電子系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種電子系統(tǒng)包括第一集成電路芯片和第二集成電路芯片。第一襯底晶片被定位于第一集成電路芯片與第二集成電路芯片之間并且被配置有用于與第一集成電路芯片形成電連接的第一連接網(wǎng)絡(luò)。被配置有用于與第二集成電路芯片形成電連接的第二連接網(wǎng)絡(luò)的第二襯底晶片被定位成面向第一襯底晶片。第一襯底晶片和第二襯底晶片的連接網(wǎng)絡(luò)通過(guò)連接結(jié)構(gòu)電連接。包括第三連接網(wǎng)絡(luò)的第三襯底晶片與第一集成電路芯片熱接觸并且通過(guò)其它連接結(jié)構(gòu)電連接至第一襯底晶片的第一連接網(wǎng)絡(luò)。其它連接結(jié)構(gòu)可以使用另一襯底晶片來(lái)形成。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電子系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及微電子領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002]構(gòu)造包括堆疊于彼此之上并且彼此電連接的電子器件的電子系統(tǒng)是已知的，每個(gè)電子器件包括至少一個(gè)集成電路芯片。
[0003]電子器件的堆疊尤其具有改進(jìn)電連接的性能以及減小尺寸的優(yōu)點(diǎn)。然而，在一些情況下，出現(xiàn)了一些集成電路芯片產(chǎn)生熱，并且所產(chǎn)生的熱使其它集成電路芯片變熱，并且隨后使其它集成電路芯片的性能退化。這尤其是當(dāng)?shù)谝浑娮悠骷ㄌ幚砥餍酒⑶叶询B在第一電子器件上的第二電子器件包括存儲(chǔ)器芯片時(shí)的情況，該處理器芯片產(chǎn)生熱，該存儲(chǔ)器芯片的功能尤其在其溫度升高時(shí)退化。
[0004]在本文中所描述的情形成為提高電子系統(tǒng)的性能的障礙，尤其是程序執(zhí)行速度。然而，當(dāng)前存在于電子系統(tǒng)所需的性能和它們的尺寸之間進(jìn)行折中的情況并不令人滿意，尤其是在手持設(shè)備(諸如移動(dòng)電話)領(lǐng)域。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本公開(kāi)旨在解決當(dāng)前存在于電子系統(tǒng)所需的性能和它們的尺寸之間進(jìn)行折中的情況并不令人滿意的問(wèn)題。
[0006]根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供了一種電子系統(tǒng)，包括:
[0007]第一集成電路芯片；
[0008]第二集成電路芯片；
[0009]第一襯底晶片，所述第一襯底晶片在所述第一集成電路芯片與所述第二集成電路芯片之間延伸；以及
[0010]第二襯底晶片，被布置為面向所述第一襯底晶片并且與所述第一襯底晶片相鄰，以在所述第一集成電路芯片與所述第二集成電路芯片之間延伸。
[0011]優(yōu)選地，所述第一集成電路芯片和所述第一襯底晶片形成第一電子器件，所述第一電子器件包括在所述第一襯底晶片內(nèi)的第一電連接網(wǎng)絡(luò)，并且其中所述第二集成電路芯片和所述第二襯底晶片形成第二電子器件，所述第二電子器件包括在所述第二襯底晶片內(nèi)的第二電連接網(wǎng)絡(luò)。
[0012]優(yōu)選地，該電子系統(tǒng)還包括:第一電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第二電子器件之間，并且電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)和所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)。
[0013]優(yōu)選地，該電子系統(tǒng)還包括第三電子器件，所述第三電子器件包括第三襯底晶片，所述第三襯底晶片設(shè)置有第三電連接網(wǎng)絡(luò)。
[0014]優(yōu)選地，該系統(tǒng)還包括:第二電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第三襯底晶片之間，并且電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)和所述第三電連接網(wǎng)絡(luò)。
[0015]優(yōu)選地，所述第三電子器件還包括外部電連接焊盤(pán)，所述外部電連接焊盤(pán)被布置在所述第三襯底晶片的與所述第一集成電路器件相對(duì)的面上。
[0016]優(yōu)選地，所述第一集成電路芯片與所述第三襯底晶片的表面熱接觸。
[0017]優(yōu)選地，該系統(tǒng)還包括將所述第一集成電路芯片耦合至所述第三襯底晶片的所述表面的熱粘合劑。
[0018]優(yōu)選地，所述第三襯底晶片包括金屬過(guò)孔，所述金屬過(guò)孔從所述第三襯底晶片的與所述第一集成電路芯片熱接觸的所述表面延伸通過(guò)第三襯底晶片。
[0019]優(yōu)選地，所述第二電連接元件包括:設(shè)置有另一電連接網(wǎng)絡(luò)的另一襯底晶片，所述另一電連接網(wǎng)絡(luò)電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)與所述第三電連接網(wǎng)絡(luò)。
