有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
【專利摘要】提供了一種有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。所述有機發(fā)光二極管顯示器包括：形成在基板上的柵極電極；形成在所述柵極電極上的柵極絕緣層；形成在所述柵極絕緣層上以與所述柵極電極交疊的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括溝道區(qū)域以及源極區(qū)域和漏極區(qū)域，所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域分別從所述溝道區(qū)域向橫向端部延伸并被導(dǎo)電化；形成在所述溝道區(qū)域上并暴露所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域的蝕刻阻止層；與所暴露的源極區(qū)域的一部分接觸的源極電極；和與所暴露的漏極區(qū)域的一部分接觸的漏極電極。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
[0001] 本申請要求2013年7月30日提交的韓國專利申請No. 10-2013-0090499的優(yōu)先 權(quán)，為了所有目的在此援引該專利申請作為參考，如同在這里完全闡述一樣。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及一種用于有機發(fā)光二極管顯示器的具有氧化物半導(dǎo)體材料的薄膜晶 體管基板及其制造方法。本發(fā)明尤其涉及一種具有薄膜晶體管基板的有機發(fā)光二極管顯示 器及其制造方法，在薄膜晶體管基板中通過蝕刻阻止層限定氧化物半導(dǎo)體層中的溝道區(qū)域 和源極-漏極區(qū)域。
【背景技術(shù)】
[0003] 目前，為了克服陰極射線管的一些缺點，如重量重和體積龐大，開發(fā)了各種平板顯 示裝置。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置（或LCD)、場發(fā)射顯示器（或FED)、等離子體顯 示面板（或PDP)和電致發(fā)光裝置（或EL)。
[0004] 根據(jù)發(fā)光材料，電致發(fā)光顯示裝置分為無機發(fā)光二極管顯示裝置和有機發(fā)光二極 管顯示裝置。作為自發(fā)光顯示裝置，電致發(fā)光顯示裝置具有響應(yīng)速度非?？臁⒘炼确浅８咔?視角非常寬的優(yōu)點。
[0005] 圖1是圖解有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)的示圖。如圖1中所示，有機發(fā)光二極管包括有 機發(fā)光材料層、以及陰極和陽極，其中陰極和陽極彼此面對且之間設(shè)置有有機發(fā)光材料層。 有機發(fā)光材料層包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EML、電子傳輸層ETL和電子 注入層EIL。由于以空穴和電子在發(fā)光層EML處重新組合的激發(fā)態(tài)形成的激子的能量，有機 發(fā)光二極管發(fā)射光。有機發(fā)光二極管顯示器可通過控制如圖1中所示的有機發(fā)光二極管的 發(fā)光層EML產(chǎn)生并發(fā)射的光量（或"亮度"），呈現(xiàn)視頻數(shù)據(jù)。
[0006] 使用有機發(fā)光二極管的有機發(fā)光二極管顯示器（或0LED)可分為無源矩陣型有機 發(fā)光二極管顯示器（或PM0LED)和有源矩陣型有機發(fā)光二極管顯示器（或AM0LED)。
[0007] 有源矩陣型有機發(fā)光二極管顯示器（或AM0LED)通過使用薄膜晶體管（或TFT) 控制施加給有機發(fā)光二極管的電流來顯示視頻數(shù)據(jù)。
[0008] 圖2是圖解有源矩陣型有機發(fā)光二極管顯示器（或AM0LED)的結(jié)構(gòu)的典型電路 圖。圖3是圖解AMOLED中的一個像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4是用于圖解AMOLED的結(jié)構(gòu)的 沿切割線1-1'的剖面圖。
[0009] 參照圖2和3,有源矩陣型有機發(fā)光二極管顯示器包括開關(guān)薄膜晶體管ST、與開關(guān) 薄膜晶體管ST連接的驅(qū)動薄膜晶體管DT、以及與驅(qū)動薄膜晶體管DT連接的有機發(fā)光二極 管0LED。通過設(shè)置于基板SUB上的掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL和驅(qū)動電流線VDD來限定像素區(qū) 域。有機發(fā)光二極管OLED形成在一個像素區(qū)域中并在像素區(qū)域中限定發(fā)光區(qū)域。
[0010] 開關(guān)薄膜晶體管ST形成在掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL彼此交叉的地方。設(shè)置開關(guān)薄 膜晶體管ST以選擇與開關(guān)薄膜晶體管ST連接的像素。開關(guān)薄膜晶體管ST包括與柵極線 GL連接的柵極電極SG、與柵極電極SG交疊的半導(dǎo)體溝道層SA、源極電極SS和漏極電極SD。 設(shè)置驅(qū)動薄膜晶體管DT以驅(qū)動設(shè)置在由開關(guān)薄膜晶體管ST選擇的像素處的有機發(fā)光二 極管OLED的陽極電極ANO。驅(qū)動薄膜晶體管DT包括與開關(guān)薄膜晶體管ST的漏極電極SD 連接的柵極電極DG、半導(dǎo)體溝道層DA、與驅(qū)動電流線VDD連接的源極電極DS、和漏極電極 D。驅(qū)動薄膜晶體管DT的漏極電極DD與有機發(fā)光二極管OLED的陽極電極ANO連接。在陽 極電極ANO與陰極電極CAT之間設(shè)置有有機發(fā)光層OLE。陰極電極CAT與基礎(chǔ)電壓（base voltage)VSS連接。在驅(qū)動薄膜晶體管DT的柵極電極DG與驅(qū)動電流線VDD之間或者在驅(qū) 動薄膜晶體管DT的柵極電極DG與驅(qū)動薄膜晶體管DT的漏極電極DD之間形成有存儲電容 Cst0
