1.一種降低注入損傷實現(xiàn)增強型HEMT器件的方法，其特征在于包括：
至少提供主要由第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，其中，所述第二半導(dǎo)體形成于第一半導(dǎo)體表面，并具有寬于第一半導(dǎo)體的帶隙，且所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)還分布有二維電子氣；
以及，在所述第二半導(dǎo)體上的選定區(qū)域分兩次以上進行離子注入形成離子注入?yún)^(qū)，且至少在選定的一次離子注入完成后，還對器件進行退火處理，將離子注入帶來的器件損傷修復(fù)，
其中，所述離子注入?yún)^(qū)分布于柵電極下方并位于第一半導(dǎo)體上方，用以耗盡柵下的二維電子氣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述降低注入損傷實現(xiàn)增強型HEMT器件的方法，其特征在于包括：在任一次離子注入完成后，對器件進行退火處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述降低注入損傷實現(xiàn)增強型HEMT器件的方法，其特征在于具體包括：
(1)提供所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)，并對所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)進行臺面隔離處理；
(2)在步驟(1)所獲器件上制作源、漏電極，并使源、漏電極與第一半導(dǎo)體形成歐姆接觸，同時使源、漏電極均與所述二維電子氣連接；
(3)在步驟(2)所獲器件上制作離子注入掩膜，并在掩膜上加工出離子注入窗口；
(4)從所述離子注入窗口對第二半導(dǎo)體進行離子注入，注入離子的劑量和能量應(yīng)控制在所造成的器件損傷能被后續(xù)退火修復(fù)的范圍內(nèi)；
(5)在步驟(4)所獲器件上制作柵電極，所述第一半導(dǎo)體設(shè)置于源電極和漏電極之間 。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述降低注入損傷實現(xiàn)增強型HEMT器件的方法，其特征在于所述離子注入窗口的尺寸小于柵電極的尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述降低注入損傷實現(xiàn)增強型HEMT器件的方法，其特征在于步驟(5)還包括：在步驟(4)所獲器件表面形成柵介質(zhì)層，再在所述柵介質(zhì)層上制作柵電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述降低注入損傷實現(xiàn)增強型HEMT器件的方法，其特征在于所述柵電極與第二半導(dǎo)體形成肖特基接觸，并且將離子注入?yún)^(qū)完全覆蓋。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述降低注入損傷實現(xiàn)增強型HEMT器件的方法，其特征在于所述第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體均采用Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述降低注入損傷實現(xiàn)增強型HEMT器件的方法，其特征在于所述第一半導(dǎo)體采用AlGaN層，所述第二半導(dǎo)體采用GaN層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述降低注入損傷實現(xiàn)增強型HEMT器件的方法，其特征在于該方法中用以形成離子注入?yún)^(qū)的離子總量在10E13數(shù)量級，注入能量在104級電子伏特。
10.采用權(quán)利要求1-9中任一項方法制備的增強型HEMT器件。