本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法。

背景技術(shù)：

mos晶體管通過在柵極施加電壓，調(diào)節(jié)通過溝道區(qū)域的電流來產(chǎn)生開關(guān)信號(hào)。但隨著半導(dǎo)體器件關(guān)鍵尺寸的縮小，傳統(tǒng)的平面式mos晶體管對(duì)溝道電流的控制能力變?nèi)?，造成?yán)重的漏電流。

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)是一種新興的多柵器件，請(qǐng)參考圖1，圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的立體結(jié)構(gòu)示意圖。所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括：半導(dǎo)體襯底10，所述半導(dǎo)體襯底10上形成有凸起的鰭部14，所述鰭部14一般是通過對(duì)半導(dǎo)體襯底10刻蝕后得到；介質(zhì)層11，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底10的表面以及鰭部14的側(cè)壁的一部分；柵極結(jié)構(gòu)12，橫跨在所述鰭部14上，覆蓋所述鰭部14的頂部和側(cè)壁，柵極結(jié)構(gòu)12包括柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層上的柵電極(未示出)。

此外，iii-v族化合物由于具有穩(wěn)定性好、電子遷移率高、以及光吸收系數(shù)較高等優(yōu)點(diǎn)，也被廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的制造中?，F(xiàn)有技術(shù)中也有采用iii-v族化合物制成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的報(bào)道，但是存在漏電流大的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能不佳。

為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上具有凸起的鰭部，所述鰭部包括 源極區(qū)域和漏極區(qū)域；在所述鰭部周圍的基底上形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂表面低于所述鰭部的頂表面；形成覆蓋所述鰭部的第一半導(dǎo)體層和位于所述第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層；形成覆蓋所述鰭部漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層的掩膜層；對(duì)所述掩膜層暴露出的第二半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，使得所述鰭部的源極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層的厚度小于漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層的厚度，所述鰭部的漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層構(gòu)成襯墊層。

可選地，對(duì)所述掩膜層暴露出的第二半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕后，使得所述鰭部的漏極區(qū)域之外的第二半導(dǎo)體層全部被去除。

可選地，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層采用外延工藝形成。

可選地，對(duì)所述掩膜層暴露出的第二半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕的工藝為干法刻蝕。

可選地，所述干法刻蝕為電感耦合等離子體刻蝕，刻蝕氣體包括cl2和hbr。

可選地，所述第二半導(dǎo)體層的禁帶寬度大于所述第一半導(dǎo)體層的禁帶寬度。

可選地，所述鰭部的材料為inp，所述第一半導(dǎo)體層的材料為ingaas，所述第二半導(dǎo)體層的材料為inp。

可選地，所述方法還包括，在形成所述隔離結(jié)構(gòu)前，形成覆蓋所述鰭部的過渡層，所述過渡層的材料為inalas。

可選地，所述方法還包括，在所述鰭部的源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的部分上形成柵極結(jié)構(gòu)。

對(duì)應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了采用上述方法形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括：基底，所述基底上具有凸起的鰭部，所述鰭部 包括源極區(qū)域和漏極區(qū)域；位于所述基底上的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂表面低于所述鰭部的頂表面；覆蓋所述鰭部的第一半導(dǎo)體層和位于所述第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層，其中，所述鰭部的源極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層的厚度小于漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層的厚度，所述鰭部的漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層構(gòu)成襯墊層。

可選地，所述鰭部的源極區(qū)域的第二半導(dǎo)體層的厚度為零。

可選地，所述第二半導(dǎo)體層的禁帶寬度大于所述第一半導(dǎo)體層的禁帶寬度。

可選地，所述鰭部的材料為inp，所述第一半導(dǎo)體層的材料為ingaas，所述第二半導(dǎo)體層的材料為inp。

可選地，所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括：位于所述鰭部和所述第一半導(dǎo)體層之間的過渡層，所述過渡層的材料為inalas。

