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一種中間能帶量子點太陽能電池的制作方法

文檔序號:11836969閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種中間能帶量子點太陽能電池,其特征在于,包括:

n型半導體層;

浸潤層,設置于所述的n型半導體層之上;

量子點層,設置于所述的浸潤層之上,呈島狀均勻分布;

量子點覆蓋層,設置于所述的浸潤層之上,并覆蓋所述的呈島狀均勻分布的量子點,由一層所述的量子點層與覆蓋其上的量子點覆蓋層形成的復合結構稱為一個周期結構,在所述的一種中間能帶量子點太陽能電池結構中含有N層串接的所述周期結構;

阻尼層,設置于第N層所述周期結構中的量子點覆蓋層之上,所述的阻尼層處于全耗盡的臨界狀態(tài),使N層串接的所述周期結構中的量子點層不存在外加電場,從而保證量子點的準費米能級處于平帶狀態(tài),使量子點層形成的中間能帶達到理想的半填充狀態(tài);

p型半導體層,設置于阻尼層之上。

2.根據權利要求1所述的一種中間能帶量子點太陽能電池,其特征在于:所述的n型半導體層材料為III-V族化合物半導體和II-VI族化合物半導體中的一種;所述的浸潤層材料為本征III-V族化合物半導體和本征II-VI族化合物半導體中的一種;所述的量子點層材料為摻雜或未摻雜III-V族化合物半導體和摻雜或未摻雜II-VI族化合物半導體中的一種;所述的量子點覆蓋層材料為摻雜或未摻雜III-V族化合物半導體和摻雜或未摻雜II-VI族化合物半導體中的一種;所述的阻尼層材料為n型III-V族化合物半導體和n型II-VI族化合物半導體中的一種;所述的p型半導體層的材料為III-V族化合物半導體和II-VI族化合物半導體中的一種。

3.根據權利要求2所述的一種中間能帶量子點太陽能電池,其特征在于:所述的量子點層材料,與所述的n型半導體層的材料、所述的浸潤層材料、所述的量子點覆蓋層、所述的阻尼層材料、所述的p型半導體層材料,為不同種材料。

4.根據權利要求1所述的一種中間能帶量子點太陽能電池,其特征在于:所述的周期結構串接的層數為1-100層。

5.根據權利要求1至4任一項所述的一種中間能帶量子點太陽能電池,其特征在于:所述的n型半導體層設置于襯底層之上;所述襯底層下表面設有背電極;所述的p型半導體層上表面設有梳狀表面電極,無電極覆蓋區(qū)域設有減反層。

6.根據權利要求5所述的一種中間能帶量子點太陽能電池,其特征在于:所述的襯底層材料為n+型III-V族化合物半導體和n+型II-VI族化合物半導體中的一種。

7.根據權利要求5所述的一種中間能帶量子點太陽能電池,其特征在于:所述的減反層 為單層透明氧化物或多層透明氧化物形成的復合層。

8.根據權利要求5所述的一種中間能帶量子點太陽能電池,其特征在于:所述的背電極和表面電極的材料為Al、Au、Ag、Au-Ag合金中的一種。

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