一種具有同側(cè)電極芯片的led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種具有同側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片及芯片上的N型半導(dǎo)體層電接觸的N型電極和P型半導(dǎo)體層電接觸的P型電極，與芯片電極電接觸的基板，容置所述芯片和基板的杯碗，芯片的N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層兩側(cè)的面為芯片的出光面，位于出光面?zhèn)冗叺钠溆嗝鏋樾酒膫?cè)面#型電極和P型電極設(shè)置在所述芯片的同一側(cè)面上。由于本實(shí)用新型芯片的電極位于芯片的側(cè)面，無需在芯片出光面上焊線，減少光線遮擋，提高了LED的出光效率。
【專利說明】—種具有同側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)，尤其一種采用側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]按襯底的導(dǎo)電性能不同,現(xiàn)有的LED芯片一般分為不導(dǎo)電襯底芯片和導(dǎo)電襯底芯片，前者主要是指藍(lán)寶石襯底芯片，也叫正裝結(jié)構(gòu)芯片或雙電極芯片，后主要包括碳化硅襯底、硅襯底和氮化鎵襯底芯片等，也叫垂直結(jié)構(gòu)芯片或單電極芯片。正裝芯片的P型電極可以直接制作在P型半導(dǎo)體層上，但由于承載N型半導(dǎo)體層的藍(lán)寶石襯底不具有導(dǎo)電功能，在制作N型電極時(shí)，需要在P型半導(dǎo)體面上切割出部分區(qū)域，直至暴露出N型半導(dǎo)體層，再在該暴露的N型半導(dǎo)體層上制作N型電極。以8mil X 7mil尺寸的芯片來算，芯片的總發(fā)光面積為8X7 = 56mil2，P型電極的面積約為3X3 = 9mil2，切割的P型半導(dǎo)體區(qū)域約為4X4=16mil2，制作完電極后芯片剩余的發(fā)光面積為56-9-16 = 31mil,發(fā)光面積的利用率為31/56X100%= 55%。相對而言，由于垂直結(jié)構(gòu)芯片的襯底是可以導(dǎo)電的，只需要再P型半導(dǎo)體層上制作一個(gè)P型電極即可，發(fā)光面積利用有所提高，但由于P型電極設(shè)置在出光面上，還是遮擋了部分光?？梢?，現(xiàn)有LED芯片都需要在發(fā)光面上制作電極，對芯片發(fā)光面積存在不同程度的遮擋，無法完全利用到芯片的全部發(fā)光面積，內(nèi)部量子效率低下。同時(shí)，由于大量的光被反射回芯片內(nèi)，造成芯片內(nèi)熱量積聚，也加快了芯片的衰減速度，降低芯片的使用壽命。采用上述的芯片封裝為LED時(shí)，由于還需要在芯片電極上焊接金線，進(jìn)一步增加對芯片發(fā)光的遮擋，降低LED的出光率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種出光效率高，熱積聚少，使用壽命高的LED封裝結(jié)構(gòu)。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)手段是:
[0005]一種具有同側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片及芯片上的N型半導(dǎo)體層電接觸的N型電極和P型半導(dǎo)體層電接觸的P型電極、與芯片電極電接觸的基板，容置所述芯片和基板的杯碗，其特征在于:芯片的N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層兩側(cè)的面為芯片的出光面，位于出光面?zhèn)冗叺钠溆嗝鏋樾酒膫?cè)面#型電極和P型電極設(shè)置在所述芯片的同一側(cè)面上。
[0006]本實(shí)用新型的有益效果是:由于本實(shí)用新型將電極設(shè)置在芯片的側(cè)面，芯片側(cè)面的出光量大大小于芯片側(cè)面的出光量，使得LED的出光量將大大增加，同時(shí)減少LED內(nèi)的熱量積聚，提高LED壽命，N型電極和P型電極設(shè)置在所述芯片的同一側(cè)面上，還有利于封裝操作，有利于實(shí)現(xiàn)倒裝封裝。
[0007]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述芯片的側(cè)面朝向所述基板，N型電極和P型電極側(cè)面與所述基板電接觸，以有利于光向四周空間方向發(fā)出。
[0008]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，芯片N型電極和P型電極所在的側(cè)面朝向所述基板，N電極和P電極分別與基板直接焊接電接觸，以有利于用倒裝焊電連接。
[0009]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述芯片N型電極和P型電極相反的側(cè)面朝向所述基板，N型電極和P型電極分別通過焊線與基板電接觸，以有利于采用焊線電連接。