可選地，所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括：位于所述鰭部上的源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的柵極結(jié)構(gòu)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法中，在鰭部之上的第一半導(dǎo)體層上還形成有第二半導(dǎo)體層，并形成了覆蓋所述鰭部的漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層的掩膜層，通過對(duì)所述掩膜層暴露出的第二半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，使得所述鰭部的源極區(qū)域的第二半導(dǎo)體層的厚度小于漏極區(qū)域的第二半導(dǎo)體層的厚度，從而所述鰭部的漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層構(gòu)成襯墊層。由于本發(fā)明實(shí)施例的方法中，在漏區(qū)上形成了襯墊層，可以減小漏區(qū)高電場(chǎng)強(qiáng)度下的碰撞電離現(xiàn)象的發(fā)生，從而減小了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏電流。

對(duì)應(yīng)地，本發(fā)明的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管也具有上述優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2至圖8示出了本發(fā)明一實(shí)施例的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法中所形成的中間結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管存在漏電流大的問題。

本發(fā)明的發(fā)明人研究了現(xiàn)有技術(shù)采用iii-v族化合物形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，發(fā)現(xiàn)，晶體管溝道長(zhǎng)度的縮小使得溝道區(qū)的橫向電場(chǎng)增大，當(dāng)溝道長(zhǎng)度減小而保持電源電壓不變時(shí)，溝道區(qū)靠近漏端附件的最大電場(chǎng)增加，隨著載流子從源向漏移動(dòng)，在漏端高電場(chǎng)區(qū)將得到足夠的動(dòng)能，引起碰撞電離(impactionization)；進(jìn)一步地，由于iii-v族材料的禁帶寬度通常小于硅材料，帶間隧穿電壓更小，使得碰撞電離更容易發(fā)生。上述原因綜合導(dǎo)致了iii-v族化合物形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高的漏電流。

基于以上研究，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法。所述方法在位于鰭部上的用于形成溝道區(qū)域的第一半導(dǎo)體層上形成了第二半導(dǎo)體層，并通過在鰭部的漏極區(qū)域上形成掩膜層，刻蝕去除或者減薄漏極區(qū)域外的第二半導(dǎo)體層，使得位于所述漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層構(gòu)成了襯墊層，從而形成了具有源區(qū)和漏區(qū)不對(duì)稱的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)。由于在漏區(qū)上形成了襯墊層，可以減小漏區(qū)高電場(chǎng)強(qiáng)度下的碰撞電離現(xiàn)象的發(fā)生，從而減小了漏電流，提高了擊穿電壓。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

需要說明的是，提供這些附圖的目的是有助于理解本發(fā)明的實(shí)施例，而 不應(yīng)解釋為對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)?shù)南拗啤榱烁宄鹨?，圖中所示尺寸并未按比例繪制，可能會(huì)做放大、縮小或其他改變。

本發(fā)明下面的實(shí)施例中，將以形成ingaas鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管為例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。但需要說明的是，本發(fā)明的技術(shù)方案也適用于形成其他半導(dǎo)體材料的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，尤其是，iii-v族半導(dǎo)體材料的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

首先，參考圖2，提供基底100，所述基底上具有凸起的鰭部110，所述鰭部110包括源極區(qū)域和漏極區(qū)域(未標(biāo)示)。

本實(shí)施例中，所述基底100為inp晶圓，所述鰭部110通過對(duì)所述基底100的刻蝕后形成，所述鰭部110的材料也為inp。

但由于inp晶圓成本較高，在另一些實(shí)施例中，所述基底100也可以為硅晶圓或者其他材料的晶圓，所述鰭部110通過外延工藝形成于所述基底100上。例如，在一具體實(shí)施例中，可以采用(100)晶面的硅晶圓，在所述硅晶圓上形成隔離結(jié)構(gòu)及位于隔離結(jié)構(gòu)之間的硅鰭部；對(duì)所述硅鰭部進(jìn)行回刻蝕，形成位于隔離結(jié)構(gòu)之間的凹槽；接著，采用外延工藝形成填充所述凹槽的inp材料；接著，對(duì)所述inp材料進(jìn)行平坦化處理，使其頂表面與隔離結(jié)構(gòu)的頂表面齊平；隨后，對(duì)所述隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行回刻蝕，暴露出所述inp材料層，形成inp鰭部。

