薄膜晶體管的制作方法及陣列基板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種薄膜晶體管的制作方法及陣列基板的制作方法，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠減少薄膜晶體管的漏電流。該薄膜晶體管的制作方法包括：在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，層間絕緣層和柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于源極和漏極的過(guò)孔；有源層包括與源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于漏極歐姆接觸區(qū)與溝道區(qū)之間的輕摻雜區(qū)，或者，有源層包括與源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于漏極歐姆接觸區(qū)與溝道區(qū)之間和源極歐姆接觸區(qū)與溝道區(qū)之間的兩個(gè)輕摻雜區(qū)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】薄膜晶體管的制作方法及陣列基板的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管的制作方法及陣列基板的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器主要包括陣列基板，陣列基板上設(shè)置有陣列排布的像素單元，每個(gè)像素單元內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極，其中，薄膜晶體管控制像素電極上是否施加電壓。
[0003]具體地，薄膜晶體管包括依次設(shè)置的有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極。對(duì)于上述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管而言，當(dāng)薄膜晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，薄膜晶體管內(nèi)部仍有電流存在，通常將此電流稱(chēng)為薄膜晶體管的漏電流。具體地，薄膜晶體管的漏電流包括源極和漏極之間的薄膜晶體管主體漏電流、柵極與源極之間的漏電流和柵極與漏極之間的漏電流組成的薄膜晶體管邊緣漏電流，其中，薄膜晶體管的漏電流中薄膜晶體管主體漏電流所占比例較大。
[0004]薄膜晶體管的漏電流過(guò)大會(huì)造成液晶顯示器的像素電極顯示灰度偏差、液晶顯示器能耗變大等不利現(xiàn)象出現(xiàn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種薄膜晶體管的制作方法及陣列基板的制作方法，能夠減少薄膜晶體管的漏電流。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，采用如下技術(shù)方案:
[0007]一種薄膜晶體管的制作方法包括:
[0008]在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔；
[0009]所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的輕摻雜區(qū)，或者，
[0010]所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間和所述源極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的兩個(gè)輕摻雜區(qū)。
[0011]所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的輕摻雜區(qū)，包括:
[0012]在所述襯底基板上形成所述有源層；
[0013]形成所述柵極絕緣層；
[0014]形成柵極金屬層；
[0015]形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)兩端的部分保留區(qū)；
[0016]對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極預(yù)結(jié)構(gòu)，使得位于所述完全保留區(qū)一端的所述部分保留區(qū)懸空，位于所述完全保留區(qū)另一端的所述部分保留區(qū)部分懸空；
[0017]通過(guò)灰化工藝，去除所述光刻膠的所述部分保留區(qū)，使得部分懸空的所述部分保留區(qū)下方覆蓋的所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)暴露；
[0018]對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)均未遮擋的區(qū)域，成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)；
[0019]刻蝕去除暴露的所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)，形成所述柵極，所述柵極上覆蓋有所述光刻膠；
[0020]對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，刻蝕所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)后暴露的區(qū)域成為所述輕摻雜區(qū)，所述光刻膠和所述柵極遮擋的區(qū)域成為所述溝道區(qū)；
[0021]剝離所述光刻膠；
[0022]形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔；
[0023]形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
[0024]所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的輕摻雜區(qū)，包括:
[0025]在所述襯底基板上形成所述有源層；
[0026]形成所述柵極絕緣層；
[0027]形成柵極金屬層；
[0028]形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)一端的部分保留區(qū)；
[0029]對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極，使得所述部分保留區(qū)懸空，所述完全保留區(qū)未與所述部分保留區(qū)連接的一端懸空；
[0030]通過(guò)灰化工藝，去除所述光刻膠的所述部分保留區(qū)；
[0031]對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極均未遮擋的區(qū)域，成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)；
[0032]剝離所述光刻膠；
[0033]對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，剝離所述光刻膠后暴露的區(qū)域，成為所述輕摻雜區(qū)，所述柵極遮擋的區(qū)域成為所述溝道區(qū)；
