本發(fā)明涉及一種多進(jìn)口空腔加熱支撐架，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體設(shè)備在進(jìn)行沉積反應(yīng)時(shí)往往需要使晶圓及腔室加熱或維持在沉積反應(yīng)所需要的溫度，所以加熱盤(pán)必需具備加熱結(jié)構(gòu)以滿足給晶圓預(yù)熱的目的。大多數(shù)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備，在沉積過(guò)程中還會(huì)有等離子體參與沉積反應(yīng)，因等離子體能量的釋放以及化學(xué)氣體間反應(yīng)的能量釋放，加熱盤(pán)及晶圓的溫度會(huì)隨著射頻及工藝時(shí)間的增加溫度會(huì)不斷的上升，如果在進(jìn)行相同溫度下的工藝，需要等待加熱盤(pán)降到相同的溫度后才能進(jìn)行，這樣會(huì)耗費(fèi)大量的時(shí)間，設(shè)備的產(chǎn)能相對(duì)比較低。如果晶圓和加熱盤(pán)的溫度升溫過(guò)快，晶圓和加熱盤(pán)的溫度會(huì)超出薄膜所需承受的溫度，致使薄膜失敗。

為了解決工藝過(guò)程中加熱盤(pán)溫升過(guò)快降溫慢而導(dǎo)致半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備熱交換效率及產(chǎn)能較低，晶圓溫度不夠均勻致使薄膜失敗的問(wèn)題，我們需要有能夠自動(dòng)調(diào)溫的裝置，來(lái)保證加熱盤(pán)的溫度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明以解決上述問(wèn)題為目的，提供了一種多進(jìn)口空腔加熱支撐架，該支撐架采用支撐架上盤(pán)體與支撐架下盤(pán)體形成的空腔，并且利用媒介的循環(huán)進(jìn)行冷卻和加熱，對(duì)支撐架進(jìn)行溫度的控制。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種多進(jìn)口空腔加熱支撐架，該加熱支撐架包括支撐架上盤(pán)體，支撐架下盤(pán)體，導(dǎo)流槽蓋板，陶瓷柱及陶瓷柱安裝螺母；所述支撐架上盤(pán)體的下盤(pán)面設(shè)有凸臺(tái)A，凸臺(tái)B，陶瓷柱孔及熱電偶孔，凸臺(tái)A與凸臺(tái)B形成環(huán)形溝槽，凸臺(tái)B上分布有三個(gè)導(dǎo)流口，為媒介流入腔體內(nèi)提供通道；所述陶瓷柱孔與熱電偶孔的外圍分別設(shè)有凸臺(tái)C和凸臺(tái)D；所述支撐架下盤(pán)體的上盤(pán)面上與上述陶瓷柱孔相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有螺紋孔，在上盤(pán)面靠近中心的位置設(shè)有媒介入口、媒介出口及與上述熱電偶孔位置相對(duì)應(yīng)的熱電偶安裝螺紋孔，還設(shè)有以媒介入口為中心分別向支撐架下盤(pán)體外圍開(kāi)有的三個(gè)導(dǎo)流槽，每個(gè)導(dǎo)流槽的兩側(cè)分別有凸臺(tái)E，用于承載導(dǎo)流槽蓋板，每個(gè)導(dǎo)流槽的外端還設(shè)有終端孔，終端孔的位置在上述環(huán)形溝槽對(duì)應(yīng)的范圍內(nèi)；所述導(dǎo)流槽蓋板的外端設(shè)有與導(dǎo)流槽終端孔相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)流槽蓋板端孔；

所述支撐架下盤(pán)體通過(guò)導(dǎo)流槽與導(dǎo)流槽蓋板焊接后再與支撐架上盤(pán)體通過(guò)真空釬焊進(jìn)行焊接，然后將陶瓷柱安裝在陶瓷柱孔內(nèi)，再采用陶瓷柱安裝螺母通過(guò)螺紋孔對(duì)陶瓷柱進(jìn)行固定形成空腔。

所述凸臺(tái)A、凸臺(tái)B、凸臺(tái)C與凸臺(tái)D的高度相等。

本發(fā)明的有益效果及特點(diǎn)在于：

本發(fā)明的多進(jìn)口空腔加熱支撐架，通過(guò)循環(huán)媒介的自動(dòng)控溫，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)加熱支撐架溫度的自動(dòng)調(diào)節(jié)，能夠精確的控制加熱支撐架的溫度。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的多進(jìn)口空腔加熱支撐架的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明支撐架上盤(pán)體的下盤(pán)面的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明支撐架下盤(pán)體的上盤(pán)面的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為辦發(fā)明的導(dǎo)流槽蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例進(jìn)一步對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但發(fā)明保護(hù)內(nèi)容不局限于所述實(shí)施例：

如圖1-4所示，一種多進(jìn)口空腔加熱支撐架，該加熱支撐架包括支撐架上盤(pán)體1，陶瓷柱2，導(dǎo)流槽蓋板3，支撐架下盤(pán)體4及陶瓷柱安裝螺母5；所述支撐架上盤(pán)體1的下盤(pán)面設(shè)有凸臺(tái)A21，凸臺(tái)B22，陶瓷柱孔7及熱電偶孔9，凸臺(tái)A21與凸臺(tái)B22形成環(huán)形溝槽8，凸臺(tái)B22上分布有三個(gè)導(dǎo)流口10，為媒介流入腔體內(nèi)提供通道；所述陶瓷柱孔7與熱電偶孔9的外圍分別設(shè)有凸臺(tái)C23和凸臺(tái)D24；所述支撐架下盤(pán)體4的上盤(pán)面上與上述陶瓷柱孔7相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有螺紋孔6，在上盤(pán)面靠近中心的位置設(shè)有媒介入口12、媒介出口11及與上述熱電偶孔9位置相對(duì)應(yīng)的熱電偶安裝螺紋孔15，還設(shè)有以媒介入口12為中心分別向支撐架下盤(pán)體4外圍開(kāi)有的三個(gè)導(dǎo)流槽13，每個(gè)導(dǎo)流槽13的兩側(cè)分別有凸臺(tái)E31，用于承載導(dǎo)流槽蓋板3，每個(gè)導(dǎo)流槽13的外端還設(shè)有終端孔14，終端孔14的位置在上述環(huán)形溝槽8對(duì)應(yīng)的范圍內(nèi)；所述導(dǎo)流槽蓋板3的外端設(shè)有與終端孔14相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)流槽蓋板端孔16；

所述支撐架下盤(pán)體4上的導(dǎo)流槽13與導(dǎo)流槽蓋板3焊接后再與 支撐架上盤(pán)體1通過(guò)真空釬焊進(jìn)行焊接，然后將陶瓷柱2安裝在陶瓷柱孔7內(nèi)，再采用陶瓷柱安裝螺母5通過(guò)螺紋孔6對(duì)陶瓷柱2進(jìn)行固定形成空腔。所述凸臺(tái)A21、凸臺(tái)B22、凸臺(tái)C23與凸臺(tái)D24的高度相等。

使用時(shí)，支撐架上盤(pán)體1與支撐架下盤(pán)體4形成空腔，然后將媒介通過(guò)媒介入口12通入，經(jīng)過(guò)導(dǎo)流槽13，由導(dǎo)流槽終端孔14流入環(huán)形溝槽8中，再由導(dǎo)流口10流入空腔中，然后由媒介出口11流出，利用媒介對(duì)該加熱支撐架進(jìn)行冷卻或加熱，利用媒介的循環(huán)，對(duì)加熱支撐架進(jìn)行溫度的控制。