真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)，屬于電真空器件制造【技術(shù)領(lǐng)域】，主要解決現(xiàn)有屏蔽罩與瓷殼封接后形成的應(yīng)力較大的問題。本實(shí)用新型包括具有臺階（1）的瓷殼（2），與瓷殼（2）封接的屏蔽筒（3），其特征在于：所述屏蔽筒（3）通過封接環(huán)（4）與瓷殼（2）封接；所述封接環(huán)（4）為環(huán)形薄壁結(jié)構(gòu)，且彎折形成一個以上的凸出件（5），該封接環(huán)（4）內(nèi)徑與屏蔽筒（3）外徑相匹配、封接環(huán)（4）外徑則與瓷殼（2）內(nèi)徑相匹配。本實(shí)用新型具有制造工藝簡單，成本較低，真空滅弧室開斷性能可靠，電場分布均勻，耐雷電沖擊能力強(qiáng)，使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種真空滅弧室的部件，屬于電真空器件制造【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]12kV真空滅弧室常采用整體式瓷殼，這比兩節(jié)式瓷殼降低了成本。整體式瓷殼的屏蔽罩封接是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，直接影響著真空滅弧室的絕緣性能。目前屏蔽罩與瓷殼內(nèi)壁直接封接是常見的一種屏蔽罩固定方式，但是由于熱膨脹系數(shù)的差異，屏蔽罩與瓷殼封接后形成的應(yīng)力較大；且由于瓷殼燒結(jié)過程形成的瓷殼橢圓度，使屏蔽罩不易放置到位而形成屏蔽罩偏斜的現(xiàn)象，進(jìn)而影響到真空滅弧室的絕緣能力。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為了解決現(xiàn)有屏蔽罩與瓷殼封接后形成的應(yīng)力較大、影響真空滅弧室絕緣能力的問題，本實(shí)用新型提供了一種真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0005]真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)，包括具有臺階的瓷殼，與瓷殼封接的屏蔽筒，所述屏蔽筒通過封接環(huán)與瓷殼封接；所述封接環(huán)為環(huán)形薄壁結(jié)構(gòu)，且彎折形成一個以上的凸出件，該封接環(huán)內(nèi)徑與屏蔽筒外徑相匹配、封接環(huán)外徑則與瓷殼內(nèi)徑相匹配。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)更好地封接效果，所述瓷殼上與封接環(huán)封接處設(shè)置為金屬化結(jié)構(gòu)。
[0007]作為一種優(yōu)選，所述凸出件為六個，均勻分布于封接環(huán)上。
[0008]作為另一種優(yōu)選，所述封接環(huán)由無氧銅材料構(gòu)成，其厚度為0.5mm。
[0009]進(jìn)一步，所述屏蔽筒為一體成型結(jié)構(gòu)且由直筒、連接于直筒下方的收縮筒組成；所述該封接環(huán)內(nèi)徑與收縮筒外徑相匹配。
[0010]更進(jìn)一步地，所述直筒與收縮筒連接處以及直筒與收縮筒端口處結(jié)構(gòu)均為圓弧形。
[0011]作為最好地封接方式，所述封接環(huán)底面與臺階頂部平面封接、封接環(huán)外壁與瓷殼內(nèi)壁封接，封接環(huán)內(nèi)壁與收縮筒釬焊。
[0012]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
[0013]1、在本實(shí)用新型中屏蔽罩通過封接環(huán)能夠可罪固定在瓷殼內(nèi)壁上，封接應(yīng)力小，屏蔽罩與瓷殼同軸度好，工頻耐壓和雷電沖擊耐壓能力高。
[0014]2、采用本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的真空滅弧室開斷性能可靠，電場分布均勻，使用壽命長。
[0015]3、本實(shí)用新型制造工藝簡單，成本較低，且裝配方便，適合推廣應(yīng)用。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為圖1中A處的放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖3為本實(shí)用新型中封接環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖。[0019]其中，圖中附圖標(biāo)記對應(yīng)的零部件名稱為:
[0020]I —臺階,2 —瓷殼,3 —屏蔽筒,4 —封接環(huán),5 —凸出件；
[0021]31 —直筒，32 —收縮筒。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合實(shí)施例及其附圖，對本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
實(shí)施例
[0023]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0024]真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)，包括有若干凸出件5的封接環(huán)4、具有臺階I的瓷殼2、與封接環(huán)配合的屏蔽筒3，該結(jié)構(gòu)清楚顯示于圖1中。同時，圖2所示，該封接環(huán)4位于臺階I的上方，通過封接環(huán)實(shí)現(xiàn)瓷殼2與屏蔽筒3之間的封接，有效減少屏蔽筒與瓷殼直接封接后形成的封接應(yīng)力，進(jìn)而使真空滅弧室的開斷性能更加可靠，使真空滅弧室內(nèi)電場分布更加均勻，增強(qiáng)耐雷電沖擊能力，增加使用壽命。本實(shí)用新型中封接環(huán)的具體結(jié)構(gòu)如下:
[0025]如圖3所示，該封接環(huán)為薄壁結(jié)構(gòu)，其彎折形成若干個凸出件5，在本實(shí)施例中優(yōu)選為六個，均勻分布于封接環(huán)上。該封接環(huán)上彎折形成的凸出件5側(cè)面與瓷殼內(nèi)壁封接，該封接環(huán)底面與臺階I頂部平面封接，封接環(huán)內(nèi)壁與屏蔽筒封接。
[0026]為了能達(dá)到最好地封接效果，本實(shí)用新型中瓷殼上與封接環(huán)封接處設(shè)置為金屬化結(jié)構(gòu)。即，如圖2所示，該瓷殼內(nèi)壁上與封接環(huán)封接處設(shè)置問金屬化結(jié)構(gòu)，瓷殼的臺階I與封接環(huán)相連的部位也設(shè)置為金屬化結(jié)構(gòu)。
[0027]為了能更好地減少瓷殼與屏蔽筒之間的封接應(yīng)力，該封接環(huán)優(yōu)選為由無氧銅材料構(gòu)成。所述封接環(huán)的厚度則優(yōu)選為0.5_。
[0028]為了能增加屏蔽罩與瓷殼同軸度，進(jìn)一步提高工頻耐壓和雷電沖擊耐壓能力，如圖2所示，所述屏蔽筒3由直筒31、連接于直筒31下方的收縮筒32組成，且該屏蔽筒3為一體成型結(jié)構(gòu)，該收縮筒32外徑與封接環(huán)4內(nèi)徑相匹配。所述直筒31與收縮筒32連接處以及直筒31與收縮筒32端口處結(jié)構(gòu)均為圓弧形。
[0029]本實(shí)施例中封接環(huán)4、瓷殼2、屏蔽筒3之間的具體設(shè)置如下:
[0030]該封接環(huán)底面與臺階頂部平面封接、封接環(huán)外壁與瓷殼內(nèi)壁封接，封接環(huán)內(nèi)壁與收縮筒釬焊；封接環(huán)的壁厚為0.5mm,外徑82mm,內(nèi)徑77mm ;瓷殼內(nèi)徑82mm,瓷殼臺階內(nèi)徑78mm,臺階寬度2mm ;屏蔽筒中收縮筒外徑為77mm。其中,封接環(huán)采用無氧銅(TUl)材料,屏蔽罩采用不銹鋼、無氧銅或電工純鐵，瓷殼為95瓷。
[0031]本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)工藝先進(jìn)，屏蔽罩通過封接環(huán)能夠可靠固定在瓷殼內(nèi)壁上，封接應(yīng)力小，屏蔽罩與瓷殼同軸度好，工頻耐壓和雷電沖擊耐壓能力高，且裝配方便?？捎糜诟鞣N電壓等級整體瓷殼系列真空滅弧室。
[0032]采用本屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)的真空滅弧室絕緣能力強(qiáng)且穩(wěn)定，經(jīng)測驗(yàn)可知:12kV正負(fù)極性雷電沖擊耐受電壓可達(dá)120kV以上。
[0033]上述實(shí)施例僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非對本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，但凡采用本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)原理，以及在此基礎(chǔ)上進(jìn)行非創(chuàng)造性勞動而作出的變化，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)，包括具有臺階(I)的瓷殼(2)，與瓷殼(2)封接的屏蔽筒(3)，其特征在于:所述屏蔽筒(3)通過封接環(huán)(4)與瓷殼(2)封接；所述封接環(huán)(4)為環(huán)形薄壁結(jié)構(gòu)，且彎折形成一個以上的凸出件(5)，該封接環(huán)(4)內(nèi)徑與屏蔽筒(3)外徑相匹配、封接環(huán)(4)外徑則與瓷殼(2)內(nèi)徑相匹配。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述瓷殼(2)上與封接環(huán)(4)封接處設(shè)置為金屬化結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述凸出件(5)為六個，均勻分布于封接環(huán)(4)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封接環(huán)(4)由無氧銅材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封接環(huán)(4)的厚度為0.5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述屏蔽筒(3)為一體成型結(jié)構(gòu)且由直筒(31)、連接于直筒(31)下方的收縮筒(32)組成；所述封接環(huán)(4)內(nèi)徑與收縮筒(32)外徑相匹配。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述直筒(31)與收縮筒(32)連接處以及直筒(31)與收縮筒(32)端口處結(jié)構(gòu)均為圓弧形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封接環(huán)(4)底面與臺階(I)頂部平面封接、封接環(huán)(4)外壁與瓷殼(2)內(nèi)壁封接，封接環(huán)(4)內(nèi)壁與收縮筒(32)釬焊。
【文檔編號】H01H33/664GK203690205SQ201420004656
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2014年1月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月6日
【發(fā)明者】王強(qiáng), 肖紅 申請人:成都凱賽爾電子有限公司