[0034]形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔；
[0035]形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
[0036]所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的輕摻雜區(qū)，包括:
[0037]在所述襯底基板上形成所述有源層；
[0038]形成所述柵極絕緣層；
[0039]形成柵極金屬層；
[0040]形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)一端的部分保留區(qū)；
[0041]對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極，使得所述部分保留區(qū)懸空，所述完全保留區(qū)未與所述部分保留區(qū)連接的一端懸空；
[0042]通過(guò)灰化工藝，去除所述光刻膠的所述部分保留區(qū)，并使所述完全保留區(qū)的所述光刻膠減薄；
[0043]對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極均未遮擋的區(qū)域成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)，只有所述光刻膠遮擋的區(qū)域成為所述輕摻雜區(qū)，所述光刻膠和所述柵極同時(shí)遮擋的區(qū)域，成為所述溝道區(qū)；
[0044]剝離所述光刻膠；
[0045]形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔；
[0046]形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
[0047]所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間和所述源極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的兩個(gè)輕摻雜區(qū)，包括:
[0048]在所述襯底基板上形成所述有源層；
[0049]形成所述柵極絕緣層；
[0050]形成柵極金屬層；
[0051]形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)兩端的部分保留區(qū)；
[0052]對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極預(yù)結(jié)構(gòu)，使得位于所述完全保留區(qū)兩端的所述部分保留區(qū)部分懸空；
[0053]通過(guò)灰化工藝，去除所述光刻膠的所述部分保留區(qū)，使得所述部分保留區(qū)下方覆蓋的所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)暴露；
[0054]對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)均未遮擋的區(qū)域，成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)；
[0055]刻蝕去除暴露的所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)，形成所述柵極，所述柵極上覆蓋有所述光刻膠；
[0056]對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，刻蝕所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)后暴露的區(qū)域成為兩個(gè)所述輕摻雜區(qū)，所述光刻膠和所述柵極同時(shí)遮擋的區(qū)域成為所述溝道區(qū)；
[0057]剝離所述光刻膠；
[0058]形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔；
[0059]形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
[0060]所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間和所述源極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的兩個(gè)輕摻雜區(qū)，包括:
[0061 ] 在所述襯底基板上形成所述有源層；
[0062]形成所述柵極絕緣層；
[0063]形成柵極金屬層；
[0064]形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)；
[0065]對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極，使得位于所述光刻膠的兩端懸空；
[0066]對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極均未遮擋的區(qū)域，成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)；
[0067]剝離所述光刻膠；
[0068]對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，剝離所述光刻膠后暴露的區(qū)域，成為兩個(gè)所述輕摻雜區(qū)，所述柵極遮擋的區(qū)域成為所述溝道區(qū)；
[0069]形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔；
[0070]形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
[0071]所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間和所述源極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的兩個(gè)輕摻雜區(qū)，包括:
[0072]在所述襯底基板上形成所述有源層；
[0073]形成所述柵極絕緣層；
[0074]形成柵極金屬層；
[0075]形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)；
[0076]對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極，使得位于所述光刻膠的兩端懸空；
[0077]對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極均未遮擋的區(qū)域成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)，只有所述光刻膠遮擋的區(qū)域成為兩個(gè)所述輕摻雜區(qū)，所述光刻膠和所述柵極同時(shí)遮擋的區(qū)域，成為所述溝道區(qū)；
[0078]剝離所述光刻膠；
[0079]形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔；
[0080]形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
[0081]所述形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)兩端的部分保留區(qū)，包括:
[0082]在所述柵極金屬層上形成一層所述光刻膠，使用灰階掩膜板遮蓋所述光刻膠，經(jīng)過(guò)曝光和顯影使所述光刻膠圖案化，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述灰階掩膜板的完全透光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠被去除，所述灰階掩膜板的部分透光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠部分殘留，形成所述部分保留區(qū)，所述灰階掩膜板的遮光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠完全殘留，形成所述完全保留區(qū)。
[0083]所述形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括所述完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)一端的部分保留區(qū)，包括:
[0084]在所述柵極金屬層上形成一層所述光刻膠，使用灰階掩膜板遮蓋所述光刻膠，經(jīng)過(guò)曝光和顯影使所述光刻膠圖案化，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述灰階掩膜板的完全透光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠被去除，所述灰階掩膜板的部分透光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠部分殘留，形成所述部分保留區(qū)，所述灰階掩膜板的遮光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠完全殘留，形成所述完全保留區(qū)。
[0085]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，該薄膜晶體管的制作方法包括在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，有源層包括源極歐姆接觸區(qū)、漏極歐姆接觸區(qū)、溝道區(qū)以及一個(gè)或者兩個(gè)輕摻雜區(qū)，輕摻雜區(qū)增加了源極和漏極之間的串聯(lián)電阻，降低了漏極邊緣的電場(chǎng)或者同時(shí)降低源極和漏極的邊緣電場(chǎng)，抑制了載流子的產(chǎn)生，從而可以減小薄膜晶體管的漏電流。
[0086]此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，該陣列基板的制作方法包括以上所述的任一種薄膜晶體管的制作方法。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0087]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0088]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的第一種薄膜晶體管的示意圖；
[0089]圖2為本發(fā)明實(shí)施例的第二種薄膜晶體管的示意圖；
[0090]圖3為圖1所示的薄膜晶體管的第一種制作方法流程圖；
[0091]圖4為圖3的制作方法的制作過(guò)程示意圖；
[0092]圖5為圖1所示的薄膜晶體管的第二種制作方法部分過(guò)程示意圖；
[0093]圖6為圖1所示的薄膜晶體管的第三種制作方法部分過(guò)程示意圖；
[0094]圖7為圖2所示的薄膜晶體管的第一種制作方法流程圖；
[0095]圖8為圖7的制作方法的制作過(guò)程示意圖；
[0096]圖9為圖2所示的薄膜晶體管的第二種制作方法部分過(guò)程示意圖；
[0097]圖10為圖2所示的薄膜晶體管的第三種制作方法部分過(guò)程示意圖。
[0098]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0099]1一襯底基板；2—有源層；21—源極歐姆接觸區(qū)；
[0100]22—漏極歐姆接觸區(qū)； 23—輕摻雜區(qū)；24—溝道區(qū)；
[0101]3—柵極絕緣層；4 一柵極金屬層；41 一柵極預(yù)結(jié)構(gòu)；
[0102]42—柵極；5—光刻膠；6—層間絕緣層；
[0103]7一過(guò)孔；8—源極；9一漏極。

【具體實(shí)施方式】
[0104]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0105]實(shí)施例一
[0106]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，該薄膜晶體管的制作方法包括:
[0107]在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，層間絕緣層和柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于源極和漏極的過(guò)孔，以形成如圖1或圖2所示的薄膜晶體管。
[0108]其中，形成的薄膜晶體管如圖1所示時(shí)，有源層2包括與源極8連接的源極歐姆接觸區(qū)21、與漏極9連接的漏極歐姆接觸區(qū)22、位于柵極42下方的用于作為溝道的溝道區(qū)24以及位于漏極歐姆接觸區(qū)22與溝道區(qū)24之間的輕摻雜區(qū)23，或者，
[0109]形成的薄膜晶體管如圖2所示時(shí)，有源層2包括與源極8連接的源極歐姆接觸區(qū)21、與漏極9連接的漏極歐姆接觸區(qū)22、位于柵極42下方的用于作為溝道的溝道區(qū)24以及位于漏極歐姆接觸區(qū)22與溝道區(qū)24之間和源極歐姆接觸區(qū)21與溝道區(qū)24之間的兩個(gè)輕慘雜區(qū)23。
[0110]其中，由于形成漏電流的熱載流子主要集中于漏極9附近，因此，形成的有源層2僅包括位于漏極歐姆接觸區(qū)22與溝道區(qū)24之間的輕摻雜區(qū)23，即可有效降低薄膜晶體管的漏電流，與形成的有源層2包括兩個(gè)輕摻雜區(qū)23的薄膜晶體管相比，形成的有源層2僅包括位于漏極歐姆接觸區(qū)22與溝道區(qū)24之間的輕摻雜區(qū)23時(shí)，薄膜晶體管的載流子的迀移率更高，薄膜晶體管的開(kāi)態(tài)電流更大，進(jìn)而使得薄膜晶體管的綜合性能更好。
[0111]進(jìn)一步地，薄膜晶體管的制作方法還可以包括其他步驟，例如，形成位于襯底基板1與有源層2之間的緩沖層的步驟，其中，緩沖層用于將襯底基板1與有源層2隔絕，避免襯底基板1中的雜質(zhì)進(jìn)入有源層2，影響薄膜晶體管的性能，此外緩沖層還可減少形成有源層2的過(guò)程中溫度對(duì)襯底基板1的影響。緩沖層的材質(zhì)優(yōu)選為氧化硅或者氮化硅。
[0112]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，該薄膜晶體管的制作方法包括在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，有源層包括源極歐姆接觸區(qū)、漏極歐姆接觸區(qū)、溝道區(qū)以及一個(gè)或者兩個(gè)輕摻雜區(qū)，輕摻雜區(qū)增加了源極和漏極之間的串聯(lián)電阻，降低了漏極邊緣的電場(chǎng)或者同時(shí)降低源極和漏極的邊緣電場(chǎng)，抑制了載流子的產(chǎn)生，從而可以減小薄膜晶體管的漏電流。
