本發(fā)明涉及圖像處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種圖像傳感器及其像素單元的靈敏度控制方法和裝置。

背景技術(shù)：

圖像傳感器電路包含像素單元陣列,其中，一個(gè)像素單元包含了3-4個(gè)MOS晶體管和一個(gè)光電二極管PD(如圖1A所示)。CMOS圖像傳感器發(fā)展迅速,于是就要求圖像傳感器在小尺寸像素下要實(shí)現(xiàn)高動(dòng)態(tài)范圍，高靈敏度等特性。由于現(xiàn)在對(duì)高動(dòng)態(tài)范圍的要求越來(lái)越嚴(yán)格,相關(guān)技術(shù)中采用通過(guò)一種新的高低靈敏度的操作來(lái)實(shí)現(xiàn)高低靈敏度，然后運(yùn)用高低靈敏度的圖像可以合成寬動(dòng)態(tài)圖像。例如，在相關(guān)技術(shù)中，有通過(guò)增加電容的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)低靈敏度的方案,如圖1B的版圖結(jié)構(gòu)示意圖所示(圖1B中版圖結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的電路圖如圖1C所示)，通過(guò)額外在浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)(簡(jiǎn)稱(chēng)為FD)處連接一個(gè)可控的MOS電容來(lái)實(shí)現(xiàn)高低靈敏度轉(zhuǎn)換。當(dāng)光線(xiàn)強(qiáng)度超過(guò)一個(gè)較高值時(shí),光電二極管的電子由于太多而傳輸?shù)紽D時(shí)會(huì)超出FD的最大容量,此時(shí)MOS電容開(kāi)始起作用，F(xiàn)D上多余的電子就會(huì)存儲(chǔ)到MOS電容中,相當(dāng)于增大了FD的電容，從而就實(shí)現(xiàn)了低靈敏度的效果。

上述相關(guān)技術(shù)中的方案是額外增加了一個(gè)MOS電容來(lái)實(shí)現(xiàn)低靈敏度的,但是當(dāng)像素面積固定時(shí),額外增加了一個(gè)MOS電容后會(huì)占據(jù)原本的一些面積,以及增加MOS電容就需要增加走線(xiàn)進(jìn)行控制,進(jìn)一步的增加了所需面積，這樣導(dǎo)致版圖的構(gòu)造更難，會(huì)影響光電二極管的面積，像素的采光面積會(huì)有所縮小，電路中的其他MOS管布局走線(xiàn)都要有所改進(jìn)。因此，高低靈敏度的實(shí)現(xiàn)方案有待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種圖像傳感器像素單元的靈敏度控制方法，該方法利用傳輸門(mén)管的開(kāi)關(guān)/閉合來(lái)實(shí)現(xiàn)電容的增加/減少進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高低靈敏度，無(wú)需增加額外的MOS管和走線(xiàn)，簡(jiǎn)單易行，且節(jié)約了成本。