[0011] 進一步參照圖4,開關(guān)薄膜晶體管ST和驅(qū)動薄膜晶體管DT的柵極電極SG和DG分 別形成在有源矩陣型有機發(fā)光二極管顯示器的基板SUB上。在柵極電極SG和DG上沉積有 柵極絕緣體GI。在與柵極電極SG和DG交疊的柵極絕緣體GI上，分別形成有半導(dǎo)體層SA 和DA。在半導(dǎo)體層SA和DA上，形成有彼此相對并間隔開的源極電極SS和DS及漏極電極 SD和DD。開關(guān)薄膜晶體管ST的漏極電極SD通過穿透柵極絕緣體GI的接觸孔與驅(qū)動薄膜 晶體管DT的柵極電極DG連接。在具有開關(guān)薄膜晶體管ST和驅(qū)動薄膜晶體管DT的基板 SUB上沉積有鈍化層PAS。
[0012] 特別是，由氧化物半導(dǎo)體材料形成的半導(dǎo)體層SA和DA由于高電子遷移率的特性 而具有諸如高分辨率和高速操作這樣的優(yōu)點，因而可用于具有大充電電容器的大面積薄膜 晶體管基板。然而，為了確保氧化物半導(dǎo)體材料的穩(wěn)定性，優(yōu)選包括覆蓋溝道區(qū)域的上表面 的蝕刻阻止層SE和DE，以保護溝道區(qū)域的上表面免受蝕刻劑的影響。詳細地說，可形成蝕 刻阻止層SE和DE以防止半導(dǎo)體層SA和DA被用于圖案化源極電極SS和DS以及漏極電極 SD和DD的蝕刻劑向后蝕刻（back-etched)。
[0013] 在稍后將形成陽極電極ANO的區(qū)域形成濾色器。優(yōu)選濾色器CF具有盡可能大的 面積。例如，優(yōu)選與數(shù)據(jù)線DL、驅(qū)動電流線VDD和/或掃描線SL的一些部分交疊。具有這 些薄膜晶體管ST和DT以及濾色器CF的基板的上表面并非處于平坦和/或平滑的狀態(tài)，而 是處于具有不同水平面的不平坦和/或粗糙的狀態(tài)。為了確保有機發(fā)光二極管顯示器在整 個顯示區(qū)域上具有優(yōu)良的發(fā)光質(zhì)量，有機發(fā)光層OLE應(yīng)當(dāng)形成在平坦或平滑的表面上。從 而，為了使上表面處于平坦和平滑的狀態(tài)，在基板的整個表面上沉積涂覆層0C。
[0014] 然后，在涂覆層OC上，形成有機發(fā)光二極管OLED的陽極電極ΑΝ0。在此，陽極電極 ANO通過穿透涂覆層OC和鈍化層PAS的接觸孔與驅(qū)動薄膜晶體管DT的漏極電極DD連接。
[0015] 在具有陽極電極ANO的基板SUB上，在具有開關(guān)薄膜晶體管ST、驅(qū)動薄膜晶體管 DT和各種線DL，SL和VDD的區(qū)域上形成堤部BANK，用于限定發(fā)光區(qū)域。由堤部BANK暴露 的陽極電極ANO的部分可為發(fā)光區(qū)域。在從堤部BANK暴露的陽極電極ANO上，形成有機發(fā) 光層OLE。在有機發(fā)光層OLE上，形成陰極電極CAT。
[0016] 對于有機發(fā)光層OLE具有發(fā)射白光的材料的情形，每個像素可通過設(shè)置在陽極電 極ANO下方的濾色器CF呈現(xiàn)各種顏色。圖4中所示的有機發(fā)光二極管顯示器是底發(fā)光型 顯示器，其中可見光發(fā)射到顯示基板的底部方向。
[0017] 在如上面所述結(jié)構(gòu)下的具有氧化物半導(dǎo)體材料的有機發(fā)光二極管顯示器中，源 極-漏極電極SS-SD和DS-DD與蝕刻阻止層SE和DE的一部分交疊。特別是，與源極電極 SS和DS與漏極電極DS和DD之間的長度對應(yīng)的半導(dǎo)體層SA和DA的部分區(qū)域被限定為溝 道區(qū)域。由于這些交疊的區(qū)域，半導(dǎo)體層SA和DA的總面積可大于用于確保有效溝道區(qū)域 所需的面積。此外，在這些交疊的區(qū)域，例如在源極-漏極電極SS-SD和DS-DD與柵極電極 SG和DG之間會形成一些寄生電容。當(dāng)交疊的區(qū)域變大時，寄生電容的量將增加。這會導(dǎo)致 對薄膜晶體管的一些不利影響。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0018] 為了克服上述缺陷，本發(fā)明的一個目的是提供一種具有包括氧化物半導(dǎo)體的薄膜 晶體管基板的有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法，其中氧化物半導(dǎo)體的溝道區(qū)域不與源 極-漏極電極交疊。本發(fā)明的另一個目的是提供一種薄膜晶體管基板及其制造方法，其中 通過蝕刻阻止層精確限定溝道區(qū)域和源極-漏極區(qū)域，且其中溝道區(qū)域不與源極-漏極電 極交疊從而源極-漏極電極與源極-漏極區(qū)域的一部分連接。
[0019] 為了實現(xiàn)上面的目的，本發(fā)明提供了 一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：形成在基 板上的柵極電極；覆蓋所述柵極電極的柵極絕緣層；形成在所述柵極絕緣層上以與所述柵 極電極交疊的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括溝道區(qū)域以及源極區(qū)域和漏極區(qū)域，所述源極 區(qū)域和漏極區(qū)域分別從所述溝道區(qū)域向兩外側(cè)（或橫向端部）延伸并被導(dǎo)電化；覆蓋所述 溝道區(qū)域并暴露所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域的蝕刻阻止層；與所暴露的源極區(qū)域的一部分接 觸的源極電極；和與所暴露的漏極區(qū)域的一部分接觸的漏極電極。
[0020] 在一個實施方式中，所述源極電極與所暴露的源極區(qū)域的一部分接觸，所述源極 區(qū)域的所接觸的部分向著一個外側(cè)遠離所述溝道區(qū)域第一預(yù)定距離，所述源極電極與所述 溝道區(qū)域之間的源極區(qū)域的其他部分被暴露；且其中所述漏極電極與所暴露的漏極區(qū)域 的一部分接觸，所述漏極區(qū)域的所接觸的部分向著另一外側(cè)遠離所述溝道區(qū)域第二預(yù)定距 離，所述漏極電極與所述溝道區(qū)域之間的漏極區(qū)域的其他部分被暴露。
