一種抗輻照eeprom的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種抗輻照EEPROM的制造方法，存儲器包含器件：存儲單元和外圍電路的高、低壓晶體管，其特征在于，各器件的源、漏極形成之前的制造方法有別于普通制造方法：將用于存儲單元中浮柵極與控制柵極之間隔離的介質ONO層，同時作為外圍電路的高、低壓晶體管柵極的側墻，即改變高、低壓晶體管柵極側墻材質，由普通制造方法中的氧化硅膜換成氧化硅和氮化硅復合膜。本發(fā)明方法充分利用現(xiàn)有的普通制造方法，不增加額外的工藝步驟，僅通過調整外圍電路中低壓晶體管的柵氧化生長次序，達到既保證所涉及的高、低壓晶體管器件的結構和電性能不變，又提高了器件的抗輻射性能，從而提升其整個EEPROM的抗輻射性能。本發(fā)明方法適應批量生產。
【專利說明】—種抗輻照EEPROM的制造方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體制造方法，特別涉及一種EEPROM的制造方法。

【背景技術】
[0002]電可擦除可編程只讀存儲器一EEPROM(ElectricalIy Erasable andProgrammable Read - Only Memory)是一種具有廣泛應用市場和發(fā)展前景的可編程只讀存貯器。EEPROM可直接用電信號進行擦除和寫入，具有速度快和集成度高等優(yōu)點，一般都是即插即用一Plug&Play。
[0003]在微機的發(fā)展至今，存放B1S的芯片由最初的ROM (Read Only Memory,只讀存儲器)一路發(fā)展，經歷了 PROM (Programmable ROM,可編程 ROM), EPROM (ErasableProgrammable ROM),到今天的 EEPROM (ElectricalIy Erasable Programmable ROM,電可擦除可編程ROM)和Flash。技術發(fā)展和產品升級的推動力從產品名稱可見，主要來自于編程操作的難易程度，編程內容的可修改性以及程序內容的批量生產與個性化需求的相互兼容,加上生產成本的高低。
[0004]EEPROM(ElectricalIy Erasable Programmable ROM,電可擦除可編程 ROM)是由多個存儲單元Byte和外圍電路共同構成。不需要借助于其它設備便可實現(xiàn)擦除和寫入，根據(jù)電子信號修改程序內容，以存儲單元Byte為最小修改單位；由于寫入數(shù)據(jù)時仍要利用一定的編程電壓，因此屬于雙電壓芯片。
[0005]EEPROM具有以下優(yōu)點:編程操作的簡單；編程內容的可修改；客戶可按自身的個性化需求編寫B(tài)1S程序；由于批量程序輸入失誤造成的大規(guī)模報廢的減少以及半導體生產技術的提高，EEPROM的生產成本也有明顯降低。借助于EEPROM芯片的雙電壓特性，可以使B1S具有良好的防毒功能。
[0006]正是由于EEPROM可直接用電信號進行擦除和寫入，EEPROM存儲單元和外圍電路極其容易收到外界輻射的影響而導致器件失效和數(shù)據(jù)丟失。專利CN101930982A提出了一種抗輻射的EEPROM存儲單元結構，可保證EEPROM存儲單元在輻射條件下保持穩(wěn)定工作，通過采用環(huán)形柵結構，犧牲了 EEPROM存儲單元的面積以換取防輻射保護。然而，EEPROM存儲單元外圍電路中的高壓晶體管和低壓晶體管并沒有抗輻射結構。在輻射條件下，外圍電路中的高、低壓晶體管也會受影響，其表現(xiàn)為開啟電壓波動，電流變化等。實際上也就是影響了執(zhí)行擦除和寫入操作的電信號的變動。于是，雖然EEPROM存儲單元可以在輻射條件下正常工作，但擦除和寫入操作的電信號的不穩(wěn)定同樣導致整個電路無法在輻射條件下進行正常工作。
