本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種提高半導(dǎo)體激光器可靠性方法。

背景技術(shù)：

大功率半導(dǎo)體激光器因其重量輕、體積小、功率高以及易于調(diào)制等特點(diǎn)在泵浦源、光纖通信、激光加工和軍事等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體激光器的輸出功率的不斷提高，而制約半導(dǎo)體激光器直接用來(lái)做軍事應(yīng)用、材料焊接和激光加工最主要的因素就是半導(dǎo)體激光器可靠性。

影響半導(dǎo)體激光器可靠性最主要因素就是半導(dǎo)體激光器出光面損傷。半導(dǎo)體激光器出光面損傷包括半導(dǎo)體激光有源區(qū)損傷和光學(xué)膜損傷。半導(dǎo)體激光有源區(qū)損傷是指半導(dǎo)體激光器芯片解理后，在解理面上存在懸掛鍵和不穩(wěn)定表面態(tài)，這些懸掛鍵和不穩(wěn)定表面態(tài)會(huì)產(chǎn)生光吸收，積累熱量，造成有源區(qū)損傷。光學(xué)膜損傷是由電介質(zhì)擊穿引起的。電介質(zhì)擊穿是由表面效應(yīng)會(huì)引起的，光學(xué)介質(zhì)吸收激光能量，使光學(xué)膜溫度升高以至熔融，導(dǎo)致光學(xué)膜的永久性破壞。為了提高半導(dǎo)體激光器可靠性，必須抑制半導(dǎo)體激光有源區(qū)損傷和半導(dǎo)體激光光學(xué)膜損傷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)影響半導(dǎo)體激光器可靠性的主要因素，本發(fā)明提出一種提高半導(dǎo)體激光器可靠性方法，即首先在半導(dǎo)體激光解理面鍍上厚度為2.5納米的釓，再鍍厚度為20納米的釓鎵榴石，2.5納米釓作用是復(fù)合解理面上存在的懸掛鍵和不穩(wěn)定表面態(tài)，形成穩(wěn)定的化學(xué)鍵，20納米釓鎵榴石是抑制表面效應(yīng)，提高散熱性能，降低光學(xué)膜熱量，從而提高半導(dǎo)體激光器的可靠性。

本發(fā)明提供一種提高半導(dǎo)體激光器可靠性方法，其特征在于包括：半導(dǎo)體激光器解理?xiàng)l1，厚度為2.5納米釓2，厚度為20納米的釓鎵榴石3。具體步驟如下：

步驟1：將半導(dǎo)體激光器芯片解理成激光條1。

步驟2：在解理?xiàng)l前后解理面上鍍厚度為2.5納米釓2。

步驟3：接著在鍍完釓解理?xiàng)l解理面上鍍厚度為20納米的釓鎵榴石。

上述方案中，步驟2中在解理面上鍍厚度為2.5納米釓，目的是復(fù)合解理面上存在的懸掛鍵和不穩(wěn)定表面態(tài)，形成穩(wěn)定的化學(xué)鍵。

上述方案中，步驟3中鍍厚度為20納米的釓鎵榴石，目的是抑制表面效應(yīng)，提高散熱性能，降低光學(xué)膜熱量。

有益效果：本發(fā)明是一種簡(jiǎn)單易行的提高半導(dǎo)體激光器可靠性的方法，重復(fù)性好，效率高。在半導(dǎo)體激光解理面鍍上厚度為2.5納米的釓，再鍍厚度為20納米的釓鎵榴石，2.5納米釓作用是復(fù)合解理面上存在的懸掛鍵和不穩(wěn)定表面態(tài)，形成穩(wěn)定的化學(xué)鍵，20納米釓鎵榴石是抑制表面效應(yīng)，提高散熱性能，降低光學(xué)膜熱量，可大大地提高半導(dǎo)體激光器可靠性。本發(fā)明方法簡(jiǎn)單，操作方便，制作成本低，適用于襯底為鎵砷的半導(dǎo)體激光器。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明提供的一種提高半導(dǎo)體激光器可靠性方法示意圖。圖1中包括半導(dǎo)體激光器解理?xiàng)l1，厚度為2.5納米釓2，厚度為20納米的釓鎵榴石3。

具體實(shí)施方式：

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明，但本發(fā)明不限于實(shí)施例。

首先在空氣中將鎵砷基808 nm半導(dǎo)體激光器芯片解理成腔長(zhǎng)為1000μm的解理?xiàng)l1，將解理好的808 nm半導(dǎo)體激光器解理?xiàng)l1整齊的堆疊在鍍膜夾具上，放入鍍膜機(jī)里，抽取真空。當(dāng)真空度達(dá)到高真空時(shí)，開(kāi)始鍍膜，首先鍍厚度為2.5納米釓2，再鍍厚度為20納米的釓鎵榴石3。