本發(fā)明的第二個(gè)目的在于提出一種圖像傳感器像素單元的靈敏度控制裝置。

本發(fā)明的第三個(gè)目的在于提出一種圖像傳感器。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制方法，所述像素單元包括光電二極管、傳輸門(mén)管、復(fù)位管、源跟隨管、行選通管和浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)，所述靈敏度控制方法，包括以下步驟：控制所述像素單元的傳輸門(mén)管和復(fù)位管同時(shí)導(dǎo)通以對(duì)所述像素單元進(jìn)行復(fù)位；控制所述像素單元的傳輸門(mén)管和復(fù)位管截止，以對(duì)所述像素單元進(jìn)行曝光；在曝光過(guò)程中，控制所述復(fù)位管先導(dǎo)通再截止以對(duì)所述浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)進(jìn)行復(fù)位，且在所述復(fù)位管截止后采集所述像素單元的第一輸出信號(hào)；控制所述傳輸門(mén)管導(dǎo)通，并采集所述像素單元的第二輸出信號(hào)；控制所述傳輸門(mén)管截止，并采集所述像素單元的第三輸出信號(hào)；根據(jù)所述第一輸出信號(hào)、所述第二輸出信號(hào)和所述第三輸出信號(hào)獲取所述像素單元的低靈敏度數(shù)據(jù)和高靈敏度數(shù)據(jù)。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制方法，在獲得第一輸出信號(hào)后，控制傳輸門(mén)管導(dǎo)通并采集像素單元的第二輸出信號(hào)，相當(dāng)于增大了浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的電容，從而實(shí)現(xiàn)了低靈敏度的效果，無(wú)需增加額外的MOS管和走線(xiàn)，該方法簡(jiǎn)單易行，且節(jié)約了成本。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第二方面實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制裝置，所述像素單元包括光電二極管、傳輸門(mén)管、復(fù)位管、源跟隨管、行選通管和浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)，所述靈敏度控制裝置包括：復(fù)位控制模塊，用于控制所述像素單元的傳輸門(mén)管和復(fù)位管同時(shí)導(dǎo)通以對(duì)所述像素單元進(jìn)行復(fù)位；曝光控制模塊，用于控制所述像素單元的傳輸門(mén)管和復(fù)位管截止，以對(duì)所述像素單元進(jìn)行曝光；第一采集模塊，用于在曝光過(guò)程中控制所述復(fù)位管先導(dǎo)通再截止以對(duì)所述浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)進(jìn)行復(fù)位，且在所述復(fù)位管截止后采集所述像素單元的第一輸出信號(hào)；第二采集模塊，用于控制所述傳輸門(mén)管導(dǎo)通，并采集所述像素單元的第二輸出信號(hào)；第三采集模塊，用于控制所述傳輸門(mén)管截止，并采集所述像素單元的第三輸出信號(hào)；獲取模塊，用于根據(jù)所述第一輸出信號(hào)、所述第二輸出信號(hào)和所述第三輸出信號(hào)獲取所述像素單元的低靈敏度數(shù)據(jù)和高靈敏度數(shù)據(jù)。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制裝置，在第一采集模塊獲得第一輸出信號(hào)后，第二采集模塊控制傳輸門(mén)管導(dǎo)通并采集像素單元的第二輸出信號(hào)，相當(dāng)于增大了浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的電容，從而實(shí)現(xiàn)了低靈敏度的效果，且像素單元中無(wú)需增加額外的MOS管和走線(xiàn)，節(jié)約了成本。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第三方面實(shí)施例的圖像傳感器，包括本發(fā)明第二方面實(shí)施例提出的靈敏度控制裝置。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器，由于具有了該靈敏度控制裝置，實(shí)現(xiàn)了低靈敏度的效果，且像素單元中無(wú)需增加額外的MOS管和走線(xiàn)，節(jié)約了成本。

附圖說(shuō)明

圖1A是傳統(tǒng)的4T像素結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1B是相關(guān)技術(shù)中像素單元的版圖結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1C是相關(guān)技術(shù)中像素單元的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制方法的流程圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的像素單元的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的時(shí)序示意圖；

圖5是MOS器件的電容-電壓特性關(guān)系示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制裝置的方框示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

下面參考附圖描述本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制方法、裝置和圖像傳感器。

圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制方法的流程圖。

其中，本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制方法中，所采用的像素單元的結(jié)構(gòu)為傳統(tǒng)的4T像素單元結(jié)構(gòu)，如圖3所示，每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)都包含傳輸門(mén)管(TX)、復(fù)位管(RST)、源跟隨管(SF)、行選通管(ROW SELECT)、用于感受光信號(hào)的光電二極管(PD)和浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)(FD)。其中，VDDP是外部提供給整個(gè)像素單元的工作電壓，控制電路提供信號(hào)分別控制RST、TX、ROW SELECT的導(dǎo)通與截止來(lái)實(shí)現(xiàn)后端電路對(duì)(VOUT)的采集。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述傳輸門(mén)管、復(fù)位管、源跟隨管、行選通管為NMOS晶體管。

如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制方法，包括以下步驟：

S1，控制像素單元的傳輸門(mén)管和復(fù)位管同時(shí)導(dǎo)通以對(duì)像素單元進(jìn)行復(fù)位。

具體地，將TX管和RST管同時(shí)打開(kāi)，對(duì)pixel(像素)進(jìn)行一次復(fù)位。

S2，控制像素單元的傳輸門(mén)管和復(fù)位管截止，以對(duì)像素單元進(jìn)行曝光。

具體地，在對(duì)像素單元進(jìn)行復(fù)位后，閉合TX管和RST管，對(duì)pixel進(jìn)行曝光。

S3，在曝光過(guò)程中，控制復(fù)位管先導(dǎo)通再截止以對(duì)浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)進(jìn)行復(fù)位，且在復(fù)位管截止后采集像素單元的第一輸出信號(hào)。