[0010]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述芯片的發(fā)光面朝向所述基板，N型電極和P型電極位于芯片出光面方向的端面與所述基板電接觸，以有利于光向單方向發(fā)出。
[0011]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述N電極和P電極分別與基板直接焊接電接觸，以有利于采用倒裝焊電連接。
[0012]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述N電極和P電極分別通過焊線與基板電接觸，以有利于采用焊線電連接。
[0013]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，N電極和P電極其中之一通過焊線與基板點(diǎn)接觸，另一電極與基板直接焊接電接觸，以有利于混合倒裝焊與焊線電連接的優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型電極在芯片同一側(cè)面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本實(shí)用新型電極在芯片不同側(cè)面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3為本實(shí)用新型電極上設(shè)置導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖4為具有導(dǎo)電襯底的芯片上制作側(cè)電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖5為無襯底芯片上制作側(cè)電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖6為無襯底芯片僅一個(gè)電極設(shè)置在側(cè)面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖7為芯片側(cè)面朝向基板的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0021]圖8為芯片側(cè)面朝向基板的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0022]圖9為芯片發(fā)光面朝向基板的LED封裝結(jié)構(gòu)不意圖之一；
[0023]圖10為芯片發(fā)光面朝向基板的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0024]圖11為芯片發(fā)光面朝向基板的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖之三。

【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。本實(shí)用新型至少可以實(shí)施于具有不導(dǎo)電襯底的LED芯片，具有導(dǎo)電襯底的LED芯片和無襯底的LED芯片上。除有特別說明外，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的知識范圍內(nèi)，下述針對某一類型的芯片上描述的電極結(jié)構(gòu)在其他類型的芯片上具有通用性。
[0026]參考圖1，以具有不導(dǎo)電介質(zhì)藍(lán)寶石為襯底的芯片結(jié)構(gòu)為例，由下至上依次為襯底UN型半導(dǎo)體層2、發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4。芯片被切割為六面體結(jié)構(gòu)，芯片的藍(lán)寶石襯底I側(cè)和P型半導(dǎo)體層4兩側(cè)的面為芯片的出光面01，位于出光面01側(cè)邊與出光面01垂直的其余4個(gè)面為芯片的側(cè)面00。芯片大部分的光都是從出光面01發(fā)出的，芯片側(cè)面00出光較少。對于上述每一半導(dǎo)體層來說，其位于該芯片側(cè)面00的面也可以稱之為該半導(dǎo)體層的側(cè)面。在所述芯片的側(cè)面00上設(shè)置有與N型半導(dǎo)體層2電接觸的N型電極5，N型電極5粘附在芯片的側(cè)面00，并在芯片各半導(dǎo)體層的層疊方向上延伸，與N型半導(dǎo)體層2的側(cè)面電接觸，為加強(qiáng)電極與芯片側(cè)面00的粘附強(qiáng)度，可以少部分延伸至芯片的出光面01上，但主體部分仍保留在芯片側(cè)面00內(nèi)。N型電極5可以僅覆蓋部分半導(dǎo)體層，也可以覆蓋完所有N型半導(dǎo)體層2、發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4，當(dāng)采用后者結(jié)構(gòu)時(shí)，為避免N型電極5與發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4的側(cè)面電接觸形成短路，在所述N型電極5與芯片側(cè)面OO之間設(shè)置絕緣層51。