照相機(jī)模塊的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型的實(shí)施方式提供一種照相機(jī)模塊，所述照相機(jī)模塊包括傳感器組件、至少一個半導(dǎo)體襯底以及模制化合物，其中所述傳感器組件包括：半導(dǎo)體裸片；傳感器電路，設(shè)置于所述半導(dǎo)體裸片的頂表面上；以及透明蓋體，在所述半導(dǎo)體裸片的頂表面上面耦合到所述半導(dǎo)體裸片；其中每個所述半導(dǎo)體襯底在水平方向上布置于所述傳感器組件周圍；其中所述模制化合物填充在每個所述半導(dǎo)體襯底與所述傳感器組件之間。
【專利說明】照相機(jī)模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型的實(shí)施方式涉及一種照相機(jī)模塊，并且更具體地，涉及一種包括用于光學(xué)傳感器器件的晶片級封裝的照相機(jī)模塊。

【背景技術(shù)】
[0002]關(guān)于將光學(xué)傳感器耦合至照相機(jī)電路，設(shè)計(jì)師面對的挑戰(zhàn)是，器件必須定位于襯底上且光學(xué)傳感器面向外，而且不存在可能干擾光學(xué)圖像的接收的任何障礙物。由于照相機(jī)模塊更通常地使用在小電子設(shè)備(諸如手機(jī)和平板計(jì)算機(jī))中，所以希望降低照相機(jī)模塊的高度使得它們能夠安裝于更薄的設(shè)備中。
[0003]圖1示出了具有半導(dǎo)體裸片22的已知的照相機(jī)模塊，光學(xué)傳感器電路26形成于半導(dǎo)體裸片22的頂表面上。半導(dǎo)體裸片22裝配至半導(dǎo)體襯底24上，并且焊線40將傳感器電路26耦合至半導(dǎo)體襯底24中的電路。透鏡組件包括透鏡鏡筒80、透鏡載體90和包括一個或多個透鏡的透鏡陣列100。透鏡組件可以通過粘接劑801耦合至半導(dǎo)體襯底24的頂表面上。此外，表面裝配器件50也裝配在半導(dǎo)體襯底24的頂表面上。
[0004]可以看出，圖1的照相機(jī)模塊的示例存在如下問題，因?yàn)榘雽?dǎo)體裸片22設(shè)置在半導(dǎo)體襯底24上，并且通過焊線40將傳感器電路26電耦合至半導(dǎo)體襯底24中的電路，使得它在用于小電子設(shè)備中時不太令人滿意，因?yàn)榀B置的半導(dǎo)體裸片22和半導(dǎo)體襯底24限制了此類設(shè)備的最小厚度。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本實(shí)用新型的實(shí)施方式的目的之一是提供一種具有減小的厚度的照相機(jī)模塊。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的一個方面，提供了一種照相機(jī)模塊，包括:
[0007]傳感器組件，所述傳感器組件包括:
[0008]半導(dǎo)體裸片；
[0009]傳感器電路，設(shè)置于所述半導(dǎo)體裸片的頂表面上；以及
[0010]透明蓋體，在所述半導(dǎo)體裸片的頂表面上面耦合到所述半導(dǎo)體裸片；
[0011]至少一個半導(dǎo)體襯底，每個所述半導(dǎo)體襯底在水平方向上布置于所述傳感器組件周圍；以及
[0012]模制化合物，填充在每個所述半導(dǎo)體襯底與所述傳感器組件之間。
[0013]根據(jù)本實(shí)用新型的一個示例性實(shí)施方式，所述半導(dǎo)體裸片包括電耦合到所述傳感器電路的至少一個硅通孔，每個所述硅通孔分別經(jīng)由焊線從每個所述半導(dǎo)體襯底的底表面電耦合到對應(yīng)的半導(dǎo)體襯底中的電路；并且所述模制化合物還至少覆蓋所述半導(dǎo)體裸片的底表面以及每個所述焊線。
[0014]根據(jù)本實(shí)用新型的一個示例性實(shí)施方式，還包括至少一個表面裝配器件，每個所述表面裝配器件從每個所述半導(dǎo)體襯底的頂表面電耦合到對應(yīng)的半導(dǎo)體襯底中的電路。
[0015]根據(jù)本實(shí)用新型的一個示例性實(shí)施方式，所述透明蓋體與所述半導(dǎo)體裸片在水平方向上對準(zhǔn)。
[0016]根據(jù)本實(shí)用新型的一個示例性實(shí)施方式，每個所述半導(dǎo)體襯底的頂表面分別與所述透明蓋體的頂表面齊平。
