用于測試磁場傳感器的裝置及其方法
【專利摘要】提供一種用于測試磁場傳感器的裝置和方法，其中，該方法包括：布置線圈以產(chǎn)生磁場；使用線圈，將磁場施加到磁場傳感器；以及檢測施加到磁場傳感器的磁場。
【專利說明】用于測試磁場傳感器的裝置及其方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年7月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0089664號韓國專利申請的權(quán)益，其全部公開通過引用結(jié)合到本文用于所有目的。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]下面的描述涉及磁場傳感器測試裝置和磁場傳感器測試方法。

【背景技術(shù)】
[0004]“多軸磁場傳感器”是指被配置成通過檢測X、Y或Z軸上的磁場來感知方位角的傳感裝置(本文所用的“多軸”可以包括兩個或三個軸)。
[0005]通常，需要直接將磁場施加到待感測的X、Y或Z軸，以測試多軸磁場傳感器。因此，必須準(zhǔn)備線圈(例如電感器)以施加磁場，然后，電流流過線圈以測試磁場傳感器，同時根據(jù)預(yù)期幅度來改變磁場。
[0006]韓國專利申請?zhí)?0-2006-0060666提出了一種使用二軸磁場傳感器的裝置來解決與三軸羅盤相關(guān)聯(lián)的問題。
[0007]多軸磁場傳感器可以在晶片上或封裝中被測試。
[0008]為了在晶片上測試磁場傳感器，通常需要將均勻磁場施加到晶片的多軸方向。因此，在Χ、Υ和Z軸方向上分別需要線圈。特別需要使用比晶片更大的線圈以測試Z軸方向，還需要施加更大的磁場，因為感測磁場的范圍增加。然而，將更大電力施加到線圈這樣的需求通常會導(dǎo)致問題。
[0009]同時，為了在封裝中測試傳感器，通常使用插座。雖然該測試也針對Χ、Υ和Z軸方向分別需要線圈，然而可以使用比晶片上測試所需線圈更小的線圈。然而，因為必須將封裝中的磁場傳感器放在插座中用于測試目的，所以需要分離的裝置。此外，因為按順序測試多個磁場傳感器芯片，所以測試通?；ㄙM(fèi)更長的時間且導(dǎo)致更高的成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]提供本
【發(fā)明內(nèi)容】
以簡化形式介紹系列構(gòu)思，在下面的【具體實施方式】中將對其進(jìn)一步描述。本
【發(fā)明內(nèi)容】
不用于確定要保護(hù)的主題內(nèi)容的關(guān)鍵特征或本質(zhì)特征，也不用于幫助確定要保護(hù)的主題內(nèi)容的范圍。
[0011]在一個總的方面，用于測試晶片上的磁場傳感器的方法包括:在晶片上布置配置成產(chǎn)生磁場的線圈；使用線圈，將磁場施加到磁場傳感器；以及檢測施加到磁場傳感器的磁場。
[0012]磁場傳感器可以被配置成檢測具有多軸分量的磁場。
[0013]線圈可以具有比晶片的橫截面面積更小的橫截面面積。
[0014]該方法還可以包括在線圈區(qū)域內(nèi)且在遠(yuǎn)離線圈中心點的距離處布置磁場傳感器。
[0015]從磁場產(chǎn)生的磁場線和磁場傳感器的表面之間的入射角可以小于90度。
[0016]響應(yīng)于施加到磁場傳感器的磁場被分成X、Y和Z軸分量，X、Y和Z軸分量可以具有相似的值。
[0017]晶片可以形成在探針卡上。
[0018]針可以連接到探針卡，并且遠(yuǎn)離線圈中心點朝向線圈的邊布置。
[0019]該方法還可以包括在線圈區(qū)域外布置磁場傳感器。
[0020]該方法還可以包括在除線圈中心點之外的線圈區(qū)域內(nèi)的任何象限上布置磁場傳感器。
[0021 ] 該方法還可以包括在線圈區(qū)域內(nèi)布置多個磁場傳感器。
[0022]在另一總的方面，一種用于測試磁場傳感器的裝置包括:包括磁場傳感器的晶片；以及被配置成產(chǎn)生磁場到磁場傳感器的環(huán)形線圈，其中，磁場傳感器放置在遠(yuǎn)離線圈中心點的距離處。
[0023]該裝置還可以包括:包括環(huán)形線圈的探針卡；以及連接到探針卡的針，其中，連接到探針卡的針遠(yuǎn)離線圈中心點朝向線圈的邊布置。
[0024]磁場傳感器可以布置在遠(yuǎn)離線圈中心點的位置且朝向線圈的邊布置。
[0025]線圈可以具有比晶片的橫截面面積更小的橫截面面積。
[0026]從磁場產(chǎn)生的磁場線和磁場傳感器的表面之間的入射角可以小于90度。