[0020]根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，提供了一種電子系統(tǒng)，包括:
[0021]第一電子器件，包括第一襯底晶片，所述第一襯底晶片設(shè)置有第一電連接網(wǎng)絡(luò)并且在其一個(gè)表面下方承載電連接至所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)的第一集成電路芯片；
[0022]第二電子器件，包括第二襯底晶片，所述第二襯底晶片設(shè)置有第二電連接網(wǎng)絡(luò)并且承載電連接至所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)的第二集成電路芯片；
[0023]第三電子器件，包括第三襯底晶片，所述第三襯底晶片設(shè)置有第三電連接網(wǎng)絡(luò)；
[0024]其中所述第一電子器件和所述第二電子器件在使得所述第一襯底晶片和所述第二襯底晶片二者在所述第一集成電路芯片與所述第二集成電路芯片之間延伸的位置被布置在彼此上方；
[0025]其中所述第三襯底晶片被布置為使得所述第一集成電路芯片在所述第一襯底晶片與所述第三襯底晶片之間；
[0026]第一電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第二電子器件之間，并且電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)和所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)；
[0027]第二電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第三襯底晶片之間，并且電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)和所述第三電連接網(wǎng)絡(luò)；以及
[0028]其中所述第三電連接網(wǎng)絡(luò)包括外部電連接焊盤(pán)，所述外部電連接焊盤(pán)被布置在所述第三襯底晶片的與所述第一集成電路器件相對(duì)的面上。
[0029]優(yōu)選地，導(dǎo)熱材料層介于所述第一集成電路芯片與所述第三襯底晶片之間。
[0030]優(yōu)選地，介于所述第一電子器件與所述第三襯底之間的所述第二電連接元件包括:設(shè)置有另一電連接網(wǎng)絡(luò)的另一襯底晶片，所述另一電連接網(wǎng)絡(luò)電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)與所述第三電連接網(wǎng)絡(luò)。
[0031]優(yōu)選地，所述第三電子器件的所述襯底晶片包括位于所述第一電子器件的所述芯片的區(qū)域中的金屬過(guò)孔。
[0032]根據(jù)本公開(kāi)的又一方面，提供了一種電子系統(tǒng)，包括:
[0033]第一電子器件，包括第一襯底晶片，所述第一襯底晶片設(shè)置有第一電連接網(wǎng)絡(luò)并且在其一個(gè)表面下方承載電連接至所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)的第一集成電路芯片；
[0034]第二電子器件，包括第二襯底晶片，所述第二襯底晶片設(shè)置有第二電連接網(wǎng)絡(luò)；
[0035]其中所述第二襯底晶片的表面與所述第一集成電路芯片熱接觸；
[0036]電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第二襯底晶片之間，并且電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)和所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)；
[0037]其中所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)包括外部電連接焊盤(pán)，所述外部電連接焊盤(pán)被布置在所述第二襯底晶片的與所述第一集成電路器件相對(duì)的面上。
[0038]優(yōu)選地，該電子系統(tǒng)還包括將所述第一集成電路芯片耦合至所述第二襯底晶片的所述表面的熱粘合劑。
[0039]優(yōu)選地，介于所述第一電子器件與所述第二襯底晶片之間的所述電連接元件包括:設(shè)置有另一電連接網(wǎng)絡(luò)的另一襯底晶片，所述另一電連接網(wǎng)絡(luò)電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)與所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)。
[0040]優(yōu)選地，所述第二襯底晶片包括金屬過(guò)孔，所述金屬過(guò)孔從所述第二襯底晶片的與所述第一集成電路芯片熱接觸的所述表面延伸通過(guò)所述第二襯底晶片。