[0021] 在一個實施方式中，所述源極電極和漏極電極包括第一金屬層和層疊在所述第一 金屬層上的第二金屬層。
[0022] 在一個實施方式中，所述蝕刻阻止層設(shè)置在所述基板的整個表面上并位于所述半 導(dǎo)體層上，并包括暴露所述源極區(qū)域的源極區(qū)域孔和暴露所述漏極區(qū)域的漏極區(qū)域孔。
[0023] 在一個實施方式中，所述蝕刻阻止層和所述溝道區(qū)域與所述柵極電極具有相同的 尺寸和形狀。
[0024] 在一個實施方式中，所述半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體材料；其中所述源極區(qū)域和 漏極區(qū)域通過將所述氧化物半導(dǎo)體材料導(dǎo)電化而形成。
[0025] 此外，本發(fā)明提出一種制造有機發(fā)光二極管（OLED)顯示器的方法，所述方法包括 如下步驟：在基板上形成柵極電極；通過沉積柵極絕緣層和氧化物半導(dǎo)體材料并圖案化所 述氧化物半導(dǎo)體材料形成半導(dǎo)體層；形成覆蓋所述半導(dǎo)體層的中心部分的蝕刻阻止層；使 用所述蝕刻阻止層作為掩模進行等離子體處理，以將由所述蝕刻阻止層暴露的半導(dǎo)體層的 部分導(dǎo)電化，從而限定溝道區(qū)域、源極區(qū)域和漏極區(qū)域；和形成與導(dǎo)電化的源極區(qū)域的一部 分接觸的源極電極以及與導(dǎo)電化的漏極區(qū)域的一部分接觸的漏極電極。
[0026] 在一個實施方式中，形成蝕刻阻止層的步驟包括：在所述半導(dǎo)體層上沉積絕緣層； 和通過使用掩模圖案化所述絕緣層，形成暴露所述源極區(qū)域的源極區(qū)域孔和暴露所述漏極 區(qū)域的漏極區(qū)域孔。
[0027] 在一個實施方式中，形成蝕刻阻止層的步驟包括：在所述半導(dǎo)體層上沉積絕緣層； 和通過使用所述柵極電極作為掩模的背部曝光方法圖案化所述蝕刻阻止層，從而暴露所述 源極區(qū)域和漏極區(qū)域且通過所述蝕刻阻止層覆蓋所述溝道區(qū)域。
[0028] 在一個實施方式中，在形成源極電極和漏極電極的步驟中，所述源極電極與所述 源極區(qū)域的一部分接觸，所述源極電極的所接觸的部分遠離所述溝道區(qū)域第一預(yù)定距離， 所述源極電極與所述溝道區(qū)域之間的源極區(qū)域的其他部分被暴露；且所述漏極電極與所述 漏極區(qū)域的一部分接觸，所述漏極區(qū)域的所接觸的部分遠離所述溝道區(qū)域第二預(yù)定距離， 所述漏極電極與所述溝道區(qū)域之間的漏極區(qū)域的其他部分被暴露。
[0029] 在一個實施方式中，形成源極電極和漏極電極的步驟包括：在所述蝕刻阻止層上 依次沉積第一金屬層和第二金屬層；使用濕蝕刻方法圖案化所述第二金屬層；和通過使用 被圖案化的第二金屬層作為掩模的干蝕刻方法，圖案化所述第一金屬層。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明的具有氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管基板具有通過使用蝕刻阻止層 作為掩模將氧化物半導(dǎo)體層導(dǎo)電化而精確限定的溝道區(qū)域和源極-漏極區(qū)域。也就是說， 可使用蝕刻阻止層將溝道區(qū)域形成為具有最小化的長度。此外，源極-漏極電極分別與氧 化物半導(dǎo)體層的導(dǎo)電化的源極-漏極區(qū)域連接。結(jié)果，溝道區(qū)域不與源極-漏極電極交疊， 可獲得具有優(yōu)良電流特性的薄膜晶體管。此外，當(dāng)使用背部曝光工藝時，柵極電極、溝道區(qū) 域和蝕刻阻止層可形成為具有相同的形狀和面積，從而即使在底柵結(jié)構(gòu)中，也可獲得頂柵 結(jié)構(gòu)的其中柵極-源極電極和柵極-漏極電極的寄生電容能夠被消除的優(yōu)點。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0031] 給本發(fā)明提供進一步理解并且并入本申請組成本申請一部分的附圖圖解了本發(fā) 明的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0032] 在附圖中：
[0033] 圖1是圖解根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)的示圖；
[0034] 圖2是圖解根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣型有機發(fā)光二極管顯示器（或AM0LED)中的 一個像素的結(jié)構(gòu)的典型電路圖；
[0035] 圖3是圖解根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的AMOLED中的一個像素的結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0036] 圖4是用于圖解根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的AMOLED的結(jié)構(gòu)的沿切割線1-1'的的剖面圖；
[0037] 圖5是圖解根據(jù)本發(fā)明第一個實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的平面 圖；
[0038] 圖6是用于圖解根據(jù)本發(fā)明第一個實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的 沿圖5中的切割線11-11'的剖面圖；
[0039] 圖7是圖解"①"區(qū)域的放大剖面圖，其中顯示了根據(jù)本發(fā)明第一個實施方式的圖 6中驅(qū)動薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)；
[0040] 圖8A到8F是圖解根據(jù)本發(fā)明第一個實施方式的制造薄膜晶體管基板的方法的剖 面圖；
[0041] 圖9是圖解根據(jù)本發(fā)明第二個實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的平面 圖；