所述鰭部110包括源極區(qū)域和漏極區(qū)域，分別與圖2中剖視線aa1和bb1所指向的鰭部部分相對(duì)應(yīng)，位于所述鰭部110延伸方向的兩端；所述鰭部110還包括位于所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域。后續(xù)工藝中，分別在所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域上的第一半導(dǎo)體層內(nèi)形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)，在所述溝道區(qū)域上方形成柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層之上的柵電極。

接著，參考圖3，形成覆蓋所述鰭部110的過渡層120，其中，圖3為沿圖2中aa1方向或者bb1方向的剖視圖。

本實(shí)施例中，所述鰭部110的材料為inp，后續(xù)形成的第一半導(dǎo)體層的材料為ingaas。但是，由于ingaas材料與inp材料的晶格常數(shù)并不完全匹配，如果直接在所述inp鰭部110上形成ingaas材料的第一半導(dǎo)體層，由于晶格失配會(huì)在第一半導(dǎo)體層中存在較大的殘余應(yīng)力，該殘余應(yīng)力會(huì)在第一半導(dǎo)體層內(nèi)產(chǎn)生不良影響，例如，大的殘余應(yīng)力將會(huì)使得第一半導(dǎo)體層在生長(zhǎng)過程中產(chǎn)生裂紋甚至開裂，還有可能在第一半導(dǎo)體層中引入大量的缺陷，降低薄膜質(zhì)量。

因此，本實(shí)施例中，在所述鰭部110上形成第一半導(dǎo)體層之前，先在所述鰭部110上形成過渡層120。所述過渡層120的晶格常數(shù)介于所述鰭部110和后續(xù)形成的第一半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)之間，可以釋放所述鰭部110和所述第一半導(dǎo)體層之間由于晶格失配產(chǎn)生的應(yīng)力。本實(shí)施例中，所述鰭部110的材料為inp，所述第一半導(dǎo)體層的材料為ingaas，則所述過渡層120的材料可以為inalas。在一具體實(shí)施例中，所述鰭部110的材料為inp，所述過渡層120的材料為in0.52al0.48as，所述第一半導(dǎo)體層的材料為in0.75ga0.25as。

需要說明的是，本發(fā)明對(duì)所述鰭部110，所述過渡層120，所述第一半導(dǎo)體和所述第二半導(dǎo)體層的材料和組分不做具體限定，在其他實(shí)施例中，也可以根據(jù)具體工藝選擇適當(dāng)?shù)牟牧虾徒M分。

本實(shí)施例中，所述過渡層120采用外延工藝形成，例如分子束外延工藝或者化學(xué)氣相沉積工藝，所述過渡層120覆蓋所述基底100和所述鰭部110的整個(gè)表面。

接著，參考圖4，在所述鰭部110周圍的基底100上形成隔離結(jié)構(gòu)130，所述隔離結(jié)構(gòu)130的頂表面低于所述鰭部110的頂表面。

本實(shí)施例中，在所述鰭部110上還形成有過渡層120，因此所述隔離結(jié)構(gòu)130位于所述過渡層120之上。所述隔離結(jié)構(gòu)130用于隔離相鄰的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，形成所述隔離結(jié)構(gòu)130的工藝為沉積工藝，比如低壓化學(xué)氣相沉積或等離子體化學(xué)氣相沉積。所述隔離結(jié)構(gòu)130的材料可以為氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。

具體地，在采用沉積工藝形成隔離結(jié)構(gòu)材料層后，所述隔離結(jié)構(gòu)材料層會(huì)覆蓋所述鰭部110；因此，還需要對(duì)所述隔離結(jié)構(gòu)材料層進(jìn)行回刻蝕，去除所述鰭部110表面的隔離結(jié)構(gòu)材料，使得所述隔離結(jié)構(gòu)材料的頂表面的高度低于所述鰭部110的頂表面，從而形成所述隔離結(jié)構(gòu)130。

