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Sram版圖的生成方法

文檔序號:7050516閱讀:681來源:國知局
Sram版圖的生成方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種SRAM版圖的生成方法,先形成第一單元,然后復制第一單元形成第二單元,連接第一單元和第二單元構(gòu)成SRAM,把SRAM中相同的參數(shù)歸類,可以實現(xiàn)SRAM版圖的自動生成,從而能夠高效完成不同尺寸大小SRAM版圖的實現(xiàn),簡化SRAM版圖的設計,從而降低人工設計版圖過程中產(chǎn)生的錯誤率,并縮短SRAM版圖實現(xiàn)時間。
【專利說明】SRAM版圖的生成方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領域,尤其涉及一種SRAM版圖的生成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]SRAM (Static Random Access Memory,靜態(tài)隨機存儲記憶體)是一種只要供電就保持數(shù)據(jù)的半導體存儲器。SRAM具有低功耗、數(shù)據(jù)存取速度快且與CMOS邏輯工藝兼容等優(yōu)點,廣泛應用于各種電子器件中。因此,SRAM是任何一個半導體邏輯制程都不可缺少的部分。
[0003]基本的SRAM單元由兩個交叉耦合的反相器和兩個存取晶體管(通常為NMOS晶體管)構(gòu)成,屬于一個典型的六晶體管SRAM(6T SRAM)。具體的,SRAM可劃分為第一反相器(Inverter)、第二反相器和兩個NMOS晶體管(簡稱為NPASS),其中第一反相器由第一 PMOS晶體管和第一 NMOS晶體管組成,第二反相器由第二 PMOS晶體管和第二 NMOS晶體管組成,加上兩個NMOS晶體管一共由六個晶體管(Transistor)組成。
[0004]傳統(tǒng)SRAM版圖的生成方法是通過軟件分別對每一個晶體管進行生成,然后組合成SRAM。雖然傳統(tǒng)SRAM版圖的生成方法可以滿足目前SRAM版圖的設計要求,但是由于SRAM中有6個晶體管,并且每個晶體管均有多個尺寸需要定義,例如柵極尺寸、有源區(qū)尺寸、以及注入層和阱層的尺寸均需要定義,因此,傳統(tǒng)的SRAM版圖的生成方法效率不高,尤其當SRAM需要對尺寸進行修改的時候,需要改動的尺寸較多,這樣人為操作經(jīng)常會對SRAM版圖的生成產(chǎn)生不必要的錯誤,并且耗費大量的時間和精力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種SRAM版圖的生成方法,能夠歸類相同的參數(shù),實現(xiàn)SRAM版圖的自動生成,提高效率。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出了一種SRAM版圖的生成方法,包括步驟:
[0007]定義第一反相器柵極的形狀和尺寸;
[0008]由所述第一反相器柵極的形狀和尺寸定義出第一反相器中的第一 PMOS晶體管和第一 NMOS晶體管有源區(qū)的形狀和尺寸;
[0009]定義第一輸入端NMOS柵極的形狀和尺寸;
[0010]以所述第一輸入端NMOS柵極的形狀和尺寸定義出所述第一輸入端NMOS有源區(qū)的形狀和尺寸;
[0011]以所述第一輸入端NMOS有源區(qū)的形狀和尺寸定義出第一注入層和第一阱層的形狀和尺寸;
[0012]使所述第一 PMOS晶體管和第一 NMOS晶體管的漏極連接在一起,使所述第一輸入端NMOS和第一 NMOS晶體管的有源區(qū)連接在一起,并且使所述第一輸入端NMOS和第一 NMOS晶體管的漏極也連接在一起,從而構(gòu)成第一單元;
[0013]復制所述第一單元,旋轉(zhuǎn)180度,形成第二單元;[0014]使所述第一單元中的第一 PMOS晶體管漏極和第二單元中的第二反相器柵極相連,使所述第二單元中的第二 PMOS晶體管漏極和第一單元中的第一反相器柵極相連,從而生成SRAM版圖。
[0015]進一步的,所述第一 PMOS晶體管和第一 NMOS晶體管的漏極通過通孔連線和金屬連線連接在一起。
[0016]進一步的,所述第一輸入端NMOS和第一 NMOS晶體管的漏極通過通孔連線連接在一起。
[0017]進一步的,所述第一單元中的第一 PMOS晶體管漏極和第二單元中的第二反相器柵極通過通孔連線相連。
[0018]進一步的,所述第二單元中的第二 PMOS晶體管漏極和第一單元中的第一反相器柵極通過通孔連線相連。
[0019]進一步的,所述通孔連線均通過金屬連線引出。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:先形成第一單元,然后復制第一單元形成第二單元,連接第一單元和第二單元構(gòu)成SRAM,把SRAM中相同的參數(shù)歸類,可以實現(xiàn)SRAM版圖的自動生成,從而能夠高效完成不同尺寸大小SRAM版圖的實現(xiàn),簡化SRAM版圖的設計,從而降低人工設計版圖過程中產(chǎn)生的錯誤率,并縮短SRAM版圖實現(xiàn)時間。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明一實施例中SRAM版圖的生成方法的流程圖;
