Oled顯示結構及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種OLED顯示結構及其制作方法，該OLED顯示結構包括：基板(100)、位于基板(100)上的OC層(1)及位于該OC層(1)上的微共振腔(2)；所述OC層(1)遠離基板(100)的上表面(11)呈波浪形起伏狀，具有凸起的波峰部(111)及與波峰部(111)平滑連接的凹陷的波谷部(113)，所述微共振腔(2)呈與所述OC層(1)的上表面(11)一致的波浪形起伏狀，以消除發(fā)光強度和色彩具有方向性的問題，實現(xiàn)寬視角顯示。
【專利說明】OLED顯示結構及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種全彩化OLED顯示結構及其制作方法。
【背景技術】
[0002]在顯示【技術領域】，平面顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用。液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)與有機發(fā)光二極管顯示器(OrganicLight Emitting Diode, OLED)等平板顯示技術已經逐步取代CRT顯示器。其中，OLED具有自發(fā)光、驅動電壓低、發(fā)光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全彩顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。
[0003]OLED通常包括:基板、置于基板上的ITO透明陽極、置于ITO透明陽極上的空穴注入層(HIL)、置于空穴注入層上的空穴傳輸層(HTL)、置于空穴傳輸層上的發(fā)光層(EML)、置于發(fā)光層上的電子傳輸層(ETL)、置于電子傳輸層上的電子注入層(EIL)以及置于電子注入層上的陰極。為了提高效率，發(fā)光層通常采用主/客體摻雜系統(tǒng)。目前，OLED的制作方法是將有機材料以真空熱蒸鍍法成膜于ITO陽極層上，再將金屬陰極以熱蒸鍍或濺鍍的方式沉積上去。
[0004]OLED全彩化顯示是OLED技術的主要發(fā)展趨勢?，F(xiàn)在提出的OLED全彩化顯示技術包括RGB像素并置法、色轉換法、彩色濾光片法、微共振腔法和多層堆棧法五種。其中，應用微共振腔法實現(xiàn)OLED全彩化顯示技術具有發(fā)光效率高、色純度高、適合于大面積生產等優(yōu)點。利用微共振腔效應，使具有某特定波長的光得到增強，而其它部分的光被削弱。
[0005]微共振腔法利用微共振腔的發(fā)光特性由其光學長度決定，并與每層材料的厚度、折射率有關。目前應用較多的微共振腔多為平坦型結構，其發(fā)光強度和色彩具有較強的方向性，不利于實現(xiàn)寬視角顯示。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示結構，能夠實現(xiàn)全彩化和寬視角顯示。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種OLED顯示結構的制作方法，該方法簡便易實現(xiàn)，通過該發(fā)法制得的OLED顯示結構能夠進行全彩化和寬視角顯示，且該方法能夠簡化生產工藝，有助于促進OLED大世代線生產。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種OLED顯示結構，包括:基板、位于基板上的OC層及位于該OC層上的微共振腔；所述OC層遠離基板的上表面呈波浪形起伏狀，具有凸起的波峰部及與波峰部平滑連接的凹陷的波谷部，所述微共振腔呈與所述OC層的上表面一致的波浪形起伏狀，以消除發(fā)光強度和色彩具有方向性的問題，實現(xiàn)寬視角顯示。
