一種新型正方平面型磁芯的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種新型正方平面型磁芯，底板形狀為正方形，繞線柱為圓柱體且設(shè)在底板中心，兩個(gè)側(cè)板位于繞線柱兩側(cè)，側(cè)板的內(nèi)端面為與繞線柱的外壁同軸的圓弧面，兩個(gè)側(cè)板的第一側(cè)面位于繞線柱的同一側(cè)，底板在側(cè)板的第一側(cè)面和第二側(cè)面的兩個(gè)側(cè)面分別設(shè)有從側(cè)面向繞線柱延伸的凹槽，底板頂面上設(shè)有從側(cè)板第一側(cè)面一側(cè)向繞線柱延伸的凹槽，底板的底面上設(shè)有從與凹槽不同的兩側(cè)向中部延伸的凹口。本實(shí)用新型提出的新型正方平面型磁芯，磁芯的尺寸設(shè)計(jì)合理，磁芯的有效工作面積大，易繞制線圈，解決繞線柱根部線圈磁感線發(fā)散的問題的同時(shí)，屏蔽效果好。
【專利說明】
一種新型正方平面型磁芯

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及磁芯【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種新型正方平面型磁芯。

【背景技術(shù)】
[0002]磁芯是由各種氧化鐵混合物組成的燒結(jié)磁性金屬氧化物，現(xiàn)有技術(shù)中，鐵氧體磁芯用于各種電子設(shè)備的線圈和變壓器中。例如，錳鋅鐵氧體和鎳鋅鐵氧體是典型的磁芯體材料，其中，錳鋅鐵氧體具有高磁導(dǎo)率和高磁通密度的特點(diǎn)，在低于IMHz的頻率時(shí)具有較低損耗的特性，鎳鋅鐵氧體具有極高的阻抗率、不到幾百的低磁導(dǎo)率等特性，以及在高于IMHz的頻率產(chǎn)生較低損耗等。
[0003]磁芯的材料和結(jié)構(gòu)是影響磁芯性能的重要因素?，F(xiàn)有的常用鐵氧體磁芯，磁芯有效面積小，電磁穩(wěn)定性可靠性差，磁屏蔽亦較差等缺點(diǎn)。因此，需要設(shè)計(jì)一種磁芯，該磁芯應(yīng)電磁特性的穩(wěn)定性可靠性高、易繞制線圈、具有良好的磁屏蔽性能，并能夠有效解決繞線柱根部線圈磁感線發(fā)散的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型提出了一種新型正方平面型磁芯，磁芯的尺寸設(shè)計(jì)合理，磁芯的有效工作面積大，易繞制線圈，解決繞線柱根部線圈磁感線發(fā)散的問題的同時(shí)，屏蔽效果好，磁芯的電磁特性的穩(wěn)定性和可靠性高。
[0005]本實(shí)用新型提出的一種新型正方平面型磁芯，包括:繞線柱、兩個(gè)側(cè)板和底板；底板為正方形平板，繞線柱為圓柱體，繞線柱設(shè)在底板中心，兩個(gè)側(cè)板垂直設(shè)在底板上并且位于繞線柱兩側(cè)，側(cè)板由外端面、內(nèi)端面、第一側(cè)面和第二側(cè)面圍成，所述內(nèi)端面為與繞線柱的外壁同軸的圓弧面，所述內(nèi)端面與所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面之間通過平面過渡，兩個(gè)側(cè)板的第一側(cè)面位于繞線柱的同一側(cè)并且其之間的距離為D1，第二側(cè)面之間距離為D2，D1>D2，底板在側(cè)板的第一側(cè)面一側(cè)設(shè)有從側(cè)面向繞線柱延伸的第一凹槽，底板在側(cè)板的第二側(cè)面一側(cè)設(shè)有從側(cè)面向繞線柱延伸的第二凹槽，第一凹槽的寬度等于D1，第二凹槽的寬度等于D2，第一凹槽的底部至繞線柱的距離D3與第二凹槽的底部至繞線柱的距離D4相等，D3小于繞線柱至側(cè)柱的內(nèi)端面的距離L，底板頂面上設(shè)有從第一凹槽底部向繞線柱延伸的第三凹槽，底板的底面上設(shè)有從與第一凹槽和第二凹槽不同的兩側(cè)向中部延伸的第一凹口。
[0006]優(yōu)選地，側(cè)柱遠(yuǎn)離繞線柱的側(cè)棱設(shè)有圓角。
[0007]優(yōu)選地，第一凹口內(nèi)設(shè)有從側(cè)面向中部延伸的第二凹口。
[0008]優(yōu)選地，繞線柱的底面半徑為R，R/2〈L〈R。
