技術總結
本發(fā)明公開了具有有效的FinFET隔離的半導體器件及其形成方法。該方法包括接收具有有源鰭的襯底，多個偽柵極堆疊件位于襯底上方并且與鰭接合，并且第一介電部件位于襯底上方并且將偽柵極堆疊件分隔開。該方法還包括去除偽柵極堆疊件，從而形成分別暴露有源鰭的第一部分和第二部分的第一溝槽和第二溝槽。該方法還包括去除有源鰭的第一部分以及在第二溝槽中形成柵極堆疊件，柵極堆疊件與有源鰭的第二部分接合。該方法還包括用第二介電材料填充第一溝槽，第二介電材料有效地隔離有源鰭的第二部分。本發(fā)明涉及用于FinFET隔離的方法和結構。

技術研發(fā)人員：張哲誠;林志翰;林志忠
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201510188130
技術研發(fā)日：2015.04.20
技術公布日：2016.11.23