1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，
包括：
第一發(fā)光結(jié)構體，由形成于基板上的第一n-GaN層、第一活性層、第一p-GaN層依次層疊而成；
導電層，配置有形成于所述第一發(fā)光結(jié)構體上的至少一個孔；
第二發(fā)光結(jié)構體，由第二p-GaN層、第二活性層及第二n-GaN層依次層疊而成，所述第二p-GaN層形成于配置有所述導電層的至少一個孔的區(qū)域，所述第二活性層形成于所述第二p-GaN層上，
所述第二p-GaN層是借助所述導電層的至少一個孔使所述第一p-GaN層再生長而形成的。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二p-GaN層與所述導電層的側(cè)壁或上部面相接觸，來使所述導電層被用作所述第二發(fā)光結(jié)構體的p型接觸層。
3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括：
第一n型電極，形成于第一n-GaN層的上部的一側(cè)；
第二n型電極，形成于所述第二n-GaN層的上部的一側(cè)；以及
p型電極，形成于所述導電層的上部的一側(cè)。
4.根據(jù)權利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，在所述發(fā)光二極管中，所述導電層被用作使通過所述p型電極傳遞的電流向所述第一發(fā)光結(jié)構體及所述第二發(fā)光結(jié)構體擴散的電流擴散層。
5.根據(jù)權利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，在所述發(fā)光二極管中，借助所述第一n型電極和所述p型電極的連接來驅(qū)動所述第一發(fā)光結(jié)構體，借助所述第二n型電極和所述p型電極的連接來驅(qū)動所述第二發(fā)光結(jié)構體，獨立或相互關聯(lián)地實現(xiàn)對所述第一發(fā)光結(jié)構體和所述第二發(fā)光結(jié)構體的工作控制。
6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述導電層被用作使所述第二p-GaN層生長的掩模圖案。
7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述導電層由選自Co、Ni、Pt、Au、Se、Re、Ir、Pb、Ag、Cr、Zn及功函數(shù)為4.4eV以上的導電性金屬或碳納米管、石墨烯、氧化銦錫、ZnO及氧化銦鋅中的至少一種形成。
8.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括絕緣層，其形成于未配置有所述導電層的至少一個孔的區(qū)域，
所述絕緣層具有與所述導電層的至少一個孔的位置相對應的至少一個孔。
9.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括：
第一發(fā)光結(jié)構體，由形成于基板上的第一n-GaN層、第一活性層、第一p-GaN層依次層疊而成；
導電層，配置有形成于所述第一發(fā)光結(jié)構體上的至少一個孔；
發(fā)光結(jié)構組，由第二p-GaN層組、第二活性層組及第二n-GaN層組依次層疊而成，所述第二p-GaN層組形成于配置有所述導電層的至少一個孔的區(qū)域，所述第二活性層組形成于所述第二p-GaN層上；
所述第二p-GaN層組是借助上述導電層的至少一個孔使上述第一p-GaN層再生長而形成的。
10.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光結(jié)構組由通過第二p-GaN層、第二活性層及第二n-GaN層依次層疊而成的至少一個發(fā)光體結(jié)構形成，
所述發(fā)光結(jié)構體分別獨立形成于配置有所述導電層的至少一個孔的區(qū)域。
11.一種發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括：
在基板上依次層疊第一n-GaN層、第一活性層及第一p-GaN層來形成第一發(fā)光結(jié)構體的步驟；
在所述第一發(fā)光結(jié)構體上形成具有至少一個孔的導電層的步驟；
借助所述導電層的至少一個孔，使第一p-GaN層再生長而在配置有上述導電層的至少一個孔的區(qū)域形成第二p-GaN層的步驟；以及
在上述第二p-GaN層上依次層疊第二活性層、第二n-GaN層來形成第二發(fā)光結(jié)構體的步驟。
12.根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述發(fā)光二極管的制備方法中，在形成所述第二發(fā)光結(jié)構體的步驟之后，還包括：
在所述第二n-GaN層的上部的一側(cè)形成第二n型電極的步驟；以及
在所述導電層的上部的一側(cè)形成p型電極的步驟。
13.根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述第一發(fā)光結(jié)構體上形成具有至少一個孔的導電層的步驟還包括：
在所述第一發(fā)光結(jié)構體上沉積導電層的步驟；以及
通過光刻工序，在被沉積的所述導電層形成配置有至少一個孔的圖案的步驟。
14.根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，以10nm至1μm的厚度形成所述導電層。
15.根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，通過選擇性區(qū)域生長方法執(zhí)行形成所述第二p-GaN層的步驟。
16.根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述第二p-GaN層與所述導電層的側(cè)壁或上部面相接觸。
17.根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，還包括在未配置有所述導電層的至少一個孔的區(qū)域形成絕緣層的步驟，
所述絕緣層具有與所述導電層的至少一個孔的位置相對應的至少一個孔。
18.根據(jù)權利要求17所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述絕緣層由選自SiO2、旋轉(zhuǎn)涂布玻璃或在900℃以下的溫度下具有耐熱性的物質(zhì)中的一種形成。
19.一種發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括：
在基板上依次層疊第一n-GaN層、第一活性層及第一p-GaN層來形成第一發(fā)光結(jié)構體的步驟；
在所述第一發(fā)光結(jié)構體上形成具有至少一個孔的導電層的步驟；
借助所述導電層的至少一個孔，使第一p-GaN層再生長而在配置有上述導電層的至少一個孔的區(qū)域形成第二p-GaN層組的步驟；以及
在所述第二p-GaN層組上依次層疊第二活性層組、第二n-GaN層組來形成第二發(fā)光發(fā)光結(jié)構組的步驟。