集成電路取放裝置制造方法
【專利摘要】一種集成電路取放裝置，其具有：一承臺(tái)；一吹氣單元，其系升降地設(shè)于該承臺(tái)的下方；以及一吸取單元，其系升降地設(shè)于該承臺(tái)的上方；其中，該承臺(tái)系供一膜體設(shè)置，該膜體具有至少一通孔，各通孔具有一集成電路；該吹氣單元系將該集成電路吹離該膜體，以使該吸取單元吸取該集成電路。吸取裝置與吹氣裝置系分別提供一負(fù)壓氣體與一高壓氣體，而使集成電路與膜體二者相分離，藉以達(dá)到自動(dòng)化分離膜體與集成電路的效果。
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種集成電路取放裝置，其系利用負(fù)壓氣體與高壓氣體，而使集 成電路與膜體二者相互分離。 集成電路取放裝置

【背景技術(shù)】
[0002] 于半導(dǎo)體制程中，利用濺鍍技術(shù)將金屬靶材濺鍍于集成電路的表面，其主要目的 在于屏蔽電磁干擾（EMI)，以提高應(yīng)用于集成電路的品質(zhì)與良率。于本案所指之集成電路系 泛指晶圓、晶粒、未封裝之晶粒、已封裝之晶粒、未封膠之晶粒或已封膠之晶粒。
[0003] 于濺鍍制程中，集成電路的一面系貼附于一膜體，該面系緊密貼附于膜體，該面系 具有多個(gè)接點(diǎn)，該些接點(diǎn)系呈平坦?fàn)?。集成電路的其余各面，即集成電路的五面，其系進(jìn)行 濺鍍制程。
[0004] 然而，完成濺鍍的集成電路僅能以人工方式一顆一顆由膜體分離，并放置于料盤 中。
[0005] 隨著現(xiàn)今電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)達(dá)，對(duì)于集成電路目標(biāo)的尺寸與功能的要求系日益提升， 因此原集成電路未被濺鍍的一面系設(shè)有多個(gè)凸出接點(diǎn)或被動(dòng)元件，而凸出接點(diǎn)或被動(dòng)元件 系造成集成電路應(yīng)與膜體緊密貼附的一面，無(wú)法緊密貼附，而使該面與膜體之間具有空隙， 該空隙會(huì)于濺鍍制程中產(chǎn)生溢鍍的情況。
[0006] 如上所述，如何改善溢鍍的情況，以及降低人工的使用率于分離集成電路與膜體， 其系成為各廠商所探討的項(xiàng)目。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本實(shí)用新型目的在于提供一種集成電路取放裝置，其系利用高壓氣體與負(fù)壓氣 體，而使膜體與集成電路二者相分離，以達(dá)到自動(dòng)化分離膜體與集成電路的效果。
[0008] 為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種集成電路取放裝置，其具 有：
[0009] 一承臺(tái)；
[0010] 一吹氣單元，其升降地設(shè)于所述承臺(tái)的下方；以及
[0011] 一吸取單元，其升降地設(shè)于所述承臺(tái)的上方；
[0012] 其中，所述承臺(tái)供一膜體設(shè)置，該膜體具有至少一通孔，各通孔上具有一集成電 路；所述吹氣單元將所述集成電路吹離該膜體，以使所述吸取單元吸取所述集成電路。
[0013] 上述方案中，所述承臺(tái)具有至少一穿孔，該穿孔系相對(duì)于所述通孔。所述吹氣單元 具有至少一頂針與一供氣與升降模組，所述頂針的一端系突伸至該穿孔中，所述供氣與升 降模組系耦接所述頂針的另端。所述頂針具有一吹孔。
[0014] 上述方案中，所述吸取裝置具有至少一吸取頭與一負(fù)壓與升降模組，所述吸取頭 系相對(duì)于所述穿孔，所述負(fù)壓與升降模組系耦接所述吸取頭的一端。所述吸取頭具有一吸 孔。所述吸取裝置具有至少一罩蓋，該罩蓋系設(shè)于所述吸取頭的另一端。
[0015] 本實(shí)用新型集成電路取放裝置，其吸取裝置與吹氣裝置系分別提供一負(fù)壓氣體與 一高壓氣體，而使集成電路與膜體二者相分離，藉以達(dá)到自動(dòng)化分離膜體與集成電路的效 果。
