一種低等效串聯(lián)電阻電容器的制造方法
【專利摘要】一種低等效串聯(lián)電阻電容器，它涉及電容器【技術(shù)領(lǐng)域】。它包括外殼、芯子單元、電極焊片，所述的外殼內(nèi)有多個(gè)芯子單元并聯(lián)連接后與外殼上方的兩個(gè)電極焊片連接，所述電極焊片上開有一個(gè)長橢圓形孔，所述電極焊片間的間距等于IGBT的連接孔的孔距。本實(shí)用新型它采用左右電極焊片，幾乎無連接電感，內(nèi)部單元芯子采用多層內(nèi)串結(jié)構(gòu)，等效串聯(lián)電阻低，對IGBT的尖峰保護(hù)效果好。
【專利說明】-種低等效串聯(lián)電阻電容器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及電容器【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種低等效串聯(lián)電阻電容器。

【背景技術(shù)】
[0002] 電容器是一種常用的電子產(chǎn)品，同時(shí)電容器也有很多的分類，有高載流的、濾波 的、防爆的等等，這些不同功能的電容均可滿足了一定的要求，電子產(chǎn)品中常用到一種IGBT 高精密半導(dǎo)體元器件，其既具有M0SFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極 型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，但是這種元器件常受到尖峰電壓的損害，而普通電容 器因?yàn)殡姼懈?、等效串?lián)電阻使得對該元器件保護(hù)效果不佳。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0003] 本實(shí)用新型的目的是提供一種低等效串聯(lián)電阻電容器，它采用左右電極焊片，幾 乎無連接電感，內(nèi)部單元芯子采用多層內(nèi)串結(jié)構(gòu)，等效串聯(lián)電阻低，對IGBT的尖峰保護(hù)效 果好。
[0004] 為了解決【背景技術(shù)】中所存在的問題，本實(shí)用新型是采用以下技術(shù)方案：它包括外 殼、芯子單元、電極焊片，所述的外殼內(nèi)有多個(gè)芯子單元并聯(lián)連接后與外殼上方的兩個(gè)電極 焊片連接，所述電極焊片上開有一個(gè)長橢圓形孔，所述電極焊片間的間距等于IGBT的連接 孔的孔距。
[0005] 本實(shí)用新型它采用左右電極焊片，幾乎無連接電感，內(nèi)部單元芯子采用多層內(nèi)串 結(jié)構(gòu)，等效串聯(lián)電阻低，對IGBT的尖峰保護(hù)效果好。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0007] 圖2為圖1的左視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0008] 參見圖1-2, 一種低等效串聯(lián)電阻電容器，它包括外殼1、芯子單元2、電極焊片3， 所述的外殼1內(nèi)有多個(gè)芯子單元2并聯(lián)連接后與外殼1上方的連個(gè)電極焊片3連接，所述 電極焊片3上開有一個(gè)長橢圓形孔，所述電極焊片3間的間距等于IGBT的連接孔的孔距。 安裝時(shí)將電極焊片上的長橢圓形孔對準(zhǔn)IGBT的連接孔，然后固定住，這樣電容器直接固定 在IGBT上，幾乎無連接電感，同時(shí)外殼內(nèi)部單元芯子采用多層并聯(lián)結(jié)構(gòu)，使得芯子接觸面 積大，從而使其低等效串聯(lián)電阻大大減小，因此本實(shí)用新型具有良好的尖峰吸收效果，保護(hù) 效果更佳。
【權(quán)利要求】
1. 一種低等效串聯(lián)電阻電容器，其特征在于，它包括外殼、芯子單元、電極焊片，所述的 外殼內(nèi)有多個(gè)芯子單元并聯(lián)連接后與外殼上方的兩個(gè)電極焊片連接，所述電極焊片上開有 一個(gè)長橢圓形孔，所述電極焊片間的間距等于IGBT的連接孔的孔距。
【文檔編號】H01G4/236GK203882808SQ201420135692
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月25日
【發(fā)明者】崔銀林 申請人:銅陵市匯特電子有限責(zé)任公司