[0007]針對上述問題，本發(fā)明提出了一種抗輻照EEPROM的制造方法。其特點是充分利用現(xiàn)有技術，不增加額外的制造工藝步驟，僅通過調整低壓晶體管的柵氧化生長次序，實現(xiàn)將EEPROM存儲單元中浮柵極(Floating gate)與控制柵極(Control gate)之間用于隔離的介質層0N0層(Oxide -Nitride -Oxide)，同時應用為外圍電路中高壓晶體管和低壓晶體管柵極的側墻(Spacer)，實現(xiàn)將普通EEPROM制造方法中高壓晶體管和低壓晶體管柵極的單層氧化硅側墻替換為氧化硅和氮化硅組成的復合膜層側墻的改進。這樣既保證所涉及的高壓晶體管和低壓晶體管器件結構和電性能不變，又提高了該高壓晶體管和低壓晶體管的抗輻射性能，從而提升作為EEPROM存儲單元的外圍電路的抗輻射性能。如果同時使用抗輻射結構的EEPROM存儲單元，則整個EEPROM的抗輻射性能會得到大幅的提升。


【發(fā)明內容】

[0008]本發(fā)明要解決的技術問題是，提高EEPROM存儲單元的外圍電路的抗輻射性能，從而提高整個EEPROM的抗輻射性能。
[0009]為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種抗輻照EEPROM的制造方法，存儲器所含器件包括:EEPROM存儲單元以及外圍電路中的高壓晶體管、低壓晶體管，其特征在于，制造方法中各器件的源、漏極形成之前的制造步驟包括:
[0010]步驟1:選P型硅作為襯底材料，其晶向為100，材料電阻率為15?25 Ω.cm；
[0011]步驟2:形成高、低壓晶體管阱以及EEPROM存儲單元的阱；
[0012]步驟3:形成高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元的有源區(qū)，以及高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元各區(qū)域之間的氧化隔離區(qū)域；
[0013]步驟4:形成EEPROM存儲單元，高、低壓晶體管柵氧化層；
[0014]步驟5:形成EEPROM存儲單元的隧穿窗口，隨后在隧穿窗口內形成隧穿氧化層；
[0015]步驟6:淀積多晶1，隨后形成EEPROM存儲單元的浮柵極以及高、低壓晶體管的多晶娃棚極；
[0016]步驟7:生長復合薄膜 ONO—Oxide - SIN - Oxide ；
[0017]步驟8:淀積多晶2，隨后形成EEPROM存儲單元的控制柵極，以及高、低壓晶體管多晶娃柵極側邊的Oxide - SIN復合薄膜；
[0018]步驟9:沉積邊墻介質，隨后形成EEPROM存儲單元控制柵極，高、低壓晶體管多晶柵極的側墻層；
[0019]隨后的制造方法按照普通EEPROM流程完成。
[0020]可選的，步驟2為通過光刻工藝定義高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元阱的離子注入?yún)^(qū)域，繼而通過離子注入和高溫擴散工藝形成高、低壓晶體管阱和EEPROM存儲單元講；
[0021]可選的，步驟3為先由光刻工藝定義高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元的有源區(qū)，以及高、低壓晶體管以及EEPROM存儲單元各區(qū)域之間的氧化隔離區(qū)的區(qū)域圖形，再在襯底上通過局部氧化工藝一LOCOS或淺槽隔離工藝一STI形成高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元的有源區(qū)，以及高、低壓晶體管以及EEPROM存儲單元各區(qū)域之間的氧化隔離區(qū)域；
