移動(dòng)終端的天線和移動(dòng)終端的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種移動(dòng)終端的天線，包括：高頻輻射單元和低頻輻射單元；第一電感模塊的一端與高頻輻射單元相連，第一電感模塊的另一端接地；第一電容模塊的一端分別與第一電感模塊的一端和高頻輻射單元相連，第一電容模塊的另一端與移動(dòng)終端的饋電端相連；第二電感模塊的一端與低頻輻射單元相連，第二電感模塊的另一端接地；第二電容模塊的一端分別與第二電感模塊的一端和低頻輻射單元相連；第三電感模塊的一端與第二電容模塊的另一端相連，第三電感模塊的另一端與饋電端相連。本實(shí)用新型的移動(dòng)終端的天線獲得了更加優(yōu)化的超寬帶，大大減少了對(duì)復(fù)雜且高成本的天線生產(chǎn)工藝的依賴。本實(shí)用新型還公開了一種包括該移動(dòng)終端的天線的移動(dòng)終端。
【專利說明】移動(dòng)終端的天線和移動(dòng)終端

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及移動(dòng)終端【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種移動(dòng)終端的天線和一種移動(dòng)終端。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著移動(dòng)終端例如手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等4G時(shí)代的到來，cellular (蜂窩)通信模式存在6種可能的通信模式，即GSM(Global System for Mobilecommunicat1n,全球移動(dòng)通信系統(tǒng))，CDMA (Code Divis1n Multiple Access,碼分多址)，WCDMA(Wideband Code Divis1n Multiple Access,寬帶碼分多址)，TD-SCDMA(Time Divis1n-Synchronizat1n Code Divis1n Multiple Access,時(shí)分同步碼分多址)，TDD-LTE(Time Divis1n Duplexing-Long Term Evolut1n,時(shí)分雙工)，F(xiàn)DD-LTE (Frequency Divis1n Duplexing-Long Term Evolut1n,步頁分雙工)，cellular 通信模式的通信頻率覆蓋范圍為LB (Low Band，低頻段)“698?960MHz”，HB (High Band，高頻段)“1.71GHz?2.69GHz”。而3G時(shí)代的通信頻率覆蓋范圍僅為(LB “824?960MHz”，HB “1.71GHz?2.17GHz”)，且全球各地區(qū)不同運(yùn)營商布網(wǎng)的模式和頻段也不統(tǒng)一。為了兼容盡可能多的通信模式和頻段，以實(shí)現(xiàn)大部分地區(qū)甚至全球無縫漫游，對(duì)移動(dòng)終端cellular天線的工作帶寬提出了前所未有的挑戰(zhàn)，而針對(duì)4G時(shí)代對(duì)移動(dòng)終端cellular天線工作帶寬的挑戰(zhàn)，目前業(yè)內(nèi)還處于攻關(guān)階段，做的也大都很勉強(qiáng)。
[0003]已知技術(shù)中，通過以下兩種方案來解決4G時(shí)代對(duì)移動(dòng)終端cellular天線工作帶寬的挑戰(zhàn)，其中，方案一為繼續(xù)沿用3G時(shí)代的天線方案，例如目前市場上已經(jīng)上市的4GLTE手機(jī)，其天線方案主流的即是繼續(xù)沿用3G時(shí)代的天線方案。具體地，如圖1所示，3G時(shí)代的典型天線方案是增加一個(gè)(高頻)寄生單元來激勵(lì)起一個(gè)額外的諧振模式以擴(kuò)寬天線工作帶寬。另外，方案二為引入天線有源自動(dòng)調(diào)諧或開關(guān)切換匹配模塊(芯片)來增強(qiáng)LTE天線工作帶寬。
[0004]已知技術(shù)的缺點(diǎn)是，4G時(shí)代的頻段覆蓋要遠(yuǎn)寬于3G時(shí)代的頻段覆蓋，所以方案一中3G時(shí)代的天線方案直接用到4G時(shí)代，必須對(duì)4G移動(dòng)終端兼容的特定模式/頻段及相應(yīng)的天線性能做出取舍，3G時(shí)代的天線方案的力不從心與過時(shí)是顯而易見的，并且3G時(shí)代的天線pattern (圖樣)做的大都復(fù)雜，特別是為了最大化地利用移動(dòng)終端可用天線空間來提高性能，越來越依賴復(fù)雜且高成本的天線pattern生產(chǎn)工藝。另外，方案二中的有源自動(dòng)調(diào)諧或開關(guān)切換匹配技術(shù)還不是太成熟，效果也不完美，再加上增加不小成本，限制了該方案的實(shí)際應(yīng)用和推廣。因此，亟需研究開發(fā)出創(chuàng)新的cellular天線解決方案。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的目的旨在至少從一定程度上解決上述的技術(shù)問題之一。
