技術(shù)特征：

1.一種高抑制特性基片集成波導(dǎo)高通濾波器，其特征在于，包括一段基片集成波導(dǎo)主傳輸線(1)，以及嵌入在基片集成波導(dǎo)主傳輸線(1)中的三個短截線諧振器(2)；整個基片集成波導(dǎo)(a)包括金屬貼片(a1)、介質(zhì)基片(a2)、金屬通孔(a3)，在介質(zhì)基片(a2)的上、下表面分別設(shè)有金屬貼片(a1)，上、下表面的金屬貼片(a1)由金屬通孔(a3)連接；金屬貼片(a1)的輸入端一側(cè)通過第一梯形微帶漸變線(3)過渡為第一微帶線(5)、金屬貼片(a1)的輸出端一側(cè)通過第二梯形微帶漸變線(4)過渡為第二微帶線(6)，金屬貼片(a1)輸入端一側(cè)的第一微帶線(5)是整個濾波器的輸入端，金屬貼片(a1)輸出端一側(cè)的第二微帶線(6)是整個濾波器的輸出端；所述三個短截線諧振器(2)構(gòu)成了帶阻濾波器，帶阻濾波器的上邊帶為所設(shè)計的基片集成波導(dǎo)高通濾波器的截止頻率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高抑制特性基片集成波導(dǎo)高通濾波器，其特征在于，所述基片集成波導(dǎo)主傳輸線(1)的寬度即兩排金屬通孔(a3)中心的垂直距離，根據(jù)以下公式確定：

$f_c=\frac{v}{{\mathrm{\λ}}_c}=\frac{c/\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_r}}{{2a}_{\mathrm{equ}}}$

$a_{\mathrm{equ}}=a_{\mathrm{siw}}-1.08\frac{d^2}{p}+0.1\frac{d^2}{a_{\mathrm{siw}}}$

式中，f_c為基片集成波導(dǎo)主傳輸線(1)的截止頻率，v為光在介質(zhì)基片(a2)中的傳播速度，λ_c為截止頻率f_c所對應(yīng)的波長，a_equ為基片集成波導(dǎo)主傳輸線(1)的等效寬度，a_siw為基片集成波導(dǎo)主傳輸線(1)的實際寬度，c為光在真空中傳播的速度，ε_r為介質(zhì)基片(a2)的介電常數(shù)，d為金屬通孔(a3)的直徑，p為相鄰金屬通孔(a3)圓心之間的距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高抑制特性基片集成波導(dǎo)高通濾波器，其特征在于，所述金屬貼片(a1)兩側(cè)的第一微帶線(5)和第二微帶線(6)均為阻抗50歐姆的微帶線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高抑制特性基片集成波導(dǎo)高通濾波器，其特征在于，所述三個短截線諧振器(2)的長度均為λ_g/2，相鄰短截線諧振器(2)的間距為3λ_g/4，λ_g為三個短截線諧振器(2)構(gòu)成的帶阻濾波器的阻帶中心頻率所對應(yīng)的波導(dǎo)波長。