[0041]在本公開(kāi)的各個(gè)實(shí)施方式中，由芯片產(chǎn)生的熱優(yōu)選地在背離芯片的位置的一側(cè)、可選地經(jīng)由導(dǎo)熱層擴(kuò)散到襯底晶片中，以及擴(kuò)散到金屬電連接網(wǎng)絡(luò)中，隨后經(jīng)由電連接元件擴(kuò)散到印刷電路板中。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0042]現(xiàn)在將借由非限制性示例來(lái)描述根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例的電子系統(tǒng)，并且該電子系統(tǒng)由附圖圖示出，在附圖中:
[0043]圖1呈現(xiàn)了電子系統(tǒng)的截面；以及
[0044]圖2以截面呈現(xiàn)了圖1的電子系統(tǒng)的備選實(shí)施例。

【具體實(shí)施方式】
[0045]如圖1中所示，電子系統(tǒng)I包括堆疊的第一電子器件2、第二電子器件3和補(bǔ)充的第三電子器件4，第二電子器件3被布置在電子器件2的一個(gè)面2a上方，第三電子器件4被布置在電子器件2的相對(duì)面2b上方。
[0046]第一電子器件2包括由絕緣材料制成的第一襯底晶片5，第一襯底晶片5設(shè)置有用于將一個(gè)面電連接至另一個(gè)面的第一金屬網(wǎng)絡(luò)6，第一金屬網(wǎng)絡(luò)6可選地包括由金屬過(guò)孔連接的一個(gè)或多個(gè)集成的金屬化層。
[0047]第一電子器件2包括至少一個(gè)集成電路芯片7，至少一個(gè)集成電路芯片7借由電連接元件8被安裝在襯底晶片5的面2b的中心部分上方，電連接元件8將芯片7電連接至第一電連接網(wǎng)絡(luò)6的焊盤(pán)6a。絕緣材料9介于襯底晶片5的面2b與芯片7之間，以用于包封電連接元件8。
[0048]第二電子器件3包括由絕緣材料制成的第二襯底晶片10，第二襯底晶片10具有與襯底晶片5的面2a相鄰的一個(gè)面1a以及相對(duì)的面1b,并且第二襯底晶片10設(shè)置有用于將一個(gè)面電連接至另一個(gè)面的第二金屬網(wǎng)絡(luò)11，第二金屬網(wǎng)絡(luò)11可選地包括用于電連接的一個(gè)或多個(gè)集成的金屬層。
[0049]第二電子器件3包括至少一個(gè)集成電路芯片12，至少一個(gè)集成電路芯片12例如通過(guò)粘合劑被固定在襯底晶片10的面1b的中心部分上，并且其借由電連接線13被連接至第二金屬電連接網(wǎng)絡(luò)11。芯片12和電連接線13被嵌入在包封材料14中，包封材料14設(shè)置在襯底晶片10的面1b上。
[0050]第二電子器件3借由金屬電連接元件15 (諸如焊珠)被安裝在第一電子器件2上，電連接元件15電連接第一電連接網(wǎng)絡(luò)6的焊盤(pán)6b與第二電連接網(wǎng)絡(luò)11的焊盤(pán)11a。
[0051]第三電子器件4包括由絕緣材料制成的第三襯底晶片16，其具有與襯底晶片5的面2b相鄰的一個(gè)面16a(使得芯片7緊鄰電子器件4的襯底晶片16延伸)以及相對(duì)的面16b，并且其設(shè)置有用于將一個(gè)面電連接至另一個(gè)面的第三金屬網(wǎng)絡(luò)17，第三金屬網(wǎng)絡(luò)17可選地包括由金屬過(guò)孔連接的一個(gè)或多個(gè)集成的金屬化層。
[0052]第三電子器件4借由金屬電連接元件18 (諸如焊珠)被安裝在第一電子器件2上，電連接元件18被布置在芯片12周?chē)⑶译娺B接第一電連接網(wǎng)絡(luò)6的焊盤(pán)6c與第三電連接網(wǎng)絡(luò)17的焊盤(pán)17a。
[0053]電子系統(tǒng)I可以在使得襯底晶片16的面16b與印刷電路板19相鄰的位置借由金屬電連接元件20 (諸如焊珠)被安裝印刷電路板19上，金屬電連接元件20電連接第三電連接網(wǎng)絡(luò)17的外部電連接焊盤(pán)17b與印刷電路板19的焊盤(pán)19a。
[0054]根據(jù)一個(gè)備選實(shí)施例，被布置在電子器件2的襯底晶片5與電子器件4的襯底晶片16之間的芯片7可以與該襯底晶片16的面16a接觸。
[0055]根據(jù)一個(gè)備選實(shí)施例，芯片7可以距襯底晶片16的面16a較短距離，并且導(dǎo)熱材料的層21 (諸如熱粘合劑)可以介于芯片7與襯底晶片16的面16a之間。
[0056]通過(guò)以上描述可知，襯底晶片5和10在芯片7和12之間延伸，芯片7和12因此彼此相距一定距離并且通過(guò)襯底晶片5、襯底晶片10以及分隔開(kāi)這些襯底晶片5和10的空間而分隔開(kāi)，并且襯底晶片16構(gòu)成用于安裝堆疊的第一和第二電子器件2和3的中介裝置以及用于電連接至印刷電路板19的中介裝置。
[0057]芯片7可以是發(fā)出熱的處理器芯片，并且芯片12可以是存儲(chǔ)器芯片。
[0058]借由示例在上文中描述的器件具有以下優(yōu)點(diǎn)。
[0059]由芯片7產(chǎn)生的熱優(yōu)選地在背離芯片12的位置的一側(cè)、可選地經(jīng)由導(dǎo)熱層21擴(kuò)散到襯底晶片16中，以及擴(kuò)散到金屬電連接網(wǎng)絡(luò)17中，隨后經(jīng)由電連接元件20擴(kuò)散到印刷電路板19中。有利地，電子器件4的襯底晶片16可以設(shè)置有從一個(gè)面到另一面的、特定的直接或間接金屬過(guò)孔17c，金屬過(guò)孔17c位于芯片7的區(qū)域中并且可選地位于芯片7的熱區(qū)域的區(qū)域中，以便有助于熱從芯片7向印刷電路板19傳送。這些金屬過(guò)孔17c可以可選地形成電連接網(wǎng)絡(luò)17的一部分。
