋彎曲區(qū)域BR中的封裝膜520的邊緣并且使顯示區(qū)AA中的發(fā)光二極管D露出。
第一圖案532與第二圖案534彼此間隔開,并且第一圖案532和第二圖案534的面對(duì)的端部與顯示區(qū)AA的端部匹配。
可替代地,第一圖案532和第二圖案534的端部可以部分地覆蓋顯示區(qū)AA,或者可以設(shè)置在顯示區(qū)AA與第二無機(jī)層526的側(cè)表面之間。另外,第一圖案532和第二圖案534的端部可以設(shè)置在除第二無機(jī)層526的上表面之外的第二無機(jī)層526的側(cè)表面處。
在圖8中,包括第一圖案532和第二圖案534的金屬圖案530形成并設(shè)置在作為封裝膜520的最上層的第二無機(jī)層526上。在這種情況下,第一圖案532和第二圖案534中的每個(gè)的一端接觸第二無機(jī)層526的上表面,并且第一圖案532和第二圖案534中的每個(gè)的另一端接觸柔性基板510的上表面或柔性基板510上的最上層。
可替代地,如圖5和圖6所示,金屬圖案530可以設(shè)置在封裝膜520內(nèi)。
例如,第一圖案532和第二圖案534可以位于第一無機(jī)層522與有機(jī)層524之間。在這種情況下,第一圖案532和第二圖案534中的每個(gè)的一個(gè)端部可以接觸第一無機(jī)層522的上表面,以及第一圖案532和第二圖案534中的每個(gè)的另一端部可以接觸柔性基板510的上表面或柔性基板510上的最上層。
第一圖案532和第二圖案534可以位于有機(jī)層524與第二無機(jī)層526之間。在這種情況下,第一圖案532和第二圖案534中的每個(gè)的一個(gè)端部可以接觸有機(jī)層524的上表面,并且第一圖案532和第二圖案534中的每 個(gè)的另一端部可以接觸柔性基板510的上表面或柔性基板510上的最上層。
金屬圖案530可以包含低剛度材料。即,金屬圖案530可以包含具有低模量值的金屬材料。例如,金屬圖案530可以包含銀(Ag)、金(Au)、鈀(Pd)或它們的合金。然而,不限于此。
通過金屬圖案530阻止了水分,并且釋放了在折疊操作、彎曲操作和/或卷曲操作期間在封裝膜520中集中的應(yīng)力。因此,通過折疊操作、彎曲操作和/或卷曲操作在封裝膜520中不會(huì)產(chǎn)生裂紋。
可以使用粘合層542將阻擋膜540附接到金屬圖案530和第二無機(jī)層526上,阻擋膜540進(jìn)一步使水分滲透最小化并且保護(hù)封裝膜520。例如,粘合層542可以是壓敏粘合劑??梢允÷宰钃跄?40和粘合層542。
可替代地,在阻擋膜540的外側(cè)上可以附接有偏振板(未示出),以減少環(huán)境光反射并增加對(duì)比度。在這種情況下,偏振板可以是圓形偏振板。
如上所述,通過在封裝膜520上形成具有低模量特性的金屬圖案530,防止了在封裝膜520中產(chǎn)生裂紋,使得防止了由于水分滲透而造成元件(例如,發(fā)光二極管D)的損壞。
因此,提高了柔性O(shè)LED顯示裝置500的顯示質(zhì)量和壽命,并且在柔性O(shè)LED顯示裝置500中可以提供相對(duì)小的曲率半徑。
另外,因?yàn)榻饘賵D案530位于彎曲區(qū)域BR中,所以可以使柔性O(shè)LED顯示裝置500的透光率減小量最小化。
此外,因?yàn)榻饘賵D案530的第一圖案532和第二圖案534位于彎曲區(qū)域BR的兩端,所以釋放了在彎曲區(qū)域BR的末端處的封裝膜520中集中的應(yīng)力,使得進(jìn)一步防止了在封裝膜520中產(chǎn)生的損壞(例如,裂紋),并且還可以使柔性O(shè)LED顯示裝置500的透光率減小量最小化,而與第一金屬圖案532和第二金屬圖案534的厚度無關(guān)。即,因?yàn)榈谝粓D案532與第二圖案534彼此間隔開以使顯示區(qū)AA露出,所以不會(huì)由于金屬圖案530而使透光率減小。
因此,提供了在沒有透光率減小的情況下具有高顯示質(zhì)量、長(zhǎng)壽命以及相對(duì)較小的曲率半徑的柔性O(shè)LED顯示裝置500。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性平面圖。