[0006]為此，本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提出一種移動(dòng)終端的天線，該移動(dòng)終端的天線可以獲得更加優(yōu)化的超寬帶，并大大減少對(duì)復(fù)雜且高成本的天線生產(chǎn)工藝的依賴。
[0007]本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提出一種移動(dòng)終端。
[0008]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型一方面提出了一種移動(dòng)終端的天線，該移動(dòng)終端的天線包括:高頻輻射單元和低頻輻射單元；第一電感模塊，所述第一電感模塊的一端與所述高頻輻射單元相連，所述第一電感模塊的另一端接地；第一電容模塊，所述第一電容模塊的一端分別與所述第一電感模塊的一端和所述高頻輻射單元相連，所述第一電容模塊的另一端與移動(dòng)終端的饋電端相連；第二電感模塊，所述第二電感模塊的一端與所述低頻輻射單元相連，所述第二電感模塊的另一端接地；第二電容模塊，所述第二電容模塊的一端分別與所述第二電感模塊的一端和所述低頻輻射單元相連；以及第三電感模塊，所述第三電感模塊的一端與所述第二電容模塊的另一端相連，所述第三電感模塊的另一端與所述移動(dòng)終端的饋電端相連。
[0009]本實(shí)用新型提出的移動(dòng)終端的天線通過將天線分成高頻和低頻兩個(gè)支路，并分別對(duì)高頻支路中的高頻輻射單元、第一電感模塊以及第一電容模塊，和低頻支路中的低頻輻射單元、第二電感模塊、第二電容模塊以及第三電感模塊進(jìn)行匹配，從而獲得更加優(yōu)化的超寬帶,大大減少了對(duì)復(fù)雜及高成本的天線生產(chǎn)工藝的依賴,并且調(diào)試方便。
[0010]進(jìn)一步地，當(dāng)所述移動(dòng)終端的饋電端包括高頻饋電端和低頻饋電端時(shí),所述第一電容模塊的另一端與所述高頻饋電端相連，所述第三電感模塊的另一端與所述低頻饋電端相連。
[0011]進(jìn)一步地，所述第一電感模塊為第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線為一段末端接地的短路導(dǎo)線。
[0012]進(jìn)一步地，所述第二電感模塊包括第一電感或串聯(lián)的第二導(dǎo)線和第二電感，所述第二電感的一端接地。
[0013]進(jìn)一步地，所述第三電感模塊的電感值在1nH至20nH之間。
[0014]進(jìn)一步地,所述第一電容模塊為由PWB (Printed Wiring Board,印制線路板)上下導(dǎo)電層形成的平板電容，所述第二電容模塊為集總電容或由PWB上下導(dǎo)電層形成的平板電容。
[0015]進(jìn)一步地，所述高頻輻射單元包括單個(gè)第一高頻輻射枝節(jié)或串聯(lián)的第二高頻輻射枝節(jié)和第三電感，所述第三電感的一端與所述第二高頻輻射枝節(jié)的一端相連，所述第三電感的另一端與所述第一電感模塊的一端和所述第一電容模塊的一端之間的第一公共端相連。
[0016]進(jìn)一步地，所述低頻輻射單元包括單個(gè)第一低頻頻輻射枝節(jié)或串聯(lián)的第二低頻頻福射枝節(jié)和第四電感，所述第四電感的一端與所述第二低頻頻福射枝節(jié)的一端相連，所述第四電感的另一端與所述第二電感模塊的一端和所述第二電容模塊的一端之間的第二公共端相連。
[0017]進(jìn)一步地，所述高頻輻射枝節(jié)和所述低頻輻射枝節(jié)設(shè)置在所述移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)殼或結(jié)構(gòu)支架或所述PWB上。
[0018]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型另一方面還提出了一種移動(dòng)終端，該移動(dòng)終端包括所述的移動(dòng)終端的天線。
[0019]本實(shí)用新型提出的移動(dòng)終端，通過移動(dòng)終端的天線獲得更加優(yōu)化的超寬帶，大大減少了對(duì)復(fù)雜及高成本的天線生產(chǎn)工藝的依賴，并且調(diào)試方便。
[0020]本實(shí)用新型附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]本實(shí)用新型上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0022]圖1為3G時(shí)代的典型天線方案的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線的結(jié)構(gòu)框圖；