所述絕緣層51可以覆蓋全部N型半導(dǎo)體層2、發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4的側(cè)面，N型電極5通過出光面01側(cè)的N型半導(dǎo)體層2電連接；所述絕緣層51也可以僅覆蓋發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4的側(cè)面，N型電極5可以通過N型半導(dǎo)體層2的出光面01側(cè)和/或N型半導(dǎo)體層2的側(cè)面00電連接。在芯片的同一側(cè)面00上，還設(shè)置有與P型半導(dǎo)體層2電接觸的P型電極6，P型電極6與N型電極5類似，不同之處在于，當(dāng)所述P型電極6覆蓋完所有芯片側(cè)面的半導(dǎo)體層時(shí)，所述絕緣層51可以覆蓋全部N型半導(dǎo)體層2、發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4的側(cè)面，P型電極6通過出光面01側(cè)的P型半導(dǎo)體層4電連接；所述絕緣層51也可以僅覆蓋發(fā)光層3和N型半導(dǎo)體層2的側(cè)面，P型電極6可以通過P型半導(dǎo)體層4的出光面01側(cè)和/或P型半導(dǎo)體層4的側(cè)面00電連接。
[0027]所述P型半導(dǎo)體層4上還可設(shè)置有電流擴(kuò)散層41，這時(shí)P型電極6可以同時(shí)與P型半導(dǎo)體層4的側(cè)面和電流擴(kuò)散層41的側(cè)面電接觸，也可以不與P型半導(dǎo)體層4直接電接觸，而是通過電流擴(kuò)散層41與P型半導(dǎo)體層4電接觸，電流通過電流擴(kuò)散層41擴(kuò)散后再進(jìn)入P型半導(dǎo)體層4。同樣，也可以在N型半導(dǎo)體層2上設(shè)置類似的電流擴(kuò)散層21。為便于增加芯片發(fā)光的方向性或當(dāng)方向出光的強(qiáng)度，還可在所述N型半導(dǎo)體層2或P型半導(dǎo)體層4上或藍(lán)寶石襯底上設(shè)置有光反射層7。
[0028]所述N型電極5和P型電極4可以設(shè)置在芯片的同一側(cè)面00上，這樣的芯片可以采用倒裝焊的方式封裝，從而節(jié)省焊金線的工序及成本，同時(shí)增強(qiáng)芯片的散熱功能。也可以參考圖2所示，所述N型電極2和P型電極4分別設(shè)置在芯片的不同側(cè)面00上，其中當(dāng)兩電極分別位于相對的兩側(cè)面00上，且位于芯片對角位置時(shí)，電流流過發(fā)光層3最均勻，發(fā)光效果最好。還可以僅將N型電極2設(shè)置在芯片側(cè)面00，P型電極4則設(shè)置在芯片P型半導(dǎo)體層4的出光面01上。
[0029]參考圖3，所述的N型電極5還可延伸出圍繞芯片的其他側(cè)面00，并與其他側(cè)面00的N型半導(dǎo)體層2電接觸的N極導(dǎo)電層52 ;所述P型電極6也延伸出圍繞芯片的其他側(cè)面00，并與其他側(cè)面00的P型半導(dǎo)體層4電接觸的P極導(dǎo)電層62。這樣，電流可以均勻地從P型半導(dǎo)體層4的多個(gè)側(cè)面流入，從N型半導(dǎo)體層2的多個(gè)側(cè)面流出，電流擴(kuò)散更好，流過發(fā)光層3就更加均勻，從而芯片發(fā)光更均勻。當(dāng)所述P型半導(dǎo)體層4上還設(shè)置有電流擴(kuò)散層41時(shí)，所述P型電極6及P極導(dǎo)電層62通過所述電流擴(kuò)散層41與所述P型半導(dǎo)體層4電接觸。此時(shí)，電流通過電流擴(kuò)散層41擴(kuò)散后再進(jìn)入P型半導(dǎo)體層4，電流分布更均勻。當(dāng)所述N型半導(dǎo)體層2上還設(shè)置有電流擴(kuò)散層21時(shí)，所述N型電極5及N極導(dǎo)電層52通過所述電流擴(kuò)散層21與所述N型半導(dǎo)體層2電接觸，其結(jié)構(gòu)和原理前述類似。
[0030]對具有導(dǎo)電襯底的LED芯片，如襯底材料為碳化硅、硅、氧化鋅或氮化鎵等時(shí)，由于襯底本身具有導(dǎo)電功能，所以只需要制作一個(gè)電極，即P型電極即可，其他結(jié)構(gòu)與上述藍(lán)寶石襯底芯片的側(cè)電極結(jié)構(gòu)相同或相似。具有側(cè)電極的導(dǎo)電襯底芯片結(jié)構(gòu)如圖4所示，由下至上依次為，導(dǎo)電襯底1，N型半導(dǎo)體層2、發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4，芯片切割為六面體結(jié)構(gòu)，芯片的導(dǎo)電襯底I側(cè)和P型半導(dǎo)體層4兩側(cè)的面為芯片的出光面01,位于出光面01側(cè)邊與出光面01垂直的其余4個(gè)面為芯片的側(cè)面00。P型電極6粘附在芯片的側(cè)面00，其具體結(jié)構(gòu)與前述具有藍(lán)寶石襯底芯片的電極結(jié)構(gòu)大體相同。不同之處在于為避免P型電極6導(dǎo)電襯底I電接觸，所述絕緣層51需要覆蓋至導(dǎo)電襯底I的側(cè)面00。