具體地，在曝光過(guò)程中，PD處由于光電效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生電子，這一過(guò)程中對(duì)FD處進(jìn)行復(fù)位(即打開(kāi)RST管后再閉合)，其中，在RST管閉合后，輸出的電壓信號(hào)SHR記為V1，即第一輸出信號(hào)。

S4，控制傳輸門(mén)管導(dǎo)通，并采集像素單元的第二輸出信號(hào)。

具體地，在電壓信號(hào)SHR輸出后打開(kāi)TX管，將PD處產(chǎn)生的電子導(dǎo)入到FD處。其中，在PD處收集好電子后，TX管在打開(kāi)的時(shí)候額外增加一次電壓信號(hào)SHS1記為V2的輸出，即第二輸出信號(hào)。

S5，控制傳輸門(mén)管截止，并采集像素單元的第三輸出信號(hào)。

具體地，在閉合TX管后輸出電壓信號(hào)SHS記為V3，即第三輸出信號(hào)。

S6，根據(jù)第一輸出信號(hào)、第二輸出信號(hào)和第三輸出信號(hào)獲取像素單元的低靈敏度數(shù)據(jù)和高靈敏度數(shù)據(jù)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)第一輸出信號(hào)、第二輸出信號(hào)和第三輸出信號(hào)獲取像素單元的低靈敏度數(shù)據(jù)和高靈敏度數(shù)據(jù)，具體包括：獲取第二輸出信號(hào)與第一輸出信號(hào)的差值，以作為低靈敏度數(shù)據(jù)；獲取第三輸出信號(hào)與第一輸出信號(hào)的差值，以作為高靈敏度數(shù)據(jù)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，還包括：根據(jù)高靈敏度數(shù)據(jù)和低靈敏度數(shù)據(jù)生成高動(dòng)態(tài)范圍的圖像。

具體地，在相關(guān)技術(shù)中，由于沒(méi)有第二輸出信號(hào)的輸出，那么V3-V1的差值△V即為最終的輸出信號(hào)。而在本發(fā)明的實(shí)施例中，如圖4所示，在TX管在打開(kāi)的時(shí)候額外增加了一次電壓信號(hào)SHS1記為V2的輸出，在最后的有效信號(hào)輸出采用的就是△V1＝V2-V1。因?yàn)樵诖蜷_(kāi)TX管的時(shí)候，由于TX管本身就是帶有電容的，在TX管導(dǎo)通的時(shí)候，電容值會(huì)增加，達(dá)到一個(gè)穩(wěn)定值，在此時(shí)FD處的電容就不僅僅是FD的結(jié)電容了，而是要加上TX管處的柵極電容，這樣就達(dá)到了增加了FD處實(shí)際電容減小靈敏度的效果。在高動(dòng)態(tài)模式的時(shí)候就一直采用這種即采用低靈敏度像素輸出，又要高靈敏度像素輸出。最后圖像信息的采集就是通過(guò)這樣高低靈敏的數(shù)據(jù)合成高的動(dòng)態(tài)范圍圖像。

更具體地，TX管是一種MOS管，其電壓-電容特性關(guān)系如圖5所示。MOS管的VGS在沒(méi)有達(dá)到閾值電壓VTH前，MOS管的電容會(huì)隨著VGS的上升而不斷增加，當(dāng)VGS超過(guò)VTH時(shí)，MOS管中的氧化硅—硅界面就會(huì)形成溝道，之后電容值就會(huì)穩(wěn)定在某一范圍內(nèi)。我們就是運(yùn)用MOS這一電容電壓特性在TX管打開(kāi)的時(shí)候就是加上了一個(gè)電壓值，而此時(shí)的TX管電容值就會(huì)穩(wěn)定在一定范圍，C_FD為FD處的結(jié)電容與TX的柵極電容之和，這就實(shí)現(xiàn)了高電容低靈敏度的轉(zhuǎn)換。