[0016] 另外，本實(shí)用新型系利用具有通孔之膜體，當(dāng)集成電路設(shè)于膜體時(shí)，集成電路的被 動(dòng)元件或凸出接點(diǎn)系位于通孔中，故于進(jìn)行集成電路溉鍍時(shí)，被動(dòng)元件或凸出接點(diǎn)系無(wú)法 被金屬薄膜所蓋覆。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例貼附有集成電路的膜體的立體示意圖；
[0018] 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例集成電路取放裝置的動(dòng)作示意圖一；
[0019] 圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例集成電路取放裝置的動(dòng)作示意圖二。
[0020] 以上附圖中：10、I旲體；11、通孔；12、集成電路；120、被動(dòng)兀件；20、承臺(tái)；200、芽 孔；21、吹氣單元；210、頂針；211、升降模組；212、吹孔；22、吸取單元；220、吸取頭；221、升 降模組；222、罩蓋；223、吸孔。

【具體實(shí)施方式】
[0021] 下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述：
[0022] 實(shí)施例：參見圖1-3所示：
[0023] 請(qǐng)配合參考圖1與圖2所示，本實(shí)施例系一種集成電路取放裝置，其系應(yīng)用于具有 至少一通孔11的膜體10,各通孔11具有一集成電路12。該集成電路取放裝置具有一承臺(tái) 20、一吹氣單元21與一吸取單元22。
[0024] 承臺(tái)20具有至少一穿孔200,承臺(tái)20系供上述膜體10設(shè)置，通孔11系相對(duì)于穿 孔200。所述膜體10的兩面分別具有黏性，膜體10的一面系貼附于承臺(tái)20,膜體10的另 一面系黏附上述至少一個(gè)集成電路12。
[0025] 吹氣單元21系設(shè)于承臺(tái)20的下方，吹氣單元21具有至少一頂針210與一供氣與 升降模組211。頂針210具有一吹孔212,頂針210的一端系突伸至穿孔200中。供氣與升 降模組211系耦接頂針210的另端，以使頂針210能夠于穿孔200中升降，并且供氣與升降 模組211系提供一高壓氣體吹孔212。
[0026] 所述吸取裝置22系設(shè)于承臺(tái)20的上方。吸取裝置22具有至少一吸取頭220、一 負(fù)壓與升降模組221及至少一罩蓋222。吸取頭220系相對(duì)于穿孔200,吸取頭220具有一 吸孔223。負(fù)壓與升降模組221系耦接吸取頭220的一端，以提供一負(fù)壓氣體給吸取頭220， 并且該負(fù)壓與升降模組221系使吸取頭220能夠相對(duì)于承臺(tái)20升降。罩蓋222系設(shè)于吸 取頭220的另一端。
[0027] 如圖1所示，膜體10具有通孔11。如圖2所示，集成電路12未被溉鍍的一面具有 被動(dòng)元件120或凸出接點(diǎn)，該集成電路12系貼附于膜體10的一面，故集成電路12與膜體 10之間未存有間隙，并使該些被動(dòng)元件120或凸出接點(diǎn)系位于通孔11中。
[0028] 當(dāng)集成電路12進(jìn)行濺鍍時(shí)，因膜體10與集成電路12之間無(wú)間隙，故金屬薄膜無(wú) 法被鍍于位于通孔11中之被動(dòng)元件120或凸出接點(diǎn)，故能夠避免被動(dòng)元件120或凸出接點(diǎn) 被鍍上金屬薄膜。
[0029] 請(qǐng)?jiān)倥浜蠀⒖紙D2所示，當(dāng)欲將集成電路12與膜體10相互脫離時(shí)，膜體10系貼 附于承臺(tái)20。受到供氣與升降模組211的驅(qū)動(dòng)，頂針210系朝向通孔11方向移動(dòng)。供氣與 升降模組211系提供一高壓氣體給頂針210,該高壓氣體系通過吹孔212吹向集成電路12。
[0030] 于上述頂針210朝向集成電路12上升時(shí)，負(fù)壓與升降模組221亦使吸取頭220朝 向集成電路12下降，以使罩蓋222將所欲吸取的集成電路12予以罩覆。
