本發(fā)明涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種埋入指紋識(shí)別芯片的基板及其加工方法。

背景技術(shù)：

普通的芯片封裝一般采用打線(wire bonding)的方式。如圖1所示，芯片901的下表面貼裝在基板902上，芯片901的焊盤903位于其上表面，目前一般采用打線方式使焊盤903通過金線904與基板902上的焊盤或線路連接。由于打線用的金線904彎折有一定弧度，金線904的最高點(diǎn)會(huì)比芯片901高50-100um，所以塑封后塑封膠905的高度會(huì)比芯片高100-200um。

對(duì)于指紋識(shí)別芯片的封裝，由于需要采集指紋信息，因此要求指紋識(shí)別芯片表面的塑封膠的厚度要盡量小，而上述直接打線的芯片封裝方法中芯片表面的塑封膠厚度達(dá)到了100-200um，不能滿足指紋識(shí)別芯片的封裝要求。

為解決該問題，現(xiàn)有的一種埋入指紋識(shí)別芯片的基板的加工方法為：提供指紋識(shí)別芯片和載板，將指紋識(shí)別芯片的具有焊盤的一面貼裝在載板上；在載板的貼裝了指紋識(shí)別芯片的一面層疊增層結(jié)構(gòu)并壓合，形成附著在載板上的基板，指紋識(shí)別芯片埋入基板中；將載板與基板分離，基板的一面顯露出指紋識(shí)別芯片的具有焊盤的一面；在基板的顯露指紋識(shí)別芯片的一面形成第一金屬層；對(duì)基板進(jìn)行外層圖形加工，在基板的顯露指紋識(shí)別芯片的一面形成焊盤連接線路，焊盤連接線路與指紋識(shí)別芯片的焊盤連接。

實(shí)踐過程中發(fā)現(xiàn)，上述埋入指紋識(shí)別芯片的基板的加工方法雖然解決了指紋識(shí)別芯片的封裝的厚度要求，但是在載板與基板分離之后，還需要在基板的顯露指紋識(shí)別芯片的一面形成第一金屬層，增加了的工藝流程，使得效率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種埋入指紋識(shí)別芯片的基板及其加工方法，以降 低埋入指紋識(shí)別芯片的基板的工藝復(fù)雜度。

本發(fā)明第一方面提供一種埋入指紋識(shí)別芯片的基板的加工方法，包括：

提供指紋識(shí)別芯片和載板，所述載板包括載體層及所述載體層表面上的第一金屬層；

將所述指紋識(shí)別芯片的具有焊盤的一面貼裝在所述第一金屬層上；

在所述載板的貼裝了所述指紋識(shí)別芯片的一面層疊增層結(jié)構(gòu)并壓合；

將所述載體層與所述第一金屬層分離，所述第一金屬層和所述指紋識(shí)別芯片以及所述增層結(jié)構(gòu)形成基板；

在所述第一金屬層上開孔，將所述指紋識(shí)別芯片的焊盤暴露出來，形成焊盤孔；

對(duì)所述焊盤孔進(jìn)行金屬化處理；

對(duì)所述基板進(jìn)行外層圖形加工，形成焊盤連接線路，所述焊盤連接線路通過所述焊盤孔與所述指紋識(shí)別芯片的焊盤連接。

本發(fā)明第二方面提供一種埋入指紋識(shí)別芯片的基板，所述基板內(nèi)埋入有指紋識(shí)別芯片；

所述基板的具有粘結(jié)層的一面具有焊盤連接線路，所述焊盤連接線路通過焊盤孔與所述指紋識(shí)別芯片上的焊盤連接。

由上可見，本發(fā)明實(shí)施例通過利用帶有第一金屬層的載板，將指紋識(shí)別芯片埋入基板內(nèi)，在基板表面形成焊盤連接線路來實(shí)現(xiàn)基板線路與指紋識(shí)別芯片焊盤連接的技術(shù)方案，取得了以下技術(shù)效果：

本發(fā)明利用帶有第一金屬層的載板，將指紋識(shí)別芯片帶有焊盤的一面粘貼在第一金屬層的表面，只需要在第一金屬層與焊盤對(duì)應(yīng)處開孔，形成的焊盤孔金屬化，就可實(shí)現(xiàn)焊盤與基板線路的連接，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，減少了在基板的顯露指紋識(shí)別芯片的一面形成第一金屬層的步驟，降低了工藝的復(fù)雜度，提高了效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例和現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅 僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為現(xiàn)有的一種芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有的另一種芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例的埋入指紋識(shí)別芯片的基板的加工方法的流程圖；