[0017]根據(jù)本實(shí)用新型的一個示例性實(shí)施方式，每個所述半導(dǎo)體襯底的底表面分別與所述半導(dǎo)體裸片的底表面齊平。
[0018]根據(jù)本實(shí)用新型的一個示例性實(shí)施方式，所述模制化合物的頂表面與所述透明蓋體的頂表面齊平。
[0019]根據(jù)本實(shí)用新型的一個示例性實(shí)施方式，還包括透鏡組件，所述透鏡組件耦合到所述至少一個半導(dǎo)體襯底的頂表面。
[0020]根據(jù)本實(shí)用新型的一個示例性實(shí)施方式，所述半導(dǎo)體襯底的數(shù)目為兩個，兩個所述半導(dǎo)體襯底在水平方向上分別設(shè)置于所述傳感器組件的相對側(cè)上。
[0021]根據(jù)本實(shí)用新型的一個示例性實(shí)施方式，所述半導(dǎo)體襯底的數(shù)目為一個，其橫截面形狀為“回”形，所述傳感器組件位于所述“回”形半導(dǎo)體襯底內(nèi)。
[0022]根據(jù)本實(shí)用新型的一個示例性實(shí)施方式，所述傳感器組件位于所述“回”形半導(dǎo)體襯底內(nèi)的中心處
[0023]根據(jù)本實(shí)用新型的一個示例性實(shí)施方式，所述透明蓋體為具有IR涂層或者UV涂層的玻璃。
[0024]通過將傳感器組件與半導(dǎo)體襯底在水平方向上并排設(shè)置，使得能夠減小包括半導(dǎo)體襯底和傳感器組件的結(jié)構(gòu)在豎直方向上的尺寸，并且因而進(jìn)一步能夠減小照相機(jī)模塊在豎直方向上的尺寸。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]現(xiàn)在將僅參照附圖通過示例對本實(shí)用新型的實(shí)施方式進(jìn)行描述，其中為相似的部件提供對應(yīng)的附圖標(biāo)記，在附圖中:
[0026]圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的照相機(jī)模塊的截面圖；
[0027]圖2是示出根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的包括傳感器組件、半導(dǎo)體襯底以及模制化合物的配置的截面圖；
[0028]圖3至圖7示出制作圖2中所示配置的相應(yīng)階段的截面圖；
[0029]圖8是示出包括圖2中所示配置的照相機(jī)模塊的截面圖；
[0030]圖9是示出制作根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的照相機(jī)模塊的工藝流程圖；
[0031]圖10示出根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施方式的包括傳感器組件、半導(dǎo)體襯底以及模制化合物的配置的截面圖；
[0032]圖11示出包括圖10中所示配置的照相機(jī)模塊的截面圖；并且
[0033]圖12是示出根據(jù)又一實(shí)施方式的包括傳感器組件、半導(dǎo)體襯底以及模制化合物的配置的仰視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034]下面將參考附圖中示出的若干示例性實(shí)施例來描述本實(shí)用新型的原理和精神。應(yīng)當(dāng)理解，描述這些實(shí)施例僅僅是為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠更好地理解進(jìn)而實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，而并非以任何方式限制本實(shí)用新型的范圍。
[0035]圖2是示出根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的包括傳感器組件1、半導(dǎo)體襯底2a、2b以及模制化合物3的配置的截面圖。這一配置將用于制作照相機(jī)模塊。
[0036]在圖2所示的配置中，傳感器組件I包括半導(dǎo)體裸片11、光學(xué)傳感器電路12和透明蓋體13?？梢愿鶕?jù)現(xiàn)有技術(shù)中的已知工藝制作圖2所示的配置。