[0024]圖3為根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線的單饋方案的架構(gòu)示意圖；
[0025]圖4為根據(jù)本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線的雙饋方案的架構(gòu)示意圖；
[0026]圖5為根據(jù)本實(shí)用新型再一個(gè)實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線的單饋方案仿真模型的架構(gòu)示意圖；
[0027]圖6為根據(jù)本實(shí)用新型又一個(gè)實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線的雙饋方案仿真模型的架構(gòu)示意圖；
[0028]圖7為根據(jù)本實(shí)用新型再一個(gè)實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線的單饋方案仿真模型的RL頻率曲線圖；以及
[0029]圖8為根據(jù)本實(shí)用新型又一個(gè)實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線的雙饋方案仿真模型的S參數(shù)頻率曲線圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型，而不能解釋為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0031]下文的公開提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的不同結(jié)構(gòu)。為了簡化本實(shí)用新型的公開，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本實(shí)用新型。此外，本實(shí)用新型可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本實(shí)用新型提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實(shí)施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。
[0032]在本實(shí)用新型的描述中，需要說明的是，除非另有規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機(jī)械連接或電連接，也可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語的具體含義。
[0033]下面參照附圖來描述根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例提出的移動(dòng)終端的天線I和移動(dòng)終端。
[0034]如圖2所示,本實(shí)用新型實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線I包括:高頻福射單元10、低頻福射單兀20、第一電感模塊30、第一電容模塊40、第二電感模塊50、第二電容模塊60以及第三電感模塊70。其中，第一電感模塊30的一端與高頻輻射單元10相連，第一電感模塊30的另一端接地。第一電容模塊40的一端分別與第一電感模塊30的一端和高頻輻射單兀10相連，第一電容模塊40的另一端與移動(dòng)終端的饋電端80相連。第二電感模塊50的一端與低頻輻射單元20相連，第二電感模塊50的另一端接地。第二電容模塊60的一端分別與第二電感模塊50的一端和低頻福射單兀20相連。第三電感模塊70的一端與第二電容模塊60的另一端相連，第三電感模塊70的另一端與移動(dòng)終端的饋電端80相連。
[0035]進(jìn)一步地,如圖3和圖4所不，移動(dòng)終端的天線I可以分為聞?lì)l支路11和低頻支路12。其中，高頻支路11包括高頻輻射單元10、第一電感模塊30以及第一電容模塊40，低頻支路12包括低頻輻射單元20、第二電感模塊50、第二電容模塊60以及第三電感模塊70。具體地，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，在對(duì)高頻支路11的第一電感模塊30進(jìn)行匹配時(shí)，第一電感模塊30可以為第一導(dǎo)線301以作為高頻支路11的分布式并聯(lián)電感，第一導(dǎo)線301為一段末端接地的短路導(dǎo)線。在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中，第一電感模塊30還可以為串聯(lián)的一段導(dǎo)線和集總的電感元件以作為高頻支路11的準(zhǔn)分布式并聯(lián)電感，電感元件的一端接地。