[0113]實(shí)施例二
[0114]本發(fā)明實(shí)施例提供了三種如圖1所示的薄膜晶體管的制作方法。
[0115]第一種制作方法的流程圖如圖3所示，制作過(guò)程的示意圖如圖4所示:
[0116]步驟S301、在襯底基板1上形成有源層2。
[0117]首先，在襯底基板1上形成一層非晶硅，經(jīng)過(guò)晶化工藝使非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч?。晶化工藝包括激光退火工藝、金屬誘導(dǎo)工藝等。本發(fā)明實(shí)施例中的晶化工藝優(yōu)選為激光退火工藝，具體地，激光退火工藝的基本原理為利用高能量的準(zhǔn)分子激光照射到非晶硅表面，使非晶硅融化、冷卻、再結(jié)晶，從而使非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч琛Ｈ缓?，在多晶硅上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕和剝離光刻膠后，形成有源層2。
[0118]步驟S302、形成柵極絕緣層3。
[0119]通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等方法在經(jīng)過(guò)步驟S301的襯底基板1上形成柵極絕緣層3。
[0120]步驟S303、形成柵極金屬層4。
[0121]通過(guò)濺射、熱蒸發(fā)等方法在經(jīng)過(guò)步驟S302的襯底基板1上形成一層?xùn)艠O金屬層4。
[0122]步驟S304、形成一層圖案化的光刻膠5，光刻膠5完全落在有源層2所在區(qū)域內(nèi)，光刻膠5包括完全保留區(qū)和位于完全保留區(qū)兩端的部分保留區(qū)。
[0123]步驟S305、對(duì)柵極金屬層4進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41，使得位于完全保留區(qū)一端的部分保留區(qū)懸空，位于完全保留區(qū)另一端的部分保留區(qū)部分懸空。
[0124]對(duì)柵極金屬層4進(jìn)行一定量的過(guò)刻蝕，以使得刻蝕后形成的柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41的尺寸小于圖案化的光刻膠5的尺寸，進(jìn)而使得位于完全保留區(qū)一端的部分保留區(qū)懸空，位于完全保留區(qū)另一端的部分保留區(qū)部分懸空。
[0125]步驟S306、通過(guò)灰化工藝，去除光刻膠5的部分保留區(qū)，使得部分懸空的部分保留區(qū)下方覆蓋的柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41暴露，并使完全保留區(qū)減薄。
[0126]需要說(shuō)明的是，雖然此處的完全保留區(qū)減薄，但完全保留區(qū)的總體厚度仍較厚，而在后續(xù)的離子注入過(guò)程中無(wú)法使得離子通過(guò)。
[0127]步驟S307、對(duì)有源層2進(jìn)行離子注入，光刻膠5和柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41均未遮擋的區(qū)域，成為源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22。
[0128]示例性地，通過(guò)離子注入的方法向有源層2中摻入P元素，其中，光刻膠5和柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41均未遮擋的區(qū)域中P元素可以摻入，從而增加該區(qū)域的電子濃度，以形成源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22，而光刻膠5和/或柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41遮擋區(qū)域P元素?zé)o法摻入。
[0129]步驟S308、刻蝕去除暴露的柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41，形成柵極42，柵極42上覆蓋有光刻膠5。
[0130]步驟S309、對(duì)有源層2進(jìn)行離子注入，刻蝕柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41后暴露的區(qū)域成為輕摻雜區(qū)23，光刻膠5和柵極42同時(shí)遮擋的區(qū)域成為溝道區(qū)24。
[0131]示例性地，通過(guò)離子注入的方法向有源層2中摻入與步驟S307相比較少的P元素，其中，刻蝕柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41后暴露的區(qū)域成為輕摻雜區(qū)23，光刻膠5和柵極42同時(shí)遮擋的區(qū)域仍無(wú)P元素?fù)饺?，成為溝道區(qū)24。
[0132]步驟S310、剝離光刻膠5。
[0133]步驟S311、形成層間絕緣層6，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使層間絕緣層6和柵極絕緣層3上形成對(duì)應(yīng)于源極8和漏極9的過(guò)孔7。
[0134]通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等方法在經(jīng)過(guò)步驟S310的襯底基板1上形成層間絕緣層6，經(jīng)過(guò)包括涂覆光刻膠、使用掩膜板遮蓋、曝光、顯影、刻蝕和剝離光刻膠的構(gòu)圖工藝，使層間絕緣層6和柵極絕緣層3上形成對(duì)應(yīng)于源極8和漏極9的過(guò)孔7。
[0135]步驟S312、形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成源極8和漏極9，源極8和漏極9通過(guò)過(guò)孔7分別與源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22連接。
[0136]通過(guò)濺射、熱蒸發(fā)等方法在經(jīng)過(guò)步驟S311的襯底基板1上形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)包括涂覆光刻膠、使用掩膜板遮蓋、曝光、顯影、刻蝕和剝離光刻膠的構(gòu)圖工藝，形成源極8和漏極9，源極8和漏極9通過(guò)過(guò)孔7分別與源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22連接。
[0137]第二種制作方法包括以下步驟，圖5為步驟S504?步驟S509的示意圖:
[0138]步驟S501、在襯底基板1上形成有源層2。
[0139]步驟S502、形成柵極絕緣層3。
[0140]步驟S503、形成柵極金屬層4。
[0141]步驟S504、形成一層圖案化的光刻膠5，光刻膠5完全落在有源層2所在區(qū)域內(nèi)，光刻膠5包括完全保留區(qū)和位于完全保留區(qū)一端的部分保留區(qū)。
[0142]步驟S505、對(duì)柵極金屬層4進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極42，使得部分保留區(qū)懸空，完全保留區(qū)未與部分保留區(qū)連接的一端懸空。