[0022]可選的，步驟4為用熱氧化的方法在襯底表面生長厚度約為0.2微米-0.3微米的二氧化硅，然后通過光刻和濕法腐蝕工藝僅保留EEPROM存儲單元和高壓晶體管區(qū)域的二氧化硅，隨后再次熱氧化生長厚度約為0.1微米-0.15微米二氧化硅作為低壓晶體管柵氧化層；
[0023]可選的，步驟5為用光刻的方法定義EEPROM存儲單元隧穿窗口區(qū)域，然后進行濕法腐蝕，在EEPROM存儲單元區(qū)域形成隧穿窗口，再通過熱氧化在EEPROM存儲單元的隧穿窗口內生長隧穿氧化，氧化層厚度約為0.07微米-0.09微米；
[0024]可選的，步驟6為通過低壓化學氣相淀積的方法沉積多晶1，多晶I的厚度為0.1微米-0.3微米，然后由光刻和干法刻蝕工藝形成EEPROM存儲單元的浮柵極以及高、低壓晶體管的多晶硅柵極；
[0025]可選的，步驟7為在整個襯底表面依次淀積二氧化硅Oxide、碳化硅SIN和二氧化娃Oxide薄膜,形成ONO復合薄膜；
[0026]優(yōu)選的，所述ONO復合薄膜的底層二氧化硅位于浮柵極上方，為厚度范圍為50-70埃的高溫熱氧化層，中間為低壓化學氣相淀積工藝淀積的氮化硅層，厚度為60?80埃，最后通過高溫熱氧化淀積厚度70 - 90埃的高溫熱氧化層，位于控制柵下方作為頂層二氧化硅；
[0027]可選的，步驟8為通過低壓化學氣相淀積的方法沉積多晶2，厚度為0.1微米-0.3微米，然后由光刻和干法刻蝕工藝形成EEPROM存儲單元的控制柵極的側墻，并在高、低壓晶體管多晶柵極側邊保留Oxide - SIN兩層薄膜；
[0028]可選的，步驟9所述淀積的邊墻介質為二氧化硅，隨后通過各向同性刻蝕在EEPROM存儲單元控制柵極和高、低壓晶體管多晶柵極側墻形成二氧化硅側墻。
[0029]現(xiàn)有技術的電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM(Electrically Erasable andProgrammable Read -Only Memory),是一種具有廣泛應用市場和發(fā)展前景的可編程只讀存貯器。EEPROM可直接用電信號進行擦除和寫入，具有速度快和集成度高等優(yōu)點，一般是用于即插即用(Plug&Play)。
[0030]EEPROM是由多個存儲單元Byte和外圍電路共同構成。其電荷存儲由EEPROM存儲單元完成，外圍電路中的高壓晶體管控制發(fā)送寫入和擦除信號，低壓晶體管控制發(fā)送讀取信號。
[0031]本發(fā)明提出的EEPROM是浮柵型非易失性存儲器。其每個EEPROM存儲單元的本質是一個MOS管，由一個源極、一個漏極、一個門極(控制極)，以及一個浮柵極組成。浮柵極是EEPROM與常用MOS的不同之處，它與其它部分絕緣。電子受隧道效應影響往來于襯底基區(qū)與浮柵極之間，當浮柵存儲電荷或失去電荷，表現(xiàn)出閾值電壓的升高或降低，也就是邏輯值I或0，則分別代表寫入或擦除數(shù)據(jù)。在浮柵型存儲器件中，電荷(數(shù)據(jù))存儲在浮柵中，故而掉電后，數(shù)據(jù)也不會丟失。
[0032]本發(fā)明提出的EEPROM存儲單元是由MOS管堆疊而成的。浮柵極被埋在柵氧化層和內部多晶硅絕緣層(IPD)之間，位于控制極的下方。iro將浮柵極完全包裹起來，使其免受劃傷和雜質污染?？刂茦O與外界相連，通過改變控制極的電壓執(zhí)行讀、寫和擦除等操作。