[0037]光學(xué)傳感器電路12設(shè)置于半導(dǎo)體裸片11的頂表面上，可以根據(jù)已知工藝在半導(dǎo)體裸片11的頂表面上形成多個光學(xué)傳感器電路12。在附圖中，并未詳細(xì)示出在本領(lǐng)域中公知的光學(xué)傳感器電路的結(jié)構(gòu)，而是通過一排微透鏡作為不例來表不。
[0038]透明蓋體13可以通過粘接劑14耦合至半導(dǎo)體裸片11的頂表面，透明蓋體13和光學(xué)傳感器電路12之間的選定空間由粘接劑14的厚度確定。透明蓋體13可以設(shè)置有本領(lǐng)域已知的選擇性的透明涂層，諸如IR(紅外線)涂層或者UV(紫外線)涂層，即透明蓋體13可以是IR玻璃或者UV玻璃。透明涂層可以沉積于透明蓋體13的面向光學(xué)傳感電路12的表面上。透明蓋體13可以與半導(dǎo)體裸片11在水平方向上對準(zhǔn)，也就是說，透明蓋體13可以優(yōu)選與半導(dǎo)體裸片11在水平方向上具有相同的尺寸。然而，透明蓋體13與半導(dǎo)體裸片11的尺寸并不限于在水平方向上相同，例如，透明蓋體13的水平尺寸可以小于或大于半導(dǎo)體裸片11的水平尺寸，只要透明蓋體13能夠基本上覆蓋住光學(xué)傳感器電路12即可。
[0039]在圖2中，作為示例，所示配置包括兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b，分別布置于傳感器組件I的兩側(cè)，兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b與傳感器組件I之間的距離可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇，使得便于利用模制化合物3將兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b與傳感器組件I形成整體結(jié)構(gòu)。相比于現(xiàn)有技術(shù)中傳感器組件設(shè)置于半導(dǎo)體襯底的頂表面上，在本實(shí)施方式中以不同方式實(shí)現(xiàn)傳感器組件與半導(dǎo)體襯底的布置。具體而言，傳感器組件I與半導(dǎo)體襯底2a、2b在水平方向上并排設(shè)置，使得能夠減小上述配置在豎直方向上的尺寸，并且因而進(jìn)一步能夠減小照相機(jī)模塊在豎直方向上的尺寸。雖然在附圖中圖示兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b作為示例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以構(gòu)思包括其它數(shù)目的半導(dǎo)體襯底，只要其在水平方向上布置于傳感器組件的周圍以便與傳感器組件形成水平布置即可，如以下將詳細(xì)描述的那樣。
[0040]在圖2所示的示例中，兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b的頂表面分別與透明蓋體13的頂表面基本上共面，并且兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b的底表面分別與半導(dǎo)體裸片11的底表面基本上共面。也就是說，兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b的厚度與傳感器組件I的厚度(即從透明蓋體13的頂表面到半導(dǎo)體裸片11的底表面的距離)基本上相同。然而，在各種實(shí)施例中，兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b的厚度與傳感器組件I的厚度并不限于彼此相同，而是兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b的厚度可以大于或者小于傳感器組件I的厚度。例如當(dāng)兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b的頂表面分別與透明蓋體13的頂表面基本上共面時，傳感器組件I的底表面(即半導(dǎo)體裸片11的底表面)可以在豎直方向上高于或者低于兩個半導(dǎo)體2a、2b的底表面。而當(dāng)兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b的底表面分別與半導(dǎo)體裸片11的底表面基本上共面時，傳感器組件I的頂表面(即透明蓋體13的頂表面)可以在豎直方向上高于或者低于兩個半導(dǎo)體2a、2b的頂表面。
