技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種光敏二極管及其制備方法,其中光敏二極管包括基板、第一電極層、單一光敏吸收材料層和第二電極層;第一電極層設(shè)置于基板上;單一光敏吸收材料層設(shè)置于第一電極層上,且所述單一光敏吸收材料層的吸收光譜半寬峰寬度低于80nm;第二電極層設(shè)置于單一光敏吸收材料層上,與所述第一電極層電連接,且與單一光敏吸收材料層功函匹配。從而在第二電極層和單一光敏吸收材料層的界面處形成了肖特基勢壘結(jié)構(gòu),僅對光譜吸收范圍內(nèi)的特定光產(chǎn)生光響應(yīng),因此本發(fā)明所述光敏二極管,僅采用單一光敏吸收材料即可實現(xiàn)光敏二極管的整流特性,無需再增加額外的濾光片濾除雜光以提升光敏二極管的窄波譜響應(yīng)性能,節(jié)約了空間。
技術(shù)研發(fā)人員:董桂芳;李文海;李東;邱勇
受保護的技術(shù)使用者:清華大學(xué)
文檔號碼:201510516378
技術(shù)研發(fā)日:2015.08.20
技術(shù)公布日:2017.03.01