介質(zhì)移相器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種介質(zhì)移相器，包括具有縱長狀容置空間的腔體和內(nèi)置入該容置空間的移相電路以及可滑動(dòng)地安裝于該容置空間且與該移相電路平行設(shè)置的介質(zhì)元件，所述腔體的內(nèi)壁上，設(shè)有使所述移動(dòng)介質(zhì)元件與移相電路保持非接觸的導(dǎo)軌。通過在移相電路與介質(zhì)元件之間設(shè)有若干導(dǎo)軌，從而避免介質(zhì)與饋電網(wǎng)絡(luò)直接接觸，使饋電網(wǎng)絡(luò)不會(huì)額外受力，可靠性好，同時(shí)可以避免移相器工作時(shí)饋電網(wǎng)絡(luò)和/或介質(zhì)的磨損。
【專利說明】介質(zhì)移相器 【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001] 本發(fā)明涉及通信器件領(lǐng)域，特別涉及一種介質(zhì)移相器。 【【背景技術(shù)】】
[0002] 在移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)覆蓋中，電調(diào)基站天線是覆蓋網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵設(shè)備之一，而移相器又 是電調(diào)基站天線的最核心部件，移相器性能的優(yōu)劣直接決定了電調(diào)天線性能，進(jìn)而影響到 網(wǎng)絡(luò)覆蓋質(zhì)量，故移相器在移動(dòng)基站天線領(lǐng)域的重要性是不言而喻的。
[0003] 現(xiàn)有的移相器中，主要采用兩種手段來實(shí)現(xiàn)移相的目的。其一是通過改變移相器 內(nèi)信號(hào)通過路徑的電長度來實(shí)現(xiàn)；另一種是通過移動(dòng)移相器內(nèi)的介質(zhì)，改變信號(hào)在移相器 中的傳播速率，由此可使流經(jīng)移相器輸出的信號(hào)形成連續(xù)的線性相位差，從而實(shí)現(xiàn)移相的 目的。
[0004] 然而，現(xiàn)有的通過加載介質(zhì)來實(shí)現(xiàn)移相目的的移相器中，存在如下問題：
[0005] 1、介質(zhì)元件與饋電網(wǎng)絡(luò)直接接觸，在長期的移動(dòng)過程中，介質(zhì)元件與饋電網(wǎng)絡(luò)相 互磨損，影響電路性能。
[0006] 2、介質(zhì)元件與饋電網(wǎng)絡(luò)接觸時(shí)，特別是介質(zhì)元件直接置于饋電網(wǎng)絡(luò)上時(shí)，會(huì)使饋 電網(wǎng)絡(luò)受力，不僅使移相器的結(jié)構(gòu)可靠性變差，還會(huì)引入無源互調(diào)產(chǎn)物。 【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0007] 本發(fā)明的目的在于提供一種介質(zhì)移相器，以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，從電氣性能、物 理特征對(duì)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。
[0008] 為實(shí)現(xiàn)該目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
[0009] -種介質(zhì)移相器，包括具有縱長狀容置空間的腔體和內(nèi)置入該容置空間的移相電 路以及可滑動(dòng)地安裝于該容置空間且與該移相電路平行設(shè)置的介質(zhì)元件，所述腔體的內(nèi)壁 上，設(shè)有使所述移動(dòng)介質(zhì)元件與移相電路保持非接觸的導(dǎo)軌。
[0010] 所述導(dǎo)軌設(shè)置在腔體與介質(zhì)元件相對(duì)的內(nèi)壁上，腔體的該內(nèi)壁設(shè)置單條的所述導(dǎo) 軌，介質(zhì)元件與導(dǎo)軌相應(yīng)的位置處設(shè)有滑槽，以導(dǎo)軌與滑槽相配合安裝。