[0036]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，在對(duì)低頻支路12的第二電感模塊50進(jìn)行匹配時(shí)，第二電感模塊50可以包括第一電感LI以作為低頻支路12的分布式并聯(lián)電感。進(jìn)一步地，如圖3和圖4所示，在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中，在對(duì)低頻支路12的第二電感模塊50進(jìn)行匹配時(shí)，第二電感模塊50還可以包括串聯(lián)的第二導(dǎo)線501和第二電感L2以作為低頻支路12的準(zhǔn)分布式并聯(lián)電感，第二電感L2的一端接地。
[0037]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，高頻輻射單元10可以僅包括單個(gè)第一高頻輻射枝節(jié)(例如一段導(dǎo)線)。此時(shí)，PWB上天線凈空區(qū)域空間足夠，且第一高頻輻射枝節(jié)本身線長度能夠滿足高頻輻射單元10所需電長度，高頻輻射單元10的初始阻抗可以落到便于匹配的最優(yōu)阻抗區(qū)域。具體地，在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖3和圖4所示，高頻輻射單元10還可以包括串聯(lián)的第二高頻輻射枝節(jié)101例如Mono單極天線和作為加載電感的第三電感L3，第三電感L3的一端與第二高頻輻射枝節(jié)101的一端相連，第三電感L3的另一端與第一電感模塊30的一端和第一電容模塊40的一端之間的第一公共端Jl相連。需要說明的是，由于PWB上天線凈空區(qū)域空間有限，當(dāng)高頻輻射單元10僅包括第二高頻輻射枝節(jié)101時(shí),可能存在第二高頻福射枝節(jié)101本身線長度不夠而導(dǎo)致高頻福射單元10所需電長度不夠的問題，第二高頻輻射枝節(jié)101串聯(lián)第三電感L3，等效于增加高頻輻射單元10的線長度，從而滿足高頻輻射單元10所需電長度，使得即便第二高頻輻射枝節(jié)101的線長度遠(yuǎn)小于λ /4諧振長度，高頻輻射單元10的初始阻抗也可以落到便于匹配的最優(yōu)阻抗區(qū)域，便于實(shí)現(xiàn)高頻輻射單元10的小型化。
[0038]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，低頻輻射單元20可以僅包括單個(gè)第一低頻輻射枝節(jié)(例如一段導(dǎo)線)。此時(shí)，PWB上天線凈空區(qū)域空間足夠，第一低頻輻射枝節(jié)本身線長度能夠滿足低頻輻射單元20所需電長度，低頻輻射單元20的初始阻抗也可以落到便于匹配的最優(yōu)阻抗區(qū)域。具體地，在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖3和圖4所示，低頻輻射單元20還可以包括串聯(lián)的第二低頻輻射枝節(jié)201例如Mono單極天線和作為加載電感的第四電感L4,第四電感L4的一端與第二低頻福射枝節(jié)201的一端相連,第四電感L4的另一端與第二電感模塊50的一端和第二電容模塊60的一端之間的第二公共端J2相連。需要說明的是，由于PWB上天線凈空區(qū)域空間有限，當(dāng)?shù)皖l輻射單元20僅包括第二低頻輻射枝節(jié)201時(shí)，可能存在第二低頻輻射枝節(jié)201本身線長度不夠而導(dǎo)致低頻輻射單元20所需電長度不夠的問題，第二低頻輻射枝節(jié)201串聯(lián)第四電感L4，等效于增加低頻輻射單元20的線長度，從而滿足低頻輻射單元20所需電長度，使得即便第二低頻輻射枝節(jié)201的線長度遠(yuǎn)小于λ/4諧振長度，低頻輻射單元20的初始阻抗也可以落到便于匹配的最優(yōu)阻抗區(qū)域，便于實(shí)現(xiàn)低頻福射單元20的小型化。進(jìn)一步地，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，低頻福射單元20的電長度比高頻輻射單元10的電長度長。
[0039]需要進(jìn)一步說明的是，如圖3、圖4、圖5和圖6所示，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，第一高頻輻射枝節(jié)、第一低頻輻射枝節(jié)、第二高頻輻射枝節(jié)101和第二低頻輻射枝節(jié)201可以為一段簡潔的長條導(dǎo)線，從而可以避免本實(shí)用新型實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線I對(duì)復(fù)雜且高成本的天線生產(chǎn)工藝的依賴，降低了成本,且大大提高了天線的可靠性，同時(shí)也為移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供了靈活度，為將來天線設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)模塊化和標(biāo)準(zhǔn)化，窺探到了可能途徑。