[0042] 圖10是用于圖解根據(jù)本發(fā)明第二個實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的 沿圖9中的切割線III-III'的剖面圖；以及
[0043] 圖IlA到IlF是圖解根據(jù)本發(fā)明第二個實施方式的制造用于有機發(fā)光二極管顯示 器的薄膜晶體管基板的方法的剖面圖。
【具體實施方式】
[0044] 現(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。在整個詳細描述中使用相似的參考 標(biāo)記表示相似的元件。然而，本發(fā)明并不限于這些實施方式，而是在不改變技術(shù)精神的情況 下可應(yīng)用于各種變化或修改。在下面的實施方式中，考慮到便于解釋而選擇了元件的名稱， 因而它們可能與實際名稱不同。
[0045] 下文，將參照圖5和6解釋根據(jù)本發(fā)明第一個實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器。 圖5是圖解根據(jù)本發(fā)明第一個實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖6是 用于圖解根據(jù)本發(fā)明第一個實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的沿圖5中的切割 線Π-ΙΙ'的剖面圖。
[0046] 參照圖5和6,根據(jù)本發(fā)明第一個實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器具有分別形 成在基板SUB上的開關(guān)薄膜晶體管ST和驅(qū)動薄膜晶體管DT的柵極電極SG和DG。在柵極 電極SG和DG上沉積有柵極絕緣體（或稱為"柵極絕緣層"）GI。在與柵極電極SG和DG交 疊的柵極絕緣體GI的一部分上形成有半導(dǎo)體層SA和DA。在半導(dǎo)體層SA和DA上，分別形 成有彼此相對并間隔開確定距離的源極電極SS和DS及漏極電極SD和DD。開關(guān)薄膜晶體 管ST的漏極電極SD通過穿透柵極絕緣體GI的接觸孔與驅(qū)動薄膜晶體管DT的柵極電極DG 連接。在具有開關(guān)薄膜晶體管ST和驅(qū)動薄膜晶體管DT的基板SUB上沉積有鈍化層PAS。
[0047] 特別是，當(dāng)半導(dǎo)體層SEM由氧化物半導(dǎo)體材料形成時，為了確保元件的穩(wěn)定性，可 包括蝕刻阻止層ES，用于保護半導(dǎo)體層SEM的上表面免受蝕刻劑的影響。詳細地說，當(dāng)通過 使用蝕刻劑的光刻方法圖案化形成源極電極SS和DS及漏極電極SD和DD時，在源極電極 與漏極電極之間的間隙區(qū)域，半導(dǎo)體層SEM可能被蝕刻劑向后蝕刻。通過在半導(dǎo)體層SEM 的溝道區(qū)域的上表面上形成蝕刻阻止層ES，蝕刻阻止層ES可防止該間隙處的半導(dǎo)體層SEM 的上表面被蝕刻劑蝕刻?？稍诎雽?dǎo)體層SEM的中心部分上形成蝕刻阻止層ES。
[0048] 在本發(fā)明的第一個實施方式中，蝕刻阻止層ES被形成為覆蓋沉積有半導(dǎo)體層SEM 的基板SUB的整個表面。此外，蝕刻阻止層ES具有用于限定半導(dǎo)體層SEM的溝道區(qū)域SA和 DA、以及分別連續(xù)地設(shè)置在溝道區(qū)域的右側(cè)和左側(cè)的源極區(qū)域SSA和DSA及漏極區(qū)域SDA 和DDA的開孔。換句話說，由蝕刻阻止層ES的開孔暴露的半導(dǎo)體層SEM的區(qū)域可被限定為 源極區(qū)域SSA和DSA及漏極區(qū)域SDA和DDA。在源極區(qū)域SSA和DSA與漏極區(qū)域SDA和DDA 之間的被蝕刻阻止層ES覆蓋的半導(dǎo)體層SEM的中間部分被限定為溝道區(qū)域SA和DA。
[0049] 此外，在本發(fā)明的第一個實施方式中，源極電極SS和DS分別與源極區(qū)域SSA和 DSA的一部分連接。因此，源極電極SS和DS不與溝道區(qū)域SA和DA交疊。此外，漏極電極 SD和DD分別與漏極區(qū)域SDA和DDA的一部分連接。
[0050] 可在陽極電極ANO可被形成為一層的區(qū)域形成濾色器CF。優(yōu)選濾色器CF具有盡 可能大的面積。例如，濾色器CF可與數(shù)據(jù)線DL、驅(qū)動電流線VDD和掃描線SL的一些部分交 疊。具有這些薄膜晶體管ST和DT以及濾色器CF的基板的上表面不處于平坦和/或平滑 的狀態(tài)，而是處于具有不同水平面的不平坦和/或粗糙的狀態(tài)。為了確保有機發(fā)光二極管 顯示器在整個顯示區(qū)域上具有優(yōu)良的發(fā)光質(zhì)量，有機發(fā)光層OLE應(yīng)當(dāng)形成在平坦或平滑的 表面上。從而，為了使上表面處于平坦和平滑的狀態(tài)，在基板SUB的整個表面上沉積涂覆層 OC0
[0051] 然后，在涂覆層OC上，形成有機發(fā)光二極管OLED的陽極電極ΑΝ0。在此，陽極電極 ANO通過穿透涂覆層OC和鈍化層PAS的接觸孔與驅(qū)動薄膜晶體管DT的漏極電極DD連接。
[0052] 在具有陽極電極ANO的基板SUB上，在具有開關(guān)薄膜晶體管ST、驅(qū)動薄膜晶體管 DT和各種線DL，SL和VDD的區(qū)域上形成堤部BANK，用于限定發(fā)光區(qū)域。由堤部BANK暴露 的陽極電極ANO的部分可為發(fā)光區(qū)域。在從堤部BANK暴露的陽極電極ANO上，形成有機發(fā) 光層OLE。在有機發(fā)光層OLE上，形成陰極電極CAT。
[0053] 在有機發(fā)光層OLE包括發(fā)射白光的有機材料的情形中，每個像素可使用設(shè)置在陽 極電極ANO下方的濾色器CF呈現(xiàn)其自身的顏色。具有圖6中所示結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光二極管 顯示器可以是底發(fā)光型顯示器。