[0009]所述微共振腔包括位于所述上表面上的發(fā)射層、位于發(fā)射層上的緩沖層、位于緩沖層上的電極層、位于電極層上的白光有機層及位于白光有機層上的半反半透層，所述發(fā)射層、緩沖層、電極層、白光有機層與半反半透層均呈與所述OC層的上表面一致的波浪形起伏狀，以消除發(fā)光強度和色彩具有方向性的問題，實現(xiàn)寬視角顯示。
[0010]所述緩沖層對應R、G、B不同顏色的子像素具有不同的厚度，以調整所述微共振腔的腔長，實現(xiàn)全彩化顯示；所述發(fā)射層的材質為Ag ;所述緩沖層的材質為SiNx ;所述電極層的材質為ITO ;所述半反半透層的材質為MgAg。
[0011]兩相鄰所述波峰部最聞點的距尚為8um,所述波峰部最聞點與波谷部最低點的距離為1.6?1.8um。
[0012]所述緩沖層的折射率等于電極層的折射率。
[0013]所述微共振腔對應R、G、B不同顏色子像素的腔長分別為紅光、綠光、藍光半波長的整數(shù)倍。
[0014]所述白光有機層包括白光空穴注入層、白光空穴傳輸層、白光發(fā)光層、白光電子傳輸層、及白光電子注入層。
[0015]本發(fā)明還提供一種OLED顯示結構的制作方法，包括如下步驟:
[0016]步驟1、提供一基板；
[0017]步驟2、在基板上形成OC層，并對OC層進行曝光、顯影，使其形成呈波浪形起伏狀的上表面，該上表面具有凸起的波峰部及與波峰部平滑連接的凹陷的波谷部；
[0018]步驟3、在OC層的上表面上形成與該上表面形狀一致的發(fā)射層；
[0019]步驟4、在發(fā)射層上形成一定厚度Hl的緩沖層，該厚度Hl等于對應R像素微共振腔的腔長所需的緩沖層厚度；
[0020]步驟5、在緩沖層上涂覆光刻膠，并進行曝光、顯影形成光阻圖形，將B像素對應的光阻圖形全部顯影掉，將G像素對應的光阻圖形顯影成Half Tone結構，將R像素對應的光阻圖形全部保留；
[0021]步驟6、通過干法蝕刻去除沒有光阻圖形保護的B像素對應的緩沖層，形成對應B像素微共振腔的腔長；
[0022]步驟7、通過干蝕刻法燒蝕去除G像素對應的Half Tone結構的光阻圖形；
[0023]步驟8、通過干法蝕刻G像素對應的沒有光阻圖形保護的部分緩沖層，使該緩沖層保留至一定厚度H2，該厚度H2等于對應G像素微共振腔的腔長所需的緩沖層厚度；
[0024]步驟9、去除R像素對應的光阻圖形，露出R像素對應的緩沖層；
[0025]步驟10、在階梯狀的緩沖層上形成電極層；
[0026]步驟11、在電極層上依次形成白光有機層與半反半透層。
[0027]所述步驟4中，緩沖層通過CVD法沉積形成在發(fā)射層上；所述發(fā)射層的材質為Ag ；所述緩沖層的材質為SiNx ;所述電極層的材質為ITO ;所述半反半透層的材質為MgAg ;所述白光有機層包括白光空穴注入層、白光空穴傳輸層、白光發(fā)光層、白光電子傳輸層、白光電子注入層；所述緩沖層的折射率等于電極層的折射率。
[0028]所述步驟2中兩相鄰波峰部最聞點的距尚LI為8um,所述波峰部最聞點與波谷部最低點的距離L2為1.6?1.Sum ;所述對應R像素微共振腔的腔長、對應B像素微共振腔的腔長與對應G像素微共振腔的腔長分別為紅光、藍光、綠光半波長的整數(shù)倍。
[0029]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的OLED顯示結構，通過將OC層及微共振腔各組成層設置為波浪形起伏狀，能夠消除發(fā)光強度和色彩具有方向性的問題，實現(xiàn)寬視角顯示；通過設置緩沖層對應R、G、B不同顏色的像素具有不同的厚度，以調整所述微共振腔的腔長分別為紅光、綠光、藍光半波長的整數(shù)倍，實現(xiàn)全彩化顯示；本發(fā)明的OLED顯示結構的制作方法，通過在波浪形起伏狀的OC層上形成同樣呈波浪形起伏狀的微共振腔，并形成具有不同厚度的階梯狀的緩沖層，使得由該發(fā)法制得的OLED顯示結構能夠進行全彩化和寬視角顯示，且該方法簡便易實現(xiàn)，能夠簡化生產工藝，有助于促進OLED大世代線生產。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0031]附圖中，