參考圖9,根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置600包括:柔性基板610,在柔性基板610中限定有顯示區(qū)AA以及在顯示區(qū)AA外周的非顯示區(qū)NA;設(shè)置在柔性基板610上的發(fā)光二極管D;封裝膜620,封裝膜620覆蓋發(fā)光二極管D,并且封裝膜620包括順序地堆疊在除(圖3的)彎曲區(qū)域BR之外的柔性基板上方以及發(fā)光二極管D上的第一無機(jī)層622、有機(jī)層624和第二無機(jī)層626;以及位于(圖3的)彎曲區(qū)域BR中并且在第一無機(jī)層622與有機(jī)層624之間的金屬層630。本發(fā)明中被折疊、彎曲和/或卷曲的柔性O(shè)LED顯示裝置600的區(qū)域被限定為彎曲區(qū)域BR。
柔性基板610可以由聚合物(例如,聚酰亞胺)形成。然而,不限于此。
在柔性基板610上或上方,形成有驅(qū)動(dòng)TFT Td以及連接至驅(qū)動(dòng)TFT Td的發(fā)光二極管D。
如圖4所示,驅(qū)動(dòng)TFT Td包括半導(dǎo)體層252、柵電極260、源電極270和漏電極272,并且發(fā)光二極管D包括:第一電極280,第一電極280連接至漏電極272;第二電極284,第二電極284面對(duì)第一電極280;以及第一電極280與第二電極284之間的有機(jī)發(fā)光層282。
在發(fā)光二極管D上形成有封裝膜620,以防止水分滲入發(fā)光二極管D。
封裝膜620具有第一無機(jī)層622、有機(jī)層624和第二無機(jī)層626的三層結(jié)構(gòu)。然而,不限于此。
第一無機(jī)層622和第二無機(jī)層626中的每一個(gè)可以由選自包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和鋁氧化物(AlOx)的無機(jī)材料中的至少一種材料形成。然而,不限于此。有機(jī)層624可以由熱固性或紫外可固化性材料(例如,環(huán)氧化合物、丙烯酸類化合物、聚氨酯化合物、橡膠化合物)形成。然而,不限于此。
例如,在第二無機(jī)層626上還可以形成有機(jī)層,使得封裝膜620可以具有四層結(jié)構(gòu),或者在第二無機(jī)層626上可以堆疊有機(jī)層和無機(jī)層,使得封裝膜620可以具有五層結(jié)構(gòu)。
金屬圖案630位于第一無機(jī)層622與有機(jī)層624之間,并且在(圖3的)彎曲區(qū)域BR中。即,與本發(fā)明的第二實(shí)施方案不同,根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置600中的金屬圖案630延伸穿過封裝膜620。另外,與本發(fā)明的第三實(shí)施方案不同,金屬圖案630的形狀與 第一無機(jī)層622的形狀基本上相同。
因?yàn)橛糜诜乐顾譂B入發(fā)光二極管D的主要元件或決定性元件是第一無機(jī)層622,所以在第一無機(jī)層622與有機(jī)層624之間形成金屬圖案630,以有效地防止在第一無機(jī)層622中產(chǎn)生裂紋。即,金屬圖案630形成為與第一無機(jī)層622的上表面接觸,第一無機(jī)層622與封裝膜620的其他元件相比,更接近發(fā)光二極管D。
金屬圖案630的長(zhǎng)度L(即,水平長(zhǎng)度)基本上等于第一無機(jī)層622的長(zhǎng)度并且小于柔性基板610的長(zhǎng)度??梢愿鶕?jù)柔性O(shè)LED顯示裝置600的曲率半徑來確定金屬圖案630的寬度W。
金屬圖案630可以包含低剛度材料。即,金屬圖案630可以包含具有低模量值的金屬材料。例如,金屬圖案630可以包含銀(Ag)、金(Au)、鈀(Pd)或它們的合金。然而,不限于此。