[0031]作為具有導(dǎo)電襯底LED芯片側(cè)電極結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，還可如圖1和圖3所示，所述P型半導(dǎo)體層4上還可設(shè)置有電流擴(kuò)散層41，這時(shí)P型電極6可以同時(shí)與P型半導(dǎo)體層4的側(cè)面和電流擴(kuò)散層41的側(cè)面電接觸，也可以不與P型半導(dǎo)體層4直接電接觸，而是通過電流擴(kuò)散層41與P型半導(dǎo)體層4電接觸，電流通過電流擴(kuò)散層41擴(kuò)散后再進(jìn)入P型半導(dǎo)體層4?？扇鐖D1所示，所述P型半導(dǎo)體層4上還可設(shè)置有電流擴(kuò)散層41，這時(shí)P型電極6可以同時(shí)與P型半導(dǎo)體層4的側(cè)面和電流擴(kuò)散層41的側(cè)面電接觸，也可以不與P型半導(dǎo)體層4直接電接觸，而是通過電流擴(kuò)散層41與P型半導(dǎo)體層4電接觸，電流通過電流擴(kuò)散層41擴(kuò)散后再進(jìn)入P型半導(dǎo)體層4。還可在襯底側(cè)設(shè)置光反射層7。
[0032]參照圖5，對于剝離了襯底的無襯底LED芯片，芯片不包括襯底，芯片主體結(jié)構(gòu)包括N型半導(dǎo)體層2，層疊于N型半導(dǎo)體層2上的發(fā)光層3和層疊于發(fā)光層3上的P型半導(dǎo)體層4，N型半導(dǎo)體層2和P型半導(dǎo)體層4兩側(cè)的面為芯片的出光面01，位于出光面01側(cè)邊的其余面為芯片的側(cè)面00，與N型半導(dǎo)體層2電接觸的N型電極5和與P型半導(dǎo)體層4電接觸的P型電極6，所述N型電極5和P型電極6至少一個(gè)電極設(shè)置在所述芯片的側(cè)面00上，該設(shè)置在芯片側(cè)面的N型電極5和/或P型電極6與芯片側(cè)面00間設(shè)置有絕緣層51。該設(shè)置在芯片側(cè)面的N型電極5和/或P型電極6與前述具有藍(lán)寶石襯底芯片的N電極或P電極相同。不同之處在于由于N型半導(dǎo)體層2上沒有襯底，當(dāng)需要在N型半導(dǎo)體層2側(cè)的出光面01上設(shè)置N型電極5時(shí)，N型電極5可以直接設(shè)置在N型半導(dǎo)體層2上。
[0033]作為無襯底LED芯片的進(jìn)一步改進(jìn)，參考圖1和圖2，可以將N型電極5和P型電極6都設(shè)置在所述芯片的側(cè)面00上，即所述N型電極5和P型電極6設(shè)置在芯片的同一側(cè)面00上，或所述N型電極5和P型電極6分別設(shè)置在芯片相對的兩側(cè)面00上?；騼HP型電極6或N電極5之一設(shè)置在所述芯片的側(cè)面上00，另一電極設(shè)置在相應(yīng)的半導(dǎo)體層上。如參考圖6，P型電極6設(shè)置在芯片側(cè)面，N型電極5設(shè)置N型半導(dǎo)體層2上?；騈型電極5設(shè)置在芯片側(cè)面，P型電極6設(shè)置在P型半導(dǎo)體層4上。參考圖1和圖3，所述設(shè)置在芯片側(cè)面00的電極上還設(shè)置有圍繞芯片的其他側(cè)面00，并與其他側(cè)面00相應(yīng)的半導(dǎo)體層電接觸的導(dǎo)電層。所述P型半導(dǎo)體層4和/或N型半導(dǎo)體層2上還設(shè)置有電流擴(kuò)散層41、21。所述N型半導(dǎo)體層2或P半導(dǎo)體層4上設(shè)置有光反射層7。
[0034]對于N型電極5和P型電極6設(shè)置在芯片的同一側(cè)面00上的芯片可以米用如圖7所示倒裝焊接將兩電極與LED基板電連接，也可以如圖8所示，采用焊線的方式將兩電極與LED基板電連接。當(dāng)采用倒裝焊的方式時(shí)，參照圖7，包括有杯碗fl，杯碗內(nèi)壁f 11為通過電鍍或打磨的具有優(yōu)良反光效果反光面，杯碗底部Π2埋設(shè)有導(dǎo)電基板f2。導(dǎo)電基板f2為連接芯片與LED外部電源的導(dǎo)體，導(dǎo)電基板f2分為正負(fù)兩極，通過導(dǎo)電柱21分別與杯碗Π外的正負(fù)燈腳電f3連接，或者正負(fù)極導(dǎo)電基板f2延伸至杯碗外形成正負(fù)燈腳f3。芯片固定在所述杯碗fl內(nèi)，芯片P型電極6和N型電極5所在的側(cè)面朝向下方的基板f2，出光面01朝向杯碗fl的內(nèi)壁f 11，P型電極6的側(cè)面f00和N型電極5的側(cè)面f00分別與正負(fù)極基板f 2焊接，形成電連接。
[0035]當(dāng)采用焊線的方式電連接時(shí)，參考圖8，芯片的固定方向與圖7所示相反，芯片設(shè)置電極一側(cè)面位于上方，N型電極或P型電極均通過焊接金線方式與基板電連接。