接著，參考圖5，形成覆蓋所述鰭部110的第一半導(dǎo)體層140和位于所述第一半導(dǎo)體層140上的第二半導(dǎo)體層150。

本實(shí)施例中，所述鰭部110上還形成有過渡層120，因此，所述第一半導(dǎo)體層140和第二半導(dǎo)體層150形成于所述過渡層120表面上。

所述第一半導(dǎo)體層140后續(xù)用于形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體材料150后續(xù)用于形成漏區(qū)的襯墊層，起到減小漏區(qū)碰撞電離的作用。因此，所述第二半導(dǎo)體層150的禁帶寬度需要大于所述第一半導(dǎo)體層140。所述第二半導(dǎo)體層150優(yōu)選地為未摻雜的半導(dǎo)體層，由于缺陷中心的減少，可以進(jìn)一步減少碰撞電離。本實(shí)施例中，所述第一半導(dǎo)體層140的材料為ingaas，所述第二半導(dǎo)體層150的材料可以為未摻雜的inp，inp材料的禁帶寬度大于ingaas材料的禁帶寬度。在一些實(shí)施例中，所述inp層的厚度較薄，例如可以為5～20nm。

具體地，可以采用外延工藝直接在所述過渡層120上生長(zhǎng)第一半導(dǎo)體層140，以及在所述第一半導(dǎo)體層140上生長(zhǎng)第二半導(dǎo)體層150。由于外延工藝的選擇性較高，僅在具有相同或相似的晶格結(jié)構(gòu)上進(jìn)行外延生長(zhǎng)，因此所述 第一半導(dǎo)體層140和所述第二半導(dǎo)體層150僅形成于所述鰭部110上的過渡層120的表面，而不會(huì)形成于所述隔離結(jié)構(gòu)130上。

接著，參考圖6，圖6為圖2中沿cc1方向，也就是鰭部110延伸方向的剖面示意圖，形成覆蓋所述鰭部110漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層150的掩膜層160。

具體地，在一些實(shí)施例中，可以在所述第二半導(dǎo)體層150上形成掩膜材料層，所述掩膜材料層包括底部抗反射層和位于所述底部抗反射層上的光刻膠層，根據(jù)所述光刻膠層光學(xué)特性對(duì)所述掩膜材料層進(jìn)行曝光刻蝕之后，去除所述鰭部110漏極區(qū)域之外的掩膜材料層，剩余的掩膜材料層即構(gòu)成所述掩膜層160。

接著，同時(shí)參考圖7和圖8，圖7為圖2中沿cc1方向的剖面示意圖，圖8為圖2中沿aa1方向和bb1方向的剖面示意圖，對(duì)所述掩膜層160暴露出的第二半導(dǎo)體層150進(jìn)行刻蝕(如圖6所示)，使得所述鰭部110的源極區(qū)域的第二半導(dǎo)體層150的厚度小于漏極區(qū)域的第二半導(dǎo)體層150的厚度，所述鰭部110的漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層150構(gòu)成襯墊層151。

在一些實(shí)施例中，對(duì)所述掩膜層160暴露出的第二半導(dǎo)體層150進(jìn)行刻蝕的工藝為干法刻蝕，所述干法刻蝕可以精確控制刻蝕去除所述第二半導(dǎo)體層150的厚度。具體地，在一具體實(shí)施例中，采用基于cl2和hbr的電感耦合等離子體刻蝕工藝，首先采用cl2的等離子體進(jìn)行主刻蝕步驟，隨后采用hbr的等離子體對(duì)刻蝕表面進(jìn)行后刻蝕處理。由于cl2的等離子體刻蝕會(huì)在inp或者其他基底表面造成富磷的表面，采用hbr的等離子體進(jìn)行處理后可以去除所述富磷表面。在上述刻蝕步驟中，還可以在刻蝕氣體中加入其他輔助氣體，例如ar，o2等等。在刻蝕工藝后，去除所述掩膜層160，圖8為去除所述掩膜層160后的結(jié)構(gòu)。