[0009]本實(shí)用新型中，所提出的新型正方平面型磁芯，底板為正方形平板，繞線柱為圓柱體且設(shè)在底板中心，兩個(gè)側(cè)板位于繞線柱兩側(cè)，側(cè)板的內(nèi)端面為與繞線柱的外壁同軸的圓弧面，兩個(gè)側(cè)板的第一側(cè)面位于繞線柱的同一側(cè)，第一側(cè)面之間距離大于第二側(cè)面之間的距離，底板在側(cè)板的第一側(cè)面和第二側(cè)面的兩個(gè)側(cè)面分別設(shè)有從側(cè)面向繞線柱延伸的凹槽，兩個(gè)凹槽的底部至繞線柱的距離相等，底板頂面上設(shè)有從側(cè)板第一側(cè)面一側(cè)向繞線柱延伸的凹槽，底板的底面上設(shè)有從與凹槽不同的兩側(cè)向中部延伸的凹口。通過對(duì)磁芯結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，磁芯的尺寸設(shè)計(jì)合理，增加了產(chǎn)品的有效體積，從而增加了功率輸出能力，同時(shí)底板頂部設(shè)有從側(cè)面延伸到繞線柱的凹槽，使最底部線圈距繞線柱根部有一定間隔，解決了繞線柱根部線圈的磁力線發(fā)散的問題，此外增強(qiáng)了磁屏蔽效果，提高了磁芯的電磁特性的穩(wěn)定性和可靠性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型提出的一種新型正方平面型磁芯的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為本實(shí)用新型提出的一種新型正方平面型磁芯的俯視圖。
[0012]圖3為本實(shí)用新型提出的一種新型正方平面型磁芯的仰視圖。
[0013]圖4為本實(shí)用新型提出的一種新型正方平面型磁芯的左視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖并通過【具體實(shí)施方式】來進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案:
[0015]如圖1-4所示，圖1為本實(shí)用新型提出的一種新型正方平面型磁芯的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為本實(shí)用新型提出的一種新型正方平面型磁芯的俯視圖，圖3為本實(shí)用新型提出的一種新型正方平面型磁芯的仰視圖，圖4為本實(shí)用新型提出的一種新型正方平面型磁芯的左視圖。
[0016]參照?qǐng)D1-4，本實(shí)用新型提出的一種新型正方平面型磁芯，包括:繞線柱1、兩個(gè)側(cè)板2和底板3 ;其中:
[0017]底板3為正方形平板，繞線柱I為圓柱體，其底面半徑為R，繞線柱I設(shè)在底板3中心，兩個(gè)側(cè)板2垂直設(shè)在底板3上并且位于繞線柱I兩側(cè)，側(cè)板2由外端面、內(nèi)端面、第一側(cè)面和第二側(cè)面圍成，該內(nèi)端面為與繞線柱I的外壁同軸的圓弧面，內(nèi)端面與第一側(cè)面和第二側(cè)面之間通過平面過渡，兩個(gè)側(cè)板2的第一側(cè)面位于繞線柱I的同一側(cè)并且其之間的距離為Dl，第二側(cè)面之間距離為D2，D1>D2，側(cè)柱2遠(yuǎn)離繞線柱I的側(cè)棱設(shè)有圓角；磁屏蔽效果好，減少漏磁發(fā)生；
[0018]底板3在側(cè)板2的第一側(cè)面一側(cè)設(shè)有從側(cè)面向繞線柱I延伸的第一凹槽3，底板3在側(cè)板2的第二側(cè)面一側(cè)設(shè)有從側(cè)面向繞線柱I延伸的第二凹槽42，第一凹槽31的寬度等于D1，第二凹槽32的寬度等于D2，第一凹槽31的底部至繞線柱I的距離D3與第二凹槽32的底部至繞線柱2的距離D4相等，D3小于繞線柱I至側(cè)柱2的內(nèi)端面的距離L，R/2〈L〈R，底板3頂面上設(shè)有從第一凹槽31底部向繞線柱I延伸的第三凹槽33，底板3的底面上設(shè)有從與第一凹槽31和第二凹槽32不同的兩側(cè)向中部延伸的第一凹口 34，第一凹口 34內(nèi)設(shè)有從側(cè)面向中部延伸的第二凹口 35 ;磁芯便于安裝到電路板上。
[0019]在具體實(shí)施例中，LI為R的0.8倍，Dl為D2的0.5倍。