[0027]響應(yīng)于施加到磁場傳感器的磁場被分成X、Y和Z軸分量，X、Y和Z軸分量可以具有相似的值。
[0028]線圈和晶片可以彼此平行。
[0029]磁場傳感器可以布置在除線圈中心點之外的線圈區(qū)域內(nèi)的任何象限上。
[0030]該裝置還可以包括布置在線圈區(qū)域內(nèi)的多個磁場傳感器。
[0031]在另一總的方面，一種用于測試多軸磁場傳感器的方法包括:提供被配置成產(chǎn)生具有多軸分量的磁場的線圈；將磁場的多軸分量提供到多軸磁場傳感器；以及使用多軸磁場傳感器檢測磁場的多軸分量。
[0032]從下面的【具體實施方式】、附圖和權(quán)利要求可明顯看到其他特征和方面。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1A、1B和IC是示出了只施加有垂直方向磁場的磁場傳感器的例子和線圈的圖，其中，圖1A是平面圖，圖1B是豎直截面圖，圖1C是磁場線的軸分量的圖形表示。
[0034]圖2A、2B、2C、2D和2E是示出了晶片上的施加有三軸磁場的磁場傳感器的例子和線圈的圖，提供該圖以解釋用于測試晶片上的磁場傳感器的方法，其中，圖2A是平面圖，圖2B是豎直截面圖，圖2C是磁場傳感器周圍區(qū)域的放大圖，圖2D是XY坐標(biāo)系上磁力線的軸分量的圖形表示，圖2E是XYZ平面坐標(biāo)系上磁場線的軸分量的圖形表示。
[0035]圖3A和3B是示出了用于測試晶片上的磁場傳感器的裝置的例子的圖，其中，圖3A是平面圖，圖3B是截面圖。
[0036]圖4A和4B是示出了用于測試晶片上的磁場傳感器的方法的示例的圖。
[0037]在整個附圖和【具體實施方式】中，除非另有說明或規(guī)定，相同的附圖標(biāo)記應(yīng)當(dāng)理解為指相同的元件、特征和結(jié)構(gòu)。附圖可能未按比例，為了清楚、說明和簡明，可以夸大附圖中的相對大小、比例和元件的描述。

【具體實施方式】
[0038]提供以下詳細(xì)描述以幫助讀者獲得對本文描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的全面理解。然而，本文描述的系統(tǒng)、裝置和/或方法的各種改變、修改和等同物對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言將是明顯的。描述的處理步驟和/或操作的進(jìn)行是示例，然而，序列和/或操作不限于本文所述，而是可以如本領(lǐng)域中已知的那樣進(jìn)行改變，除了必須以一定順序出現(xiàn)的步驟和/或操作之外。此外，為了更加清楚和簡明，會省略對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員周知的功能和構(gòu)造的描述。
[0039]本文描述的特征可以以不同形式來具體實施，不應(yīng)當(dāng)被理解為限于本文描述的示例。更確切地，提供本文描述的示例，以使本公開徹底和完整，并且將本公開的整個范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。
[0040]圖1A至IC是示出了只施加有垂直方向磁場的磁場傳感器的布置示例和線圈的圖，其中，圖1A是平面圖，圖1B是豎直截面圖，圖1C是磁場線的軸分量的圖形表示。
[0041]參照圖1A，環(huán)形線圈30布置在多個晶片中的待測試的特定晶片10上。因此，當(dāng)電流流過線圈30時，在包括晶片10的垂直方向(Z軸)的若干角度處產(chǎn)生磁場。線圈30的大小可以小于晶片10的大小。此外，由線圈30占據(jù)的橫截面可以小于晶片10的橫截面。通過這樣做,更大的磁場被施加到待測試的磁場傳感器20。
[0042]用于測試多軸磁場傳感器的典型技術(shù)涉及安裝線圈用于集成電路(IC)內(nèi)部的自測試的目的。然而，這種技術(shù)具有在線圈上產(chǎn)生有限電流強(qiáng)度的缺點，這是因為線圈安裝在集成電路內(nèi)部。因此，線圈不能適當(dāng)?shù)毓烙嫾呻娐返男阅?。在示例中，因為線圈安裝在測試設(shè)備上，而不是安裝在集成電路內(nèi)部，所以產(chǎn)生足夠大的磁場以提供對集成電路性能的精確測試。
[0043]應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，磁場可以被分成兩種類型，由符號B和H表示。B通常稱為“磁感應(yīng)強(qiáng)度”，H稱為“磁場強(qiáng)度”。本文使用的術(shù)語“磁場”通常指磁感應(yīng)強(qiáng)度B。