[0032]圖1為本發(fā)明OLED顯示結構的示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明OLED顯示結構的制作方法的流程圖；
[0034]圖3為本發(fā)明OLED顯示結構的制作方法的步驟5的放大示意圖；
[0035]圖4為本發(fā)明OLED顯示結構的制作方法的步驟6的放大示意圖；
[0036]圖5為本發(fā)明OLED顯示結構的制作方法的步驟7的放大示意圖；
[0037]圖6為本發(fā)明OLED顯示結構的制作方法的步驟8的放大示意圖；
[0038]圖7為本發(fā)明OLED顯示結構的制作方法的步驟9的放大示意圖；
[0039]圖8為本發(fā)明OLED顯示結構的制作方法的步驟10的放大示意圖。
【具體實施方式】
[0040]下面結合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0041]請參閱圖1，同時參閱圖8,本發(fā)明首先提供一種OLED顯示結構,包括:基板100、位于基板100上的OC (Over Coat,絕緣覆蓋)層I及位于該OC層I上的微共振腔2。
[0042]所述OC層I遠離基板100的上表面11呈波浪形起伏狀，具有凸起的波峰部111及與波峰部111平滑連接的凹陷的波谷部113。所述微共振腔2包括位于所述OC表面11上的發(fā)射層21、位于發(fā)射層21上的緩沖層22、位于緩沖層22上的電極層23、位于電極層23上的白光有機層24及位于白光有機層24上的半反半透層25。所述發(fā)射層21、緩沖層22、電極層23、白光有機層24與半反半透層25均呈與所述OC層I的上表面11 一致的波浪形起伏狀，即所述微共振腔2呈與所述OC層I的上表面11 一致的波浪形起伏狀，使得光線向不同方向射出，以消除發(fā)光強度和色彩具有方向性的問題，實現(xiàn)寬視角顯示。所述緩沖層22對應R、G、B不同顏色的像素具有不同的厚度，以調整所述微共振腔2的腔長。所述微共振腔2對應R、G、B不同顏色像素的腔長分別為紅光、綠光、藍光半波長的整數(shù)倍，符合光波的共振模式，從而分別使紅光、綠光、藍光的發(fā)光得到加強，使R、G、B不同顏色像素分別發(fā)出紅光、綠光、藍光的單色光，實現(xiàn)全彩化顯示。
[0043]進一步的，所述發(fā)射層21的材質為Ag ;所述緩沖層22的材質為SiNx ;所述電極層23的材質為ITO ;所述半反半透層25的材質為MgAg。
[0044]兩相鄰所述波峰部111最高點的距離LI為8um，所述波峰部111最高點與波谷部113最低點的距離L2為1.6?1.8um。
[0045]所述緩沖層22的折射率等于電極層23的折射率，避免光波在緩沖層22與電極層23的交界面上發(fā)生反射。
[0046]所述白光有機層24包括白光空穴注入層、白光空穴傳輸層、白光發(fā)光層、白光電子傳輸層、白光電子注入層。
[0047]請參閱圖2至圖8，同時參閱圖1，本發(fā)明還提供一種上述OLED顯示結構的制作方法，包括如下步驟:
[0048]步驟1、提供一基板100。
[0049]所述基板100為透明基板，優(yōu)選的，所述基板100為玻璃基板。
[0050]步驟2、在基板100上形成OC層1，并對OC層I進行曝光、顯影，使其形成呈波浪形起伏狀的上表面11，該上表面11具有凸起的波峰部111及與波峰部111平滑連接的凹陷的波谷部113。
[0051]具體的，兩相鄰所述波峰部111最高點的距離LI為8um，所述波峰部111最高點與波谷部113最低點的距離L2為1.6?1.8um。
[0052]步驟3、在OC層I的上表面11上形成與上該表面11形狀一致的發(fā)射層21。
[0053]所述發(fā)射層21的材質為Ag。
[0054]步驟4、在發(fā)射層21上形成一定厚度Hl的緩沖層22，該厚度Hl等于對應R像素微共振腔的腔長所需的緩沖層厚度。
[0055]所述緩沖層22的材質為SiNx。