[0040]進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，第一高頻福射枝節(jié)、第一低頻福射枝節(jié)、第二高頻輻射枝節(jié)101和第二低頻輻射枝節(jié)201可以設(shè)置在移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)殼或結(jié)構(gòu)支架或PWB上。需要說明的是，將第一高頻輻射枝節(jié)、第一低頻輻射枝節(jié)、第二高頻輻射枝節(jié)101和第二低頻輻射枝節(jié)201，設(shè)置在移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)殼或結(jié)構(gòu)支架或PWB上可以便于充分利用移動(dòng)終端的天線可用空間，增加移動(dòng)終端自身輻射性能。具體地，當(dāng)?shù)谝桓哳l輻射枝節(jié)、第一低頻輻射枝節(jié)、第二高頻輻射枝節(jié)101和第二低頻輻射枝節(jié)201設(shè)置在移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)殼或結(jié)構(gòu)支架或PWB上時(shí)，本實(shí)用新型實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線I中其它各模塊例如第一電感模塊30、第一電容模塊40、第二電感模塊50、第二電容模塊60以及第三電感模塊70均可以設(shè)置在PWB上天線凈空區(qū)域里。
[0041 ] 進(jìn)一步地，如圖5和圖6所示，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，第一電容模塊40和第二電容模塊60可以為由PWB上下導(dǎo)電層形成的平板電容Cl和C2，以分別作為高頻支路11和低頻支路12的分布式串聯(lián)電容。需要說明的是，高頻支路11中的第一電容模塊40除了用于進(jìn)行高頻阻抗匹配，還可以作為高通濾波器對(duì)低頻段信號(hào)形成高阻抗，以隔離高頻支路11對(duì)低頻支路12阻抗的影響。進(jìn)一步地，在對(duì)低頻支路12的第二電容模塊60進(jìn)行匹配時(shí)，若PWB上天線凈空區(qū)域空間不足時(shí)，第二電容模塊60還可以為一個(gè)或多個(gè)IpF左右的集總電容。
[0042]進(jìn)一步地，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，第三電感模塊70的電感值在1nH至20ηΗ之間。需要說明的是，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，第二電容模塊60與第三電感模塊70串聯(lián)，可以實(shí)現(xiàn)在低頻段，頻率低于LC串聯(lián)諧振頻率時(shí)，低頻支路12呈現(xiàn)電容值，對(duì)低頻輻射枝節(jié)還是呈現(xiàn)串聯(lián)電容匹配，但在高頻段，頻率高于LC串聯(lián)諧振頻率時(shí)，低頻支路12呈現(xiàn)大電感值，對(duì)高頻段信號(hào)形成高阻抗，以隔離低頻支路12對(duì)高頻支路11阻抗的影響。
[0043]具體地，如圖3和圖5所示，在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，移動(dòng)終端采用單饋方案，即移動(dòng)終端的高頻段和低頻段共用饋電端80，第一電容模塊40的另一端和第三電感模塊70的另一端與饋電端80相連，移動(dòng)終端的天線I為4G LTE cellular PWB天線。具體地，如圖5所7]^，聞?lì)l支路11和低頻支路12合并。其中，在聞?lì)l支路11中，第_■聞?lì)l福射枝節(jié)101引入4.6nH的串聯(lián)加載電感即第三電感L3，來調(diào)整高頻輻射單元10的初始阻抗落到可寬帶匹配的最優(yōu)阻抗區(qū)域，第一電感模塊30采用末端接地的一段短路線即第一導(dǎo)線301作為分布式并聯(lián)電感匹配，以及第一電容模塊40采用“重合面積3*3mm，間隙0.7mm”的PWB上下層導(dǎo)電層形成的平板電容Cl作為分布式串聯(lián)電容匹配，平板電容Cl的等效電容值〈lPf，所以高頻輻射單元10對(duì)低頻信號(hào)呈現(xiàn)高阻抗，并可以隔離第二高頻輻射枝節(jié)101對(duì)第二低頻輻射枝節(jié)201阻抗的影響。另外，在低頻支路12中，第二低頻輻射枝節(jié)201引入8.6nH的串聯(lián)加載電感即第四電感L4，來調(diào)整低頻輻射單元20的初始阻抗落到可寬帶匹配的最優(yōu)阻抗區(qū)域，第二電感模塊50引出第二導(dǎo)線501并在末端串連3.8nH的第二電感L2再接地以作為準(zhǔn)分布式并聯(lián)電感匹配，第二電容模塊60采用“重合面積5*3_，間隙0.7mm”的PWB上下層導(dǎo)電層形成的平板電容C2作為分布式串聯(lián)電容匹配，以及第三電感模塊70采用12nH電感。