[0054] 本發(fā)明的一個主要特點在于包括氧化物半導(dǎo)體材料的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。下文， 參照圖7更詳細地描述有機發(fā)光二極管顯示器中的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。圖7是圖解"①" 區(qū)域的放大剖面圖，其中顯示了根據(jù)本發(fā)明第一個實施方式的圖6中驅(qū)動薄膜晶體管的結(jié) 構(gòu)。
[0055] 參照圖7,在基板SUB上形成有驅(qū)動薄膜晶體管DT的柵極電極DG。在柵極電極DG 上沉積有柵極絕緣層GI。在柵極絕緣層GI上形成有與柵極電極DG交疊的半導(dǎo)體層SEM。 在具有半導(dǎo)體層SEM的基板SUB的整個表面上，沉積有蝕刻阻止層ES。
[0056] 蝕刻阻止層ES被圖案化為暴露半導(dǎo)體層SEM的源極區(qū)域DSA和漏極區(qū)域DDA?？?通過等離子體處理使暴露的源極區(qū)域DSA和漏極區(qū)域DDA導(dǎo)電化（或金屬化）。結(jié)果，源極 區(qū)域DSA與漏極區(qū)域DDA之間的半導(dǎo)體層SEM的部分可被限定為溝道區(qū)域DA。
[0057] 在蝕刻阻止層ES上，形成源極電極DS和漏極電極DD。特別是，源極電極DS連接 至通過蝕刻阻止層ES的開孔而暴露的源極區(qū)域DSA，特別地，連接至與溝道區(qū)域DA相距預(yù) 定距離的源極區(qū)域DSA的一部分。此外，漏極電極DD連接至通過蝕刻阻止層ES的開孔而 暴露的漏極區(qū)域DDA，特別地，連接至與溝道區(qū)域DA相距預(yù)定距離的漏極區(qū)域DDA的一部 分。
[0058] 根據(jù)一個實施方式，源極電極DS和漏極電極DD可由層疊的雙層金屬層形成。例 如，第一金屬層Ml可設(shè)置在下層，第二金屬層M2可設(shè)置在上層。第一金屬層Ml可容易地 通過濕蝕刻方法圖案化，而第二金屬層M2可容易地通過干蝕刻方法圖案化。此外，從源極 電極DS延伸的數(shù)據(jù)線DL可具有相同結(jié)構(gòu)。類似地，與驅(qū)動薄膜晶體管DT的柵極電極DG 連接的開關(guān)薄膜晶體管ST的漏極電極SD可具有相同結(jié)構(gòu)。
[0059] 在這種結(jié)構(gòu)下，通過蝕刻阻止層ES的形狀（或輪廓）可限定溝道區(qū)域DA和源 極-漏極區(qū)域DSA和DDA。因此，溝道區(qū)域DA不具有與源極-漏極電極DS和DD交疊的部 分。結(jié)果，溝道區(qū)域DA的長度由蝕刻阻止層ES的圖案決定，從而當(dāng)設(shè)計薄膜晶體管時不需 要考慮任何交疊裕度?？赏ㄟ^使用蝕刻阻止層ES的圖案精確設(shè)計并形成薄膜晶體管，以使 其具有較短的溝道長度。
[0060] 下文，參照圖8A到8F描述制造薄膜晶體管的方法。圖8A到8F是圖解根據(jù)本發(fā) 明第一個實施方式的制造薄膜晶體管基板的方法的剖面圖。
[0061]如圖8A中所示，在第一掩模工藝中在透明基板SUB上沉積并圖案化柵極金屬材 料，以形成柵極元件。柵極元件包括（驅(qū)動薄膜晶體管DT的）柵極電極DG和與柵極電極 DG連接的掃描線SL。在具有柵極元件的基板SUB的整個表面上沉積柵極絕緣層GI。
[0062] 在第二掩模工藝中在柵極絕緣層GI上沉積并圖案化氧化物半導(dǎo)體材料，以形成 半導(dǎo)體層SEM。氧化物半導(dǎo)體材料包括諸如氧化銦鎵鋅（或IGZ0)這樣的金屬氧化物材料。 半導(dǎo)體層SEM被形成為與柵極電極DG交疊，如圖8B中所示。
[0063] 在具有半導(dǎo)體層SEM的基板SUB的整個表面上沉積絕緣材料，以形成蝕刻阻止層 ES。在第三掩模工藝中圖案化蝕刻阻止層ES，以形成源極區(qū)域孔SH和漏極區(qū)域孔DH，如圖 8C中所示。
[0064] 在形成源極區(qū)域孔SH和漏極區(qū)域孔DH之后，在第四掩模工藝中圖案化蝕刻阻止 層ES和柵極絕緣層GI，以形成暴露柵極電極DG的一部分的柵極接觸孔GH。因為第一個實 施方式中解釋的制造工藝用于形成有機發(fā)光二極管顯示器，所以開關(guān)薄膜晶體管ST與驅(qū) 動薄膜晶體管DT連接。因此，需要柵極接觸孔GH。然而，在制造不需要柵極接觸孔的液晶 顯示器的方法中，可省略此第四掩模工藝。
[0065] 使用被圖案化的蝕刻阻止層ES作為掩模，在基板SUB的整個表面上進行等離子體 處理。進行等離子體處理的步驟可包括：將蝕刻阻止層ES的第一端與溝道區(qū)域和源極區(qū)域 之間的邊界對齊并將蝕刻阻止層ES的第二端與溝道區(qū)域和漏極區(qū)域之間的邊界對齊。然 后，由穿透蝕刻阻止層ES的源極區(qū)域孔SH和漏極區(qū)域孔DH暴露的半導(dǎo)體層SEM的一部分 被導(dǎo)電化（或金屬化）。
[0066] 氧化物半導(dǎo)體材料具有導(dǎo)電性可根據(jù)氧的含量而變化的特性。通過控制氧的含 量，本申請中的半導(dǎo)體層SEM中使用的諸如氧化銦鎵鋅這樣的金屬氧化物材料可具有半導(dǎo) 體特性。在此，當(dāng)減小氧含量時，導(dǎo)電特性可增加，從而氧化銦鎵鋅可被導(dǎo)電化。在形成半 導(dǎo)體層SEM的過程中具有用于減小氧含量的各種方法。為了減小選定區(qū)域內(nèi)的氧含量，使 用等離子體處理。通過在半導(dǎo)體層SEM的選定部分上進行等離子體處理，可去除半導(dǎo)體層 SEM的選定部分中的氧含量，從而這些部分可被導(dǎo)電化。在等離子體處理中，可使用氦（He) 氣、氫（H2)氣或氦（Ar)氣。
[0067] 半導(dǎo)體層SEM的被導(dǎo)電化的區(qū)域可被限定為源極區(qū)域DSA和漏極區(qū)域DDA。同時， 在源極區(qū)域孔SH與漏極區(qū)域孔DH之間的區(qū)域的由蝕刻阻止層ES覆蓋的半導(dǎo)體層SEM的 部分被限定為溝道區(qū)域DA，如圖8D中所示。