[0056]所述對應R像素微共振腔的腔長為紅光半波長的整數(shù)倍，符合光波共振模式，能夠使紅光的發(fā)光得到加強，而其他顏色的發(fā)光得到抑制，使R像素發(fā)出紅光。
[0057]所述緩沖層22通過化學氣相沉積(CVD)法沉積形成在發(fā)射層21上。
[0058]步驟5、在緩沖層22上涂覆光刻膠(PR)，并進行曝光、顯影形成光阻圖形，將B像素對應的光阻圖形全部顯影掉，將G像素對應的光阻圖形顯影成Half Tone結構，將R像素對應的光阻圖形全部保留。
[0059]步驟6、通過干法蝕刻(Dry)去除沒有光阻圖形保護的B像素對應的緩沖層22，形成對應B像素微共振腔的腔長。
[0060]所述對應B像素微共振腔的腔長為藍光半波長的整數(shù)倍，符合光波共振模式，能夠使藍光的發(fā)光得到加強，而其他顏色的發(fā)光得到抑制，使B像素發(fā)出藍光。
[0061]步驟7、通過干蝕刻法燒蝕(Ash)去除G像素對應的Half Tone結構的光阻圖形；
[0062]步驟8、通過干法蝕刻G像素對應的沒有光阻圖形保護的部分緩沖層22，使該緩沖層22保留至一定厚度H2，該厚度H2等于對應G像素微共振腔的腔長所需的緩沖層厚度。
[0063]所述對應G像素微共振腔的腔長為綠光半波長的整數(shù)倍，符合光波共振模式，能夠使綠光的發(fā)光得到加強，而其他顏色的發(fā)光得到抑制，使G像素發(fā)出綠光。
[0064]步驟9、去除R像素對應的光阻圖形，露出R像素對應的緩沖層22。
[0065]完成該步驟9后，所述緩沖層22呈具有不同厚度的階梯狀。
[0066]步驟10、在階梯狀的緩沖層22上形成電極層23。
[0067]所述電極層23的材質為ΙΤ0。
[0068]所述緩沖層22的折射率等于電極層23的折射率，避免光波在緩沖層22與電極層23的交界面上發(fā)生反射。
[0069]步驟11、在電極層23上依次形成白光有機層24與半反半透層25，完成微共振腔2及整個OLED顯示結構的制作。
[0070]具體的,所述白光有機層24包括白光空穴注入層、白光空穴傳輸層、白光發(fā)光層、白光電子傳輸層、白光電子注入層。
[0071]所述半反半透層25的材質為MgAg。
[0072]綜上所述，本發(fā)明的OLED顯示結構，通過將OC層及微共振腔各組成層設置為波浪形起伏狀，能夠消除發(fā)光強度和色彩具有方向性的問題，實現(xiàn)寬視角顯示；通過設置緩沖層對應R、G、B不同顏色的像素具有不同的厚度，以調整所述微共振腔的腔長分別為紅光、綠光、藍光半波長的整數(shù)倍，實現(xiàn)全彩化顯示；本發(fā)明的OLED顯示結構的制作方法，通過在波浪形起伏狀的OC層上形成同樣呈波浪形起伏狀的微共振腔，并形成具有不同厚度的階梯狀的緩沖層，使得由該發(fā)法制得的OLED顯示結構能夠進行全彩化和寬視角顯示，且該方法簡便易實現(xiàn)，能夠簡化生產工藝，有助于促進OLED大世代線生產。
[0073]以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明后附的權利要求的保護范圍。
【權利要求】
1.一種OLED顯示結構，其特征在于，包括:基板(100)、位于基板(100)上的OC層(I)及位于該OC層⑴上的微共振腔(2);所述OC層⑴遠離基板(100)的上表面(11)呈波浪形起伏狀，具有凸起的波峰部(111)及與波峰部(111)平滑連接的凹陷的波谷部(113)，所述微共振腔(2)呈與所述OC層(I)的上表面(11) 一致的波浪形起伏狀，以消除發(fā)光強度和色彩具有方向性的問題，實現(xiàn)寬視角顯示。
2.如權利要求1所述的OLED顯示結構，其特征在于，所述微共振腔(2)包括位于所述上表面(11)上的發(fā)射層(21)、位于發(fā)射層(21)上的緩沖層(22)、位于緩沖層(22)上的電極層(23)、位于電極層(23)上的白光有機層(24)及位于白光有機層(24)上的半反半透層(25)，所述發(fā)射層(21)、緩沖層(22)、電極層(23)、白光有機層(24)與半反半透層(25)均呈與所述OC層(I)的上表面(11) 一致的波浪形起伏狀，以消除發(fā)光強度和色彩具有方向性的問題，實現(xiàn)寬視角顯示。