[0033]iro介于浮柵極與控制柵之間，用于隔絕浮柵極與其他電極，包括控制柵、源極、漏極、襯底，應該是零缺陷以保證沒有漏電。但由于浮柵極是一個多晶硅層，會在iro生長過程中被氧化，形成突起和內陷的不均勻表面。該不均勻表面在強電場作用下會產生很高的漏電流，成為IPD的缺陷，造成漏電。為減小漏電流，目前工業(yè)界多使用缺陷密度較小的多層介質堆棧的復合iro作為解決的方法，其目的就是為了提高電場性能，減少電荷損失，使更少的電子從浮柵中逸出。通用的復合iro為ONO有三層薄膜的依次堆砌而成，自下而上為底層0xide、SIN、頂層Oxide。本發(fā)明提出的EEPROM就是采用這種典型的0N0作為IPD，底層氧化層位于浮柵極上方，頂層氧化層位于控制柵極下方。
[0034]本發(fā)明提出的抗輻照EEPROM的制造方法就是利用0N0復合膜具有缺陷密度小，電場性能好的特點，將其應用到提高EEPROM的外圍電路的抗輻照性能。利用現(xiàn)有普通EEPROM工藝步驟次序的調整，在不添加工藝步驟的前提下，在外圍電路中的高、低壓晶體管柵極側邊構建類似IB)中ONO復合膜的側墻。在保證高壓晶體管和低壓晶體管器件結構不變的前提下，提聞了聞壓晶體管和低壓晶體管的抗福射性能，從而提升EEPROM外圍電路的抗福射性能。
[0035]具體做法為:將普通EEPROM制造方法中淀積多晶，形成浮柵極和淀積ONO的步驟介于高壓晶體管柵氧化層(隧穿氧化層)和低壓晶體管柵氧化層步驟之間的流程進行改變，變更步驟次序為，先完成高壓晶體管和低壓晶體管的柵氧化層然后淀積多晶形成浮柵極和淀積0N0。通過上述變動:1)可以實現(xiàn)將高、低壓晶體管柵極的普通單一的氧化層側墻替換為復合膜側墻；2)將低壓晶體管柵極由原先的使用淀積控制柵極的多晶硅改為使用淀積浮柵極的多晶硅。由于普通EEPROM制造方法中控制柵極的多晶硅與浮柵極的多晶硅的淀積工藝條件和淀積厚度相同，因此對器件沒有影響。
[0036]與現(xiàn)有技術的普通EEPROM制造方法相比，本發(fā)明的技術方案具有以下優(yōu)點:為實現(xiàn)高、低壓晶體管柵極的復合側墻的EEPROM器件，首先，本發(fā)明充分利用現(xiàn)有技術，不增加額外的工藝步驟，不會對生產造成額外的負荷；其次，上述工藝步驟次序的變更沒有涉及器件尺寸、關鍵膜層厚度的變化，也沒有改變關鍵膜層生長程序的任何工藝參數(shù)，即沒有改變膜層的質量，即可以保證高壓晶體管和低壓晶體管器件的結構，電參數(shù)和可靠性不會受影響；最后，由于普通制造方法中的控制柵極刻蝕會將高、低壓晶體管柵極側邊已淀積的ONO中的頂層氧化層刻蝕掉，再由后續(xù)的普通制造方法中的側墻氧化硅淀積和刻蝕，在形成控制柵極氧化硅側墻的同時，為高、低壓晶體管柵極重新添加頂層氧化硅，最終完成ONO的復合側墻，為了降低控制柵極刻蝕引入的等離子損傷，本發(fā)明使用高溫氧化層HTO替代普通Si02構成EEPROM存儲單元IPD以及外圍電路中高、低壓晶體管柵極復合側墻的ONO中的氧化物。高溫氧化層HTO的致密度好，缺陷率低，能夠進一步降低EEPROM存儲單元IPD的缺陷，減少電荷從浮柵極逸出，還能夠提高外圍電路中高壓晶體管和低壓晶體管的抗輻射性能。更重要的是，本發(fā)明所提供的制造方法完全基于普通EEPROM工藝，沒有添加任何工藝步驟卻提高了器件防輻照性能，這也保證了本發(fā)明的實用性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]圖1為是本發(fā)明提出的EEPROM制造方法流程與普通的EEPROM制造方法流程的對t匕，方框內工藝步驟為不同之處。
[0038]圖2 -1?10為本發(fā)明提出的EEPROM制造方法流程的具體工藝步驟。

【具體實施方式】