圖4-圖11為本發(fā)明實(shí)施例方法進(jìn)行基板加工時(shí)在各個(gè)加工階段的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例提供一種埋入指紋識(shí)別芯片的基板的加工方法，以降低埋入指紋識(shí)別芯片的基板的工藝復(fù)雜度。本發(fā)明實(shí)施例還提供相應(yīng)的埋入指紋識(shí)別芯片的基板。

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

下面通過具體實(shí)施例，分別進(jìn)行詳細(xì)的說明。

實(shí)施例一、

請參考圖3，本發(fā)明實(shí)施例提供一種埋入指紋識(shí)別芯片的基板的加工方法，可包括：

110、提供指紋識(shí)別芯片和載板，載板包括載體層及載體層表面上的第一金屬層；

如圖4所示，是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種指紋識(shí)別芯片20的示意圖，指紋識(shí)別芯片20的上表面是功能面202，用于識(shí)別指紋，功能面202上具有一個(gè)或多個(gè)焊盤201，作為對(duì)外連接的端口。需要說明的是，圖4所示的指紋識(shí)別芯片20的結(jié)構(gòu)僅是一種示例，其它實(shí)施例中，還可以是其它結(jié)構(gòu)形式。

如圖5所示，是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種載板10的示意圖。載板10包 括載體層102以及載體層102表面上的第一金屬層101，載板10優(yōu)選其尺寸大小與將要制作的基板的尺寸大小相同。載體層102可以是不銹鋼材質(zhì)，第一金屬層101為3um厚的銅箔。

120、將指紋識(shí)別芯片的具有焊盤的一面貼裝在第一金屬層上；

如圖6所示，本步驟中，可以預(yù)先在第一金屬層101上粘結(jié)一層DAF膜，作為粘結(jié)層301，然后將指紋識(shí)別芯片20具有焊盤201的一面貼裝在載板10的粘結(jié)層301的一面，即通過粘結(jié)層301將指紋識(shí)別芯片20具有焊盤201的一面貼裝在第一金屬層101上。

可選的，在本步驟中，還可以在載板10的第一金屬層101上制作靶標(biāo)302，在第一金屬層上貼上干膜，進(jìn)行預(yù)定義圖形的曝光及顯影，再電鍍鎳金，最后去除干膜，形成靶標(biāo)302。

130、在載板的貼裝了指紋識(shí)別芯片的一面層疊增層結(jié)構(gòu)并壓合；

如圖7所示，本步驟中，在載板10的貼裝了指紋識(shí)別芯片20的一面層疊增層結(jié)構(gòu)40，然后進(jìn)行壓合，指紋識(shí)別芯片20埋入增層結(jié)構(gòu)40中。

可選的，增層結(jié)構(gòu)40至少包括半固化片層401，且半固化片層的厚度大于指紋識(shí)別芯片20的厚度?？蛇x的，增層結(jié)構(gòu)40可以包括：層疊在載板30上的半固化片層401，和層疊在半固化片層401上的第二金屬層402?？蛇x的，增層結(jié)構(gòu)40還可以包括更多層結(jié)構(gòu)，本文對(duì)此不作限制。

140、將載體層與第一金屬層分離，第一金屬層和指紋識(shí)別芯片以及增層結(jié)構(gòu)形成基板；

本步驟中，將圖7所示的載板10中的載體層102從第一金屬層101上分離，如圖8所示，第一金屬層101和指紋識(shí)別芯片20以及增層結(jié)構(gòu)40形成基板50。

150、在第一金屬層上開孔，將指紋識(shí)別芯片的焊盤暴露出來，形成焊盤孔；

如圖9所示，本步驟中，在第一金屬層101上與指紋識(shí)別芯片20的焊盤201對(duì)應(yīng)的位置采用激光開孔，將焊盤201暴露出來，形成焊盤孔601。