[0041]下面結(jié)合附圖具體描述傳感器電路12與半導(dǎo)體襯底2a、2b中的電路之間的電耦合。在圖2所示的配置中，半導(dǎo)體裸片11可以包括硅通孔(TSV) 111，硅通孔111的數(shù)目可以為一個或者多個(在圖中示出兩個)。硅通孔111用于提供從半導(dǎo)體裸片11的頂表面至底表面的導(dǎo)電路徑。硅通孔111的頂端電連接光學(xué)傳感器電路12，并且硅通孔111的底端可以延伸至半導(dǎo)體裸片11的底表面或者可以延伸至設(shè)置于半導(dǎo)體裸片11的底表面處的接觸焊盤112。在這一實(shí)施方式中，硅通孔111的底端電耦合至設(shè)置于半導(dǎo)體裸片11的底表面處的接觸焊盤112。在兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b的底表面處，也分別設(shè)置有電耦合至半導(dǎo)體襯底2a、2b中的電路的接觸焊盤20。在半導(dǎo)體裸片11的底表面處的兩個接觸焊盤112分別經(jīng)由焊線40電連接至在兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b的底表面處的相應(yīng)接觸焊盤20。通過使用硅通孔111、接觸焊盤112、焊線40和接觸焊盤20，建立了從傳感器組件I中的光學(xué)傳感器電路12到半導(dǎo)體襯底2a、2b中的電路的電耦合。
[0042]在圖2所示的配置中，模制化合物3填充在兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b與傳感器組件I之間。模制化合物3是在許多不同封裝工藝中用來包封半導(dǎo)體器件的物質(zhì)，是由各種組分(諸如樹脂、硬化劑、二氧化硅、催化劑、燃料和隔離劑)的混合制成的典型復(fù)合材料，并且通常以具有選定粘度的基本液體形式提供，使得它們能夠被注塑或澆注。模制化合物3在來自不同制造商并且滿足許多不同的標(biāo)準(zhǔn)的很寬范圍的形式中可用。因此，術(shù)語“模制化合物”被廣義地視為應(yīng)用至所有此類化合物。通過在兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b與傳感器組件I之間填充模制化合物1，可以將兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b與傳感器組件I形成為整體結(jié)構(gòu)，從而便于在使用圖2所示的配置制造照相機(jī)模塊的后續(xù)工藝中使用。
[0043]在這一實(shí)施方式中，模制化合物3的頂表面與兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b以及透明蓋體13的頂表面基本上齊平。然而，在各種實(shí)施方式中，模制化合物3的頂表面可以略微高于或者低于兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b以及透明蓋體13的頂表面，只要不影響光學(xué)傳感器電路12接收光學(xué)圖像并且能夠使兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b與傳感器組件I形成為整體結(jié)構(gòu)即可。此外，在這一實(shí)施方式中，模制化合物3還覆蓋半導(dǎo)體裸片11的底表面和兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b的底表面的一部分，以將接觸焊盤20、焊線40和接觸焊盤112包封在模制化合物3中，從而隔離圖2所示的配置從底表面與外界發(fā)生電耦合。
[0044]此外，在圖2所示的配置中，還包括分別安裝在兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b的頂表面上的表面裝配器件50，該表面裝配器件50電耦合至兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b中的電路。在圖2中大體示出的表面裝配器件50可以包括許多種類的結(jié)構(gòu)中的任一種，諸如無源電路部件(如電阻器、電容器、電感器等)以及附加的集成電路(諸如圖像處理器、電壓穩(wěn)定器、用于透鏡控制的驅(qū)動器等)。根據(jù)各個實(shí)施方式的具體要求，表面裝配器件50的尺寸、形狀和數(shù)量將具體改變。