[0068] 在具有溝道區(qū)域DA及源極-漏極區(qū)域DSA和DDA的基板SUB的整個表面上，沉積 源極-漏極金屬。詳細地說，依次沉積第一金屬層Ml和第二金屬層M2。第一金屬層Ml可包 括金屬材料或?qū)щ姴牧希玷€（Mo)、鈦（Ti)、鑰-鈦合金（MoTi)或氧化銦錫（ITO)。第一金 屬層Ml可被沉積為丨，000A或更小的厚度。第二金屬層M2可包括低電阻材料，如銅（Cu)。 在另一個例子中，第二金屬層M2可包括金屬材料或?qū)щ姴牧?，如銅（Cu)合金、鑰（Mo)、鈦 (Ti)、鑰-鈦合金（MoTi)或氧化銦錫（ITO)。第二金屬層M2可被沉積為6, 000A或更小 的厚度。優(yōu)選第二金屬層M2比第一金屬層Ml厚。然而，根據(jù)情況，第二金屬層M2可比第 一金屬層Ml薄。在第五掩模工藝中，第二金屬層M2通過濕蝕刻工藝被蝕刻為源極-漏極 圖案，如圖8E中所示。
[0069] 使用以源極-漏極形狀被圖案化的第二金屬層M2作為掩模，通過干蝕刻工藝圖案 化第一金屬層Ml。結(jié)果，完成源極-漏極元件。源極-漏極元件包括驅(qū)動薄膜晶體管DT的 源極電極DS和漏極電極DD、開關(guān)薄膜晶體管ST的源極電極SS和漏極電極SD、數(shù)據(jù)線DL 和驅(qū)動電流線VDD。
[0070] 特別是，源極電極DS與通過形成在蝕刻阻止層ES處的源極區(qū)域孔SH而暴露的源 極區(qū)域DSA的一部分接觸。詳細地說，源極電極DS與源極區(qū)域DSA的部分區(qū)域（或部分表 面）接觸，且此部分區(qū)域向外側(cè)（或者向橫側(cè)端部之一）遠離溝道區(qū)域DA預(yù)定距離（或第 一預(yù)定距離）。因此，源極電極DS與溝道區(qū)域DA之間的源極區(qū)域DSA的其他部分被暴露。 此外，漏極電極DD與漏極區(qū)域DDA的部分區(qū)域（或部分表面）接觸，且此部分區(qū)域向外側(cè) (或者向另一橫側(cè)端部）遠離溝道區(qū)域DA預(yù)定距離（或第二預(yù)定距離）。因此，漏極電極 DD與溝道區(qū)域DA之間的漏極區(qū)域DDA的其他部分被暴露，如圖8F中所示。
[0071] 在源極-漏極電極DS和DD被形成為與覆蓋溝道區(qū)域DA的蝕刻阻止層ES交疊的 情形中，與源極電極DS和漏極電極DD之間的空間對應(yīng)的半導(dǎo)體層SHM的部分可被限定為 溝道區(qū)域。然而，在本發(fā)明的第一個實施方式中，源極-漏極電極DS和DD不與溝道區(qū)域DA 交疊，從而可通過蝕刻阻止層ES的形狀或圖案精確和/或準(zhǔn)確地限定溝道區(qū)域DA。
[0072] 如上所述，當(dāng)源極電極DS和漏極電極DD分別與源極區(qū)域DSA和漏極區(qū)域DDA的 一部分接觸時，源極區(qū)域DSA和漏極區(qū)域DDA的其他部分被暴露；當(dāng)圖案化源極-漏極源極 元件時，源極區(qū)域DSA和漏極區(qū)域DDA的暴露部分會被損壞。為了防止損壞，在本發(fā)明中， 源極-漏極元件包括兩個金屬層。例如，在濕蝕刻工藝中，源極-漏極元件的第二金屬層M2 以快速節(jié)拍時間（fasttacttime)被圖案化。之后，使用被圖案化的第二金屬層M2作為 掩模在干蝕刻工藝中圖案化比第二金屬層M2薄的第一金屬層Ml。干蝕刻工藝需要比濕蝕 刻工藝長的節(jié)拍時間，但能更精確地控制蝕刻厚度。因此，通過適當(dāng)組合濕蝕刻工藝和干蝕 刻工藝，可在不會對源極區(qū)域DSA和漏極區(qū)域DDA的暴露的其他部分造成任何損壞的情況 下形成源極-漏極元件。
[0073]下文，參照圖9和10描述本發(fā)明的第二個實施方式。圖9是圖解根據(jù)本發(fā)明第二 個實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖10是用于圖解根據(jù)本發(fā)明第二 個實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的沿圖9中的切割線III-III'的剖面圖。
[0074] 根據(jù)本發(fā)明第二個實施方式的有機發(fā)光二極管顯不器的基本結(jié)構(gòu)與第一個實施 方式非常相似。因此，將省略有關(guān)相同結(jié)構(gòu)的解釋，將主要解釋區(qū)別。
[0075] 在第二個實施方式中，使用柵極電極SG和DG的形狀限定和/或形成溝道區(qū)域SA 和DA以及蝕刻阻止層ES。也就是說，通過柵極電極的圖案限定薄膜晶體管的溝道區(qū)域。詳 細地說，通過薄膜晶體管中設(shè)計的溝道區(qū)域形成柵極電極，通過使用柵極電極作為掩模的 背部曝光方法形成蝕刻阻止層，并使用蝕刻阻止層限定溝道區(qū)域和源極-漏極區(qū)域。
[0076] 參照圖9和10,根據(jù)第二個實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器包括形成在基板 SUB上的開關(guān)薄膜晶體管ST的柵極電極SG和驅(qū)動薄膜晶體管DT的柵極電極DG。在柵極 電極SG和DG上沉積有柵極絕緣層GI。在柵極絕緣層GI上形成有半導(dǎo)體層SEM，其中半導(dǎo) 體層SEM包括與柵極電極SG和DG具有相同形狀的溝道區(qū)域SA和DA、以及分別在溝道區(qū) 域SA和DA的兩側(cè)延伸（或者從溝道區(qū)域SA和DA向橫向端部延伸）的源極-漏極區(qū)域 SSA-SDA和DSA-DDA。
[0077] 在溝道區(qū)域SA和DA上，形成與柵極電極SG和DG及溝道區(qū)域SA和DA具有相同形 狀的蝕刻阻止層ES。從溝道區(qū)域SA和DA的兩側(cè)延伸的源極-漏極區(qū)域SSA-SDA和DSA-DDA 分別與源極-漏極電極SS-SD和DS-DD接觸。特別是，源極電極SS和DS分別與源極區(qū)域 SSA和DSA的一部分接觸。詳細地說，源極電極SS和DS與源極區(qū)域SSA和DSA的一部分接 觸，此部分向外側(cè)遠離溝道區(qū)域SA和DA預(yù)定距離。漏極電極SD和DD與漏極區(qū)域SDA和 DDA的一部分接觸，此部分向外側(cè)遠離溝道區(qū)域SA和DA預(yù)定距離。
[0078] 在第二個實施方式中，使用柵極電極SG和DG的形狀和/或輪廓形成蝕刻阻止層 ES以及溝道區(qū)域SA和DA。在第一個實施方式中，在除了源極-漏極區(qū)域SSA-SDA和DSA-DDA 之外的基板的整個表面上沉積蝕刻阻止層ES。然而，在第二個實施方式中，蝕刻阻止層ES 僅存在于溝道區(qū)域SA和DA上。