[0060]由芯片7產(chǎn)生的熱在被排放到外界之前也擴(kuò)散到分隔開(kāi)電子器件2和電子器件3的空間中，擴(kuò)散到分隔開(kāi)電子器件2和電子器件4的空間中，以及擴(kuò)散到分隔開(kāi)電子器件4和印刷電路板19的空間中。
[0061]因此，芯片7被冷卻，并且由電子器件2的芯片7產(chǎn)生的熱在電子器件3的芯片12的方向上的擴(kuò)散受限，使得芯片12被保護(hù)以免其溫度的任何過(guò)度升高。
[0062]從以上描述可知，設(shè)置有金屬網(wǎng)絡(luò)17(包括過(guò)孔17c)的第三電子器件4與設(shè)置有芯片7和12的電子器件2和3 —起構(gòu)成用于優(yōu)選的收集和用于向印刷電路板19傳送由與其緊鄰的電子器件2的芯片7產(chǎn)生的熱的中介裝置，以及用于將電子器件2和3電連接至這一印刷電路板19的中介裝置。
[0063]根據(jù)在圖2中所示的備選實(shí)施例，中介電連接元件18被省略并且利用中介襯底晶片22替換，中介襯底晶片22被放置在襯底晶片5和襯底晶片16之間并且距它們一定距離，中介襯底晶片22設(shè)置有用于將一個(gè)面電連接至另一個(gè)面的金屬網(wǎng)絡(luò)23，中介襯底晶片22在一方面借由電連接元件24電連接至電連接網(wǎng)絡(luò)6，并且在另一方面借由電連接元件25電連接至電連接網(wǎng)絡(luò)17。
[0064]由于電連接網(wǎng)絡(luò)24和25的截面小于之前示例的電連接焊珠18的截面的事實(shí)，有可能增加它們的密度并且因此增加在電連接網(wǎng)絡(luò)6與電連接網(wǎng)絡(luò)17之間的電連接的數(shù)目。
[0065]本實(shí)用新型并不限于如上所述的示例。具體而言，第二電子器件3的芯片12可以與電子器件2被布置在相同側(cè)。芯片12可以借由金屬電連接元件被安裝在襯底晶片10上并且被連接至襯底晶片10。電子器件2可以包括包圍芯片7的絕緣材料層，在絕緣材料中布置開(kāi)口以用于放置電連接元件18。許多其它備選實(shí)施例在不背離本實(shí)用新型的范圍的情況下是可能的。
【權(quán)利要求】
1.一種電子系統(tǒng),其特征在于,包括: 第一集成電路芯片； 第二集成電路芯片； 第一襯底晶片，所述第一襯底晶片在所述第一集成電路芯片與所述第二集成電路芯片之間延伸；以及 第二襯底晶片，被布置為面向所述第一襯底晶片并且與所述第一襯底晶片相鄰，以在所述第一集成電路芯片與所述第二集成電路芯片之間延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，所述第一集成電路芯片和所述第一襯底晶片形成第一電子器件，所述第一電子器件包括在所述第一襯底晶片內(nèi)的第一電連接網(wǎng)絡(luò)，并且其中所述第二集成電路芯片和所述第二襯底晶片形成第二電子器件，所述第二電子器件包括在所述第二襯底晶片內(nèi)的第二電連接網(wǎng)絡(luò)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，還包括: 第一電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第二電子器件之間，并且電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)和所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，還包括第三電子器件，所述第三電子器件包括第三襯底晶片，所述第三襯底晶片設(shè)置有第三電連接網(wǎng)絡(luò)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，還包括: 第二電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第三襯底晶片之間，并且電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)和所述第三電連接網(wǎng)絡(luò)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，所述第三電子器件還包括外部電連接焊盤(pán)，所述外部電連接焊盤(pán)被布置在所述第三襯底晶片的與所述第一集成電路器件相對(duì)的面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，所述第一集成電路芯片與所述第三襯底晶片的表面熱接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，還包括將所述第一集成電路芯片耦合至所述第三襯底晶片的所述表面的熱粘合劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，所述第三襯底晶片包括金屬過(guò)孔，所述金屬過(guò)孔從所述第三襯底晶片的與所述第一集成電路芯片熱接觸的所述表面延伸通過(guò)第二襯底晶片。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，所述第二電連接元件包括:設(shè)置有另一電連接網(wǎng)絡(luò)的另一襯底晶片，所述另一電連接網(wǎng)絡(luò)電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)與所述第三電連接網(wǎng)絡(luò)。