[0020]本實(shí)用新型提出的新型正方平面型磁芯中，本實(shí)用新型中，所提出的新型正方平面型磁芯，底板為正方形平板，繞線柱為圓柱體且設(shè)在底板中心，兩個(gè)側(cè)板位于繞線柱兩偵牝側(cè)板的內(nèi)端面為與繞線柱的外壁同軸的圓弧面，兩個(gè)側(cè)板的第一側(cè)面位于繞線柱的同一側(cè)，第一側(cè)面之間距離大于第二側(cè)面之間的距離，底板在側(cè)板的第一側(cè)面和第二側(cè)面的兩個(gè)側(cè)面分別設(shè)有從側(cè)面向繞線柱延伸的凹槽，兩個(gè)凹槽的底部至繞線柱的距離相等，底板頂面上設(shè)有從側(cè)板第一側(cè)面一側(cè)向繞線柱延伸的凹槽，底板的底面上設(shè)有從與凹槽不同的兩側(cè)向中部延伸的凹口。通過對(duì)磁芯結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，磁芯的尺寸設(shè)計(jì)合理，增加了產(chǎn)品的有效體積，從而增加了功率輸出能力，同時(shí)底板頂部設(shè)有從側(cè)面延伸到繞線柱的凹槽，使最底部線圈距繞線柱根部有一定間隔，解決了繞線柱根部線圈的磁力線發(fā)散的問題，此外增強(qiáng)了磁屏蔽效果，提高了磁芯的電磁特性的穩(wěn)定性和可靠性。
[0021]進(jìn)一步，繞線柱I為圓柱形并且其頂部的棱設(shè)有倒角，使得線圈更易于纏繞在繞線柱I上的同時(shí)，繞線柱I的側(cè)棱不會(huì)損壞線圈。
[0022]側(cè)柱2遠(yuǎn)離繞線柱的側(cè)棱設(shè)有圓角，使得磁芯安裝到電路板上時(shí)，不會(huì)損壞對(duì)電路板上其他部件。
[0023]繞線柱I至側(cè)柱2的距離為繞線柱I底面半徑的0.8倍，提高磁芯的有效工作面積，保證磁芯的機(jī)械性能和電磁特性。
[0024]以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種新型正方平面型磁芯，其特征在于，包括:繞線柱(I)、兩個(gè)側(cè)板(2)和底板(3);底板⑶為正方形平板，繞線柱⑴為圓柱體，繞線柱⑴設(shè)在底板⑶中心，兩個(gè)側(cè)板⑵垂直設(shè)在底板⑶上并且位于繞線柱⑴兩側(cè)，側(cè)板⑵由外端面、內(nèi)端面、第一側(cè)面和第二側(cè)面圍成，所述內(nèi)端面為與繞線柱(I)的外壁同軸的圓弧面，所述內(nèi)端面與所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面之間通過平面過渡，兩個(gè)側(cè)板(2)的第一側(cè)面位于繞線柱(I)的同一側(cè)并且其之間的距離為D1，第二側(cè)面之間距離為D2，D1>D2，底板(3)在側(cè)板(2)的第一側(cè)面一側(cè)設(shè)有從側(cè)面向繞線柱(I)延伸的第一凹槽(31)，底板(3)在側(cè)板(2)的第二側(cè)面一側(cè)設(shè)有從側(cè)面向繞線柱(I)延伸的第二凹槽(42)，第一凹槽(31)的寬度等于D1，第二凹槽(32)的寬度等于D2，第一凹槽(31)的底部至繞線柱(I)的距離D3與第二凹槽(32)的底部至繞線柱(2)的距離D4相等，D3小于繞線柱(I)至側(cè)柱(2)的內(nèi)端面的距離L，底板(3)頂面上設(shè)有從第一凹槽(31)底部向繞線柱(I)延伸的第三凹槽(33)，底板(3)的底面上設(shè)有從與第一凹槽(31)和第二凹槽(32)不同的兩側(cè)向中部延伸的第一凹口(34)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型正方平面型磁芯，其特征在于，側(cè)柱(2)遠(yuǎn)離繞線柱(I)的側(cè)棱設(shè)有圓角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型正方平面型磁芯，其特征在于，第一凹口(34)內(nèi)設(shè)有從側(cè)面向中部延伸的第二凹口(35)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型正方平面型磁芯，其特征在于，繞線柱(I)的底面半徑為 R, R/2〈L〈R。
【文檔編號(hào)】H01F3/00GK203966771SQ201420370477
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月4日
【發(fā)明者】沈建元, 李前軍, 王曉祥, 張恩明, 陳維兆, 毛新山 申請(qǐng)人:天長(zhǎng)市中德電子有限公司