[0143]步驟S506、通過(guò)灰化工藝，去除光刻膠5的部分保留區(qū)，并使完全保留區(qū)減薄。
[0144]需要說(shuō)明的是，雖然此處的完全保留區(qū)的光刻膠5減薄，但完全保留區(qū)的總體厚度仍較厚，而在后續(xù)的離子注入過(guò)程中無(wú)法使得離子通過(guò)。
[0145]步驟S507、對(duì)有源層2進(jìn)行離子注入，光刻膠5和柵極42均未遮擋的區(qū)域，成為源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22。
[0146]示例性地，通過(guò)離子注入的方法向有源層2中摻入P元素，其中，光刻膠5和柵極42均未遮擋的區(qū)域有P元素?fù)饺?，形成源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22，而光刻膠5和/或柵極42遮擋區(qū)域P元素?zé)o法摻入。
[0147]步驟S508、剝離光刻膠5。
[0148]步驟S509、對(duì)有源層2進(jìn)行離子注入，剝離光刻膠5后暴露的區(qū)域，成為輕摻雜區(qū)23，柵極42遮擋的區(qū)域成為溝道區(qū)24。
[0149]示例性地，通過(guò)離子注入的方法向有源層2中摻入與步驟S507相比較少的P元素，其中，剝離光刻膠5后暴露的區(qū)域成為輕摻雜區(qū)23，柵極42遮擋的區(qū)域仍無(wú)P元素?fù)饺耄蔀闇系绤^(qū)24。
[0150]步驟S510、形成層間絕緣層6，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使層間絕緣層6和柵極絕緣層3上形成對(duì)應(yīng)于源極8和漏極9的過(guò)孔7。
[0151]步驟S511、形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成源極8和漏極9，源極8和漏極9通過(guò)過(guò)孔7分別與源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22連接。
[0152]第三種制作方法具體包括以下步驟，圖6為步驟S604?步驟S608的示意圖:
[0153]步驟S601、在襯底基板1上形成有源層2。
[0154]步驟S602、形成柵極絕緣層3。
[0155]步驟S603、形成柵極金屬層4。
[0156]步驟S604、形成一層圖案化的光刻膠5，光刻膠5完全落在有源層2所在區(qū)域內(nèi)，光刻膠5包括完全保留區(qū)和位于完全保留區(qū)一端的部分保留區(qū)。
[0157]步驟S605、對(duì)柵極金屬層4進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極42，使得部分保留區(qū)懸空，完全保留區(qū)未與部分保留區(qū)連接的一端懸空。
[0158]步驟S606、通過(guò)灰化工藝，去除光刻膠5的部分保留區(qū)，并使完全保留區(qū)減薄。
[0159]需要說(shuō)明的是，此處完全保留區(qū)減薄后，完全保留區(qū)的總體厚度較小，在后續(xù)的離子注入過(guò)程中能夠使得少量離子通過(guò)。
[0160]步驟S607、對(duì)有源層2進(jìn)行離子注入，光刻膠和柵極42均未遮擋的區(qū)域成為源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22，只有光刻膠5遮擋的區(qū)域成為輕摻雜區(qū)23，光刻膠5和柵極42同時(shí)遮擋的區(qū)域，成為溝道區(qū)24。
[0161]示例性地，通過(guò)離子注入的方法向有源層2中摻入P元素，其中，光刻膠5和柵極42均未遮擋的區(qū)域摻雜量大，成為源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22，只有光刻膠5遮擋的區(qū)域，少量離子可以注入，摻雜量小，成為輕摻雜區(qū)23，光刻膠5和柵極42同時(shí)遮擋的區(qū)域離子無(wú)法注入，零摻雜，成為溝道區(qū)24。
[0162]步驟S608、剝離光刻膠5。
[0163]步驟S609、形成層間絕緣層6，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使層間絕緣層6和柵極絕緣層3上形成對(duì)應(yīng)于源極8和漏極9的過(guò)孔7。
[0164]步驟S610、形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成源極8和漏極9，源極8和漏極9通過(guò)過(guò)孔7分別與源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22連接。
[0165]實(shí)施例三
[0166]本發(fā)明實(shí)施例提供了三種如圖2所示的薄膜晶體管的制作方法。
[0167]第一種制作方法具體包括如圖7所示的步驟，圖8為步驟S704?步驟S710的示意圖:
[0168]步驟S701、在襯底基板1上形成有源層2。
[0169]步驟S702、形成柵極絕緣層3。
[0170]步驟S703、形成柵極金屬層4。
[0171]步驟S704、形成一層圖案化的光刻膠5，光刻膠5完全落在有源層2所在區(qū)域內(nèi)，光刻膠5包括完全保留區(qū)和位于完全保留區(qū)兩端的部分保留區(qū)。
[0172]步驟S705、對(duì)柵極金屬層4進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41，使得位于完全保留區(qū)兩端的部分保留區(qū)部分懸空。
[0173]步驟S706、通過(guò)灰化工藝，去除光刻膠5的部分保留區(qū)，使得部分保留區(qū)下方覆蓋的柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41暴露，并使完全保留區(qū)減薄。
[0174]需要說(shuō)明的是，雖然此處的完全保留區(qū)減薄，但完全保留區(qū)的總體厚度仍較厚，而在后續(xù)的離子注入過(guò)程中無(wú)法使得離子通過(guò)。
[0175]步驟S707、對(duì)有源層2進(jìn)行離子注入，光刻膠5和柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41均未遮擋的區(qū)域，成為源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22。
[0176]示例性地，通過(guò)離子注入的方法向有源層2中摻入P元素，其中，光刻膠5和柵極42均未遮擋的區(qū)域有P元素?fù)饺耄纬稍礃O歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22，而光刻膠5和/或柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41遮擋區(qū)域P元素?zé)o法摻入。
[0177]步驟S708、刻蝕去除暴露的柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41，形成柵極42，柵極42上覆蓋有光刻膠。
[0178]步驟S709、對(duì)有源層2進(jìn)行離子注入，刻蝕柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41后暴露的區(qū)域成為兩個(gè)輕摻雜區(qū)23，光刻膠5和柵極42同時(shí)遮擋的區(qū)域成為溝道區(qū)24。