[0022]圖2為本發(fā)明一實施例中第一單元的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0023]圖3為本發(fā)明一實施例中SRAM版圖的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的SRAM版圖的生成方法進行更詳細的描述,其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例,應該理解本領域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明,而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此,下列描述應當被理解為對于本領域技術(shù)人員的廣泛知道,而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0025]為了清楚,不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中,不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu),因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中,必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標,例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制,由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外,應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的,但是對于本領域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0026]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0027]本發(fā)明的核心思想是,由于6T SRAM具有第一反相器、第一輸入端NM0S、第二反相器以及第二輸入端NMOS組成,并且第一反相器中第一 NMOS晶體管、第一 PMOS晶體管分別和第二反相器中中的第二 NMOS晶體管、第二 PMOS晶體管參數(shù)完全相同,并且第一輸入端NMOS和第二輸入端NMOS的參數(shù)也完全相同,因此可以將具有大量相同的參數(shù)進行歸類,形成第一單元,然后復制第一單元進行旋轉(zhuǎn)獲得第二單元,將第一單元和第二單元進行連接即可以獲得6T SRAM版圖。
[0028]具體的,請參考圖1、圖2和圖3,圖1為本發(fā)明一實施例中SRAM版圖的生成方法的流程圖,圖2為本發(fā)明一實施例中第一單元的結(jié)構(gòu)示意圖,圖3為本發(fā)明一實施例中SRAM版圖的結(jié)構(gòu)示意圖;在本實施例中,提出的SRAM版圖的生成方法,包括步驟:
[0029]SlOO:定義第一反相器柵極61的形狀和尺寸;
[0030]在步驟SlOO中,第一反相器柵極61的形狀和尺寸可以根據(jù)具體的工藝要求來決定,不同的柵極61尺寸可以獲得不同尺寸的SRAM版圖。
[0031]S200:由所述第一反相器柵極61的形狀和尺寸定義出第一反相器10中的第一PMOS晶體管12和第一 NMOS晶體管11有源區(qū)的形狀和尺寸;
[0032]S300:定義第一輸入端NMOS柵極62的形狀和尺寸;
[0033]同樣的,在步驟S300中,第一輸入端NMOS柵極62的形狀和尺寸可以根據(jù)具體的工藝要求來決定,不同的第一輸入端NMOS柵極62尺寸可以獲得不同尺寸的SRAM版圖。
[0034]S400:以所述第一輸入端NMOS柵極62的形狀和尺寸定義出所述第一輸入端NM0S30有源區(qū)的形狀和尺寸;
[0035]S500:以所述第一輸入端NM0S30有源區(qū)的形狀和尺寸定義出第一注入層13和第一阱層14的形狀和尺寸;
[0036]S600:使所述第一 PMOS晶體管12和第一 NMOS晶體管11的漏極連接在一起,使所述第一輸入端NM0S30和第一 NMOS晶體管11的有源區(qū)連接在一起,并且使所述第一輸入端NM0S30和第一 NMOS晶體管11的漏極也連接在一起,從而構(gòu)成第一單元,如圖2所示;
[0037]S700:復制所述第一單元,旋轉(zhuǎn)180度,形成第二單元;
[0038]其中,所述第二單元中包括第二反相器20、第二輸入端NM0S40、第二注入層和第二阱層,所述第二反相器20中包括第二反相器柵極63、第一 PMOS晶體管22和第一 NMOS晶體管21,所述第二輸入端NM0S40包括第二輸入端NMOS柵極64,如圖3所示,在此,為了附圖的簡潔,圖3中省略了第一注入層13、第一阱層14、第二注入層、第二阱層以及部分金屬連線。
[0039]S800:使所述第一單元中的第一 PMOS晶體管12漏極和第二單元中的第二反相器柵極63相連,使所述第二單元中的第二 PMOS晶體管22漏極和第一單元中的第一反相器柵極61相連,從而生成SRAM版圖。
[0040]在本實施例中,所述第一 PMOS晶體管12和第一 NMOS晶體管11的漏極通過通孔連線50和金屬連線70連接在一起;所述第一輸入端NM0S30和第一 NMOS晶體管11的漏極通過通孔連線50連接在一起;所述第一單元中的第一 PMOS晶體管12漏極和第二單元中的第二反相器柵極63通過通孔連線50相連;所述第二單元中的第二 PMOS晶體管漏極22和第一單元中的第一反相器柵極61通過通孔連線50相連;實際生產(chǎn)中,所述通孔連線50均通過金屬連線70引出,以方便外接電路。
[0041]采用本實施例提出的SRAM版圖生成方法,采用SMARTCELL軟件進行實現(xiàn),無需針對每一個晶體管進行尺寸的修改和定義,只需要修改較少的自變量,如第一反相器柵極的形狀和尺寸、第一輸入端NMOS柵極的形狀和尺寸即可實現(xiàn)對6個晶體管的全部形狀和尺寸的修改。因此,可以較快捷的獲得不同尺寸的SRAM,降低了人工修改較多參數(shù)可能出現(xiàn)的錯誤概率。
[0042]綜上,在本發(fā)明實施例提供的SRAM版圖的生成方法中,先形成第一單元,然后復制第一單元形成第二單元,連接第一單元和第二單元構(gòu)成SRAM,把SRAM中相同的參數(shù)歸類,可以實現(xiàn)SRAM版圖的自動生成,從而能夠高效完成不同尺寸大小SRAM版圖的實現(xiàn),簡化SRAM版圖的設計,從而降低人工設計版圖過程中產(chǎn)生的錯誤率,并縮短SRAM版圖實現(xiàn)時間。
[0043]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已,并不對本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬【技術(shù)領域】的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi),對本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動,均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容,仍屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種SRAM版圖的生成方法,包括步驟: 定義第一反相器柵極的形狀和尺寸; 由所述第一反相器柵極的形狀和尺寸定義出第一反相器中的第一 PMOS晶體管和第一NMOS晶體管有源區(qū)的形狀和尺寸; 定義第一輸入端NMOS柵極的形狀和尺寸; 以所述第一輸入端NMOS柵極的形狀和尺寸定義出所述第一輸入端NMOS有源區(qū)的形狀和尺寸; 以所述第一輸入端NMOS有源區(qū)的形狀和尺寸定義出第一注入層和第一阱層的形狀和尺寸; 使所述第一 PMOS晶體管和第一 NMOS晶體管的漏極連接在一起,使所述第一輸入端NMOS和第一 NMOS晶體管的有源區(qū)連接在一起,并且使所述第一輸入端NMOS和第一 NMOS晶體管的漏極也連接在一起,從而構(gòu)成第一單元; 復制所述第一單元,旋轉(zhuǎn)180度,形成第二單元; 使所述第一單元中的第一 PMOS晶體管漏極和第二單元中的第二反相器柵極相連,使所述第二單元中的第二 PMOS晶體管漏極和第一單元中的第一反相器柵極相連,從而生成SRAM版圖。
2.如權(quán)利要求1所述的SRAM版圖的生成方法,其特征在于,所述第一PMOS晶體管和第一 NMOS晶體管的漏極通過通孔連線和金屬連線連接在一起。
3.如權(quán)利要求2所述的SRAM版圖的生成方法,其特征在于,所述第一輸入端NMOS和第一 NMOS晶體管的漏極通過通孔連線連接在一起。
4.如權(quán)利要求3所述的SRAM版圖的生成方法,其特征在于,所述第一單元中的第一PMOS晶體管漏極和第二單元中的第二反相器柵極通過通孔連線相連。
5.如權(quán)利要求4所述的SRAM版圖的生成方法,其特征在于,所述第二單元中的第二PMOS晶體管漏極和第一單元中的第一反相器柵極通過通孔連線相連。
6.如權(quán)利要求5所述的SRAM版圖的生成方法,其特征在于,所述通孔連線均通過金屬連線引出。
【文檔編號】H01L21/8244GK103996661SQ201410253555
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年6月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月9日
【發(fā)明者】馬杰, 劉梅, 崔叢叢 申請人:上海華力微電子有限公司
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