[0039]為使本發(fā)明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發(fā)明的內容作進一步說明。其次，本發(fā)明利用示意圖進行了詳細的表述，在詳述本發(fā)明實例時，為了便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應以此作為對本發(fā)明的限定。
[0040]本發(fā)明提供一種抗輻照EEPROM的制造方法，能夠在不添加工藝步驟的前提下，在外圍電路中的高、低壓晶體管柵極側邊構建類似EEPROM存儲單元的內部多晶硅絕緣層(!PD)中ONO復合膜的側墻。在保證高壓晶體管和低壓晶體管器件結構不變的前提下，提高了高壓晶體管和低壓晶體管的抗輻射性能，從而提升EEPROM外圍電路的抗輻射性能。
[0041]如圖1所示為本發(fā)明提出的EEPROM制造方法流程與傳統(tǒng)的EEPROM制造方法流程的對比，方框內工藝步驟為不同之處。
[0042]實施例
[0043]以下，詳細介紹本發(fā)明提出的抗輻照EEPROM的制造方法。
[0044]如圖2 -1所示，以P型硅I作為襯底材料，其晶向為〈100〉，材料電阻率為15?25 Ω.cm。通過掩膜版進行阱區(qū)域的光刻定義:低壓晶體管2講、EEPROM存儲單元3阱以及高壓晶體管4阱的離子注入?yún)^(qū)域。接著離子注入，然后去膠，再進行高溫擴散形成低壓晶體管阱區(qū)域、EEPROM存儲單元區(qū)域阱區(qū)域以及高壓晶體管阱區(qū)域。
[0045]如圖2-2所示，形成氧化隔離。通過局部氧化工藝LOCOS或淺槽隔離工藝STI在P型硅I上形成多個由場氧化物隔離的區(qū)域，分別為制備高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元的有源區(qū)5，以及高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元氧化隔離區(qū)域6。
[0046]如圖2-3所示，形成高壓晶體管柵氧化層。用熱氧化的方法在P型硅I表面生長二氧化硅，作為高壓晶體管的柵氧7，氧化層厚度約為0.2微米-0.3微米。然后通過掩膜版光亥_濕法腐蝕，去除低壓晶體管區(qū)域的氧化層，僅保留EEPROM存儲單元和高壓晶體管區(qū)域的氧化層。
[0047]隨后再次熱氧化生長二氧化硅形成低壓晶體管柵氧化層8，氧化層厚度約為0.1微米-0.15微米，如2 - 4所示。
[0048]需要指出的是，這里采用濕法腐蝕氧化層是為了減少P型硅襯底表面可能由于刻蝕而受到等離子轟擊的損傷，以降低襯底表面的缺陷密度。濕法腐蝕的腐蝕液采用BOE腐蝕液或稀釋的HF溶液。
[0049]如2 - 5所示，通過掩膜版光刻定義EEPROM存儲單元的隧穿窗口區(qū)域。然后進行濕法腐蝕，在EEPROM存儲單元區(qū)域形成隧穿窗口，再通過熱氧化在EEPROM存儲單元的隧穿窗口內生長隧穿氧化層，氧化層厚度約為0.07微米-0.09微米
[0050]如2 - 5a所示，為EEPROM存儲單元區(qū)域形成隧穿窗口的局部放大圖。
[0051]由于隧穿氧化層的質量將直接影響EEPROM作為非易失性存儲器的耐久力和保持力。通過濕法腐蝕形成隧穿窗口，再在此基礎上生長隧穿氧化層是為了將襯底表面的缺陷密度降到最低，從而保證最終的隧穿氧化層的質量，避免由于氧化物缺陷導致的低氧化擊穿和氧化硅結合鍵斷裂，減少漏電流。
[0052]濕法腐蝕的腐蝕液采用BOE腐蝕液或稀釋的HF溶液。
[0053]如圖2 - 6所示，通過低壓化學氣相淀積的方法沉積多晶I。多晶I的厚度為0.1微米-0.3微米。然后通過掩膜版用光刻的方法定義EEPROM存儲單元的浮柵極1a以及高壓晶體管和低壓晶體管的多晶硅柵極10b。隨后使用干法刻蝕的方法將多余的多晶I去除。