[0044]進(jìn)一步地，圖7為基于圖5所示模型進(jìn)行仿真的RL(Return Loss,反射損耗)頻率曲線圖，其中，SI為圖5所示模型的RL頻率曲線。從SI中可以發(fā)現(xiàn)，移動(dòng)終端的天線I工作帶寬比較寬，可以輕松覆蓋LB“800MHz?960MHz?1.07GHz”，HB“l(fā).7IGHz?2.7GHz”。
[0045]進(jìn)一步地，如圖4和圖6所示，在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)移動(dòng)終端采用雙饋方案，即移動(dòng)終端的饋電端80包括高頻饋電端801和低頻饋電端802時(shí)，第一電容模塊40的另一端與高頻饋電端801相連，第三電感模塊70的另一端與低頻饋電端802相連，移動(dòng)終端的天線I為4G LTE cellular PWB天線。具體地，如圖6所示，高頻支路11和低頻支路12分開。其中，在高頻支路11中，第二高頻輻射枝節(jié)101引入4nH的串聯(lián)加載電感即第三電感L3，來調(diào)整高頻輻射單元10的初始阻抗落到可寬帶匹配的最優(yōu)阻抗區(qū)域，第一電感模塊30采用末端接地的一段短路線即第一導(dǎo)線301作為分布式并聯(lián)電感匹配，以及第一電容模塊40采用“重合面積3.5*3mm,間隙0.7mm”的PWB上下層導(dǎo)電層形成的平板電容Cl作為分布式串聯(lián)電容匹配，平板電容Cl的等效電容值〈lpF，所以高頻輻射單元10對(duì)低頻信號(hào)呈現(xiàn)高阻抗，并可以隔離第二高頻輻射枝節(jié)101對(duì)第二低頻輻射枝節(jié)201阻抗的影響。另外，在低頻支路12中，第二低頻輻射枝節(jié)201引入7.6nH的串聯(lián)加載電感即第四電感L4，來調(diào)整低頻輻射單元20的初始阻抗落到可寬帶匹配的最優(yōu)阻抗區(qū)域，第二電感模塊50米用5.8nH的第一電感LI作為分布式并聯(lián)電感匹配,第二電容模塊60米用“重合面積4.5*3mm，間隙0.7mm”的PWB上下層導(dǎo)電層形成的平板電容C2作為分布式串聯(lián)電容匹配，以及第三電感模塊70采用13nH電感。進(jìn)一步地，圖8為基于圖6所示模型進(jìn)行仿真的S參數(shù)頻率曲線圖，其中，S2、S3、S4和S5為基于圖6所示模型進(jìn)行仿真后獲得的四個(gè)S參數(shù)頻率曲線，S2為低頻饋電端802的Sll頻率曲線或RL頻率曲線，S3為高頻饋電端801的S22頻率曲線或RL頻率曲線，S4和S5為低頻饋電端802與高頻饋電端801之間的隔離度S12頻率曲線或隔離度S21頻率曲線。從S2、S3、S4和S5中可以發(fā)現(xiàn)，移動(dòng)終端的天線I工作帶寬比較寬，可以輕松覆蓋 LB “800MHz ?960MHz ?1.07GHz”，HB “1.7IGHz ?2.7GHz”，同時(shí)高頻饋電端801和低頻饋電端802的仿真隔離度<-20dB，隔離效果好。
[0046]需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線I不僅可以應(yīng)用于4G LTEcellular主天線,移動(dòng)終端的天線I中單獨(dú)的高頻支路11或低頻支路12還可以應(yīng)用于LTEDiversity (LTE分集)、GPS (Global Posit1n System,全球衛(wèi)星定位系統(tǒng))、BT (Bluetooth,藍(lán)牙)、WLAN (Wireless Local Area Networks,無線局域網(wǎng)絡(luò))等天線的設(shè)計(jì)。
[0047]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例的移動(dòng)終端的天線I能同時(shí)適用于采用單饋方案的移動(dòng)終端和采用雙饋方案的移動(dòng)終端，且無論是第二高頻輻射枝節(jié)101還是第二低頻輻射枝節(jié)201，電長度均可顯著小于傳統(tǒng)意義上的天線諧振長度(λ /4)，且高頻支路11和低頻支路12所需諧振頻率和頻段帶寬可通過串聯(lián)加載電感和分布式串聯(lián)電容、并聯(lián)電感匹配來獲取，因此移動(dòng)終端的天線I可實(shí)現(xiàn)小型化和簡潔化，并避免對(duì)復(fù)雜且高成本的天線生產(chǎn)工藝的依賴，便于分開獨(dú)立調(diào)試，可靠性高且成本低。
[0048]本實(shí)用新型提出的移動(dòng)終端的天線，通過將天線分成高頻和低頻兩個(gè)支路，并通過串聯(lián)加載電感來增加高頻支路中高頻輻射單元和低頻支路中低頻輻射單元的電長度，以及分別對(duì)高頻支路和低頻支路進(jìn)行并電感模塊和串電容模塊匹配來獲取所需諧振頻率和頻段帶寬，最后根據(jù)移動(dòng)終端的饋電方案連接高頻支路和低頻支路。該移動(dòng)終端的天線能夠在兼容單饋方案和雙饋方案的同時(shí)，獲得更加優(yōu)化的超寬帶和高隔離度，大大減少了對(duì)復(fù)雜且高成本的天線生產(chǎn)工藝的依賴，顯著提高了天線的可靠性，應(yīng)用范圍廣，并且調(diào)試方便。