[0179]示例性地，通過(guò)離子注入的方法向有源層2中摻入與步驟S707相比較少的P元素，其中，刻蝕柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41后暴露的區(qū)域成為兩個(gè)輕摻雜區(qū)23，光刻膠5和柵極42同時(shí)遮擋的區(qū)域仍無(wú)P元素?fù)饺?，成為溝道區(qū)24。
[0180]步驟S710、剝離光刻膠5。
[0181]步驟S711、形成層間絕緣層6，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使層間絕緣層6和柵極絕緣層3上形成對(duì)應(yīng)于源極8和漏極9的過(guò)孔7。
[0182]步驟S712、形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成源極8和漏極9，源極8和漏極9通過(guò)過(guò)孔7分別與源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22連接。
[0183]第二種制作方法具體包括以下步驟，圖9為步驟S904?步驟S908的示意圖:
[0184]步驟S901、在襯底基板1上形成有源層2。
[0185]步驟S902、形成柵極絕緣層3。
[0186]步驟S903、形成柵極金屬層4。
[0187]步驟S904、形成一層圖案化的光刻膠5，光刻膠5完全落在有源層2所在區(qū)域內(nèi)。
[0188]需要說(shuō)明的是，此處的光刻膠5較厚，在后續(xù)的離子注入過(guò)程中離子無(wú)法通過(guò)。
[0189]步驟S905、對(duì)柵極金屬層4進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極42，使得光刻膠5的兩端懸空。
[0190]步驟S906、對(duì)有源層2進(jìn)行離子注入，光刻膠5和柵極42均未遮擋的區(qū)域，成為源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22。
[0191]示例性地，通過(guò)離子注入的方法向有源層2中摻入P元素，其中，光刻膠5和柵極42均未遮擋的區(qū)域有P元素?fù)饺?，形成源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22，而光刻膠5和/或柵極42遮擋區(qū)域P元素?zé)o法摻入。
[0192]步驟S907、剝離光刻膠5。
[0193]步驟S908、對(duì)有源層2進(jìn)行離子注入，剝離光刻膠5后暴露的區(qū)域，成為兩個(gè)輕摻雜區(qū)23，柵極42遮擋的區(qū)域成為溝道區(qū)24。
[0194]示例性地，通過(guò)離子注入的方法向有源層2中摻入與步驟S906相比較少的P元素，其中，剝離光刻膠5后暴露的區(qū)域成為兩個(gè)輕摻雜區(qū)23，柵極42遮擋的區(qū)域仍無(wú)P元素?fù)饺耄蔀闇系绤^(qū)24。
[0195]步驟S909、形成層間絕緣層6，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使層間絕緣層6和柵極絕緣層3上形成對(duì)應(yīng)于源極8和漏極9的過(guò)孔7。
[0196]步驟S910、形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成源極8和漏極9，源極8和漏極9通過(guò)過(guò)孔7分別與源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22連接。
[0197]第三種制作方法具體包括以下步驟，圖10為步驟S1004?步驟S1007的示意圖:
[0198]步驟S1001、在襯底基板1上形成有源層2。
[0199]步驟S1002、形成柵極絕緣層3。
[0200]步驟S1003、形成柵極金屬層4。
[0201]步驟S1004、形成一層圖案化的光刻膠5，光刻膠5完全落在有源層2所在區(qū)域內(nèi)。
[0202]需要說(shuō)明的是，此處的光刻膠5較薄，在后續(xù)的離子注入過(guò)程中可以使得部分離子通過(guò)。
[0203]步驟S1005、對(duì)柵極金屬層4進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極42，使得光刻膠5的兩端懸空。
[0204]步驟S1006、對(duì)有源層2進(jìn)行離子注入，光刻膠5和柵極42均未遮擋的區(qū)域成為21和漏極歐姆接觸區(qū)22，只有光刻膠5遮擋的區(qū)域成為兩個(gè)輕摻雜區(qū)23，光刻膠5和柵極42同時(shí)遮擋的區(qū)域，成為溝道區(qū)24。
[0205]示例性地，通過(guò)離子注入的方法向有源層2中摻入P元素，其中，光刻膠5和柵極42均未遮擋的區(qū)域成為源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22，只有光刻膠5遮擋的區(qū)域成為兩個(gè)輕摻雜區(qū)23，光刻膠5和柵極42同時(shí)遮擋的區(qū)域成為溝道區(qū)24。
[0206]步驟S1007、剝離光刻膠5。
[0207]步驟S1008、形成層間絕緣層6，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使層間絕緣層6和柵極絕緣層3上形成對(duì)應(yīng)于源極8和漏極9的過(guò)孔7。
[0208]步驟S1009、形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成源極8和漏極9，源極8和漏極9通過(guò)過(guò)孔7分別與源極歐姆接觸區(qū)21和漏極歐姆接觸區(qū)22連接。
[0209]實(shí)施例四
[0210]實(shí)施例二中所述的步驟S304、步驟S504和步驟S604，以及實(shí)施例三中所述的步驟S704具體包括:
[0211]在柵極金屬層4上形成一層光刻膠5，使用灰階掩膜板遮蓋光刻膠5，經(jīng)過(guò)曝光和顯影使光刻膠5圖案化，光刻膠5完全落在有源層2所在區(qū)域內(nèi)，灰階掩膜板的完全透光區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠5被去除，灰階掩膜板的部分透光區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠5部分殘留，形成部分保留區(qū)，灰階掩膜板的遮光區(qū)對(duì)應(yīng)的光刻膠5完全殘留，形成完全保留區(qū)。
[0212]此時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的各種薄膜晶體管的制作方法中只需要使用4張掩膜板，而現(xiàn)有技術(shù)中的有源層不包括輕摻雜區(qū)的薄膜晶體管的制作過(guò)程中也需要使用4張掩膜板，因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法在不增加掩膜板的數(shù)量的基礎(chǔ)上即可使形成的薄膜晶體管的有源層2包括源極歐姆接觸區(qū)21、漏極歐姆接觸區(qū)22、輕摻雜區(qū)23和溝道區(qū)24，制作方法簡(jiǎn)單，成本低。