[0031] 當(dāng)上述之高壓氣體吹向集成電路時(shí)，負(fù)壓與升降模組221系提供一負(fù)壓氣體給吸 取頭220,該負(fù)壓氣體系通過吸孔223吸取集成電路12。因該集成電路12系被罩蓋222所 罩覆，故該集成電路12系處于一密閉空間。藉由高壓氣體與負(fù)壓氣體二者的作用下，集成 電路12系與膜體10相分離，并被吸取頭220所吸取。
[0032] 待吸取頭220吸附集成電路12,負(fù)壓與升降模組221系使吸取頭220上升，如圖3 所示，并將吸取頭220移動(dòng)至一預(yù)設(shè)的工作站，于該工作站，吸取頭220系能夠釋放集成電 路12,并再回復(fù)至最初位置，以進(jìn)行下一吸取集成電路12的動(dòng)作。
[0033] 于吸取頭220上升時(shí)，供氣與升降模組211系使頂針210下降，以使頂針210回到 最初位置，再待下一頂出集成電路12的動(dòng)作。供氣與升降模組211亦停止供應(yīng)高壓氣體給 頂針210。
[0034] 綜合上述，本實(shí)施例所使用具有通孔11的膜體10,該些通孔11系能夠收納被動(dòng)元 件120,以使該些被動(dòng)元件120或凸出接點(diǎn)于集成電路12的濺渡過程中，不會(huì)被金屬薄膜所 覆蓋。
[0035] 另外，本創(chuàng)作的吹氣單元21與吸取單元22系分別提供高壓氣體與負(fù)壓氣體給集 成電路12,以使集成電路12與膜體10二者相互分離，藉此達(dá)到自動(dòng)化集成電路12與膜體 10分離的效果，以節(jié)省人工支出，并降低成本支出。
[0036] 上述實(shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù) 的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。 凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之 內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種集成電路取放裝置，其特征在于：其具有： 一承臺(tái)； 一吹氣單元，其升降地設(shè)于所述承臺(tái)的下方；以及 一吸取單元，其升降地設(shè)于所述承臺(tái)的上方； 其中，所述承臺(tái)供一膜體設(shè)置，該膜體具有至少一通孔，各通孔上具有一集成電路；所 述吹氣單元將所述集成電路吹離該膜體，以使所述吸取單元吸取所述集成電路。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述集成電路取放裝置，其特征在于：所述承臺(tái)具有至少一穿孔，該 穿孔系相對(duì)于所述通孔。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述集成電路取放裝置，其特征在于：所述吹氣單元具有至少一頂 針與一供氣與升降模組，所述頂針的一端系突伸至該穿孔中，所述供氣與升降模組系耦接 所述頂針的另端。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述集成電路取放裝置，其特征在于：所述頂針具有一吹孔。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述集成電路取放裝置，其特征在于：所述吸取裝置具有至少一吸 取頭與一負(fù)壓與升降模組，所述吸取頭系相對(duì)于所述穿孔，所述負(fù)壓與升降模組系耦接所 述吸取頭的一端。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述集成電路取放裝置，其特征在于：所述吸取頭具有一吸孔。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述集成電路取放裝置，其特征在于：所述吸取裝置具有至少一罩 蓋，該罩蓋系設(shè)于所述吸取頭的另一端。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK203850267SQ201420220839
【公開日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月4日
【發(fā)明者】賴宏能, 許志宏 申請(qǐng)人:蘇州均華精密機(jī)械有限公司