可選的，在基板50上根據(jù)靶標(biāo)302所在的位置進(jìn)行激光開孔，形成靶孔602。

可選的，在基板50上根據(jù)預(yù)定義的位置進(jìn)行激光開孔，形成導(dǎo)通孔603。

160、對(duì)焊盤孔進(jìn)行金屬化處理；

如圖10所示，本步驟中，對(duì)焊盤孔601采用濺射、電鍍或化學(xué)鍍等工藝，使得焊盤孔601金屬化。

可選的，對(duì)靶孔602采用濺射、電鍍或化學(xué)鍍等工藝，使得靶孔602金屬化。

可選的，對(duì)導(dǎo)通孔603采用濺射、電鍍或化學(xué)鍍等工藝，使得導(dǎo)通孔603金屬化。

170、對(duì)基板進(jìn)行外層圖形加工，形成焊盤連接線路，焊盤連接線路通過焊盤孔與指紋識(shí)別芯片的焊盤連接。

如圖11所示，本步驟中，對(duì)圖10所示的基板50進(jìn)行外層圖形加工，在基板50表面的第一金屬層101上形成焊盤連接線路70。外層圖形的加工可以采用常規(guī)的蝕刻工藝，例如可以包括：

在基板50的表面設(shè)置光阻層，對(duì)光阻層進(jìn)行曝光和顯影，在第一金屬層101上定義出焊盤連接線路70，即：將需要形成焊盤連接線路區(qū)域的光阻層去除，保留其它區(qū)域的光阻層；光阻層可以是干膜或者濕膜等。

以光阻層為防蝕保護(hù)層，對(duì)基板50進(jìn)行蝕刻，形成需要的外層圖形，包括：將焊盤連接線路70以外區(qū)域的第一金屬層101蝕刻去除，從而，在基板50一面形成焊盤連接線路70，，焊盤連接線路70通過焊盤孔601與指紋識(shí)別芯片20的焊盤201連接。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例通過利用帶有第一金屬層的載板，將指紋識(shí)別芯片埋入基板內(nèi)，在基板表面形成焊盤連接線路來實(shí)現(xiàn)基板線路與指紋識(shí)別芯片焊盤連接的技術(shù)方案，取得了以下技術(shù)效果：

本發(fā)明利用帶有第一金屬層的載板，將指紋識(shí)別芯片帶有焊盤的一面粘貼在第一金屬層的表面，只需要在第一金屬層與焊盤對(duì)應(yīng)處開孔，形成的焊盤孔金屬化，就可實(shí)現(xiàn)焊盤與基板線路的連接，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，減少了在基板的顯露指紋識(shí)別芯片的一面形成第一金屬層的步驟，降低了工藝的復(fù)雜度，提高了效率。

實(shí)施例二、

請參考圖11，本發(fā)明實(shí)施例提供一種埋入指紋識(shí)別芯片的基板，基板50內(nèi)埋入有指紋識(shí)別芯片20；基板50的具有粘結(jié)層301的一面具有焊盤連接線路70，焊盤連接線路70通過焊盤孔601與指紋識(shí)別芯片20上的焊盤201連接。

可選的，基板50上具有導(dǎo)通孔603和靶孔602。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種埋入指紋識(shí)別芯片的基板，該基板可采用實(shí)施例一提供的加工方法制備，通過利用帶有第一金屬層的載板，將指紋識(shí)別芯片埋入基板內(nèi)，在基板表面形成焊盤連接線路來實(shí)現(xiàn)基板線路與指紋識(shí)別芯片焊盤連接的技術(shù)方案，取得了以下技術(shù)效果：

本發(fā)明利用帶有第一金屬層的載板，將指紋識(shí)別芯片帶有焊盤的一面粘貼在第一金屬層的表面，只需要在第一金屬層與焊盤對(duì)應(yīng)處開孔，形成的焊盤孔金屬化，就可實(shí)現(xiàn)焊盤與基板線路的連接，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，減少了在基板的顯露指紋識(shí)別芯片的一面形成第一金屬層的步驟，降低了工藝的復(fù)雜度，提高了效率。

在上述實(shí)施例中，對(duì)各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒有詳細(xì)描述的部分，可以參見其它實(shí)施例的相關(guān)描述。

需要說明的是，對(duì)于前述的各方法實(shí)施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其它順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。

以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的埋入指紋識(shí)別芯片的基板及其加工方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，但以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想，不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。