一種恒流二極管模塊的制作方法
【專利摘要】一種恒流二極管模塊，包括有恒流二極管芯片和晶體管芯片，恒流二極管芯片和晶體管芯片通過引線框架封裝在同一個(gè)模塊當(dāng)中，其中，恒流二極管芯片的電流輸出端與晶體管芯片的基極相連，所述晶體管芯片的發(fā)射極連接引線框架的引腳，引腳構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的一端，所述恒流二極管芯片的另一端和晶體管芯片的集電極分別與引線框架的載片區(qū)相連接，并從引線框架引腳引出，引線框架引腳構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的另一端。本發(fā)明采用晶體管的電流放大特性，可以大幅度提高恒流二極管的電流輸出性能，實(shí)現(xiàn)大電流恒流輸出。且晶體管價(jià)格便宜，雙芯片封裝模塊成本較兩個(gè)芯片分別封裝價(jià)格優(yōu)勢明顯，另外可以簡化電路設(shè)計(jì)，降低成本。
【專利說明】一種恒流二極管模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種恒流二極管。特別是涉及一種能夠?qū)崿F(xiàn)恒流二極管的擴(kuò)流功能的恒流二極管模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]恒流二極管是近年來問世的半導(dǎo)體恒流器件，在很寬的電壓范圍內(nèi)輸出恒定的電流，并具有很高的動(dòng)態(tài)阻抗。由于它的恒流性能好、價(jià)格較低、使用簡便，因此目前已被廣泛用于恒流源、穩(wěn)壓源、放大器以及電子儀器的保護(hù)電路中。
[0003]在目前階段，恒流二極管的輸出電流在幾毫安到幾十毫安之間，可以直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，實(shí)現(xiàn)簡化電路結(jié)構(gòu)，縮小體積，提高器件可靠性的目的。但隨著負(fù)載功率的不斷提高，對恒流二極管的輸出電流能力要求也不斷提高，比較簡單的方式是將幾個(gè)恒流二極管并聯(lián)起來，但這種方法的成本很高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種具有大電流輸出的恒流二極管模塊。
[0005]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種恒流二極管模塊，包括有恒流二極管芯片和晶體管芯片，所述的恒流二極管芯片和晶體管芯片通過引線框架封裝在同一個(gè)模塊當(dāng)中，其中，所述的恒流二極管芯片的電流輸出端與所述的晶體管芯片的基極相連，所述晶體管芯片的發(fā)射極連接引線框架的引腳，所述的引腳構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的一端，所述恒流二極管芯片的另一端和晶體管芯片的集電極分別與引線框架的載片區(qū)相連接，并從引線框架引腳引出，所述的引線框架引腳構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的另一端。
[0006]當(dāng)所述的晶體管芯片是NPN晶體管芯片時(shí)，所述的恒流二極管芯片的陰極端通過金屬絲以鍵合的方式與所述的晶體管芯片的基極相連，所述晶體管芯片的發(fā)射極通過金屬絲以鍵合的方式連接引線框架的引腳，所述的引腳構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的負(fù)極端，所述恒流二極管芯片的陽極端和晶體管芯片的集電極分別與引線框架的載片區(qū)相連接，并從引線框架引腳引出，所述的引線框架引腳構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的正極端。
[0007]當(dāng)所述的晶體管芯片是PNP晶體管芯片時(shí)，所述的恒流二極管芯片的陽極端通過金屬絲以鍵合的方式與所述的晶體管芯片的基極相連，所述晶體管芯片的發(fā)射極通過金屬絲以鍵合的方式連接引線框架的引腳，所述的引腳構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的正極端，所述恒流二極管芯片的陰極端和晶體管芯片的集電極分別與引線框架的載片區(qū)相連接，并從引線框架引腳引出，所述的引線框架引腳構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的負(fù)極端。
[0008]本發(fā)明的一種恒流二極管模塊，采用晶體管的電流放大特性，可以大幅度提高恒流二極管的電流輸出性能，實(shí)現(xiàn)大電流恒流輸出。且晶體管價(jià)格便宜，雙芯片封裝模塊成本較兩個(gè)芯片分別封裝價(jià)格優(yōu)勢明顯，另外可以簡化電路設(shè)計(jì)，降低成本。
【專利附圖】

【附圖說明】[0009]圖1是本發(fā)明一種恒流二極管模塊的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖中
[0011]1:引線框架 2:載片區(qū)
[0012]3:恒流二極管芯片4:晶體管芯片
[0013]5:基極6:發(fā)射極
[0014]7:金屬絲 8:引線框架引腳
[0015]9:引腳
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對本發(fā)明的一種恒流二極管模塊做出詳細(xì)說明。
[0017]本發(fā)明的一種恒流二極管模塊，是一種雙芯片封裝的模塊，所述的雙芯片包括一個(gè)恒流二極管和一個(gè)晶體管，兩個(gè)彼此分離的芯片封裝在同一塑封體內(nèi)，通過晶體管的電流放大特性實(shí)現(xiàn)恒流二極管大電流輸出性能。