通常情況下，一個(gè)畫(huà)面中是會(huì)有亮的地方也有暗的區(qū)域，大的動(dòng)態(tài)范圍的圖像傳感器 就是能夠讓高低靈敏度都呈現(xiàn)在一幅畫(huà)面中。如圖4所示，pixel out1是全黑區(qū)域的信號(hào)輸出，pixel out 2是強(qiáng)光照下pixel達(dá)到過(guò)飽和區(qū)域的信號(hào)輸出，pixel out3是一般亮度區(qū)域下的信號(hào)輸出。在全黑和一般區(qū)域下的信號(hào)輸出其電壓差值是在規(guī)定范圍內(nèi)，最后能轉(zhuǎn)換為圖像信息，但是在光照過(guò)強(qiáng)的地方，可以看到pixel out2輸出地信號(hào)中電壓差值比較大，超出了一定的范圍，此時(shí)的最后輸出地圖像區(qū)域就會(huì)表現(xiàn)為白色，沒(méi)有細(xì)節(jié)信息，這就是由于此時(shí)的靈敏度過(guò)高導(dǎo)致的。然而在這個(gè)時(shí)候，通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例的方法，我們選擇輸出信號(hào)SHS1，實(shí)現(xiàn)低靈敏度，這樣采集到的圖像就可呈現(xiàn)出來(lái)。

本發(fā)明實(shí)施例提出的方法不需要增加任何額外的MOS管和走線(xiàn)，利用TX管的開(kāi)關(guān)閉合來(lái)實(shí)現(xiàn)電容的增加、減少進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高低靈敏度。通常情況下C_FD就是FD處的結(jié)電容，而在本發(fā)明的實(shí)施例中，利用TX的柵極電容，即C_FD為FD處的結(jié)電容與TX的柵極電容之和，以此來(lái)增加電容值，從而實(shí)現(xiàn)低靈敏度。再進(jìn)一步通過(guò)高低靈敏度數(shù)據(jù)相合成便可達(dá)到更大的動(dòng)態(tài)范圍。

本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制方法，在獲得第一輸出信號(hào)后，控制傳輸門(mén)管導(dǎo)通并采集像素單元的第二輸出信號(hào)，相當(dāng)于增大了浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的電容，從而實(shí)現(xiàn)了低靈敏度的效果，無(wú)需增加額外的MOS管和走線(xiàn)，該方法簡(jiǎn)單易行，且節(jié)約了成本。

為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例，本發(fā)明還提出了一種圖像傳感器像素單元的靈敏度控制裝置。

圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制裝置的方框示意圖。

其中，在本發(fā)明的實(shí)施例中，像素單元的結(jié)構(gòu)為傳統(tǒng)的4T像素單元結(jié)構(gòu)，如圖3所示，每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)都包含傳輸門(mén)管(TX)、復(fù)位管(RST)、源跟隨管(SF)、行選通管(ROW SELECT)、用于感受光信號(hào)的光電二極管(PD)和浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)(FD)。其中，VDDP是外部提供給整個(gè)像素單元的工作電壓，控制電路提供信號(hào)分別控制RST、TX、ROW SELECT的導(dǎo)通與截止來(lái)實(shí)現(xiàn)后端電路對(duì)(VOUT)的采集。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述傳輸門(mén)管、復(fù)位管、源跟隨管、行選通管為NMOS晶體管。

如圖6所示，本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制裝置，包括：復(fù)位控制模塊10、曝光控制模塊20、第一采集模塊30、第二采集模塊40、第三采集模塊50和獲取模塊60。

其中，復(fù)位控制模塊10用于控制像素單元的傳輸門(mén)管和復(fù)位管同時(shí)導(dǎo)通以對(duì)像素單元進(jìn)行復(fù)位。

具體地，復(fù)位控制模塊10控制TX管和RST管同時(shí)打開(kāi)，對(duì)pixel(像素)進(jìn)行一次 復(fù)位。

曝光控制模塊20用于控制像素單元的傳輸門(mén)管和復(fù)位管截止，以對(duì)像素單元進(jìn)行曝光。

具體地，在復(fù)位控制模塊10對(duì)像素單元進(jìn)行復(fù)位后，曝光控制模塊20控制閉合TX管和RST管，對(duì)pixel進(jìn)行曝光。

第一采集模塊30用于在曝光過(guò)程中控制復(fù)位管先導(dǎo)通再截止以對(duì)浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)進(jìn)行復(fù)位，且在復(fù)位管截止后采集像素單元的第一輸出信號(hào)。

具體地，在曝光過(guò)程中，PD處由于光電效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生電子，這一過(guò)程中第一采集模塊30對(duì)FD處進(jìn)行復(fù)位(即控制打開(kāi)RST管后再閉合)，其中，在RST管閉合后，輸出的電壓信號(hào)SHR記為V1，即第一采集模塊30采集到的信號(hào)為第一輸出信號(hào)V1。

