1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底表面形成界面層；
在所述界面層表面形成高k介質(zhì)層；
進(jìn)行第一退火工藝，所述第一退火工藝用于在所述高k介質(zhì)層內(nèi)摻雜優(yōu)化離子，所述優(yōu)化離子用于填補所述高k介質(zhì)層內(nèi)的缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述優(yōu)化離子包括氮離子、氫離子和氟離子中的一種或多種。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述高k介質(zhì)層的材料為Hf基介質(zhì)材料。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述Hf基介質(zhì)材料為HfO2。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述界面層的材料為氧化硅；所述界面層的形成工藝為熱氧化工藝。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述界面層之后，形成所述高k介質(zhì)層之前，進(jìn)行所述第一退火工藝。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述高k介質(zhì)層之后，進(jìn)行所述第一退火工藝。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一退火工藝的氣體包括NH2F。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一退火工藝的參數(shù)包括：退火溫度為850℃～1050℃，氣壓為1Torr～1ATM。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一退火工藝的氣體還包括H2。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一退火工藝所述NH2F與H2的體積比為1:100～100:1。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：在形成高k介質(zhì)層之后，進(jìn)行第二退火工藝；所述第二退火工藝的氣體包括N2。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述界面層之前，在所述襯底表面形成偽柵極結(jié)構(gòu)，所述偽柵極結(jié)構(gòu)包括偽柵極層、以及位于偽柵極層側(cè)壁表面的側(cè)墻；在所述偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)；在形成所述源區(qū)和漏區(qū)之后，在所述襯底表面形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層暴露出所述偽柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面；去除所述偽柵極層，在所述介質(zhì)層內(nèi)形成暴露出襯底表面的開口；在所述開口暴露出的襯底表面形成界面層；在所述開口的側(cè)壁表面和底部的界面層表面形成高k介質(zhì)層。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：在所述高k介質(zhì)層表面形成偽柵極膜；刻蝕所述偽柵極膜、高k介質(zhì)層和界面層，并暴露出部分襯底表面，在高k介質(zhì)層表面形成偽柵極層；在所述偽柵極層、高k介質(zhì)層和界面層的側(cè)壁表面形成側(cè)墻；在所述偽柵極層、高k介質(zhì)層、界面層和側(cè)墻兩側(cè)的襯底內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)；在形成所述源區(qū)和漏區(qū)之后，在所述襯底表面形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層暴露出所述偽柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面；去除所述偽柵極層，在所述介質(zhì)層內(nèi)形成暴露出高k介質(zhì)層的開口。
15.如權(quán)利要求13或14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述開口內(nèi)的高k介質(zhì)層表面形成填充滿開口的柵極層。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述柵極層的材料為金屬和金屬化合物中的一種或多種；所述金屬包括銅、鎢、鋁、銀、鈦和鉭；所述金屬化合物包括氮化鈦和氮化鉭。
17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述襯底包括：基底、位于基底表面的鰭部、以及位于基底表面的隔離層，所述隔離層覆蓋所述鰭部的部分側(cè)壁表面，且所述隔離層的表面低于鰭部的頂部表面。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述界面層位于所述鰭部的側(cè)壁和頂部表面。