在其他一些實(shí)施例中，還可以采用濕法刻蝕工藝對(duì)所述掩膜層160暴露出的第二半導(dǎo)體層150進(jìn)行刻蝕，本發(fā)明對(duì)此不作限制。

本實(shí)施例中，如圖7和圖8所示，對(duì)所述掩膜層160暴露出的第二半導(dǎo)體層150進(jìn)行刻蝕后，使得所述鰭部110的漏極區(qū)域之外的第二半導(dǎo)體層150全部被去除，則僅位于所述漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層150構(gòu)成襯墊層151。在其他一些實(shí)施例中，所述刻蝕工藝僅將所述鰭部110的漏極區(qū)域之外的第二半導(dǎo)體層150減薄至設(shè)定厚度而沒有完全去除，則位于所述漏極區(qū)域上的厚度較大的第二半導(dǎo)體層150構(gòu)成襯墊層151。

在后續(xù)工藝中，還需要在所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間的鰭部110上形成柵極結(jié)構(gòu)(未示出)。所述柵極結(jié)構(gòu)可以包括高介電常數(shù)的柵介質(zhì)層和金屬柵極，形成hkmg結(jié)構(gòu)。形成所述柵極結(jié)構(gòu)的方法可以參考已有的工藝方法，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例中，在鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極區(qū)域上形成有襯墊層151，例如未摻雜的inp襯墊層，與源極區(qū)域相比具有不對(duì)稱結(jié)構(gòu)，由于所述inp襯墊層151的禁帶寬度大于溝道區(qū)域的ingaas材料的禁帶寬度，可以減小漏區(qū)碰撞電離現(xiàn)象的發(fā)生，從而減小了漏電流，提高了本發(fā)明的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。

對(duì)應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了采用上述方法形成的一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。參考上述方法所涉及的圖2和圖8，其中圖8是圖2中沿aa1方向和bb1方向的剖面示意圖，所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括：基底100，所述基底100上具有凸起的鰭部110，所述鰭部110包括源極區(qū)域和漏極區(qū)域(未標(biāo)示)；位于所述基底100上的隔離結(jié)構(gòu)130，所述隔離結(jié)構(gòu)130的頂表面低于所述鰭部110的頂表面；覆蓋所述鰭部110的第一半導(dǎo)體層140和位于所述第一半導(dǎo)體層140上的第二半導(dǎo)體層(未標(biāo)示)，其中，所述鰭部110的源極區(qū)域上 的第二半導(dǎo)體層的厚度小于漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層的厚度，且所述鰭部110的漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層構(gòu)成襯墊層151。

本實(shí)施例中，所述鰭部110的源極區(qū)域的第二半導(dǎo)體層的厚度為零，也就是說所述第二半導(dǎo)體層僅位于所述漏極區(qū)域上，且構(gòu)成襯墊層151；在其他一些實(shí)施例中，所述鰭部110的源極區(qū)域也具有第二半導(dǎo)體層，不過其厚度小于漏極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體層的厚度，位于漏極區(qū)域上的較厚的第二半導(dǎo)體層構(gòu)成襯墊層151。其中，所述第二半導(dǎo)體層的禁帶寬度大于所述第一半導(dǎo)體層140的禁帶寬度，從而所述襯墊層151的禁帶寬度大于所述第一半導(dǎo)體層140的禁帶寬度。在一具體實(shí)施例中，所述鰭部110的材料為inp，所述第一半導(dǎo)體層140的材料為ingaas，所述第二半導(dǎo)體層的材料為inp。

在本實(shí)施例中，由于鰭部110和第一半導(dǎo)體層140的材料的晶格之間具有差異，即inp材料和ingaas材料的晶格常數(shù)之間具有差異，因此，在所述鰭部110和所述第一半導(dǎo)體層140之間還具有過渡層120，所述過渡層的材料為inalas，晶格常數(shù)介于inp材料和ingaas材料之間。

需要說明的是，雖然為了簡(jiǎn)單明了起見，沒有示出本發(fā)明的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極結(jié)構(gòu)，但是應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)當(dāng)還包括位于所述鰭部110上的源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的柵極結(jié)構(gòu)。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。