[0079] 下文，參照圖IlA到IlF描述根據(jù)本發(fā)明第二個實施方式的制造薄膜晶體管基板 的方法。圖IlA到IlF是圖解根據(jù)本發(fā)明第二個實施方式的制造用于有機發(fā)光二極管顯示 器的薄膜晶體管基板的方法的剖面圖。
[0080] 如圖IlA中所示，在第一掩模工藝中在透明基板SUB上沉積并圖案化柵極金屬材 料，以形成柵極元件。柵極元件包括（驅(qū)動薄膜晶體管DT的）柵極電極DG和與柵極電極 DG連接的掃描線SL。優(yōu)選柵極電極DG被設(shè)計為與稍后形成的溝道區(qū)域DA具有相同的尺 寸和形狀。在具有柵極元件的基板SUB的整個表面上沉積柵極絕緣層GI。
[0081] 在第二掩模工藝中在柵極絕緣層GI上沉積并圖案化氧化物半導(dǎo)體材料，以形成 半導(dǎo)體層SEM。氧化物半導(dǎo)體材料包括諸如氧化銦鎵鋅（或IGZ0)這樣的金屬氧化物材料。 半導(dǎo)體層SEM被形成為比柵極電極DG大，如圖IlB中所示。
[0082] 通過在具有半導(dǎo)體層SEM的基板SUB的整個表面上沉積絕緣材料，形成蝕刻阻止 層ES。在第三掩模工藝中圖案化蝕刻阻止層ES。不需要任何額外的光學(xué)掩模，通過使用柵 極電極DG作為掩模的背部曝光方法將蝕刻阻止層ES圖案化，如圖IlC中所示。
[0083] 在形成蝕刻阻止層ES之后，通過在第四掩模工藝中圖案化柵極絕緣層GI，形成暴 露柵極電極DG的一部分的柵極接觸孔GH。與第一個實施方式中解釋的用于形成有機發(fā)光 二極管顯示器的制造工藝類似，開關(guān)薄膜晶體管ST與驅(qū)動薄膜晶體管DT連接。因此，需要 柵極接觸孔GH。然而，在制造不需要柵極接觸孔的液晶顯示器的方法中，可省略此第四掩模 工藝。
[0084] 通過使用被圖案化的蝕刻阻止層ES作為掩模，在基板SUB的整個表面上進行等離 子體處理。然后，通過蝕刻阻止層ES暴露的半導(dǎo)體層SEM的一部分被導(dǎo)電化（或金屬化）。 半導(dǎo)體層SEM的被導(dǎo)電化的區(qū)域可被限定為源極區(qū)域DSA和漏極區(qū)域DDA。同時，在源極區(qū) 域DSA與漏極區(qū)域DDA之間的區(qū)域的由蝕刻阻止層ES覆蓋的半導(dǎo)體層SEM的部分被限定 為溝道區(qū)域DA，如圖IlD中所示。
[0085] 在具有溝道區(qū)域DA及源極-漏極區(qū)域DSA和DDA的基板SUB的整個表面上，沉積 源極-漏極金屬。詳細地說，依次沉積第一金屬層Ml和第二金屬層M2。第一金屬層Ml可包 括金屬材料或?qū)щ姴牧?，如鑰（Mo)、鈦（Ti)、鑰-鈦合金（MoTi)或氧化銦錫（ITO)。第一金 屬層Ml可被沉積為丨，000A或更小的厚度。第二金屬層M2可包括低電阻材料，如銅（Cu)。 在另一個例子中，第二金屬層M2可包括金屬材料或?qū)щ姴牧希玢~（Cu)合金、鑰（Mo)、鈦 (Ti)、鑰-鈦合金（MoTi)或氧化銦錫（ITO)。第二金屬層M2可被沉積為6,OOOA或更小 的厚度。優(yōu)選第二金屬層M2比第一金屬層Ml厚。然而，根據(jù)情況，第二金屬層M2可比第 一金屬層Ml薄。在第五掩模工藝中，第二金屬層M2通過濕蝕刻工藝被蝕刻為源極-漏極 圖案，如圖IlE中所示。
[0086] 通過使用以源極-漏極形狀被圖案化的第二金屬層M2作為掩模，通過干蝕刻工藝 圖案化第一金屬層Ml。結(jié)果，完成源極-漏極元件。源極-漏極元件包括驅(qū)動薄膜晶體管 DT的源極電極DS和漏極電極DD、開關(guān)薄膜晶體管ST的源極電極SS和漏極電極SD、數(shù)據(jù)線 DL和驅(qū)動電流線VDD。
[0087] 特別是，源極電極DS與在蝕刻阻止層ES的一個外側(cè)方向暴露的源極區(qū)域DSA的 一部分接觸。詳細地說，源極電極DS與源極區(qū)域DSA的部分區(qū)域接觸，此部分區(qū)域向外側(cè) 遠離溝道區(qū)域DA預(yù)定距離。因此，源極電極DS與溝道區(qū)域DA之間的源極區(qū)域DSA的其他 部分被暴露。此外，漏極電極DD也與在蝕刻阻止層ES的另一個外側(cè)方向暴露的漏極區(qū)域 DDA的部分區(qū)域接觸，此部分區(qū)域向外側(cè)遠離溝道區(qū)域DA預(yù)定距離。然后，漏極電極DD與 溝道區(qū)域DA之間的漏極區(qū)域DDA的其他部分也被暴露，如圖IlF中所示。
[0088] 在源極-漏極電極DS和DD被形成為與覆蓋溝道區(qū)域DA的蝕刻阻止層ES交疊的 情形中，與源極電極DS和漏極電極DD之間的空間對應(yīng)的半導(dǎo)體層SHM的部分可被限定為 溝道區(qū)域。然而，在本發(fā)明的第二個實施方式中，源極-漏極電極DS和DD不與溝道區(qū)域DA 交疊，從而可通過蝕刻阻止層ES的形狀或圖案精確和/或準(zhǔn)確地限定溝道區(qū)域DA。
[0089] 特別是，在第二個實施方式中，薄膜晶體管具有源極-漏極電極DS和DD不與柵極 電極DG交疊的自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。因此，在柵極電極與源極電極之間和/或在柵極電極與漏極電 極之間形成的寄生電容可被最小化或消除。因而，盡管薄膜晶體管具有底柵結(jié)構(gòu)，但可具有 頂柵結(jié)構(gòu)的其中柵極電極DG與源極-漏極電極DS和DD自對準(zhǔn)的優(yōu)點。