[0213]進(jìn)一步需要說(shuō)明的是，使用上述各種方法形成的輕摻雜區(qū)23的長(zhǎng)度由形成柵極預(yù)結(jié)構(gòu)41或者柵極42時(shí)過(guò)刻蝕的量決定，由于在刻蝕過(guò)程中過(guò)刻蝕的量精確可控，因此，形成的輕摻雜區(qū)23的長(zhǎng)度精確，進(jìn)而避免出現(xiàn)輕摻雜區(qū)23的長(zhǎng)度過(guò)大導(dǎo)致薄膜晶體管的載流子的迀移率低或者輕摻雜區(qū)23的長(zhǎng)度過(guò)小導(dǎo)致無(wú)法減小薄膜晶體管的漏電流等問(wèn)題。
[0214]此外，實(shí)施例二中的各個(gè)制作方法在步驟S301、步驟S501和步驟S601，以及實(shí)施例三中的各個(gè)制作方法在步驟S701、步驟S901和步驟S1001之前還可以包括:
[0215]在襯底基板1上形成緩沖層。
[0216]此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，該陣列基板的制作方法包括以上所述的任一種薄膜晶體管的制作方法。需要說(shuō)明的是，陣列基板的制作方法還包括形成鈍化層、像素電極等結(jié)構(gòu)的步驟，本發(fā)明實(shí)施例不再一一贅述。
[0217]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔； 所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的輕摻雜區(qū)，或者， 所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間和所述源極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的兩個(gè)輕摻雜區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的輕摻雜區(qū)，包括: 在所述襯底基板上形成所述有源層； 形成所述柵極絕緣層； 形成柵極金屬層； 形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)兩端的部分保留區(qū)； 對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極預(yù)結(jié)構(gòu)，使得位于所述完全保留區(qū)一端的所述部分保留區(qū)懸空，位于所述完全保留區(qū)另一端的所述部分保留區(qū)部分懸空； 通過(guò)灰化工藝，去除所述光刻膠的所述部分保留區(qū)，使得部分懸空的所述部分保留區(qū)下方覆蓋的所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)暴露，并使所述完全保留區(qū)減?。? 對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)均未遮擋的區(qū)域，成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)； 刻蝕去除暴露的所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)，形成所述柵極，所述柵極上覆蓋有所述光刻膠；對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，刻蝕所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)后暴露的區(qū)域成為所述輕摻雜區(qū)，所述光刻膠和所述柵極同時(shí)遮擋的區(qū)域成為所述溝道區(qū)； 剝離所述光刻膠； 形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔； 形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的輕摻雜區(qū)，包括: 在所述襯底基板上形成所述有源層； 形成所述柵極絕緣層； 形成柵極金屬層； 形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括所述完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)一端的部分保留區(qū)； 對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極，使得所述部分保留區(qū)懸空，所述完全保留區(qū)未與所述部分保留區(qū)連接的一端懸空； 通過(guò)灰化工藝，去除所述光刻膠的所述部分保留區(qū)，并使所述完全保留區(qū)減薄； 對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極均未遮擋的區(qū)域，成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)； 剝離所述光刻膠； 對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，剝離所述光刻膠后暴露的區(qū)域，成為所述輕摻雜區(qū)，所述柵極遮擋的區(qū)域成為所述溝道區(qū)； 形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔； 形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的輕摻雜區(qū)，包括: 在所述襯底基板上形成所述有源層； 形成所述柵極絕緣層； 形成柵極金屬層； 形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括所述完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)一端的部分保留區(qū)； 對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極，使得所述部分保留區(qū)懸空，所述完全保留區(qū)未與所述部分保留區(qū)連接的一端懸空； 通過(guò)灰化工藝，去除所述光刻膠的所述部分保留區(qū)，并使所述完全保留區(qū)減?。? 對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極均未遮擋的區(qū)域成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)，只有所述光刻膠遮擋的區(qū)域成為所述輕摻雜區(qū)，所述光刻膠和所述柵極同時(shí)遮擋的區(qū)域，成為所述溝道區(qū)； 剝離所述光刻膠； 形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔； 形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間和所述源極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的兩個(gè)輕摻雜區(qū)，包括: 在所述襯底基板上形成所述有源層； 形成所述柵極絕緣層； 形成柵極金屬層； 形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括所述完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)兩端的部分保留區(qū)； 對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極預(yù)結(jié)構(gòu)，使得位于所述完全保留區(qū)兩端的所述部分保留區(qū)部分懸空； 通過(guò)灰化工藝，去除所述光刻膠的所述部分保留區(qū)，使得所述部分保留區(qū)下方覆蓋的所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)暴露，并使所述完全保留區(qū)減??