11.一種電子系統(tǒng)，其特征在于，包括: 第一電子器件，包括第一襯底晶片，所述第一襯底晶片設(shè)置有第一電連接網(wǎng)絡(luò)并且在其一個(gè)表面下方承載電連接至所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)的第一集成電路芯片； 第二電子器件，包括第二襯底晶片，所述第二襯底晶片設(shè)置有第二電連接網(wǎng)絡(luò)并且承載電連接至所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)的第二集成電路芯片； 第三電子器件，包括第三襯底晶片，所述第三襯底晶片設(shè)置有第三電連接網(wǎng)絡(luò)； 其中所述第一電子器件和所述第二電子器件在使得所述第一襯底晶片和所述第二襯底晶片二者在所述第一集成電路芯片與所述第二集成電路芯片之間延伸的位置被布置在彼此上方； 其中所述第三襯底晶片被布置為使得所述第一集成電路芯片在所述第一襯底晶片與所述第二襯底晶片之間； 第一電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第二電子器件之間，并且電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)和所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)； 第二電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第三襯底晶片之間，并且電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)和所述第三電連接網(wǎng)絡(luò)；以及 其中所述第三電連接網(wǎng)絡(luò)包括外部電連接焊盤(pán)，所述外部電連接焊盤(pán)被布置在所述第三襯底晶片的與所述第一集成電路器件相對(duì)的面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，導(dǎo)熱材料層介于所述第一集成電路芯片與所述第三襯底晶片之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，介于所述第一電子器件與所述第三襯底之間的所述第二電連接元件包括:設(shè)置有另一電連接網(wǎng)絡(luò)的另一襯底晶片，所述另一電連接網(wǎng)絡(luò)電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)與所述第三電連接網(wǎng)絡(luò)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，所述第三電子器件的所述襯底晶片包括位于所述第一電子器件的所述芯片的區(qū)域中的金屬過(guò)孔。
15.—種電子系統(tǒng),其特征在于,包括: 第一電子器件，包括第一襯底晶片，所述第一襯底晶片設(shè)置有第一電連接網(wǎng)絡(luò)并且在其一個(gè)表面下方承載電連接至所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)的第一集成電路芯片； 第二電子器件，包括第二襯底晶片，所述第二襯底晶片設(shè)置有第二電連接網(wǎng)絡(luò)； 其中所述第二襯底晶片的表面與所述第一集成電路芯片熱接觸； 電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第二襯底晶片之間，并且電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)和所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)； 其中所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)包括外部電連接焊盤(pán)，所述外部電連接焊盤(pán)被布置在所述第二襯底晶片的與所述第一集成電路器件相對(duì)的面上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，還包括將所述第一集成電路芯片耦合至所述第二襯底晶片的所述表面的熱粘合劑。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，介于所述第一電子器件與所述第二襯底晶片之間的所述電連接元件包括:設(shè)置有另一電連接網(wǎng)絡(luò)的另一襯底晶片，所述另一電連接網(wǎng)絡(luò)電連接所述第一電連接網(wǎng)絡(luò)與所述第二電連接網(wǎng)絡(luò)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，所述第二襯底晶片包括金屬過(guò)孔，所述金屬過(guò)孔從所述第二襯底晶片的與所述第一集成電路芯片熱接觸的所述表面延伸通過(guò)所述第二襯底晶片。
【文檔編號(hào)】H01L23/488GK204243028SQ201420555662
【公開(kāi)日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月15日
【發(fā)明者】R·科菲, R·布雷希尼亞克 申請(qǐng)人:意法半導(dǎo)體(格勒諾布爾2)公司