[0054]如圖2 - 7所示，整片淀積復合ONO膜11。整片依次淀積底層二氧化硅、氮化硅和頂層二氧化硅:如圖ONO膜的局部放大圖為2 - 7a所示，底層二氧化硅Ila采用HTO (高溫熱氧化層)工藝生長，厚度為50 -70埃；低壓化學氣相淀積方法淀積氮化硅11b，氮化硅的厚度為60?80埃；最后在氮化硅上用HTO的方法淀積頂二氧化硅11c，厚度為70 -90埃。
[0055]淀積的復合ONO膜，全面包裹EEPROM存儲單元的浮柵極，將用來作為和控制柵極之間的隔離層IPD。同時淀積的復合ONO膜也同樣全面包裹高壓晶體管和低壓晶體管的柵極。
[0056]需要指出的是，為了提高氧化層質量，可在HTO淀積后增加高溫致密步驟，致密步驟的主工藝氣體可以為氮氣。
[0057]如圖2 - 8所示，用低壓化學氣相淀積的方法沉積多晶2。多晶2的厚度為0.1微米-0.3微米。然后通過掩膜版，光刻定義EEPROM存儲單元的控制柵極12。隨后干法刻蝕多晶2，僅保留EEPROM存儲單元的控制柵極，將高壓晶體管和低壓晶體管區(qū)域的多晶硅去除。同時通過該干法刻蝕將覆蓋于整片襯底，暴露在EEPROM存儲單元的控制柵極區(qū)域之外的復合ONO膜去除。這個控制柵極多晶硅刻蝕工藝，會將高壓晶體管和低壓晶體管柵極頂部的復合ONO膜去除干凈，同時還會去除高壓晶體管和低壓晶體管柵極側壁覆蓋的復合ONO膜中頂層氧化硅，故控制柵極多晶硅刻蝕后，原低壓晶體管和高壓晶體管的復合ONO膜側墻變?yōu)镺N (Oxide - SIN)結構llx，如圖2 - 8a的局部放大圖所示。
[0058]如圖2 - 9所示，從這個步驟開始已經回歸了普通EEPROM制造方法。用低壓化學氣相淀積的方法沉積二氧化硅，并進行側墻刻蝕，在EEPROM存儲單元、高壓晶體管和低壓晶體管的側墻形成二氧化硅側墻。需要指出的是，經由該層二氧化硅的覆蓋，低壓晶體管和高壓晶體管的復合膜側墻由控制柵極多晶硅刻蝕后的ON — Oxide - SIN恢復成ONO—Oxide - SIN - Oxide 復合結構。
[0059]如圖2-10所示，繼續(xù)按照普通EEPROM制造方法流程形成各器件源漏極以及后段金屬連線，完成EEPROM的制作。
[0060]以上介紹的僅僅是基于本發(fā)明的較佳實施例，并不能以此來限定本發(fā)明的范圍。任何對本發(fā)明的裝置作本【技術領域】內熟知的部件的替換、組合、分立，以及對本發(fā)明實施步驟作本【技術領域】內熟知的等同改變或替換均不超出本發(fā)明的揭露以及保護范圍。
【權利要求】
1.一種抗輻照EEPROM的制造方法，存儲器所含器件包括=EEPROM存儲單元和外圍電路中的高壓晶體管、低壓晶體管，其特征在于，制造方法中各器件的源、漏極形成之前的制造方法包括: 步驟1:選P型硅作為襯底材料，其晶向為100，材料電阻率為15?25 Ω * cm； 步驟2:形成高、低壓晶體管阱以及EEPROM存儲單元的阱； 步驟3:形成高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元的有源區(qū)，以及高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元各區(qū)域之間的氧化隔離區(qū)域； 步驟4:形成EEPROM存儲單元，高、低壓晶體管柵氧化層； 步驟5:形成EEPROM存儲單元的隧穿窗口，隨后在隧穿窗口內形成隧穿氧化層； 步驟6:淀積多晶1，隨后形成EEPROM存儲單元的浮柵極以及高、低壓晶體管的多晶硅柵極； 步驟7:生長復合薄膜ONO-Oxide - SIN - Oxide ； 步驟8:淀積多晶2，隨后形成EEPROM存儲單元的控制柵極，以及高、低壓晶體管多晶硅柵極側邊的Oxide - SIN復合薄膜； 步驟9:沉積邊墻介質，隨后形成EEPROM存儲單元控制柵極，高、低壓晶體管多晶柵極的側墻層； 隨后的制造方法按照普通EEPROM流程完成。