3.如權利要求2所述的OLED顯示結構，其特征在于，所述緩沖層(22)對應R、G、B不同顏色的子像素具有不同的厚度，以調整所述微共振腔(2)的腔長，實現(xiàn)全彩化顯示；所述發(fā)射層(21)的材質為Ag ;所述緩沖層(22)的材質為SiNx ;所述電極層(23)的材質為ITO ；所述半反半透層(25)的材質為MgAg。
4.如權利要求1所述的OLED顯示結構，其特征在于，兩相鄰所述波峰部(111)最高點的距離(LI)為8um，所述波峰部(111)最高點與波谷部(113)最低點的距離(L2)為1.6~1.8um。
5.如權利要求1所述的OLED顯示結構，其特征在于，所述緩沖層(22)的折射率等于電極層(23)的折射率。
6.如權利要求1所述的OLED顯示結構，其特征在于，所述微共振腔(2)對應R、G、B不同顏色子像素的腔長分別為紅光、綠光、藍光半波長的整數(shù)倍。
7.如權利要求1所述的OLED顯示結構，其特征在于，所述白光有機層(24)包括白光空穴注入層、白光空穴傳輸層、白光發(fā)光層、白光電子傳輸層、及白光電子注入層。
8.一種OLED顯示結構的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一基板(100)； 步驟2、在基板(100)上形成OC層(I)，并對OC層(I)進行曝光、顯影，使其形成呈波浪形起伏狀的上表面(11)，該上表面(11)具有凸起的波峰部(111)及與波峰部(111)平滑連接的凹陷的波谷部(113)； 步驟3、在OC層(I)的上表面(11)上形成與該上表面(11)形狀一致的發(fā)射層(21)； 步驟4、在發(fā)射層(21)上形成一定厚度Hl的緩沖層(22)，該厚度Hl等于對應R像素微共振腔的腔長所需的緩沖層厚度； 步驟5、在緩沖層(22)上涂覆光刻膠，并進行曝光、顯影形成光阻圖形，將B像素對應的光阻圖形全部顯影掉，將G像素對應的光阻圖形顯影成Half Tone結構，將R像素對應的光阻圖形全部保留； 步驟6、通過干法蝕刻去除沒有光阻圖形保護的B像素對應的緩沖層(22)，形成對應B像素微共振腔的腔長； 步驟7、通過干蝕刻法燒蝕去除G像素對應的Half Tone結構的光阻圖形； 步驟8、通過干法蝕刻G像素對應的沒有光阻圖形保護的部分緩沖層(22)，使該緩沖層(22)保留至一定厚度H2，該厚度H2等于對應G像素微共振腔的腔長所需的緩沖層厚度； 步驟9、去除R像素對應的光阻圖形，露出R像素對應的緩沖層(22)； 步驟10、在階梯狀的緩沖層(22)上形成電極層(23)； 步驟11、在電極層(23)上依次形成白光有機層(24)與半反半透層(25)。
9.如權利要求8所述的OLED顯示結構的制作方法，其特征在于，所述步驟4中，緩沖層(22)通過CVD法沉積形成在發(fā)射層(21)上；所述發(fā)射層(21)的材質為Ag ;所述緩沖層(22)的材質為SiNx ;所述電極層(23)的材質為ITO ;所述半反半透層(25)的材質為MgAg ；所述白光有機層(24)包括白光空穴注入層、白光空穴傳輸層、白光發(fā)光層、白光電子傳輸層、白光電子注入層；所述緩沖層(22)的折射率等于電極層(23)的折射率。
10.如權利要求8所述的OLED顯示結構的制作方法，其特征在于，所述步驟2中兩相鄰波峰部(111)最聞點的距尚LI為8um ,所述波峰部(111)最聞點與波谷部(113)最低點的距離L2為1.6~1.Sum;所述對應R像素微共振腔的腔長、對應B像素微共振腔的腔長與對應G像素微共振腔的腔長分別為紅光、藍光、綠光半波長的整數(shù)倍。
【文檔編號】H01L51/52GK104022144SQ201410284265
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年6月23日 優(yōu)先權日:2014年6月23日
【發(fā)明者】易志根 申請人:深圳市華星光電技術有限公司