技術(shù)總結(jié)
討論了用于半導體器件的涉及形成選擇性柵極間隔體的技術(shù)和使用這樣的技術(shù)形成的晶體管結(jié)構(gòu)和器件。這樣的技術(shù)包括在半導體鰭狀物上形成阻擋材料，在阻擋材料的部分上設置柵極，該柵極具有與阻擋材料不同的表面化學性質(zhì)，在柵極上而不在阻擋材料的部分上形成選擇性共形層，以及去除阻擋材料的暴露部分。

技術(shù)研發(fā)人員：S·B·克倫德寧;S·S·廖;F·格瑟特萊恩;R·胡拉尼;P·E·羅梅羅;G·M·克洛斯特;M·M·米坦
受保護的技術(shù)使用者：英特爾公司
文檔號碼：201480081500
技術(shù)研發(fā)日：2014.09.26
技術(shù)公布日：2017.05.24