[0018]如圖1所示，本發(fā)明的一種恒流二極管模塊，包括有恒流二極管芯片3和晶體管芯片4，其特征在于，所述的恒流二極管芯片3和晶體管芯片4通過引線框架I封裝在同一個(gè)模塊當(dāng)中，其中，所述的恒流二極管芯片3的電流輸出端與所述的晶體管芯片4的基極相連，所述晶體管芯片4的發(fā)射極連接引線框架I的引腳9，所述的引腳9構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的一端，所述恒流二極管芯片3的另一端和晶體管芯片4的集電極分別與引線框架I的載片區(qū)2相連接，并從引線框架引腳8引出，所述的引線框架引腳8構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的另一端。
[0019]當(dāng)所述的晶體管芯片4是NPN晶體管芯片時(shí)，所述的恒流二極管芯片3的陰極端通過金屬絲7以鍵合的方式與所述的晶體管芯片4的基極5相連，所述晶體管芯片4的發(fā)射極6通過金屬絲7以鍵合的方式連接引線框架I的引腳9，所述的引腳9構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的負(fù)極端，所述恒流二極管芯片3的陽極端和晶體管芯片4的集電極分別與引線框架I的載片區(qū)2相連接，并從引線框架引腳8引出，所述的引線框架引腳8構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的正極端。
[0020]即晶體管芯片4是NPN晶體管芯片時(shí)，恒流二極管芯片3的電流可以看作NPN晶體管4的基極電流，假設(shè)該電流值為Ihl，NPN晶體管4發(fā)射極電流放大系數(shù)為hFE，則經(jīng)過放大后的晶體管4的發(fā)射極電流Ih2由以下公式得出:
[0021]Ih2 — (hFE+l) Ihl ^ hFEIhl
[0022]Ih2即整個(gè)恒流二極管模塊的輸出電流。
[0023]當(dāng)所述的晶體管芯片4是PNP晶體管芯片時(shí)，所述的恒流二極管芯片3的陽極端通過金屬絲7以鍵合的方式與所述的晶體管芯片4的基極5相連，所述晶體管芯片4的發(fā)射極6通過金屬絲7以鍵合的方式連接引線框架I的引腳9，所述的引腳9構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的正極端，所述恒流二極管芯片3的陰極端和晶體管芯片4的集電極分別與引線框架I的載片區(qū)2相連接，并從引線框架引腳8引出，所述的引線框架引腳8構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的負(fù)極端。
[0024]即晶體管芯片4是PNP晶體管芯片時(shí)，恒流二極管芯片3的電流可以看作PNP晶體管4的基極電流，假設(shè)該電流值為Ihl，PNP晶體管4發(fā)射極電流放大系數(shù)為hFE，則經(jīng)過放大后的晶體管4的發(fā)射極電流Ih2由以下公式得出:
[0025]Ih2 — (hFE+l) Ihl ^ hFEIhl
[0026]Ih2即整個(gè)恒流二極管模塊的輸出電流。
【權(quán)利要求】
1.一種恒流二極管模塊，包括有恒流二極管芯片(3)和晶體管芯片(4)，其特征在于，所述的恒流二極管芯片(3)和晶體管芯片(4)通過引線框架(1)封裝在同一個(gè)模塊當(dāng)中，其中，所述的恒流二極管芯片(3)的電流輸出端與所述的晶體管芯片(4)的基極相連，所述晶體管芯片(4)的發(fā)射極連接引線框架(1)的引腳(9)，所述的引腳(9)構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的一端，所述恒流二極管芯片(3)的另一端和晶體管芯片(4)的集電極分別與引線框架⑴的載片區(qū)⑵相連接，并從引線框架引腳⑶引出，所述的引線框架引腳⑶構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的另一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種恒流二極管模塊，其特征在于，當(dāng)所述的晶體管芯片(4)是NPN晶體管芯片時(shí)，所述的恒流二極管芯片(3)的陰極端通過金屬絲(7)以鍵合的方式與所述的晶體管芯片(4)的基極(5)相連，所述晶體管芯片(4)的發(fā)射極(6)通過金屬絲(7)以鍵合的方式連接引線框架⑴的引腳(9)，所述的引腳(9)構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的負(fù)極端，所述恒流二極管芯片(3)的陽極端和晶體管芯片(4)的集電極分別與引線框架(I)的載片區(qū)⑵相連接，并從引線框架引腳⑶引出，所述的引線框架引腳⑶構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的正極端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種恒流二極管模塊，其特征在于，當(dāng)所述的晶體管芯片(4)是PNP晶體管芯片時(shí)，所述的恒流二極管芯片(3)的陽極端通過金屬絲(7)以鍵合的方式與所述的晶體管芯片(4)的基極(5)相連，所述晶體管芯片(4)的發(fā)射極(6)通過金屬絲(7)以鍵合的方式連接引線框架⑴的引腳(9)，所述的引腳(9)構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的正極端，所述恒流二極管芯片(3)的陰極端和晶體管芯片(4)的集電極分別與引線框架 (I)的載片區(qū)⑵相連接，并從引線框架引腳⑶引出，所述的引線框架引腳⑶構(gòu)成整個(gè)恒流二極管模塊的負(fù)極端。
【文檔編號】H01L25/07GK104022108SQ201410274733
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月18日
【發(fā)明者】肖步文 申請人:無錫信榮電子科技有限公司