金屬圖案630的厚度可以為約100埃至200埃。在金屬圖案630具有上述范圍的厚度的情況下,由于表面等離子體效應(yīng)而會(huì)增大顯示裝置的透光率。
通過金屬圖案630阻止了水分,并且釋放了在折疊操作、彎曲操作和/或卷曲操作期間在封裝膜620的第一無機(jī)層622中集中的應(yīng)力。因此,通過折疊操作、彎曲操作和/或卷曲操作在封裝膜620的第一無機(jī)層622中不會(huì)產(chǎn)生裂紋。
另外,因?yàn)榻饘賵D案630形成在彎曲區(qū)域BR中,所以無論怎樣的金屬圖案630的厚度,使頂部發(fā)光型柔性O(shè)LED顯示裝置的透光率減小量最小化。
可以使用粘合層642將阻擋膜640附接到封裝膜620的第二無機(jī)層626上,阻擋膜640進(jìn)一步使水分滲透最小化并且保護(hù)封裝膜620。例如,粘合層642可以是壓敏粘合劑。
封裝膜620和阻擋膜640堆疊在基板610的形成有發(fā)光二極管D的上方,并且金屬圖案630位于發(fā)光二極管D與阻擋膜640之間。
可以省略阻擋膜640和粘合層642。
可替代地,在阻擋膜640的外側(cè)上可以附接有偏振板(未示出),以減少環(huán)境光反射并增加對(duì)比度。在這種情況下,偏振板可以是圓形偏振板。
如上所述,通過在封裝膜620的第一無機(jī)層622上形成具有低模量特 性的金屬圖案630,防止了在封裝膜620的第一無機(jī)層622中產(chǎn)生裂紋,使得防止了由于水分滲透而造成元件(例如,發(fā)光二極管D)的損壞。
因此,提高了柔性O(shè)LED顯示裝置600的顯示質(zhì)量和壽命,并且在柔性O(shè)LED顯示裝置600中可以提供相對(duì)小的曲率半徑。另外,因?yàn)榻饘賵D案630位于彎曲區(qū)域BR中,所以可以使柔性O(shè)LED顯示裝置600的透光率減小量最小化。
在根據(jù)本發(fā)明的第一至第六實(shí)施方案的柔性O(shè)LED顯示裝置200、300、400、500和600中,封裝膜220、320、420、520和620以及阻擋膜240、340、440、540和640堆疊在發(fā)光二極管D上或上方,并且金屬圖案230、330、430、530和630位于發(fā)光二極管D與阻擋膜240、340、440、540和640之間。因此,防止了在封裝膜220、320、420、520和620中產(chǎn)生裂紋,并且還防止了由于水分滲透而使柔性O(shè)LED顯示裝置200、300、400、500和600的顯示質(zhì)量和壽命降低的問題。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的方法的流程圖。
首先,在柔性基板的顯示區(qū)上形成702像素區(qū)域。每個(gè)像素區(qū)域形成有機(jī)發(fā)光二極管。在像素區(qū)域上形成704第一無機(jī)層。在形成第一無機(jī)層之后,在第一無機(jī)層上形成706第一有機(jī)層。在形成第一有機(jī)層之后,在第一有機(jī)層上形成708第二無機(jī)層。
在形成像素區(qū)域之后,在顯示裝置的至少部分上形成710金屬層。在一個(gè)實(shí)施方案中,可以在形成708第二無機(jī)層之后形成710金屬層,以使金屬層設(shè)置在第二無機(jī)層之上。在另一實(shí)施方案中,可以在形成706第一有機(jī)層之后而在形成708第二無機(jī)層之前形成710金屬層。在又一實(shí)施方案中,可以在形成704第一無機(jī)層之后而在形成706第一有機(jī)層之前形成710金屬層。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言明顯的是,可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下,在本發(fā)明中做出各種修改方案和變化方案。因此,旨在本發(fā)明覆蓋本發(fā)明的修改方案和變化方案,只要本發(fā)明的修改方案和變化方案落入所附權(quán)利要求及其等同方案中的范圍內(nèi)即可。