[0044]參照圖1A，在晶片10上可以有許多磁場傳感器20的重復(fù)排列以進(jìn)行測量。在圖1A中，形成在晶片10上的單個磁場傳感器20被示為典型示例。例如，磁場傳感器20可以是指檢測磁場強(qiáng)度的霍爾傳感器?；魻杺鞲衅骺梢员辉O(shè)計成利用霍爾效應(yīng)來測量外部磁場。
[0045]參照圖1A，因為最大的磁場強(qiáng)度被施加到待測試的磁場傳感器20的Z軸方向，所以磁場傳感器20被布置在環(huán)形線圈30的中心點100處。
[0046]參照圖1B,形成表不磁場形狀的一系列線，即磁場線35a、35b、37。磁場方向與磁場線的切線方向相同，磁場強(qiáng)度與磁場線密度成比例。在晶片10上的磁場傳感器20中，與垂直于晶片10上表面1a或磁場傳感器20表面的Z軸分量相對應(yīng)的磁場線37是接觸磁場傳感器20的磁場線。其余磁場線35a或35b不接觸磁場傳感器20。
[0047]因此，參照圖1C，只有與Z軸分量相對應(yīng)的磁場線37被施加到磁場傳感器20。相反，必須通過分離的線圈(未示出)施加磁場傳感器20的水平方向的磁場分量22、24(X或Y軸)以測試多軸磁場傳感器20的性能。
[0048]圖2A至2E是示出了晶片上的施加有三軸磁場的磁場傳感器的布置和線圈的示例圖。圖2A至2E還示出了用于測試晶片上的磁場傳感器的方法的示例，其中，圖2A是平面圖，圖2B是豎直截面圖，圖2C是磁場傳感器的放大圖，圖2D是XY坐標(biāo)系上磁力線的軸分量的圖形表示，圖2E是XYZ平面坐標(biāo)系上磁場線的軸分量的圖形表示。
[0049]參照圖2A，用于測試晶片上的磁場傳感器的方法的示例使用如下原理:晶片10的豎直方向(Z)和水平方向(X，Y)上的磁場22、24可以只用一個線圈30產(chǎn)生，即不需要分離線圈來產(chǎn)生水平方向上的磁場。
[0050]待測量的磁場傳感器20布置在線圈的中心點100之外的位置，即遠(yuǎn)離線圈30的中心點100布置。因此，磁場傳感器20位于遠(yuǎn)離線圈30的中心的距離處。例如，磁場傳感器20可以位于遠(yuǎn)離中心點100的相對于X軸0-360°之內(nèi)的任何位置。
[0051]磁場傳感器20可以放置在由X和Y軸定義的象限Ι、ΙΙ、ΙΙΙ或IV中。也就是說，磁場傳感器20布置在X和Y軸之間，而不是X或Y軸之上。例如，當(dāng)磁場傳感器20布置在象限I上時，磁場傳感器20在相對于X軸的45°處，當(dāng)磁場傳感器20布置在象限II上時，磁場傳感器20在相對于X軸的135°處，當(dāng)磁場傳感器20布置在象限III上時，磁場傳感器20在相對于X軸的225°處，或者當(dāng)磁場傳感器20布置在象限IV上時，磁場傳感器20在相對于X軸的315°處。
[0052]為便于解釋，圖2Α是示出了線圈區(qū)域中只包括一個磁場傳感器20的示例的圖。因此，在實際實施中，磁場傳感器20周圍可以有其它磁場傳感器(未不出)。在磁場傳感器20 —個接一個地布置在線圈30區(qū)域的各個象限中的示例中，一共可以布置4個磁場傳感器。在4個磁場傳感器20布置在每個象限中的例子中，一共可以布置16個磁場傳感器。更多數(shù)量的磁場傳感器可以進(jìn)一步縮短測量時間。
[0053]圖2Β是示出了沿圖2Α的線1_1切割的截面圖中形成在晶片10表面上的磁通量的示例的圖?？梢源嬖诖艌鼍€37相對于晶片表面1a直角入射以及磁場線35a以不同角度入射。
[0054]圖2C是示出了放大的磁場傳感器20周圍的區(qū)域的示例的圖。當(dāng)通過磁通量和晶片10或磁場傳感器20表面相交的每個點繪制磁通量的切線或?qū)蔷€(例如35a)時，形成具有若干入射角(α)的斜線39。斜線39不平行于XY平面。存在最大磁場強(qiáng)度的斜線是在入射角(α )為90度時。然而，如圖2Β所示，磁場傳感器20在遠(yuǎn)離Z軸磁場線37在晶片上表面1a上90°入射的點的距離處。因此，具有小于90° (非90° )的入射角的磁場線接觸磁場傳感器20。
[0055]這是因為磁場傳感器20布置在遠(yuǎn)離線圈30的中心點100的距離處。磁場傳感器20遠(yuǎn)離中心點100的距離可以根據(jù)線圈30和晶片10之間的距離而變化。當(dāng)線圈30和晶片10之間的距離減小時，磁場傳感器20盡量遠(yuǎn)離中心點100布置。例如，優(yōu)選的是45°的入射角(α)0也就是說，在接觸磁場傳感器20的磁場線35a、35b和37中，磁場線35a以45°入射角(α)與晶片表面1a接觸。以這種方式，可以施加最理想的磁場強(qiáng)度，X、Y和Z軸中的磁場分量可以具有相似的強(qiáng)度。
