1.一種MOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)具有偏移側(cè)墻；
對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行輕摻雜漏注入，形成輕摻雜區(qū)；
在所述偏移側(cè)墻表面形成間隙側(cè)墻；
在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底形成源漏區(qū)；
在所述源漏區(qū)表面形成阻擋層，所述阻擋層用于阻擋離子注入到所述源漏區(qū)；
采用刻蝕工藝去除所述偏移側(cè)墻和所述間隙側(cè)墻形成開(kāi)口；
對(duì)所述開(kāi)口暴露的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一暈環(huán)注入，形成第一暈環(huán)區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一暈環(huán)注入的角度為0度～10度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一暈環(huán)注入的方向垂直于所述半導(dǎo)體襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一暈環(huán)區(qū)的縱向深度至少大于所述輕摻雜區(qū)的縱向深度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一暈環(huán)區(qū)的縱向深度為10nm～50nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，在去除所述偏移側(cè)墻和所述間隙側(cè)墻形成開(kāi)口的過(guò)程中，所述刻蝕工藝對(duì)所述偏移側(cè)墻和所述間隙側(cè)墻的刻蝕速率大于所述刻蝕工藝對(duì)所述阻擋層的刻蝕速率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述刻蝕工藝對(duì)偏移側(cè)墻和所述阻擋層的刻蝕選擇比為4:1～10:1，所述刻蝕工藝對(duì)間隙側(cè)墻和所述阻擋層的刻蝕選擇比為4:1～10:1。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述偏移 側(cè)墻和間隙側(cè)墻的材料為氮化硅，所述阻擋層的材料為氧化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為50nm～100nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在所述輕摻雜漏注入之前或之后，以所述偏移側(cè)墻為掩膜對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第二暈環(huán)注入形成包圍所述輕摻雜區(qū)的第二暈環(huán)區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二暈環(huán)注入的離子能量為20KeV～40KeV，劑量為1E13atom/cm2～5E13atom/cm2，離子注入角度為20度～35度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)待形成的晶體管為PMOS管時(shí)，所述第一暈環(huán)注入和所述第二暈環(huán)注入的離子為N型離子。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)待形成的晶體管為NMOS管時(shí)，所述第一暈環(huán)注入和所述第二暈環(huán)注入的離子為P型離子。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一暈環(huán)注入采用的離子為砷離子，離子注入能量為25KeV～50KeV，離子注入劑量為1E13tom/cm2～1E14atom/cm2。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一暈環(huán)注入采用的離子是磷離子，離子注入能量為2KeV～5KeV，離子注入劑量為1E13tom/cm2～1E14atom/cm2。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一暈環(huán)注入采用的離子是硼離子，離子注入能量為5KeV～10KeV，離子注入劑量為1E13tom/cm2～1E14atom/cm2。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一暈環(huán)注入采用的離子是二氟化硼離子，離子注入能量為25KeV～50KeV，離 子注入劑量為1E13tom/cm2～1E14atom/cm2。
18.根據(jù)權(quán)利要求1～17的任意一項(xiàng)形成的MOS晶體管，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有柵極結(jié)構(gòu)；位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的源漏區(qū)；位于所述源漏區(qū)表面的阻擋層；位于所述阻擋層和所述柵極結(jié)構(gòu)之間的開(kāi)口；位于所述開(kāi)口暴露的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的與所述開(kāi)口對(duì)應(yīng)的第一暈環(huán)區(qū)；位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的輕摻雜區(qū)，所述第一暈環(huán)區(qū)包圍所述輕摻雜區(qū)的側(cè)壁。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MOS晶體管，其特征在于，還包括：位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)包圍所述輕摻雜區(qū)的第二暈環(huán)區(qū)，所述第二暈環(huán)區(qū)的橫向深度小于所述第一暈環(huán)區(qū)的橫向深度。