[0045]以下將結(jié)合圖3至圖7詳細(xì)描述圖2所示的配置的制造工藝。
[0046]首先如圖3所示，將半導(dǎo)體襯底2和傳感器組件I倒置，并且以預(yù)定間隔相間定位在載體層60上，從而形成圖4所示的結(jié)構(gòu)。也就是說，將半導(dǎo)體襯底2和傳感器組件I的頂表面向下，通過粘接劑601定位在載體層60上。其中半導(dǎo)體襯底2包括之前結(jié)合圖2描述的配置中的兩個半導(dǎo)體襯底2a、2b中的電路結(jié)構(gòu)，以便于在后續(xù)工藝中對半導(dǎo)體襯底2進(jìn)行切割。傳感器組件I的結(jié)構(gòu)與之前結(jié)合圖2描述的配置中的傳感器組件I的結(jié)構(gòu)相同。
[0047]如圖4所示，在半導(dǎo)體襯底2的底表面處的接觸焊盤20與傳感器組件I的底表面處的接觸焊盤112之間連接焊線40，以將光學(xué)傳感器電路12電耦合到半導(dǎo)體襯底2中的電路。
[0048]如圖5所示，在半導(dǎo)體襯底2與傳感器組件I之間填充模制化合物3，并且模制化合物3還至少覆蓋半導(dǎo)體裸片11的底表面和半導(dǎo)體襯底2的底表面的兩側(cè)部分，以將接觸焊盤20、焊線40和接觸焊盤112包封在模制化合物3中，從而隔離觸焊盤20、焊線40和接觸焊盤112與外界發(fā)生電耦合。通過在半導(dǎo)體襯底2與傳感器組件I之間填充模制化合物1，可以將半導(dǎo)體襯底2與傳感器組件I形成為整體結(jié)構(gòu)。
[0049]如圖6所示，首先去除載體層60，然后在半導(dǎo)體襯底2的頂表面上安裝電耦合到半導(dǎo)體襯底中的電路的表面裝配器件50。
[0050]最后沿圖6中的虛線切割半導(dǎo)體襯底2以形成單片化的結(jié)構(gòu)，如圖7所示。所形成的單片化的結(jié)構(gòu)與圖2中所示配置結(jié)構(gòu)相同。
[0051]圖8是示出包括圖2中所示配置的照相機(jī)模塊的截面圖。除了圖2中所示的配置之外，圖8所示的照相機(jī)模塊還包括透鏡組件。透鏡組件包括透鏡鏡筒80、透鏡載體90和包括一個或多個透鏡的透鏡陣列100。透鏡組件可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的常規(guī)透鏡組件，其結(jié)構(gòu)和工作原理在本領(lǐng)域中已知，因而在此將不再贅述。透鏡組件可以通過粘接劑801耦合至半導(dǎo)體襯底2a、2b的頂表面上。
[0052]圖9是示出制作根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的照相機(jī)模塊的工藝流程圖，用于制造圖8中所示的照相機(jī)模塊。由于圖8中所示照相機(jī)模塊包括圖2中所示的配置，而圖2中所示配置的制造工藝已在上文中結(jié)合圖3至圖7進(jìn)行描述，因而在此結(jié)合圖3至圖7將制造圖2中所示配置的工藝步驟并入此。
[0053]在步驟901，將多個傳感器組件I和多個半導(dǎo)體襯底2以預(yù)定間隔相間定位在載體層60上。其中每個傳感器組件I均具有:半導(dǎo)體裸片11 ;傳感器電路12，設(shè)置于半導(dǎo)體裸片11的頂表面上；以及透明蓋體13，在半導(dǎo)體裸片11的頂表面上面耦合到半導(dǎo)體裸片11.其中半導(dǎo)體裸片11包括電耦合到傳感器電路12的至少一個硅通孔111，其中透明蓋體13接近載體層60 ;并且其中半導(dǎo)體襯底2的頂表面接近載體層60。
[0054]在步驟902，將每個硅通孔111分別經(jīng)由焊線40從每個半導(dǎo)體襯底2的底表面電耦合到對應(yīng)的半導(dǎo)體襯底2中的電路，以將光學(xué)傳感器電路12電耦合到半導(dǎo)體襯底2中的電路。