[0049]本實(shí)用新型另一方面還提出了一種移動(dòng)終端，該移動(dòng)終端包括的移動(dòng)終端的天線
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[0050]本實(shí)用新型提出的移動(dòng)終端，通過移動(dòng)終端的天線來獲得更加優(yōu)化的超寬帶和高隔離度，大大減少了對(duì)復(fù)雜且高成本的天線生產(chǎn)工藝的依賴，可靠性高，應(yīng)用范圍廣，并且調(diào)試方便。
[0051]流程圖中或在此以其他方式描述的任何過程或方法描述可以被理解為，表示包括一個(gè)或更多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)特定邏輯功能或過程的步驟的可執(zhí)行指令的代碼的模塊、片段或部分，并且本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式的范圍包括另外的實(shí)現(xiàn)，其中可以不按所示出或討論的順序,包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時(shí)的方式或按相反的順序,來執(zhí)行功能,這應(yīng)被本實(shí)用新型的實(shí)施例所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員所理解。
[0052]在流程圖中表示或在此以其他方式描述的邏輯和/或步驟，例如，可以被認(rèn)為是用于實(shí)現(xiàn)邏輯功能的可執(zhí)行指令的定序列表，可以具體實(shí)現(xiàn)在任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備(如基于計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)、包括處理器的系統(tǒng)或其他可以從指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備取指令并執(zhí)行指令的系統(tǒng))使用，或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用。就本說明書而言，"計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)"可以是任何可以包含、存儲(chǔ)、通信、傳播或傳輸程序以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用的裝置。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的更具體的示例(非窮盡性列表)包括以下:具有一個(gè)或多個(gè)布線的電連接部(電子裝置)，便攜式計(jì)算機(jī)盤盒(磁裝置)，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)，只讀存儲(chǔ)器(R0M)，可擦除可編輯只讀存儲(chǔ)器(EPR0M或閃速存儲(chǔ)器)，光纖裝置，以及便攜式光盤只讀存儲(chǔ)器(⑶ROM)。另外，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)甚至可以是可在其上打印所述程序的紙或其他合適的介質(zhì)，因?yàn)榭梢岳缤ㄟ^對(duì)紙或其他介質(zhì)進(jìn)行光學(xué)掃描，接著進(jìn)行編輯、解譯或必要時(shí)以其他合適方式進(jìn)行處理來以電子方式獲得所述程序，然后將其存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中。
[0053]應(yīng)當(dāng)理解，本實(shí)用新型的各部分可以用硬件、軟件、固件或它們的組合來實(shí)現(xiàn)。在上述實(shí)施方式中，多個(gè)步驟或方法可以用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中且由合適的指令執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行的軟件或固件來實(shí)現(xiàn)。例如，如果用硬件來實(shí)現(xiàn)，和在另一實(shí)施方式中一樣，可用本領(lǐng)域公知的下列技術(shù)中的任一項(xiàng)或他們的組合來實(shí)現(xiàn):具有用于對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)實(shí)現(xiàn)邏輯功能的邏輯門電路的離散邏輯電路，具有合適的組合邏輯門電路的專用集成電路，可編程門陣列(PGA)，現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等。