[0056]在這個示例中，磁場線37具有90°的入射角，但是其不接觸磁場傳感器20。這是因為磁場傳感器20布置在遠(yuǎn)離線圈30的中心點100的位置處。
[0057]參照圖2D，在XY坐標(biāo)系中，施加到磁場傳感器20的磁場方向具有45°的入射角。也就是說，在磁場線35a與晶片10相交的點處，正切角是45°。在45°處X和Y軸分量相等。應(yīng)當(dāng)考慮的是，具有相同強(qiáng)度的X和Y軸磁場分量影響磁場傳感器20。
[0058]參照圖2E，在XYZ坐標(biāo)系上還形成具有45°入射角斜線39的磁場分量。在這個示例中，當(dāng)磁場分量被分解成X、Y和Z軸分量時，X、Y和Z分量是相等的。
[0059]因此,相對于磁場傳感器20位于線圈30的中心點100處時,豎直方向分量Z的幅度減小。然而，極大增加了水平方向分量(X，Y)的幅度。因此，能夠只利用一個線圈30來將三軸(X，Y，Z)磁場施加到晶片10上的磁場傳感器20。
[0060]圖3A和3B是示出了用于測試晶片上的磁場傳感器的裝置的示例的圖，其中，圖3A是平面圖，圖3B是截面圖。
[0061]參照圖3A和3B，用于測試晶片上的磁場傳感器的裝置包括環(huán)形線圈30，環(huán)形線圈30以水平方向放置在形成有磁場傳感器20的晶片10上，且被放置在磁場傳感器20布置在遠(yuǎn)離中心點的距離處這樣的位置處。針40與磁場傳感器20的上面部分接觸，通過給線圈30提供電流，探針卡50被配置成將磁場施加到磁場傳感器20。通過檢測施加到磁場傳感器20的磁場，探針卡50還被配置成檢測具有X、Y和Z軸分量的磁場。
[0062]如圖3A和3B所示，連接到探針卡50的針40在與磁場傳感器20接觸的同時測量磁場。因此，為了確保使針40與磁場傳感器20直接接觸，使針40偏離到距線圈30的某距離處，以與直接在上面的磁場傳感器20對準(zhǔn)，而不是布置在線圈30的中心點100處。為了將磁場傳感器20布置在線圈30的中心點100之外的位置處(根據(jù)圖3A所示的示例，左上側(cè))，優(yōu)選的是，連接到磁場傳感器20的針40還在中心點100的左上側(cè)于磁場傳感器20上方布置在X、Y坐標(biāo)上。
[0063]探針卡50被配置成將半導(dǎo)體芯片連接到測試設(shè)備以檢查半導(dǎo)體的運(yùn)行，其中使安裝在探針卡50上的探針40與晶片10接觸，從而根據(jù)返回信號提供電力和篩選有缺陷的半導(dǎo)體芯片。
[0064]圖4A和4B是示出了用于測試晶片上的磁場傳感器的方法的示例的圖。
[0065]如圖所示，通過除線圈30的中心點之外、在線圈30區(qū)域的每個象限中布置一個磁場傳感器，能夠布置4個磁場傳感器20a、20b、20c和20d以用于測試。此外，通過在每個象限中布置4個磁場傳感器，能夠布置達(dá)到16個磁場傳感器。布置的磁場傳感器越多，測量花費(fèi)的時間越短。
[0066]在另一示例中，磁場傳感器可以布置在線圈30區(qū)域的外部。圖4B示出了在右上方向上布置在線圈30區(qū)域外的磁場傳感器20。即使線圈30區(qū)域外部的位置也可以提供有效的測量。在示例中，磁場線可以在能夠與被接觸的磁場傳感器20形成45°入射角的位置處。在線圈外部太遠(yuǎn)的距離處，磁場強(qiáng)度減小，而且測量可能困難。
[0067]因此，在不同方面中，使用尺寸小于晶片截面的線圈，在晶片上測試多軸磁場傳感器。例如，通過預(yù)定位置中的僅一個線圈、例如在相對于多軸磁場傳感器的垂直方向(Z軸)上的僅一個線圈，檢測包括X或Y軸方向的三軸方向上的磁場。因此，可以減少線圈的數(shù)量和減小線圈的尺寸，還可以減小產(chǎn)生磁場所需的電流。其結(jié)果是，可以減少與測試有關(guān)的成本和時間。
[0068]通過使用一個或更多個硬件組件、一個或更多個軟件組件、或者一個或更多個硬件組件和一個或更多個軟件組件的組合，可以實施上述各種單元、模塊、元件和方法。硬件組件可以例如是物理上執(zhí)行一個或更多個操作的物理裝置，但不限于此。硬件組件的示例包括麥克風(fēng)、放大器、低通濾波器、高通濾波器、帶通濾波器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器和處理裝置。