[0055]在步驟903，在半導(dǎo)體襯底2與傳感器組件I之間填充模制化合物3，并且模制化合物3還至少覆蓋半導(dǎo)體裸片11的底表面以及每個焊線40。例如結(jié)合圖4所示結(jié)構(gòu)，模制化合物3覆蓋半導(dǎo)體裸片11的底表面和半導(dǎo)體襯底2的底表面的兩側(cè)部分，以將接觸焊盤20、焊線40和接觸焊盤112包封在模制化合物3中，從而隔離觸焊盤20、焊線40和接觸焊盤112與外界發(fā)生電耦合。而通過在半導(dǎo)體襯底2與傳感器組件I之間填充模制化合物1，可以將半導(dǎo)體襯底2與傳感器組件I形成為整體結(jié)構(gòu)。
[0056]在步驟904，去除載體層60。
[0057]在步驟905，在半導(dǎo)體襯底2的頂表面上安裝電耦合到半導(dǎo)體襯底中的電路的表面裝配器件50。根據(jù)不同需要，可以省略這一步驟，例如當(dāng)不需要安裝表面裝配器件50時。
[0058]在步驟906，切割每個半導(dǎo)體襯底2以形成單片化的結(jié)構(gòu)，即形成圖2中所示的配置。
[0059]在步驟907，通過粘接劑801將透鏡組件耦合至半導(dǎo)體襯底2a、2b的頂表面上，最終形成圖8所示的照相機(jī)模塊。
[0060]圖10示出根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施方式的包括傳感器組件1、半導(dǎo)體襯底2a、2b以及模制化合物3的配置的截面圖。圖10所示的配置與圖2所示的配置的區(qū)別僅在于:半導(dǎo)體襯底2a、2b的底部結(jié)構(gòu)不同，并且從而模制化合物3的底部形狀也不同。在此對于其它相同結(jié)構(gòu)的特征將不再詳述。
[0061]在圖10所示的配置中，半導(dǎo)體襯底2a’、2b’還包括從圖2所示的配置中的半導(dǎo)體襯底2a、2b的底表面向下突出的部分2a”、2b”。在向下突出的部分2a”、2b”之間形成選定空間，并且也利用模制化合物3填充這一選定空間。
[0062]圖11示出包括圖10中所示配置的照相機(jī)模塊的截面圖。除了圖10中所示的配置之外，圖8所示的照相機(jī)模塊還包括透鏡組件。透鏡組件包括透鏡鏡筒80、透鏡載體90和包括一個或多個透鏡的透鏡陣列100。透鏡組件可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的常規(guī)透鏡組件，其結(jié)構(gòu)和工作原理在本領(lǐng)域中已知，因而在此將不再贅述。透鏡組件可以通過粘接劑801耦合至半導(dǎo)體襯底2a、2b的頂表面上。
[0063]雖然在圖2和圖10的配置中僅包括兩個半導(dǎo)體襯底，但是上述配置也可以包括其它數(shù)目的半導(dǎo)體襯底，例如一個或更多個。如圖11所示，當(dāng)半導(dǎo)體襯底2的數(shù)目為一個時，其橫截面形狀為“回”形，即為中空的方形結(jié)構(gòu)。圖11所示配置與前述實(shí)施方式中所描述的配置的區(qū)別僅在于半導(dǎo)體襯底2的形狀以及半導(dǎo)體襯底2與傳感器組件I之間的位置關(guān)系不同。傳感器組件I的電路結(jié)構(gòu)與之前描述的傳感器組件I可以具有相同結(jié)構(gòu)，傳感器組件I中的光學(xué)傳感器電路12也可以經(jīng)由焊線從半導(dǎo)體襯底2的底表面電耦合到半導(dǎo)體襯底2中的電路。圖11所示配置與前述實(shí)施方式中所描述的配置的區(qū)別具體為:傳感器組件I位于“回”形半導(dǎo)體襯底2內(nèi)，例如傳感器組件I可以位于“回”形半導(dǎo)體襯底2內(nèi)的中心處，并且模制化合物3填充半導(dǎo)體襯底2與傳感器組件I之間的空間，并且覆蓋傳感器組件I的底表面與半導(dǎo)體襯底2的底表面的一部分。當(dāng)半導(dǎo)體襯底數(shù)目為三個時，三個半導(dǎo)體襯底例如可以分別設(shè)置于傳感器組件I的三側(cè)。
[0064]通過將傳感器組件與半導(dǎo)體襯底在水平方向上并排設(shè)置，使得能夠減小包括半導(dǎo)體襯底和傳感器組件的結(jié)構(gòu)在豎直方向上的尺寸，并且因而進(jìn)一步能夠減小照相機(jī)模塊在豎直方向上的尺寸。