[0054]本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法攜帶的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，包括方法實(shí)施例的步驟之一或其組合。
[0055]此外，在本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理模塊中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，也可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。
[0056]上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤或光盤等。
[0057]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0058]盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。
【權(quán)利要求】
1.一種移動(dòng)終端的天線，其特征在于，包括: 高頻福射單元和低頻福射單元； 第一電感模塊，所述第一電感模塊的一端與所述高頻輻射單元相連，所述第一電感模塊的另一端接地； 第一電容模塊，所述第一電容模塊的一端分別與所述第一電感模塊的一端和所述高頻輻射單元相連，所述第一電容模塊的另一端與移動(dòng)終端的饋電端相連； 第二電感模塊，所述第二電感模塊的一端與所述低頻輻射單元相連，所述第二電感模塊的另一端接地； 第二電容模塊，所述第二電容模塊的一端分別與所述第二電感模塊的一端和所述低頻輻射單元相連；以及 第三電感模塊，所述第三電感模塊的一端與所述第二電容模塊的另一端相連，所述第三電感模塊的另一端與所述移動(dòng)終端的饋電端相連。
2.如權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，當(dāng)所述移動(dòng)終端的饋電端包括高頻饋電端和低頻饋電端時(shí)，所述第一電容模塊的另一端與所述高頻饋電端相連，所述第三電感模塊的另一端與所述低頻饋電端相連。
3.如權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述第一電感模塊為第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線為一段末端接地的短路導(dǎo)線。
4.如權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述第二電感模塊包括第一電感或串聯(lián)的第二導(dǎo)線和第二電感，所述第二電感的一端接地。
5.如權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述第三電感模塊的電感值在1nH至20nH之間。
6.如權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述第一電容模塊為由印制線路板PWB上下導(dǎo)電層形成的平板電容，所述第二電容模塊為集總電容或由PWB上下導(dǎo)電層形成的平板電容。
7.如權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述高頻輻射單元包括單個(gè)第一高頻輻射枝節(jié)或串聯(lián)的第二高頻輻射枝節(jié)和第三電感，所述第三電感的一端與所述第二高頻輻射枝節(jié)的一端相連，所述第三電感的另一端與所述第一電感模塊的一端和所述第一電容模塊的一端之間的第一公共端相連。
8.如權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述低頻輻射單元包括單個(gè)第一低頻輻射枝節(jié)或串聯(lián)的第二低頻輻射枝節(jié)和第四電感，所述第四電感的一端與所述第二低頻輻射枝節(jié)的一端相連，所述第四電感的另一端與所述第二電感模塊的一端和所述第二電容模塊的一端之間的第二公共端相連。
9.如權(quán)利要求7或8所述的天線,其特征在于,所述高頻福射枝節(jié)和所述低頻福射枝節(jié)設(shè)置在所述移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)殼或結(jié)構(gòu)支架或所述PWB上。
10.一種移動(dòng)終端，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的移動(dòng)終端的天線。
【文檔編號(hào)】H01Q1/36GK204067566SQ201420352918
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月26日
【發(fā)明者】郭慶余 申請人:比亞迪股份有限公司