第二采集模塊40用于控制傳輸門(mén)管導(dǎo)通，并采集像素單元的第二輸出信號(hào)。

具體地，在電壓信號(hào)SHR輸出后，第二采集模塊40控制打開(kāi)TX管，將PD處產(chǎn)生的電子導(dǎo)入到FD處。其中，在PD處收集好電子后，TX管在打開(kāi)的時(shí)候額外增加一次電壓信號(hào)SHS1記為V2的輸出，即第二采集模塊40采集到的信號(hào)為第二輸出信號(hào)V2。

第三采集模塊50用于控制傳輸門(mén)管截止，并采集像素單元的第三輸出信號(hào)。

具體地，第三采集模塊50在控制閉合TX管后，輸出的電壓信號(hào)SHS記為V3，即第三采集模塊50采集到的信號(hào)為第三輸出信號(hào)V3。

獲取模塊60用于根據(jù)第一輸出信號(hào)、第二輸出信號(hào)和第三輸出信號(hào)獲取像素單元的低靈敏度數(shù)據(jù)和高靈敏度數(shù)據(jù)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，獲取模塊60，具體用于：獲取第二輸出信號(hào)與第一輸出信號(hào)的差值，以作為低靈敏度數(shù)據(jù)，獲取第三輸出信號(hào)與第一輸出信號(hào)的差值，以作為高靈敏度數(shù)據(jù)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，獲取模塊60還用于：根據(jù)高靈敏度數(shù)據(jù)和低靈敏度數(shù)據(jù)生成高動(dòng)態(tài)范圍的圖像。

具體地，在相關(guān)技術(shù)中，由于沒(méi)有第二輸出信號(hào)的輸出，那么V3-V1的差值△V即為最終的輸出信號(hào)。而在本發(fā)明的實(shí)施例中，如圖4所示，在TX管在打開(kāi)的時(shí)候額外增加了一次電壓信號(hào)SHS1記為V2的輸出，在最后的有效信號(hào)輸出采用的就是△V1＝V2-V1。因?yàn)樵诖蜷_(kāi)TX管的時(shí)候，由于TX管本身就是帶有電容的，在TX管導(dǎo)通的時(shí)候，電容值會(huì)增加，達(dá)到一個(gè)穩(wěn)定值，在此時(shí)FD處的電容就不僅僅是FD的結(jié)電容了，而是要加上TX管處的柵極電容，這樣就達(dá)到了增加了FD處實(shí)際電容減小靈敏度的效果。在高動(dòng)態(tài)模式的時(shí)候就一直采用這種即采用低靈敏度像素輸出，又要高靈敏度像素輸出。最后圖像信息的采集就是通過(guò)這樣高低靈敏的數(shù)據(jù)合成高的動(dòng)態(tài)范圍圖像。

更具體地，TX管是一種MOS管，其電壓-電容特性關(guān)系如圖5所示。MOS管的VGS在沒(méi)有達(dá)到閾值電壓VTH前，MOS管的電容會(huì)隨著VGS的上升而不斷增加，當(dāng)VGS超過(guò)VTH時(shí)，MOS管中的氧化硅—硅界面就會(huì)形成溝道，之后電容值就會(huì)穩(wěn)定在某一范圍內(nèi)。我們就是運(yùn)用MOS這一電容電壓特性在TX管打開(kāi)的時(shí)候就是加上了一個(gè)電壓值，而此時(shí)的TX管電容值就會(huì)穩(wěn)定在一定范圍，C_FD為FD處的結(jié)電容與TX的柵極電容之和，這就實(shí)現(xiàn)了高電容低靈敏度的轉(zhuǎn)換。

本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器像素單元的靈敏度控制裝置，在第一采集模塊獲得第一輸出信號(hào)后，第二采集模塊控制傳輸門(mén)管導(dǎo)通并采集像素單元的第二輸出信號(hào)，相當(dāng)于增大了浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的電容，從而實(shí)現(xiàn)了低靈敏度的效果，且像素單元中無(wú)需增加額外的MOS管和走線(xiàn)，節(jié)約了成本。

為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例，本發(fā)明還提出了一種圖像傳感器，該圖像傳感器包括上述實(shí)施例提出的靈敏度控制裝置。

本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器，由于具有了該靈敏度控制裝置，實(shí)現(xiàn)了低靈敏度的效果，且像素單元中無(wú)需增加額外的MOS管和走線(xiàn)，節(jié)約了成本。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語(yǔ)應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過(guò)中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或 斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說(shuō)明書(shū)中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。