； 對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)均未遮擋的區(qū)域，成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)； 刻蝕去除暴露的所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)，形成所述柵極，所述柵極上覆蓋有所述光刻膠；對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，刻蝕所述柵極預(yù)結(jié)構(gòu)后暴露的區(qū)域成為兩個(gè)所述輕摻雜區(qū)，所述光刻膠和所述柵極同時(shí)遮擋的區(qū)域成為所述溝道區(qū)； 剝離所述光刻膠； 形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔； 形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間和所述源極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的兩個(gè)輕摻雜區(qū)，包括: 在所述襯底基板上形成所述有源層； 形成所述柵極絕緣層； 形成柵極金屬層； 形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)； 對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極，使得位于所述光刻膠的兩端懸空； 對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極均未遮擋的區(qū)域，成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)； 剝離所述光刻膠； 對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，剝離所述光刻膠后暴露的區(qū)域，成為兩個(gè)所述輕摻雜區(qū)，所述柵極遮擋的區(qū)域成為所述溝道區(qū)； 形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔； 形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極，所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔，所述有源層包括與所述源極連接的源極歐姆接觸區(qū)、與所述漏極連接的漏極歐姆接觸區(qū)、位于所述柵極下方的用于作為溝道的溝道區(qū)以及位于所述漏極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間和所述源極歐姆接觸區(qū)與所述溝道區(qū)之間的兩個(gè)輕摻雜區(qū)，包括: 在所述襯底基板上形成所述有源層； 形成所述柵極絕緣層； 形成柵極金屬層； 形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)； 對(duì)所述柵極金屬層進(jìn)行過(guò)刻蝕，形成柵極，使得位于所述光刻膠的兩端懸空； 對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，所述光刻膠和所述柵極均未遮擋的區(qū)域成為所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)，只有所述光刻膠遮擋的區(qū)域成為兩個(gè)所述輕摻雜區(qū)，所述光刻膠和所述柵極同時(shí)遮擋的區(qū)域，成為所述溝道區(qū)； 剝離所述光刻膠； 形成所述層間絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝，使所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于所述源極和所述漏極的過(guò)孔； 形成源漏極金屬層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述源極歐姆接觸區(qū)和所述漏極歐姆接觸區(qū)連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括所述完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)兩端的部分保留區(qū)，包括: 在所述柵極金屬層上形成一層所述光刻膠，使用灰階掩膜板遮蓋所述光刻膠，經(jīng)過(guò)曝光和顯影使所述光刻膠圖案化，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述灰階掩膜板的完全透光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠被去除，所述灰階掩膜板的部分透光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠部分殘留，形成所述部分保留區(qū)，所述灰階掩膜板的遮光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠完全殘留，形成所述完全保留區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述形成一層圖案化的光刻膠，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述光刻膠包括所述完全保留區(qū)和位于所述完全保留區(qū)一端的部分保留區(qū)，包括: 在所述柵極金屬層上形成一層所述光刻膠，使用灰階掩膜板遮蓋所述光刻膠，經(jīng)過(guò)曝光和顯影使所述光刻膠圖案化，所述光刻膠完全落在所述有源層所在區(qū)域內(nèi)，所述灰階掩膜板的完全透光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠被去除，所述灰階掩膜板的部分透光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠部分殘留，形成所述部分保留區(qū)，所述灰階掩膜板的遮光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述光刻膠完全殘留，形成所述完全保留區(qū)。
10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制作方法。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK104465405SQ201410841792
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月30日
【發(fā)明者】左岳平, 李良堅(jiān) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司