[0065]已經(jīng)出于示出和描述的目的給出了本實(shí)用新型的說明書，但是其并不意在是窮舉的或者限制于所公開形式的實(shí)用新型。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到很多修改和變體。因此，實(shí)施方式是為了更好地說明本實(shí)用新型的原理、實(shí)際應(yīng)用以及使本領(lǐng)域技術(shù)人員中的其他人員能夠理解以下內(nèi)容而選擇和描述的，即，在不脫離本實(shí)用新型精神的前提下，做出的所有修改和替換都將落入所附權(quán)利要求定義的本實(shí)用新型保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種照相機(jī)模塊，其特征在于，包括: 傳感器組件，所述傳感器組件包括: 半導(dǎo)體裸片； 傳感器電路，設(shè)置于所述半導(dǎo)體裸片的頂表面上；以及 透明蓋體，在所述半導(dǎo)體裸片的頂表面上面耦合到所述半導(dǎo)體裸片； 至少一個半導(dǎo)體襯底，每個所述半導(dǎo)體襯底在水平方向上布置于所述傳感器組件周圍；以及 模制化合物，填充在每個所述半導(dǎo)體襯底與所述傳感器組件之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照相機(jī)模塊，其特征在于， 所述半導(dǎo)體裸片包括電耦合到所述傳感器電路的至少一個硅通孔，每個所述硅通孔分別經(jīng)由焊線從每個所述半導(dǎo)體襯底的底表面電耦合到對應(yīng)的半導(dǎo)體襯底中的電路；并且 所述模制化合物還至少覆蓋所述半導(dǎo)體裸片的底表面以及每個所述焊線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的照相機(jī)模塊，其特征在于，還包括至少一個表面裝配器件，每個所述表面裝配器件從每個所述半導(dǎo)體襯底的頂表面電耦合到對應(yīng)的半導(dǎo)體襯底中的電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的照相機(jī)模塊，其特征在于，所述透明蓋體與所述半導(dǎo)體裸片在水平方向上對準(zhǔn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的照相機(jī)模塊，其特征在于，每個所述半導(dǎo)體襯底的頂表面分別與所述透明蓋體的頂表面齊平。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的照相機(jī)模塊，其特征在于，每個所述半導(dǎo)體襯底的底表面分別與所述半導(dǎo)體裸片的底表面齊平。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的照相機(jī)模塊，其特征在于，所述模制化合物的頂表面與所述透明蓋體的頂表面齊平。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的照相機(jī)模塊，其特征在于，還包括透鏡組件，所述透鏡組件耦合到所述至少一個半導(dǎo)體襯底的頂表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的照相機(jī)模塊，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底的數(shù)目為兩個，兩個所述半導(dǎo)體襯底在水平方向上分別設(shè)置于所述傳感器組件的相對側(cè)上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的照相機(jī)模塊，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底的數(shù)目為一個，其橫截面形狀為“回”形，所述傳感器組件位于所述“回”形半導(dǎo)體襯底內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的照相機(jī)模塊，其特征在于，所述傳感器組件位于所述“回”形半導(dǎo)體襯底內(nèi)的中心處。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的照相機(jī)模塊，其特征在于，所述透明蓋體為具有IR涂層或者UV涂層的玻璃。
【文檔編號】H01L27/146GK204243041SQ201420356998
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月27日
【發(fā)明者】欒竟恩 申請人:意法半導(dǎo)體研發(fā)(深圳)有限公司