[0090] 盡管參照附圖詳細描述了本發(fā)明的實施方式，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不 改變本發(fā)明的技術(shù)精神或?qū)嵸|(zhì)特征的情況下，可以以其他具體形式實施本發(fā)明。因此，應(yīng)當(dāng) 注意，前述實施方式在所有方面僅僅是舉例說明，而不應(yīng)解釋為限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍 由所附權(quán)利要求書限定，而不是由本發(fā)明的詳細說明限定。在權(quán)利要求書的含義和范圍內(nèi) 的所有變化或修改或它們的等同物都應(yīng)解釋為落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機發(fā)光二極管（OLED)顯示器，包括： 形成在基板上的柵極電極； 形成在所述柵極電極上的柵極絕緣層； 形成在所述柵極絕緣層上W與所述柵極電極交疊的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括溝道 區(qū)域W及源極區(qū)域和漏極區(qū)域，所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域分別從所述溝道區(qū)域向橫向端部 延伸并被導(dǎo)電化； 形成在所述溝道區(qū)域上并暴露所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域的蝕刻阻止層； 與所暴露的源極區(qū)域的一部分接觸的源極電極；和 與所暴露的漏極區(qū)域的一部分接觸的漏極電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0L邸顯示器，其中所述源極電極與所暴露的源極區(qū)域的部分 表面接觸，所述源極區(qū)域的所接觸的部分表面向著所述橫向端部之一遠離所述溝道區(qū)域第 一預(yù)定距離，所述源極電極與所述溝道區(qū)域之間的源極區(qū)域的其他部分被暴露；且 其中所述漏極電極與所暴露的漏極區(qū)域的部分表面接觸，所述漏極區(qū)域的所接觸的部 分表面向著另一個橫向端部遠離所述溝道區(qū)域第二預(yù)定距離，所述漏極電極與所述溝道區(qū) 域之間的漏極區(qū)域的其他部分被暴露。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0L邸顯示器，其中所述源極電極和漏極電極的每個包括第一 金屬層和層疊在所述第一金屬層上的第二金屬層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0L邸顯示器，其中所述蝕刻阻止層設(shè)置在所述基板的整個表 面上并位于所述半導(dǎo)體層上，并包括暴露所述源極區(qū)域的源極區(qū)域孔和暴露所述漏極區(qū)域 的漏極區(qū)域孔。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0L邸顯示器，其中所述蝕刻阻止層和所述溝道區(qū)域與所述柵 極電極具有相同的尺寸和形狀。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0L邸顯示器，其中所述半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體材料； 其中所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域包括所述氧化物半導(dǎo)體材料的被導(dǎo)電化的部分。
7. -種制造有機發(fā)光二極管（0LED)顯示器的方法，所述方法包括如下步驟： 在基板上形成柵極電極； 通過沉積柵極絕緣層和氧化物半導(dǎo)體材料并圖案化所述氧化物半導(dǎo)體材料形成半導(dǎo) 體層； 在所述半導(dǎo)體層的中也部分上形成蝕刻阻止層； 使用所述蝕刻阻止層作為掩模進行等離子體處理，W將由所述蝕刻阻止層暴露的半導(dǎo) 體層的部分導(dǎo)電化，從而限定溝道區(qū)域、源極區(qū)域和漏極區(qū)域；和 形成與導(dǎo)電化的源極區(qū)域的一部分接觸的源極電極W及與導(dǎo)電化的漏極區(qū)域的一部 分接觸的漏極電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成蝕刻阻止層的步驟包括： 在所述半導(dǎo)體層上沉積絕緣層；和 通過使用掩模圖案化所述絕緣層，形成暴露所述源極區(qū)域的源極區(qū)域孔和暴露所述漏 極區(qū)域的漏極區(qū)域孔。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成蝕刻阻止層的步驟包括： 在所述半導(dǎo)體層上沉積絕緣層；和 通過使用所述柵極電極作為掩模的背部曝光方法圖案化所述蝕刻阻止層，從而暴露所 述源極區(qū)域和漏極區(qū)域且通過所述蝕刻阻止層覆蓋所述溝道區(qū)域。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在形成源極電極和漏極電極的步驟中，所述源極 電極與所述源極區(qū)域的部分表面接觸，所述源極電極的所接觸的部分表面遠離所述溝道區(qū) 域第一預(yù)定距離，所述源極電極與所述溝道區(qū)域之間的源極區(qū)域的其他部分被暴露；且 所述漏極電極與所述漏極區(qū)域的部分表面接觸，所述漏極區(qū)域的所接觸的部分表面遠 離所述溝道區(qū)域第二預(yù)定距離，所述漏極電極與所述溝道區(qū)域之間的漏極區(qū)域的其他部分 被暴露。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成源極電極和漏極電極的步驟包括： 在所述蝕刻阻止層上依次沉積第一金屬層和第二金屬層； 使用濕蝕刻方法圖案化所述第二金屬層；和 通過使用被圖案化的第二金屬層作為掩模的干蝕刻方法，圖案化所述第一金屬層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中進行等離子體處理的步驟包括：減小在所述半導(dǎo) 體層的暴露部分中的氧含量。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中進行等離子體處理的步驟包括：將所述蝕刻阻止 層的第一端與所述溝道區(qū)域和所述源極區(qū)域之間的邊界對齊并將所述蝕刻阻止層的第二 端與所述溝道區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間的邊界對齊。
【文檔編號】H01L21/77GK104347677SQ201410367506
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月30日
【發(fā)明者】洪性珍, 安炳喆, 高永周, 南宇鎮(zhèn), 谷領(lǐng)介 申請人:樂金顯示有限公司