[0036]上述封裝形式中，杯碗fl內(nèi)可填充封裝膠體，封裝保護(hù)芯片(圖中未示)，為使LED可以發(fā)出不同顏色，還可以在封裝膠體中摻雜可以激發(fā)不同波段光的熒光粉。由于出光面Ol朝向杯碗f I的內(nèi)壁f 11，光線從芯片的兩出光面射出，經(jīng)杯碗f I內(nèi)壁fll反射后照射到LED外部。在某些最求立體照明效果的LED中，還可以不包括杯碗fl，芯片直接固定基板上，這樣LED可以達(dá)到180°的很大的發(fā)光角度。
[0037]該芯片的封裝形式還可以參考圖9，芯片固定在所述杯碗fI內(nèi)，芯片兩出光面01中的一個(gè)朝向下方的基板f2, N型電極5和P型電極6位于芯片下方出光面方向的端面f01與基板f2焊接，形成電連接。采用這種封裝方式時(shí)，芯片上部出光面發(fā)出的光可以直接照射到LED外部，芯片下部出光面的光線經(jīng)反射器底部反射后照射到LED外部。
[0038]該芯片的封裝形式還可以參考圖10，芯片固定在所述杯碗fl內(nèi)，芯片兩出光面中的一個(gè)朝向下方的基板f2, N型電極5或P型電極6任一位于芯片下方出光面方向的端面f01與直接基板f2焊接和固定，形成電連接，另一電極位于芯片上方出光面方向的端面fOll通過焊接金線f4與基板f2電連接。
[0039]該芯片的封裝形式還可以參考圖11，芯片固定在所述杯碗fI內(nèi)，使芯片兩出光面中的一個(gè)朝向下方基板f2，N型電極5或P型電極6與基板f2沒有直接接觸，而是在N型電極5或P型電極6的上端面fOll焊接金線f4與基板f2電連接。
[0040]以上LED封裝結(jié)構(gòu)可以采用具有不導(dǎo)電襯底的LED芯片，具有導(dǎo)電襯底的LED芯片或無襯底的LED芯片中的任一種。
【權(quán)利要求】
1.一種具有同側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片及芯片上的N型半導(dǎo)體層電接觸的N型電極和P型半導(dǎo)體層電接觸的P型電極，與芯片電極電接觸的基板，容置所述芯片和基板的杯碗，其特征在于:芯片的N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層兩側(cè)的面為芯片的出光面，位于出光面?zhèn)冗叺钠溆嗝鏋樾酒膫?cè)面小型電極和P型電極設(shè)置在所述芯片的同一側(cè)面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有同側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述芯片的側(cè)面朝向所述基板，N型電極和P型電極側(cè)面與所述基板電接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有同側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:芯片N型電極和P型電極所在的側(cè)面朝向所述基板，N電極和P電極分別與基板直接焊接電接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有同側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)，特征在于:所述芯片N型電極和P型電極相反的側(cè)面朝向所述基板，N型電極和P型電極分別通過焊線與基板電接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有同側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述芯片的發(fā)光面朝向所述基板，N型電極和P型電極位于芯片出光面方向的端面與所述基板電接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有同側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述N電極和P電極分別與基板直接焊接電接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有同側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述N電極和P電極分別通過焊線與基板電接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有同側(cè)電極芯片的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:N電極和P電極其中之一通過焊線與基板點(diǎn)接觸，另一電極與基板直接焊接電接觸。
【文檔編號】H01L33/38GK204029845SQ201420496088
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月29日
【發(fā)明者】李媛 申請人:李媛