混合半導體封裝的制作方法
【專利摘要】半導體封裝包括襯底、附接到襯底的第一側的RF半導體裸片、附接到襯底的第一側的電容器和在襯底的第一側上的第一端子。半導體封裝進一步包括將第一端子連接到RF半導體裸片的輸出的銅或鋁鍵合接線或帶以及將電容器連接到RF半導體裸片的輸出的金鍵合接線或帶。金鍵合接線或帶被設計用于與銅或鋁鍵合接線或帶相比在RF半導體裸片的操作期間適應更高的RF焦耳加熱。也描述了對應的制造方法。
【專利說明】混合半導體封裝

【技術領域】
[0001]本申請涉及半導體封裝，并且更具體地涉及具有設計用于不同最大操作溫度的鍵合接線或帶的半導體封裝。

【背景技術】
[0002]對于RF半導體封裝而言，期望高可靠性、低成本的鍵合接線。這種封裝的鍵合接線通常由金、鋁或銅制成。這些鍵合接線中的一些鍵合接線用作連接到RF功率器件的輸出匹配網絡的調諧接線。調諧接線與包括在封裝中的用于輸入和輸出連接的其它鍵合接線相比經受明顯更高的溫度。例如，由于RF焦耳加熱(即歐姆加熱和電阻加熱)，因此調諧接線的溫度通常超過約150°C到160°C，并且在特定應用中甚至200°C，由此作為在RF頻率下通過接線的電流的結果，調諧接線釋放熱量。
[0003]與鋁和銅鍵合接線相比，金鍵合接線可以適應由RF焦耳加熱引起的更高溫度，但是金明顯更為昂貴。在存在氧的情況下，不受保護的銅鍵合接線容易氧化。氧化銅的生長與溫度和時間有關。因此可以預測RF功率器件的壽命并且滿足最低要求。銅調諧接線的關鍵(最大)溫度取決于各種條件，諸如器件電靈敏度、元件、合金、時間和溫度，并且通常約為150°C，在該溫度以下氧化物生長對于大多數器件有用壽命(例如20年)而言不成問題。銅鍵合接線可以涂覆有諸如鈀之類的抗氧化層，但仍在150°C到160°C以上的溫度處長時間段氧化。與銅鍵合接線相比，鋁鍵合接線對上述溫度問題不太敏感，并且具有限制進一步氧化的自鈍化氧化物層。然而，與銅和金鍵合接線相比，鋁鍵合接線具有降低的電傳導性和熱傳導性。熔絲電流也明顯更小。
[0004]對于RF功率封裝而言，以其它方式致力于高鍵合接線溫度。例如，可以增加設計時間，使得可以運行足夠的仿真以產生降低的調諧接線溫度。集成無源器件可以添加到封裝以實現優(yōu)選匹配，減少與調諧接線進行匹配的需要?？梢詫a品調低以降低調諧接線內的電流?？梢栽黾渔I合接線的數目。而且，可以增加鍵合接線直徑。在每種情況中，期望致力于RF功率封裝內特定鍵合接線的加熱的更好方式。


【發(fā)明內容】

[0005]根據半導體封裝的一個實施例，該封裝包括襯底、附接到襯底的第一側的RF半導體裸片、附接到襯底的第一側的電容器和在襯底的第一側上的第一端子。該封裝進一步包括將第一端子連接到RF半導體裸片的輸出的銅或鋁鍵合接線或帶以及將電容器連接到RF半導體裸片的輸出的金鍵合接線或帶。金鍵合接線或帶被設計用于與銅或鋁鍵合接線或帶相比在RF半導體裸片的操作期間適應更大的RF焦耳加熱。
[0006]根據制造半導體封裝的方法的一個實施例，該方法包括:將RF半導體裸片附接到襯底的第一側；將電容器附接到襯底的第一側；將第一端子布置在襯底的第一側上；將第一端子經由銅或鋁鍵合接線或帶連接到RF半導體裸片的輸出；以及將電容器經由金鍵合接線或帶連接到RF半導體裸片的輸出，金鍵合接線或帶被設計用于與銅或鋁鍵合接線或帶相比在RF半導體裸片的操作期間適應更大的RF焦耳加熱。
[0007]根據半導體封裝的另一實施例，該封裝包括金屬襯底、附接到金屬襯底的電絕緣部件、具有附接到金屬襯底的源極端子以及背離金屬襯底的柵極端子和漏極端子的RF半導體裸片、具有附接到金屬襯底的第一端子和背離金屬襯底的第二端子的輸入電容器以及具有附接到金屬襯底的第一端子和背離金屬襯底的第二端子的輸出電容器。該封裝進一步包括附接到電絕緣部件的輸入端子和附接到電絕緣部件的輸出端子。第一組銅或鋁鍵合接線或帶將輸出端子連接到RF半導體裸片的漏極端子。金鍵合接線或帶將輸出電容器的第二端子連接到RF半導體裸片的漏極端子。金鍵合接線或帶被設計為適應RF半導體裸片操作期間比第一組銅或鋁鍵合接線或帶更高的RF焦耳加熱。第二組銅或鋁鍵合接線或帶將輸入端子連接到輸入電容器的第二端子并且將輸入電容器的第二端子連接到RF半導體裸片的柵極端子。
[0008]本領域技術人員通過閱讀下面的具體描述以及通過查看附圖將認識到附加特征和優(yōu)勢。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖中的組件不一定按照比例繪制，但強調的是圖示本發(fā)明的原理。而且，在附圖中，類似的參考標號標示對應的部分。在附圖中:
[0010]圖1圖示了混合半導體封裝的一個實施例的自頂向下平面圖；
[0011]圖2圖示了圖1的混合半導體封裝中包括的示例性RF功率電路的示意圖；以及
[0012]圖3圖示了根據實施例的圖1的混合半導體封裝的部分的側面透視圖。

【具體實施方式】
[0013]根據本文描述的實施例，一種半導體封裝包括在封裝中包括的晶體管裸片的操作期間期望超過特定溫度的鍵合接線或帶。這些鍵合接線或帶由金制成。包括在封裝中并且期望保持在較低溫度下的其它鍵合接線或帶由除了金之外的材料(諸如鋁或銅)制成。這樣，設計成在器件操作期間最熱的鍵合接線或帶在器件的壽命期間可以應對相對高的操作溫度，而不會故障和/或氧化。其余鍵合接線或帶由不太昂貴的材料制成，該材料在器件的壽命期間可以在較低溫度可靠地工作。
[0014]鍵合接線通常具有(一般)圓形的截面并且鍵合帶通常具有(一般)矩形的截面?？梢圆捎弥T如球鍵合、鍥形鍵合之類的各種標準鍵合技術來將鍵合接線或帶附接到半導體封裝的端子或襯底。通常，在每個鍵合接線或帶與封裝的端子或襯底之間產生金屬間界面、鍵或焊點。一些鍵合接線/帶與鍵合接線或帶的剩余部分相比在包括在封裝中的器件的操作期間經受更高溫度。例如，一些鍵合接線或帶可以用作RF功率器件的輸入或輸出匹配網絡中的調諧接線。電流在這些鍵合接線或帶中以RF射頻流動，將鍵合接線或帶加熱到可以超過160°C或甚至200°C或更高的溫度。在一些應用中，鍵合接線/帶中的這種RF焦耳加熱可以接近或甚至超過300°C。這些鍵合接線/帶主要包括金，例如99.99%的純Au或Au合金。其余鍵合接線/帶主要包括除了金以外的材料，諸如鋁(例如純Al或Al合金)或銅(例如純Cu或Cu合金,具有或不具有鈍化層,諸如鈕)。這樣,在降低的成本下,金鍵合接線/帶可以可靠地適應相對高的溫度并且其余(非金)鍵合接線/帶可以可靠地適應較低的溫度。
[0015]圖1圖示了半導體封裝100的一個實施例的自頂向下的平面圖，并且圖2圖示了在封裝100中容納的RF功率電路200的電路示意圖。在一個實施例中，半導體封裝100是RF功率空腔封裝。為容易圖示起見，在圖1中未示出封裝蓋。在其它一些實施例中，封裝100的內件被包裹在諸如環(huán)氧樹脂之類的模制化合物中。
[0016]在任一情況下，封裝100包括諸如金屬法蘭之類的襯底102和諸如陶瓷窗口之類的電絕緣窗口 104，在導電襯底102的情況下該電絕緣窗口附接到襯底102。備選地，襯底102可以電絕緣。晶體管裸片106附接到未由絕緣窗口 104覆蓋的金屬襯底102的內部部分。晶體管裸片106可以包括任意類型的功率晶體管，諸如LDMOS(橫向擴散的金屬氧化物半導體)、DM0S(雙擴散M0S)、SiC或GaN晶體管。在一個實施例中，晶體管裸片106是具有附接到金屬襯底102的源極端子(S)的RF半導體裸片。在襯底102由金屬制成的情況下，該源極端子可以通過襯底102接地。裸片106的柵極端子(G)和漏極端子(D)背離金屬襯底102。在電絕緣襯底102的情況下，晶體管裸片106的所有端子布置在裸片106的與襯底102背離的一側處。晶體管裸片106的相對側可以粘合或以其它方式附接到封裝100的電絕緣襯底102。
[0017]封裝100進一步包括輸入端子108、輸出端子110和附接到電絕緣部件104的DC偏置端子112。在電絕緣襯底102的情況下，可以省略絕緣部件104并且端子108、110、112直接附接到襯底102。DC偏置端子112是可選的，并且在經由輸出端子110施加DC偏置的情況下可以從封裝100省略DC偏置端子112。
[0018]封裝100也包括輸入匹配網絡114，該匹配網絡114耦合在封裝100的輸入端子108與晶體管裸片106的柵極端子(G)之間。輸入匹配網絡114包括DC阻塞電容器Cin，其具有第一端子116，該第一端子116通過絕緣體120與第二端子118隔開。輸入匹配網絡114的第一導電分支Lini將封裝100的輸入端子108連接到輸入電容器Cin的第二端子118。輸入匹配網絡114的第二導電分支Lin2將輸入電容器Cin的第二端子118連接到晶體管裸片106的柵極端子。在其中襯底102由金屬制成的情況下,輸入電容器Cin的第一端子116例如經由附接到襯底102而耦合到接地節(jié)點(GND)。
[0019]輸出匹配網絡122耦合在晶體管裸片106的漏極端子⑶與封裝100的輸出和DC偏置端子110、112之間。輸出匹配網絡122包括DC阻塞電容器Cqut，該DC阻塞電容器Cqut具有第一端子124，該第一端子124通過絕緣體128與第二端子126隔開。輸出匹配網絡122的第一導電分支Lron將晶體管裸片106的漏極端子連接到DC阻塞電容器Cott的第二端子126。輸出匹配網絡122的第二導電分支Lqut2將DC阻塞電容器Cqut的第二端子126連接至IJ封裝100的DC偏置端子112。在襯底102由金屬制成的情況下，DC阻塞電容器Cqut的第一端子124例如經由附接到襯底102而耦合到接地節(jié)點(GND)，因而在輸出匹配網絡122的第一導電分支Lram和第二導電分支Lmjt2之間提供接地的RF/基帶“冷點(cold point) ”路徑。輸出匹配網絡122的第三導電分支Lqut3將晶體管裸片106的漏極端子連接到封裝100的輸出端子110。晶體管裸片106的源極端子⑶耦合到接地節(jié)點(GND)。
[0020]輸入匹配網絡114和輸出匹配網絡122的電容器可以實現為與晶體管裸片106分開的分離組件，或者可以與晶體管集成在同一裸片上。輸入匹配網絡114和輸出匹配網絡122可以具有其它配置，如本領域容易知道的那樣，并且因此在這點上不給出進一步解釋。外部端子和電容器(未示出)可以耦合到封裝100的輸出端子110，用于耦合到晶體管裸片106的輸出。封裝100可以包括多于一個的裸片106，例如并聯連接的多個裸片106?？梢栽诜庋b100的DC偏置端子112處施加DC偏置(Vdd)，用于確保晶體管裸片106的適當偏置。DC阻塞電容器(未示出)可以從外部耦合到封裝100的DC偏置端子112。在一些實施例中，DC偏置端子112經由輸出電容器Cqut提供“冷”點，即在基帶和RF處端接/虛擬接地。
[0021]輸入匹配網絡114和輸出匹配網絡122的導電分支LIN1、Lin2, Louti, Lout2, Lout3實現為鍵合接線或帶。在一個實施例中，第一組銅或鋁鍵合接線或帶130將封裝100的輸出端子110連接到晶體管裸片106的輸出(例如漏極端子)。參照圖2的電路示意圖，第一組銅或鋁鍵合接線/帶130對應于輸出匹配網絡122的導電分支LOTT3。在由于互感期望將封裝100的輸出端子110連接到晶體管裸片106的輸出的最外鍵合接線或帶比靠內的鍵合接線或帶更熱例如160°C以上的情況下，這些鍵合接線或帶的最外鍵合接線或帶可以為金，而陣列的內部部分中的鍵合接線或帶可以為銅或鋁。
[0022]金鍵合接線或帶132將封裝100的DC偏置端子112 (或如果省略DC偏置端子112則是輸出端子110)連接到輸出電容器Qjut的第二端子126并且將輸出電容器Qjut的第二端子126連接到晶體管裸片106的輸出。備選地，該連接的第一部分132’可以通過金鍵合接線或帶提供，該金鍵合接線或帶將輸出電容器Qm的第二端子126連接到晶體管裸片106的輸出。該連接的第二部分132’’可以通過銅或鋁鍵合接線或帶提供，該銅或鋁鍵合接線或帶將封裝100的DC偏置端子112 (或如果省略DC偏置端子112則是輸出端子110)連接到輸出電容器Qm的第二端子126。
[0023]參照圖2的電路示意圖，金鍵合接線或帶132對應于至少導電分支Lotti，并且取決于Lott2利用金、銅或鋁鍵合接線或帶實現，也可能對應于輸出匹配網絡122的導電分支LQUT2。在一種情況下，導電分支Ltoti (圖1中的部分132’ )利用金鍵合接線或帶實現，并且導電分支Lott2(圖1中的部分132’’)利用銅或鋁鍵合接線或帶實現。在另一情況下，兩個導電分支Lron和Ltot2利用金鍵合接線或帶實現。在任一情況下，與第一組銅或鋁鍵合接線或帶130相比，金鍵合接線或帶132被設計用于在晶體管裸片106的操作期間適應更高的RF焦耳加熱。
[0024]第二組銅或鋁鍵合接線或帶134將封裝100的輸入端子108連接到輸入電容器Cin的第二端子118，并且將輸入電容器Cin的第二端子118連接到晶體管裸片106的柵極端子(G)。這里使用的術語“金鍵合接線或帶”描述包括主要為金(例如99.99%純Au或金合金)的鍵合接線或帶。這里使用的術語“銅或鋁鍵合接線或帶”描述包括主要為鋁(例如純Al或Al合金)或銅(例如純Cu或Cu合金,具有或不具有鈍化層諸如鈕)的鍵合接線或帶。
[0025]圖3圖示了根據一個實施例的半導體封裝100的部分的側面透視圖。第一組銅或鋁鍵合接線或帶130在第一端部129附接到封裝100的輸出端子110，并且在第二端部131附接到晶體管裸片106的輸出(例如漏極端子)。金鍵合接線或帶132在第一端部133附接到封裝100的DC偏置端子112 (或如果省略DC偏置端子112則是輸出端子110)，在第二端部135附接到晶體管裸片106的輸出，并且在第一端部133和第二端部135之間的中間區(qū)域137處附接到DC阻塞電容器Ctot的第二端子126。在另一實施例中，金鍵合接線或帶132提供該連接的第一部分132’并且僅將晶體管裸片106的輸出連接到DC阻塞電容器Cout的第二端子126。銅或鋁鍵合接線或帶提供從DC阻塞電容器Cott的第二端子126到封裝100的DC偏置端子112 (或如果省略DC偏置端子112則是輸出端子110)的連接的第二部分132’ ’。在任一情況下，金鍵合接線或帶132可以扭結，即，在附接到DC阻塞電容器Ctot的點與附接到晶體管裸片106的點之間具有緊密卷曲、扭曲或彎曲的區(qū)域140。
[0026]在附圖中將封裝100的每個端子108、110、112圖示為單個連續(xù)的鍵合條帶或焊盤，所有對應的鍵合接線或帶130/132/134附接到該單個連續(xù)的鍵合條帶或焊盤。備選地，可以通過多個鍵合焊盤來實現封裝端子108、110、112中的一個或多個。在任一情況下，第一組銅或鋁鍵合接線或帶132可以經由一個或多個鋁鍵合焊盤附接到封裝100的輸出端子110，并且可以經由一個或多個鋁或金鍵合焊盤附接到晶體管裸片106的輸出。金鍵合接線或帶132可以經由金鍵合焊盤附接到封裝100的DC偏置端子112(或如果省略DC偏置端子112則是輸出端子110)、晶體管裸片106的輸出和DC阻塞電容器CQUT。在一個實施例中，第一組銅或鋁鍵合接線或帶130和金鍵合接線或帶132經由一個或多個共享(公共)鍵合焊盤附接到晶體管裸片106的輸出，該一個或多個共享(公共)鍵合焊盤在圖1和圖3中由裸片106的漏極端子(D)表示。在這樣的配置下，共享鍵合焊盤由足以可靠地適應異質材料的鍵合接線或帶的材料制成。例如，該一個或多個共享鍵合焊盤可以包括T1、Pt和Au。
[0027]通常，金鍵合接線或帶被設計用于在比包括在同一封裝中的鋁或銅鍵合接線或帶明顯更高的溫度下工作。在RF功率器件的情況下，金鍵合接線或帶可以用作調諧接線。然而，這里描述的金和鋁/銅鍵合接線或帶的實施例可以用于如下的任意應用，在這樣的應用中焦耳加熱引起鍵合接線或帶中的特定鍵合接線或帶產生比其它鍵合接線或帶更大的熱量。通常，銅或鋁鍵合接線或帶將半導體封裝的端子連接到晶體管裸片的輸出(例如漏極端子)。金鍵合接線或帶將電容器連接到晶體管裸片的輸出，并且被設計成與銅或鋁鍵合接線或帶相比在RF半導體裸片的操作期間適應更大的RF焦耳加熱。在一個實施例中，在晶體管裸片的操作期間銅或鋁鍵合接線或帶的最大溫度低于約150°C到160°C，并且在晶體管裸片的操作期間金鍵合接線或帶的最大溫度高于160°C，例如高于200°C或甚至接近或超過300°C。銅或鋁鍵合接線或帶可以具有與金鍵合接線或帶相同的截面積。備選地，銅或鋁鍵合接線或帶可以具有比金鍵合接線或帶更大的截面積。
[0028]為便于描述，使用諸如“下方”、“之下”、“更低”、“上方”、“上面”等之類的空間相對術語來說明一個元件相對于第二元件的定位。除了與圖中描繪的方向不同的方向之外，這些術語旨在于涵蓋器件的不同方向。此外，也使用諸如“第一”、“第二”等的術語來描述各種元件、區(qū)域、部分等并且也并不旨在于進行限定。貫穿整個描述，類似的術語指代類似的元件。
[0029]如這里使用的，術語“具有”、“含有”、“包括”、“包含”等是開放式術語，指示所述元件或特征的存在，而并不排除附加的元件或特征。除非上下文另外清楚指出，否則冠詞“一個”、“一”和“該”旨在于包括復數以及單數。
[0030]考慮到上述變型和應用的范圍，應理解到的是，本發(fā)明并不由前面的描述限定，也不由附圖限定。相反，本發(fā)明僅由下面的權利要求和其合法等同方案限定。
【權利要求】
1.一種半導體封裝，包括: 襯底； RF半導體裸片，附接到所述襯底的第一側； 電容器，附接到所述襯底的所述第一側； 第一端子，在所述襯底的所述第一側上； 銅或鋁鍵合接線或帶，將所述第一端子連接到所述RF半導體裸片的輸出；以及 金鍵合接線或帶，將所述電容器連接到所述RF半導體裸片的所述輸出，所述金鍵合接線或帶被設計用于與所述銅或鋁鍵合接線或帶相比在所述RF半導體裸片的操作期間適應更高的RF焦耳加熱。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述RF半導體裸片為GaN、SiC或LDMOS裸片，其具有附接到所述襯底的所述第一側的源極端子以及與所述襯底背離的漏極端子和柵極端子，其中所述銅或鋁鍵合接線或帶將所述第一端子連接到所述裸片的所述漏極端子，并且其中所述金鍵合接線或帶將所述電容器連接到所述裸片的所述漏極端子。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括在所述襯底的所述第一側上的第二端子，其中所述銅或鋁鍵合接線或帶在第一端部處附接到所述第一端子并且在第二端部處附接到所述RF半導體裸片的所述輸出，以及其中所述金鍵合接線或帶在第一端部處附接到所述第二端子，在第二端部處附接到所述RF半導體裸片的所述輸出，并且在所述第一端部和所述第二端部之間的中間區(qū)域處附接到所述電容器。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述金鍵合接線或帶在附接到所述電容器的點和附接到所述RF半導體裸片的所述輸出的點之間扭結。
5.根據權利要求3所述的半導體封裝，其中所述銅或鋁鍵合接線或帶經由一個或多個鋁鍵合焊盤附接到所述第一端子并且經由一個或多個鋁或金鍵合焊盤附接到所述RF半導體裸片的所述輸出，并且其中所述金鍵合接線或帶經由金鍵合焊盤附接到所述襯底上的所述第一端子或另一端子、所述RF半導體裸片的所述輸出和所述電容器。
6.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述銅或鋁鍵合接線或帶和所述金鍵合接線或帶經由一個或多個共享鍵合焊盤附接到所述RF半導體裸片的所述輸出。
7.根據權利要求6所述的半導體封裝，其中所述一個或多個共享鍵合焊盤包括T1、Pt和Au。
8.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述銅或鋁鍵合接線或帶的最大溫度在所述RF半導體裸片的操作期間低于160°C，并且其中所述金鍵合接線或帶的最大溫度在所述RF半導體裸片的操作期間高于160°C。
9.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述銅或鋁鍵合接線或帶具有比所述金鍵合接線或帶更大的截面積。
10.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述半導體封裝為空氣腔封裝。
11.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述金鍵合接線或帶為輸出匹配網絡的調諧接線。
12.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述金鍵合接線或帶在第一端部處附接到所述第一端子，在第二端部處附接到所述RF半導體裸片的所述輸出，并且在所述第一端部和所述第二端部之間的中間區(qū)域處附接到所述電容器。
13.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述金鍵合接線或帶將所述RF半導體裸片的所述輸出連接到所述電容器，并且附加的銅或鋁鍵合接線或帶將所述電容器連接到所述第一端子。
14.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括附加的金鍵合接線或帶，所述附加的金鍵合接線或帶與所述銅或鋁鍵合接線或帶形成陣列，并且也將所述第一端子連接到所述RF半導體裸片的所述輸出，所述銅或鋁鍵合接線或帶布置在所述陣列的內部部分處，并且所述附加的金鍵合接線或帶布置在所述陣列的外部部分處。
15.一種制造半導體封裝的方法，所述方法包括: 將RF半導體裸片附接到襯底的第一側； 將電容器附接到所述襯底的所述第一側； 將第一端子布置在所述襯底的所述第一側上； 經由銅或鋁鍵合接線或帶將所述第一端子連接到所述RF半導體裸片的輸出；以及經由金鍵合接線或帶將所述電容器連接到所述RF半導體裸片的所述輸出，所述金鍵合接線或帶被設計用于與所述銅或鋁鍵合接線或帶相比在所述RF半導體裸片的操作期間適應更高的RF焦耳加熱。
16.根據權利要求15所述的方法，其中經由所述金鍵合接線或帶將所述電容器連接到所述RF半導體裸片的所述輸出包括: 將所述金鍵合接線或帶的第一端部附接到所述襯底上的所述第一端子或另一端子；將所述金鍵合接線或帶的第二端部附接到所述RF半導體裸片的所述輸出；以及將所述金鍵合接線或帶的在所述第一端部和所述第二端部之間的中間區(qū)域附接到所述電容器。
17.根據權利要求16所述的方法，進一步包括在附接到所述電容器的點和附接到所述RF半導體裸片的所述輸出的點之間扭結所述金鍵合接線或帶。
18.根據權利要求15所述的方法，其中經由一個或多個共享鍵合焊盤將所述銅或鋁鍵合接線或帶以及所述金鍵合接線或帶附接到所述RF半導體裸片的所述輸出。
19.根據權利要求15所述的方法，其中所述銅或鋁鍵合接線或帶的最大溫度在所述RF半導體裸片的操作期間低于160°C，并且其中所述金鍵合接線或帶的最大溫度在所述RF半導體裸片的操作期間高于160°C。
20.—種半導體封裝，包括: 金屬襯底； 電絕緣部件，附接到所述金屬襯底； RF半導體裸片，具有附接到所述金屬襯底的源極端子以及與所述金屬襯底背離的柵極端子和漏極端子； 輸入電容器，具有附接到所述金屬襯底的第一端子和與所述金屬襯底背離的第二端子； 輸出電容器，具有附接到所述金屬襯底的第一端子和與所述金屬襯底背離的第二端子； 輸入端子，附接到所述電絕緣部件； 輸出端子，附接到所述電絕緣部件； 第一組銅或鋁鍵合接線或帶，將所述輸出端子連接到所述RF半導體裸片的所述漏極端子； 金鍵合接線或帶，將所述輸出電容器的所述第二端子連接到所述RF半導體裸片的所述漏極端子，所述金鍵合接線或帶被設計用于與所述第一組銅或鋁鍵合接線或帶相比在所述RF半導體裸片的操作期間適應更高的RF焦耳加熱；以及 第二組銅或鋁鍵合接線或帶，將所述輸入端子連接到所述輸入電容器的所述第二端子并且將所述輸入電容器的所述第二端子連接到所述RF半導體裸片的所述柵極端子。
21.根據權利要求20所述的半導體封裝，進一步包括附接到所述電絕緣部件的DC偏置端子，其中所述金鍵合接線或帶將所述DC偏置端子連接到所述輸出電容器的所述第二端子并且將所述輸出電容器的所述第二端子連接到所述RF半導體裸片的所述漏極端子。
22.根據權利要求20所述的半導體封裝，其中所述金鍵合接線或帶將所述RF半導體裸片的所述漏極端子連接到所述電容器的所述第二端子，并且附加的銅或鋁鍵合接線或帶將所述電容器的所述第二端子連接到與所述電絕緣部件附接的所述輸出端子或另一端子。
【文檔編號】H01L23/49GK104183558SQ201410208488
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年5月16日 優(yōu)先權日:2013年5月21日
【發(fā)明者】A·科姆波施, B·W·康戴, E·奧雷喬拉, M·瑞爾 申請人:英飛凌科技股份有限公司