[0011] 所述導(dǎo)軌設(shè)置在腔體位于介質(zhì)兀件兩側(cè)的一對(duì)相對(duì)內(nèi)壁上，每個(gè)所述的內(nèi)壁各設(shè) 一條導(dǎo)軌，介質(zhì)元件與移相電路分居于所述導(dǎo)軌的兩側(cè)。
[0012] 所述移相電路包括移相導(dǎo)體和用于使移相導(dǎo)體與所述腔體相固定的介質(zhì)支撐件。
[0013] 所述介質(zhì)支撐件為電路板，所述移相導(dǎo)體印制在該電路板上。
[0014] 所述移相導(dǎo)體為金屬板。
[0015] 所述腔體的容置空間貫通該腔體設(shè)置。
[0016] 進(jìn)一步地，所述腔體中的介質(zhì)元件可以設(shè)有多個(gè)。
[0017] 當(dāng)所述介質(zhì)移相器包括兩個(gè)所述的介質(zhì)元件時(shí)，每個(gè)介質(zhì)元件由腔體與所述介質(zhì) 元件相對(duì)的一個(gè)內(nèi)壁上的導(dǎo)軌支撐。
[0018] 當(dāng)所述介質(zhì)移相器包括兩個(gè)所述的介質(zhì)元件時(shí)，每個(gè)所述的介質(zhì)元件由腔體的一 對(duì)相對(duì)內(nèi)壁上的一個(gè)導(dǎo)軌支撐。
[0019] 更進(jìn)一步地，所述介質(zhì)移相器包括兩個(gè)所述的介質(zhì)元件和兩對(duì)大致平行設(shè)置的導(dǎo) 軌，兩對(duì)導(dǎo)軌之間形成供所述移相電路安裝的卡槽，每個(gè)介質(zhì)元件由一對(duì)相對(duì)內(nèi)壁上的一 對(duì)導(dǎo)軌支撐。
[0020] 或者，所述介質(zhì)移相器包括兩個(gè)所述的介質(zhì)元件、兩個(gè)分別設(shè)于所述移相電路正 上方和正下方的內(nèi)壁上的導(dǎo)軌，所述介質(zhì)元件與所述導(dǎo)軌對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)有滑槽，每個(gè)所 述介質(zhì)元件通過其滑槽分別與一個(gè)所述導(dǎo)軌相配合安裝。
[0021] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具備如下優(yōu)點(diǎn)：
[0022] 1、本發(fā)明的介質(zhì)移相器設(shè)有若干導(dǎo)軌，可以避免介質(zhì)與饋電網(wǎng)絡(luò)接觸，使饋電網(wǎng) 絡(luò)不會(huì)額外受力，可靠性好，同時(shí)可以避免移相器工作時(shí)饋電網(wǎng)絡(luò)和/或介質(zhì)的磨損。
[0023] 2、本發(fā)明的介質(zhì)移相器具有電路指標(biāo)優(yōu)秀、移相精度高、線性度高和無源互調(diào)產(chǎn) 物低的特點(diǎn)。 【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0024] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的移相器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖2為圖1所示的移相器的A-A向剖視圖；
[0026] 圖3為圖1所示的移相器的另一種實(shí)施方式的剖視圖；
[0027] 圖4為圖1所述的移相器的又另一種實(shí)施方式的剖視圖；
[0028] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例二的移相器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖6為圖5所示的移相器的A-A向剖視圖；
[0030] 圖7為實(shí)施例二的另一種移相器的腔體的橫截面圖。 【【具體實(shí)施方式】】
[0031] 下面結(jié)合附圖和示例性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地描述，其中附圖中相同的標(biāo)號(hào) 全部指的是相同的部件。此外，如果已知技術(shù)的詳細(xì)描述對(duì)于示出本發(fā)明的特征是不必要 的，則將其省略。
[0032] 實(shí)施例一
[0033] 如圖1至圖3所示，本發(fā)明的介質(zhì)移相器1，包括腔體11、移相電路12、介質(zhì)元件 13及導(dǎo)軌14。
[0034] 參見圖1，所述腔體11由金屬材料拉擠或壓鑄一體成型，具有包括環(huán)繞腔體11縱 長方向設(shè)置的四個(gè)封裝壁110在內(nèi)的五個(gè)封裝壁110和由所述五個(gè)封裝壁110限定的容置 空間111。所述腔體11的一端不設(shè)封裝壁110以預(yù)留開口端，并且所述容置空間111貫通 該腔體11設(shè)置，以方便移相電路12、介質(zhì)元件13、及其他組件的安裝，同時(shí)便于介質(zhì)元件13 受力沿腔體11縱長方向做直線運(yùn)動(dòng)。當(dāng)然，所述腔體11也可以沿縱長方向兩端不設(shè)封裝 壁以預(yù)留開口端。在其他實(shí)施方式中，所述腔體11也可以由一個(gè)至少一端不設(shè)封裝壁以預(yù) 留開口端的槽體（未圖示）和用于蓋合該槽體的蓋板（未圖示）組成。
[0035] 所述移相電路12包括移相導(dǎo)體和用于使移相導(dǎo)體121與所述腔體11相固定的介 質(zhì)支撐件120。
[0036] 其中，所述介質(zhì)支撐件120可以為電路板120,所述移相導(dǎo)體121印制在所述電路 板120上。所述電路板120可以是單層PCB板，即所述移相導(dǎo)體121印制在PCB板120的 一面；其也可以是雙層板，即所述移相導(dǎo)體121印制在PCB板120的兩面（參見圖4)，該雙 層PCB板120兩面的移相導(dǎo)體121可以通過若干過孔（未圖示）相連接。所述電路板120 在其靠近封裝壁110的一面設(shè)有金屬焊接件16,所述金屬焊接件16被焊接在所述封裝壁 110上，從而將電路板120 (也即移相電路12)固定于所述腔體11內(nèi)。
[0037] 理論上，當(dāng)PCB板120兩面設(shè)有完全不相干擾的移相導(dǎo)體121時(shí)，該移相器1相當(dāng) 于，以所述PCB板120為分界，所述容置空間11、介質(zhì)元件13和移相電路12均被分成相對(duì) 獨(dú)立的兩部分，形成兩個(gè)能各自獨(dú)立對(duì)流經(jīng)其中的信號(hào)移相的移相器單體。
[0038] 在其他實(shí)施方式中，所述移相導(dǎo)體也可以是金屬導(dǎo)體，例如金屬條或金屬板。所述 金屬導(dǎo)體根據(jù)移相電路的原理組合成所述移相導(dǎo)體，并由介質(zhì)支撐件固定于所述腔體的容 置空間中，參見實(shí)施例二。
[0039] 眾所周知，任何傳輸介質(zhì)對(duì)在其中傳導(dǎo)的波動(dòng)都會(huì)引入相移。本發(fā)明的移相器1 的腔體11內(nèi)設(shè)有可受力沿腔體11縱長方向做直線運(yùn)動(dòng)的介質(zhì)元件13。通過移動(dòng)該介質(zhì) 元件13,可以改變腔體11內(nèi)的等效介電常數(shù)，從而，改變信號(hào)在移相器1中的傳播速率，進(jìn) 而，可使流經(jīng)移相器1的信號(hào)形成連續(xù)的線性相位差，實(shí)現(xiàn)移相的目的。
[0040] 本發(fā)明的介質(zhì)元件13優(yōu)選為長條狀，其所選用的材料可以是一種或多種，并且該 介質(zhì)元件13的介電常數(shù)1.0。所述介質(zhì)元件13的材料，除了要求有高介電常數(shù)，優(yōu) 選還具有低損耗正切角特性。此外，為了使該移相器1具有較高的等效介電常數(shù)，所述容置 空間內(nèi)應(yīng)盡可能多地由所述介質(zhì)元件13填充。
[0041] 如果所述介質(zhì)元件13與所述移相電路12直接接觸，例如所述介質(zhì)元件13直接置 于所述移相電路12上時(shí)，除了會(huì)使移相電路12受力，還會(huì)在操縱介質(zhì)元件13移動(dòng)過程中 對(duì)移相電路12和/或介質(zhì)元件13造成磨損。
[0042] 參見圖2和圖3,為了避免如上問題的出現(xiàn)，本發(fā)明的介質(zhì)移相器1在腔體11內(nèi)設(shè) 有至少一個(gè)用于在所述介質(zhì)元件13與所述移相電路12之間形成間隙的導(dǎo)軌14,以避免所 述介質(zhì)元件13和所述移相電路12的直接接觸。
[0043] 所述導(dǎo)軌14呈長條狀，設(shè)于沿所述腔體11縱長方向的封裝壁110內(nèi)壁上，并沿腔 體11的縱長方向延伸。所述導(dǎo)軌14既可以與所述腔體11的封裝壁110 -體成型，也可在 所述腔體11成型后，加工生成于所述腔體11的封裝壁110內(nèi)壁上。
[0044] 所述介質(zhì)元件13設(shè)有單條時(shí)，該條導(dǎo)軌14設(shè)于與介質(zhì)元件13相對(duì)的封裝壁110 內(nèi)壁上。此處所稱與介質(zhì)元件13相對(duì)的封裝壁110,是指介質(zhì)元件13較寬端面所對(duì)的封裝 壁110,也即介質(zhì)元件13正上方或正下方的封裝壁110。所述介質(zhì)元件13在與所述導(dǎo)軌14 相應(yīng)的位置處設(shè)有滑槽139,所述介質(zhì)元件13以其滑槽139中嵌入所述導(dǎo)軌14的方式與所 述導(dǎo)軌14相安裝，以供所述介質(zhì)元件13沿該導(dǎo)軌14做直線運(yùn)動(dòng)，并避免所述介質(zhì)元件13 在移動(dòng)的過程中觸碰到所述移相電路12,從而增強(qiáng)該移相器1的可靠性。所述導(dǎo)軌14的截 面形狀可以為圓形、三角形、矩形、梯形或其他多邊形，可由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)需要設(shè)置， 下同。
[0045] 參見圖2,所述導(dǎo)軌14設(shè)有兩個(gè)時(shí)，所述兩個(gè)導(dǎo)軌14可以是形狀完全相同的一對(duì) 導(dǎo)軌，該對(duì)導(dǎo)軌14分別設(shè)于腔體11位于介質(zhì)元件13兩側(cè)的封裝壁110的內(nèi)壁上，并且該 對(duì)導(dǎo)軌14中的兩個(gè)導(dǎo)軌被設(shè)于兩個(gè)封裝壁110的大致等同的高度處。之所以說兩個(gè)導(dǎo)軌 14被設(shè)于兩個(gè)封裝壁110的大致等同的高度處，是由于所述腔體11可能不是嚴(yán)格意義上的 長方體，或者由于加工誤差導(dǎo)致兩個(gè)導(dǎo)軌14在腔體11的封裝壁110上的高度不能嚴(yán)格相 等。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，盡管該對(duì)導(dǎo)軌14不能做到嚴(yán)格等高設(shè)置，還是可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的 導(dǎo)軌14具有的功能。另外，應(yīng)當(dāng)注意的是，此處所稱介質(zhì)元件13兩側(cè)的封裝壁110,是指 該對(duì)封裝壁與所述介質(zhì)元件13的厚度方向大體平行，與前述的"與介質(zhì)元件13相對(duì)的封裝 壁"為相對(duì)概念。
[0046] 為了使容置空間內(nèi)盡量多地填充介質(zhì)元件13,所述移相電路12優(yōu)選安裝于該對(duì) 導(dǎo)軌14之間。如此，則可以在所述移相電路12的上方和下方均設(shè)置介質(zhì)元件13(如上層 介質(zhì)元件130和下層介質(zhì)元件131)，以使本發(fā)明的移相器1獲得盡量大的等效介電常數(shù)。
[0047] 為了適于所述移相電路12的安裝，該對(duì)導(dǎo)軌14的每個(gè)導(dǎo)軌的厚度應(yīng)大于所述移 相電路12的厚度，以避免被支撐于所述導(dǎo)軌14上的所述介質(zhì)元件13與所述移相電路12 相接觸。
[0048] 所述兩個(gè)導(dǎo)軌14還可以分別設(shè)在移相電路12正上方和移相電路12正下方的封 裝壁110內(nèi)壁上。此時(shí)，所述導(dǎo)軌14可以參照上述一個(gè)導(dǎo)軌的設(shè)置方式設(shè)置，S卩，使介質(zhì)元 件13與導(dǎo)軌14通過導(dǎo)軌14嵌于介質(zhì)元件13的滑槽139相安裝。
[0049] 當(dāng)所述導(dǎo)軌14在腔體11內(nèi)設(shè)有兩個(gè)，并且所述兩個(gè)導(dǎo)軌14分別設(shè)于移相電路12 正上方和正下方時(shí)，它們也可以設(shè)為不同的兩個(gè)。至于在所述腔體11內(nèi)如何設(shè)置所述兩個(gè) 導(dǎo)軌14及所述兩個(gè)導(dǎo)軌14的形狀，具體可參照腔體內(nèi)只設(shè)一個(gè)導(dǎo)軌14時(shí)的設(shè)置，恕不贅 述。
[0050] 參見圖3,所述腔體11內(nèi)可以設(shè)置更多導(dǎo)軌14,例如所述導(dǎo)軌14在所述腔體11 內(nèi)設(shè)有兩對(duì)。所述兩對(duì)導(dǎo)軌14在介質(zhì)元件13兩側(cè)的一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁封裝壁110上大致平 行設(shè)置，并且兩對(duì)導(dǎo)軌14之間形成一對(duì)沿腔體11縱長方向延伸的、用于裝設(shè)所述移相電路 12的卡槽111。所述移相電路12被承載于PCB板之類的基板，所述卡槽111用于夾設(shè)移相 電路12的基板（即上述介質(zhì)支撐件120)。如此，則在移相電路12上方和下方各形成一對(duì) 導(dǎo)軌（如上導(dǎo)軌141和下導(dǎo)軌142)。
[0051] 與此相應(yīng)地，所述介質(zhì)元件13包括設(shè)于上導(dǎo)軌141上的上層介質(zhì)元件130和設(shè)于 下導(dǎo)軌142下方的下層介質(zhì)元件131。由于所述兩對(duì)導(dǎo)軌14的設(shè)置，所述介質(zhì)元件13的活 動(dòng)空間受到了限制，從而避免在介質(zhì)元件13移動(dòng)的過程中碰觸到所述移相電路12,達(dá)到改 善交調(diào)和提高可靠性的目的。
[0052] 請(qǐng)結(jié)合圖1，為了使上層介質(zhì)元件130和下層介質(zhì)元件131同步移動(dòng)，所述介質(zhì)元 件13還包括介質(zhì)連接元件132。此外，為了使所述介質(zhì)元件13能受電機(jī)（未圖示）等外部 設(shè)備驅(qū)動(dòng)，本發(fā)明的移相器1還可以設(shè)有與所述介質(zhì)元件13連接并設(shè)于所述腔體11開口 端的外力致動(dòng)元件15。
[0053] 本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以推導(dǎo)并將本實(shí)施例中的移相電路、介質(zhì)元件及導(dǎo)軌的相關(guān) 結(jié)構(gòu)的設(shè)置手段應(yīng)用于后文的其他實(shí)施例中。因此，如果下文對(duì)本實(shí)施例中的個(gè)別結(jié)構(gòu)不 做具體描述，也并不能說本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的移相器不能具有該結(jié)構(gòu)，應(yīng)該由本領(lǐng) 域技術(shù)人員根據(jù)需要設(shè)置，以能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的為準(zhǔn)。
[0054] 實(shí)施例二
[0055] 參見圖5至圖7,本實(shí)施例中，所述介質(zhì)移相器為合成的移相器2,由多個(gè)例如兩個(gè) 移相器單體201，202共用一個(gè)腔體21組成。
[0056] 所述腔體21內(nèi)形成上下并排的兩個(gè)容置空間，所述容置空間用于安裝移相電路 22、介質(zhì)元件23和其他組件，及供所述介質(zhì)元件23沿腔體21縱長方向做直線運(yùn)動(dòng)。兩個(gè) 容置空間中安裝相同的移相電路22時(shí)，該合成的移相器2工作于同一個(gè)頻段，適用于單頻 雙極化天線；兩個(gè)容置空間中裝設(shè)不同的移相電路22時(shí)，該合成的移相器2可工作于不同 頻段，適用于多頻天線。
[0057] 類似于實(shí)施例一，本實(shí)施例中，每個(gè)所述移相器單體201或202的腔體由多個(gè)封裝 壁210和所述多個(gè)封裝壁210限定的容置空間構(gòu)成，所述容置空間內(nèi)設(shè)有移相電路22,所述 移相電路22與所述封裝壁210之間設(shè)有介質(zhì)元件23。
[0058] 所述移相電路22包括金屬導(dǎo)體220根據(jù)移相電路原理組成的移相導(dǎo)體220,和用 于將所述金屬導(dǎo)體220固定于所述腔體21內(nèi)的介質(zhì)支撐件221。所述金屬導(dǎo)體220折彎出 大致呈U型的形狀，包括兩個(gè)直臂2201和連接兩個(gè)所述的直臂的基部2202,所述兩個(gè)直臂 2201遠(yuǎn)離基部2202的端部用于連接傳輸線纜（未標(biāo)號(hào)），如圖5所示。
[0059] 參見圖6，為了防止移相電路22和所述介質(zhì)元件23直接接觸，所述移相電路22與 所述介質(zhì)元件23之間設(shè)有用于使移相電路22與介質(zhì)元件23保持非接觸的導(dǎo)軌24。
[0060] 每個(gè)移相器單體201或202的容置空間內(nèi)均相應(yīng)設(shè)有一對(duì)導(dǎo)軌24,所述導(dǎo)軌24以 一個(gè)大致相等的高度設(shè)在所述封裝壁210內(nèi)壁上。所述導(dǎo)軌24的高度大于所述移相電路 22的厚度，所述移相電路22設(shè)于該對(duì)導(dǎo)軌之間，并且所述移相電路22正上方和正下方均設(shè) 有介質(zhì)元件23,例如上層介質(zhì)元件230和下層介質(zhì)元件231。
[0061] 為了便于操縱所述介質(zhì)元件23沿腔體縱長方向做直線運(yùn)動(dòng)，所述移相器2還包括 與所述介質(zhì)元件23連接的外力致動(dòng)元件25。另外，為了保持上層介質(zhì)元件230和下層介質(zhì) 元件231同步移動(dòng)，所述介質(zhì)元件23還設(shè)有介質(zhì)連接元件232。
[0062] 參見圖7,圖7為實(shí)施例二的另一種移相器的腔體的橫截面圖。所述介質(zhì)移相器2 由四個(gè)移相器單體201、202、203、204通過上下、左右的并排關(guān)系組合而成。
[0063] 所述導(dǎo)軌24在每個(gè)移相器單體（如204)內(nèi)均設(shè)有一對(duì)，并且該對(duì)導(dǎo)軌24設(shè)于一 對(duì)相對(duì)的封裝壁210內(nèi)壁大致相同的高度的位置上。
[0064] 此外，所述的介質(zhì)元件23和所述的導(dǎo)軌24在每個(gè)移相單體中的設(shè)置方式，例如所 述介質(zhì)元件和所述導(dǎo)軌的數(shù)量、形狀、結(jié)構(gòu)和所在位置，可以參照實(shí)施例一，此處恕不贅述。 [0065] 綜上所述，本發(fā)明通過在移相器的腔體內(nèi)設(shè)置若干導(dǎo)軌，介質(zhì)元件沿所述導(dǎo)軌相 對(duì)于腔體和移相電路移動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)移相器內(nèi)的信號(hào)的調(diào)相，由于避免了介質(zhì)元件與移 相電路的直接接觸，從而使移相器的電氣特性和物理特性均得以大大優(yōu)化。
[〇〇66] 雖然上面已經(jīng)示出了本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理 解，在不脫離本發(fā)明的原理或精神的情況下，可以對(duì)這些示例性實(shí)施例做出改變，本發(fā)明的 范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1. 一種介質(zhì)移相器，包括具有縱長狀容置空間的腔體和內(nèi)置入該容置空間的移相電路 以及可滑動(dòng)地安裝于該容置空間且與該移相電路平行設(shè)置的介質(zhì)元件，其特征在于，所述 腔體的內(nèi)壁上，設(shè)有使所述移動(dòng)介質(zhì)元件與移相電路保持非接觸的導(dǎo)軌。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)移相器，其特征在于，所述導(dǎo)軌設(shè)置在腔體與介質(zhì)元件 相對(duì)的內(nèi)壁上，腔體的該內(nèi)壁設(shè)置單條的所述導(dǎo)軌，介質(zhì)元件與導(dǎo)軌相應(yīng)的位置處設(shè)有滑 槽，以導(dǎo)軌與滑槽相配合安裝。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)移相器，其特征在于，所述導(dǎo)軌設(shè)置在腔體位于介質(zhì)元 件兩側(cè)的一對(duì)相對(duì)內(nèi)壁上，每個(gè)所述的內(nèi)壁各設(shè)一條導(dǎo)軌，介質(zhì)兀件與移相電路分居于所 述導(dǎo)軌的兩側(cè)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的介質(zhì)移相器，其特征在于，所述移相電路包括 移相導(dǎo)體和用于使移相導(dǎo)體與所述腔體相固定的介質(zhì)支撐件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的介質(zhì)移相器，其特征在于，所述介質(zhì)支撐件為電路板，所述移 相導(dǎo)體印制在該電路板上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的介質(zhì)移相器，其特征在于，所述移相導(dǎo)體為金屬板。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的介質(zhì)移相器，其特征在于，所述腔體的容置空 間貫通該腔體設(shè)置。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的介質(zhì)移相器，其特征在于，所述腔體與導(dǎo)軌一 體成型。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的介質(zhì)移相器，其特征在于，包括兩個(gè)所述的介質(zhì)元件，每 個(gè)介質(zhì)元件由腔體與所述介質(zhì)元件相對(duì)的一個(gè)內(nèi)壁上的導(dǎo)軌支撐。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的介質(zhì)移相器，其特征在于，包括兩個(gè)所述的介質(zhì)元件，每 個(gè)所述的介質(zhì)元件由腔體位于介質(zhì)元件兩側(cè)的一對(duì)內(nèi)壁上的一個(gè)導(dǎo)軌支撐。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)移相器，其特征在于，包括兩個(gè)所述的介質(zhì)元件及兩個(gè) 分別設(shè)于所述移相電路正上方和正下方的內(nèi)壁上的導(dǎo)軌，所述介質(zhì)元件與所述導(dǎo)軌對(duì)應(yīng)的 位置處設(shè)有滑槽，每個(gè)所述的介質(zhì)元件通過其滑槽分別與一個(gè)所述導(dǎo)軌相配合安裝。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的介質(zhì)移相器，其特征在于，包括兩個(gè)所述的介質(zhì)元件和 兩對(duì)大致平行設(shè)置的導(dǎo)軌，兩對(duì)導(dǎo)軌之間形成供移相電路安裝的卡槽，每個(gè)介質(zhì)元件由腔 體位于介質(zhì)元件兩側(cè)的一對(duì)內(nèi)壁上的一對(duì)導(dǎo)軌支撐。
【文檔編號(hào)】H01P1/18GK104051821SQ201410223020
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月23日
【發(fā)明者】劉培濤, 蘇國生, 卜斌龍, 薛峰章, 孫善球 申請(qǐng)人:京信通信技術(shù)(廣州)有限公司