2.如權利要求1所述的一種抗輻照EEPROM的制造方法，其特征在于，步驟2為通過光刻工藝定義高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元阱的離子注入?yún)^(qū)域，繼而通過離子注入和高溫擴散工藝形成高、低壓晶體管阱和EEPROM存儲單元阱。
3.如權利要求1所述的一種抗輻照EEPROM的制造方法，其特征在于，步驟3為先由光刻工藝定義高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元的有源區(qū)，以及高、低壓晶體管以及EEPROM存儲單元各區(qū)域之間的氧化隔離區(qū)的區(qū)域圖形，再在襯底上通過局部氧化工藝一LOCOS或淺槽隔離工藝一STI形成高、低壓晶體管和EEPROM存儲單元的有源區(qū)，以及高、低壓晶體管以及EEPROM存儲單元各區(qū)域之間的氧化隔離區(qū)域。
4.如權利要求1所述的一種抗輻照EEPROM的制造方法，其特征在于，步驟4為用熱氧化的方法在襯底表面生長厚度約為0.2微米-0.3微米的二氧化硅，然后通過光刻和濕法腐蝕工藝僅保留EEPROM存儲單元和高壓晶體管區(qū)域的二氧化硅，隨后再次熱氧化生長厚度約為0.1微米-0.15微米二氧化硅作為低壓晶體管柵氧化層。
5.如權利要求1所述的一種抗輻照EEPROM的制造方法，其特征在于，步驟5為用光刻的方法定義EEPROM存儲單元隧穿窗口區(qū)域，然后進行濕法腐蝕，在EEPROM存儲單元區(qū)域形成隧穿窗口，再通過熱氧化在EEPROM存儲單元的隧穿窗口內生長隧穿氧化，氧化層厚度約為0.07微米-0.09微米。
6.如權利要求1所述的一種抗輻照EEPROM的制造方法，其特征在于，步驟6為通過低壓化學氣相淀積的方法沉積多晶1，多晶I的厚度為0.1微米-0.3微米，然后由光刻和干法刻蝕工藝形成EEPROM存儲單元的浮柵極以及高、低壓晶體管的多晶硅柵極。
7.如權利要求1所述的一種抗輻照EEPROM的制造方法，其特征在于，步驟7為在整個襯底表面依次淀積二氧化娃Oxide、碳化娃SIN和二氧化娃Oxide薄膜,形成ONO復合薄膜。
8.如權利要求7所述的一種抗輻照EEPROM的制造方法，其特征在于，所述ONO復合薄膜的底層二氧化硅位于浮柵極上方，為厚度范圍為50 - 70埃的高溫熱氧化層，中間為低壓化學氣相淀積工藝淀積的氮化硅層，厚度為60?80埃，最后通過高溫熱氧化淀積厚度70 - 90埃的高溫熱氧化層，位于控制柵下方作為頂層二氧化硅。
9.如權利要求1所述的一種抗輻照EEPROM的制造方法，其特征在于，步驟8為通過低壓化學氣相淀積的方法沉積多晶2，厚度為0.1微米-0.3微米，然后由光刻和干法刻蝕工藝形成EEPROM存儲單元的控制柵極的側墻，并在高、低壓晶體管多晶柵極側邊保留Oxide - SIN兩層薄膜。
10.如權利要求1所述的一種抗輻照EEPROM的制造方法，其特征在于，步驟9所述淀積的邊墻介質為二氧化硅，隨后通過各向同性刻蝕在EEPROM存儲單元控制柵極和高、低壓晶體管多晶柵極側墻形成二氧化硅側墻。
【文檔編號】H01L21/8247GK104362128SQ201410652874
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年11月17日 優(yōu)先權日:2014年11月17日
【發(fā)明者】楊冰, 奚鵬程 申請人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司, 成都微光集電科技有限公司