技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括核心區(qū)和外圍區(qū)，所述基底的核心區(qū)和外圍區(qū)表面均包括鰭部以及位于鰭部之間的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部表面低于所述鰭部的頂部表面；

形成覆蓋外圍區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻；

向所述核心區(qū)和外圍區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)注入防穿通離子，所述防穿通離子擴(kuò)散進(jìn)入鰭部，在鰭部?jī)?nèi)形成防穿通層；

進(jìn)行退火工藝處理，以激活所述防穿通層。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成覆蓋外圍區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻的步驟中，所述側(cè)墻的厚度在到范圍內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成覆蓋外圍區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻的步驟中，所述側(cè)墻的材料包括氮化硅。

4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成覆蓋外圍區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻的步驟包括：

形成覆蓋所述鰭部表面以及所述隔離結(jié)構(gòu)表面的側(cè)墻材料層；

去除所述鰭部頂部表面以及隔離結(jié)構(gòu)表面的側(cè)墻材料層；

去除位于核心區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻，以形成覆蓋外圍區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻。

5.如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成覆蓋所述鰭部表面以及所述隔離結(jié)構(gòu)表面的側(cè)墻材料層的步驟中，所述側(cè)墻材料層的厚度在到范圍內(nèi)。

6.如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，去除所述鰭部頂部表面以及隔離結(jié)構(gòu)表面的側(cè)墻材料層的步驟包括：采用干法刻蝕方式去除所述鰭部頂部表面以及隔離結(jié)構(gòu)表面的側(cè)墻材料層。

7.如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，去除所述鰭部頂部表面以及隔離結(jié)構(gòu)表面的側(cè)墻材料層的步驟之后，去除位于核心區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻的步驟之前，所述形成方法還包括：形成填充外圍區(qū)鰭部之間并覆蓋外圍 區(qū)鰭部頂部和側(cè)壁的掩膜層。

8.如權(quán)利要求7所述的形成方法，其特征在于，去除位于核心區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻的步驟之后，向所述核心區(qū)和外圍區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)注入防穿通離子的步驟之前，所述形成方法還包括：去除所述掩膜層。

9.如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，去除位于核心區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻的步驟包括：采用濕法刻蝕的方式去除位于核心區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻。

10.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成基底的步驟包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

刻蝕所述半導(dǎo)體襯底以形成基底和位于基底表面的鰭部；

在相鄰鰭部之間形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部表面低于所述鰭部的頂部表面。

11.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其特征在于，在相鄰鰭部之間形成隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：

形成隔離材料層，所述隔離材料層填充于相鄰鰭部之間，且所述隔離材料層的頂部表面高于所述鰭部的頂部表面；

去除所述隔離材料層頂部的部分厚度，露出所述鰭部的部分側(cè)壁，以形成隔離結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于，形成隔離材料層的步驟包括：采用流體化學(xué)氣相沉積工藝形成所述隔離材料層。

13.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成基底的步驟中，所述隔離結(jié)構(gòu)的材料包括氧化硅。

14.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，向所述核心區(qū)和外圍區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)注入防穿通離子的步驟包括：采用側(cè)向擴(kuò)散注入的方式向所述核心區(qū)和外圍區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)注入防穿通離子。

15.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，進(jìn)行退火工藝處理的步驟包括：采用快速退火的方式進(jìn)行退火工藝處理。

16.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，進(jìn)行退火工藝處理的步驟包括：所述退火溫度在950℃到1200℃范圍內(nèi)，退火時(shí)間為5秒到20秒范圍內(nèi)。

17.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在激活所述防穿通層的步驟之后，所述形成方法還包括：去除外圍區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻。