一種正方平面全封閉型磁芯以及應(yīng)用所述磁芯的電路板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種正方平面全封閉型磁芯，包括繞線柱、圍板、底板和封板；底板為正方形平板，繞線柱為圓柱體且位于底板中心，圍板垂直設(shè)在底板上并處于繞線柱外圍，圍板的第二側(cè)板的內(nèi)壁為與繞線柱的外壁同軸的圓弧面，并且第一側(cè)板、第二側(cè)板和第三側(cè)板連接處的內(nèi)壁都為同一圓弧過(guò)渡，圍板外壁的側(cè)棱設(shè)有倒角，封板垂直設(shè)在底板上并與第二側(cè)板相對(duì)布置，封板兩端至第一側(cè)板和第三側(cè)板之間分別形成寬度相等的進(jìn)口和出口。本實(shí)用新型提出的平面型磁芯，磁芯的結(jié)構(gòu)布局合理，有效工作面積大、磁屏蔽性能好，提高了磁芯的電磁特性的穩(wěn)定性和可靠性。本實(shí)用新型還提出了一種電路板，應(yīng)用上述平面型磁芯。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種正方平面全封閉型磁芯以及應(yīng)用所述磁芯的電路板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及磁芯【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種正方平面全封閉型磁芯以及應(yīng)用所 述磁芯的電路板。

【背景技術(shù)】
[0002] 磁芯是由各種氧化鐵混合物組成的燒結(jié)磁性金屬氧化物，現(xiàn)有技術(shù)中，鐵氧體磁 芯用于各種電子設(shè)備的線圈和變壓器中。例如，錳鋅鐵氧體和鎳鋅鐵氧體是典型的磁芯體 材料，其中，錳鋅鐵氧體具有高磁導(dǎo)率和高磁通密度的特點(diǎn)，在低于1MHz的頻率時(shí)具有較 低損耗的特性，鎳鋅鐵氧體具有極高的阻抗率、不到幾百的低磁導(dǎo)率等特性，以及在高于 1MHz的頻率產(chǎn)生較低損耗等。
[0003] 磁芯的材料和結(jié)構(gòu)是影響磁芯性能的重要因素。常規(guī)的鐵氧體磁芯，磁芯有效面 積小，電磁穩(wěn)定性可靠性差，磁屏蔽亦較差等缺點(diǎn)。因此，需要設(shè)計(jì)一種磁芯，該磁芯應(yīng)電磁 特性的穩(wěn)定性可靠性高、易繞制線圈、具有良好的磁屏蔽性能。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0004] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型提出了一種正方平面全封閉型磁芯，磁芯 的結(jié)構(gòu)布局合理，有效工作面積大、磁屏蔽性能好，提高了磁芯的電磁特性的穩(wěn)定性和可靠 性。
[0005] 本實(shí)用新型提出的一種正方平面全封閉型磁芯，包括：繞線柱、圍板、底板和封板； 底板為正方形平板，繞線柱為圓柱體，繞線柱設(shè)在底板中心，圍板垂直設(shè)在底板上并處于繞 線柱外圍，圍板由依次連接的第一側(cè)板、第二側(cè)板和第三側(cè)板一體圍成，第二側(cè)板的內(nèi)壁為 與繞線柱的外壁同軸的圓弧面，并且，第一側(cè)板、第二側(cè)板和第三側(cè)板連接處的內(nèi)壁都為同 一圓弧過(guò)渡，圍板的外壁的側(cè)棱設(shè)有倒角，封板垂直設(shè)在底板上并與第二側(cè)板相對(duì)布置，封 板的長(zhǎng)度D1小于底板的邊長(zhǎng)，封板第一端與第一側(cè)板之間形成進(jìn)口并且兩者的距離為D2， 封板第二端與第三側(cè)板之間形成出口并且兩者的距離為D3, D2 = D3,繞線柱外壁至第二 側(cè)板內(nèi)壁的距離為D4,繞線柱外壁至封板內(nèi)壁的距離D5, D4 < D5,繞線柱的直徑為D6， D6>D1。
[0006] 優(yōu)選地，D1〈D5。
[0007] 優(yōu)選地,底板的底部的棱設(shè)有倒角。
[0008] 本實(shí)用新型提出的正方平面全封閉型磁芯中，包括繞線柱、圍板、底板和封板；底 板為正方形平板，繞線柱為圓柱體且位于底板的中心，圍板垂直設(shè)在底板上并處于繞線柱 外圍，圍板由依次連接的第一側(cè)板、第二側(cè)板和第三側(cè)板一體圍成，第二側(cè)板的內(nèi)壁為與繞 線柱的外壁同軸的圓弧面，并且第一側(cè)板、第二側(cè)板和第三側(cè)板連接處的內(nèi)壁都為同一圓 弧過(guò)渡，圍板的外壁的側(cè)棱設(shè)有倒角，封板垂直設(shè)在底板上并與第二側(cè)板相對(duì)布置，封板兩 端至第一側(cè)板和第三側(cè)板之間分別形成寬度相等的進(jìn)口和出口，繞線柱外壁至第二側(cè)板內(nèi) 壁的距離小于或等于繞線柱外壁至封板內(nèi)壁的距離，封板的長(zhǎng)度小于繞線柱的直徑。通過(guò) 對(duì)磁芯結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，增大了磁芯的有效工作面積，實(shí)現(xiàn)了磁芯全封閉結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了磁 屏蔽效果，減小漏磁的發(fā)生，同時(shí)磁芯的結(jié)構(gòu)布局和設(shè)計(jì)更加合理，易于線圈繞線，提高了 磁芯的電磁特性的穩(wěn)定性和可靠性。
[0009] 本實(shí)用新型還提出了一種電路板，所述電路板上設(shè)有安裝通孔，所述安裝通孔中 設(shè)有相對(duì)放置的兩個(gè)上述正方平面全封閉型磁芯，所述正方平面全封閉型磁芯的底板所在 平面平行于電路板所在表面，兩個(gè)磁芯的繞線柱、圍板和封板分別彼此緊靠，在繞線柱上纏 繞有線圈。
[0010] 所述電路板的技術(shù)效果與上述正方平面全封閉型磁芯效果基本相似，因此在這里 不再贅述。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011] 圖1為本實(shí)用新型提出的一種正方平面全封閉型磁芯的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012] 圖2為圖1中提出的正方平面全封閉型磁芯安裝到電路板上的側(cè)視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0013] 下面結(jié)合附圖并通過(guò)【具體實(shí)施方式】來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案：
[0014] 如圖1至2所示，圖1為本實(shí)用新型提出的一種正方平面全封閉型磁芯的結(jié)構(gòu)示 意圖，圖2為圖1中提出的正方平面全封閉型磁芯安裝到電路板上的側(cè)視圖。
[0015] 參照?qǐng)D1，本實(shí)用新型提出的一種正方平面全封閉型磁芯，包括：繞線柱1、圍板2、 底板3和封板4 ;
[0016] 底板3為正方形平板，繞線柱1為圓柱體，繞線柱1設(shè)在底板3中心，圍板2垂直 設(shè)在底板3上并處于繞線柱1外圍，圍板2由依次連接的第一側(cè)板、第二側(cè)板和第三側(cè)板一 體圍成，第二側(cè)板的內(nèi)壁為與繞線柱1的外壁同軸的圓弧面，并且，第一側(cè)板、第二側(cè)板和 第三側(cè)板連接處的內(nèi)壁都為同一圓弧過(guò)渡，圍板2的外壁的側(cè)棱設(shè)有倒角，封板4垂直設(shè)在 底板3上并與第二側(cè)板相對(duì)布置，底板3的底部設(shè)有倒角；
[0017] 封板4的長(zhǎng)度D1小于底板3的邊長(zhǎng)，封板4第一端與第一側(cè)板之間形成進(jìn)口并且 兩者的距離為D2,封板4第二端與第三側(cè)板之間形成出口并且兩者的距離為D3, D2 = D3， 繞線柱1外壁至第二側(cè)板內(nèi)壁的距離為D4,繞線柱1外壁至封板4內(nèi)壁的距離D5, D4〈D5， D5>D1，繞線柱的直徑為D6，D6>D1。
[0018] 在本實(shí)施例中，磁芯包括繞線柱1、圍板2、底板3和封板4 ;底板3為正方形平板， 繞線柱1為圓柱體且位于底板3的中心，圍板2垂直設(shè)在底板3上并處于繞線柱1外圍，圍 板2由依次連接的第一側(cè)板、第二側(cè)板和第三側(cè)板一體圍成，第二側(cè)板的內(nèi)壁為與繞線柱 1的外壁同軸的圓弧面，并且第一側(cè)板、第二側(cè)板和第三側(cè)板連接處的內(nèi)壁都為同一圓弧過(guò) 渡，圍板2的外壁的側(cè)棱設(shè)有倒角，封板4垂直設(shè)在底板3上并與第二側(cè)板相對(duì)布置，封板4 兩端至第一側(cè)板和第三側(cè)板之間分別形成寬度相等的進(jìn)口和出口，繞線柱1外壁至第二側(cè) 板內(nèi)壁的距離小于或等于繞線柱1外壁至封板4內(nèi)壁的距離，封板4的長(zhǎng)度小于繞線柱1 的直徑。通過(guò)對(duì)磁芯結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，增大了磁芯的有效工作面積，實(shí)現(xiàn)了磁芯全封閉結(jié) 構(gòu)，增強(qiáng)了磁屏蔽效果，同時(shí)磁芯的結(jié)構(gòu)布局和設(shè)計(jì)更加合理，易于線圈繞線，提高了磁芯 的電磁特性的穩(wěn)定性和可靠性。
[0019] 在具體實(shí)施中，繞線柱1外壁至第二側(cè)板內(nèi)壁的距離D4小于繞線柱1外壁至封板 內(nèi)壁的距離D5,使得在封板4 一側(cè)的繞線空間大于圍板一側(cè)的繞線空間，利用空間來(lái)補(bǔ)償 由于設(shè)有繞線入口和出口的磁屏蔽效果不足，同時(shí)D1〈D5,進(jìn)一步增強(qiáng)封板4 一側(cè)的磁屏蔽 效果，減小漏磁。
[0020] 圍板2的底部的棱設(shè)有倒角，底板3的底部的棱設(shè)有倒角，便于磁芯組裝。
[0021] 在本實(shí)用新型實(shí)施例中，還提出一種電路板5。參照?qǐng)D2,電路板5上設(shè)有兩個(gè)上 述正方平面全封閉型磁芯。在具體設(shè)置過(guò)程中，電路板4中設(shè)有安裝通孔，兩個(gè)正方平面全 封閉型磁芯在該安裝通孔中相對(duì)設(shè)置，兩個(gè)正方平面全封閉型磁芯的底板3所在平面平行 于電路板5所在平面，兩個(gè)正方平面全封閉型磁芯的繞線柱1、圍板2和封板4分別彼此緊 靠，繞線通過(guò)磁芯上的入口進(jìn)入圍板2和繞線柱1之間的繞線通道內(nèi)，纏繞在繞線柱1上形 成線圈，并且從磁芯上的出口引出；在使用過(guò)程中，磁芯嵌入電路板5中，電流流過(guò)線圈時(shí) 生成感應(yīng)磁場(chǎng)，在更小的電路板空間中實(shí)現(xiàn)磁回路，提高電路板5的空間利用率；同時(shí)，線 圈被包圍在兩個(gè)磁芯構(gòu)成的全封閉結(jié)構(gòu)內(nèi)，減少漏磁現(xiàn)象的發(fā)生，有效地起到磁屏蔽作用。
[0022] 以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不 局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用 新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范 圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種正方平面全封閉型磁芯，其特征在于，包括：繞線柱（1)、圍板（2)、底板（3)和 封板⑷；底板⑶為正方形平板，繞線柱⑴為圓柱體，繞線柱⑴設(shè)在底板⑶中心，圍 板（2)垂直設(shè)在底板（3)上并處于繞線柱（1)外圍，圍板（2)由依次連接的第一側(cè)板、第二 側(cè)板和第三側(cè)板一體圍成，第二側(cè)板的內(nèi)壁為與繞線柱（1)的外壁同軸的圓弧面，并且，第 一側(cè)板、第二側(cè)板和第三側(cè)板連接處的內(nèi)壁都為同一圓弧過(guò)渡，圍板（2)的外壁的側(cè)棱設(shè) 有倒角，封板（4)垂直設(shè)在底板（3)上并與第二側(cè)板相對(duì)布置，封板（4)的長(zhǎng)度D1小于底板 (3) 的邊長(zhǎng)，封板（4)第一端與第一側(cè)板之間形成進(jìn)口并且兩者的距離為D2,封板（4)第二 端與第三側(cè)板之間形成出口并且兩者的距離為D3，D2 = D3,繞線柱（1)外壁至第二側(cè)板內(nèi) 壁的距離為D4,繞線柱（1)外壁至封板（4)內(nèi)壁的距離D5, D4彡D5,繞線柱的直徑為D6， D6>D1。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的正方平面全封閉型磁芯，其特征在于，D2〈D1。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的正方平面全封閉型磁芯，其特征在于，底板（3)的底部的棱設(shè) 有倒角。
4. 一種電路板，其特征在于，所述電路板上設(shè)有安裝通孔，所述安裝通孔中設(shè)有相對(duì)放 置的兩個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的正方平面全封閉型磁芯，所述正方平面全封閉型 磁芯的底板（3)所在平面平行于電路板所在表面，兩個(gè)磁芯的繞線柱（1)、圍板（2)和封板 (4) 分別彼此緊靠，在繞線柱（1)上纏繞有線圈。
【文檔編號(hào)】H01F27/24GK203910445SQ201420201152
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年4月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月23日
【發(fā)明者】沈宏江 申請(qǐng)人:安徽華林磁電科技有限公司