技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，在所述平臺(tái)表面與所述外部鍵合點(diǎn)空隙相匹配的區(qū)域沉積有預(yù)定介質(zhì)形成一填充區(qū)，將依次沉積有所述聚酰亞胺封裝薄膜層、外部鍵合點(diǎn)的基板放置于所述平臺(tái)上，使得所述外部鍵合點(diǎn)鍵合入所述填充區(qū)；外部鍵合點(diǎn)之間的空隙被預(yù)定介質(zhì)填充，可以平整的放置于所述平臺(tái)之上，基板表面處于同一水平位置上，去除基板準(zhǔn)確率提高，另外因聚酰亞胺薄膜層表面平整，在貼附支撐性薄膜時(shí)，避免產(chǎn)生氣泡，提高支撐性薄膜貼附的穩(wěn)定性，提升產(chǎn)品成品率。

技術(shù)研發(fā)人員：吳正偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海和輝光電有限公司
文檔號(hào)碼：201510869126
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.01
技術(shù)公布日：2017.06.09