[0069]軟件組件可以例如通過由軟件或指令所控制的處理裝置來實施以執(zhí)行一個或更多個操作，但不限于此。計算機(jī)、控制器或其他控制裝置可以使處理裝置運(yùn)行軟件或執(zhí)行指令。一個軟件組件可以由一個處理裝置來實施，或者兩個或更多個軟件組件可以由一個處理裝置來實施，或者一個軟件組件可以由兩個或更多個處理裝置來實施，或者兩個或更多個軟件組件可以由兩個或更多個處理裝置來實施。
[0070]可以通過使用一個或更多個通用或?qū)Ｓ糜嬎銠C(jī)來實施處理裝置，例如，處理器、控制器和算術(shù)邏輯單元、數(shù)字信號處理器、微計算機(jī)、現(xiàn)場可編程陣列、可編程邏輯單元、微處理器、或者能夠運(yùn)行軟件或執(zhí)行指令的任何其他裝置。處理裝置可以運(yùn)行操作系統(tǒng)(OS)，并且可以運(yùn)行操作系統(tǒng)下工作的一個或更多個軟件應(yīng)用程序。當(dāng)處理裝置運(yùn)行軟件或執(zhí)行指令時，處理裝置可以訪問、存儲、操作、處理和創(chuàng)建數(shù)據(jù)。為簡便起見，在描述中可以使用單數(shù)術(shù)語“處理裝置”，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到處理裝置可以包括多個處理元件和多種類型的處理元件。例如，處理裝置可以包括一個或更多個處理器、或者一個或更多個處理器以及一個或更多個控制器。此外，不同的處理配置是可能的，例如并行處理器或多核處理器。
[0071]被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作A的處理裝置可以包括被編程為運(yùn)行軟件或執(zhí)行指令以控制處理器以執(zhí)行操作A的處理器。此外，被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作A、操作B和操作C的處理裝置可以具有各種配置,例如,被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作A、B和C的處理器；被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作A的第一處理器，以及被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作B和C的第二處理器；被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作A和B的第一處理器，以及被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作C的第二處理器；被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作A的第一處理器，被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作B的第二處理器，以及被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作C的第三處理器；被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作A、B和C的第一處理器，以及被配置成實施軟件組件以執(zhí)行操作A、B和C的第二處理器，或者各自實施操作A、B和C的一個或更多個操作的一個或更多個處理器的任何其他配置。雖然這些示例涉及三個操作A、B、C，但是可以被實施的操作的數(shù)量并不限于三個，而可以是實現(xiàn)所需結(jié)果或執(zhí)行所需任務(wù)所要求的任何數(shù)量的操作。
[0072]用于控制處理裝置以實施軟件組件的軟件或指令可以包括用于獨立地或共同地指示或配置處理裝置以執(zhí)行一個或更多個所需操作的計算機(jī)程序、一段代碼、指令、或者它們的一些組合。軟件或指令可以包括可以由處理裝置直接執(zhí)行的機(jī)器代碼，例如，由編譯器產(chǎn)生的機(jī)器代碼，和/或可以由使用解釋程序的處理裝置執(zhí)行的高級代碼。軟件或指令和任何相關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可以在任何類型的機(jī)器、組件、物理或虛擬設(shè)備、計算機(jī)存儲介質(zhì)或裝置、或者能夠?qū)⒅噶罨驍?shù)據(jù)提供給處理裝置或由處理裝置解釋的傳播信號波中永久地或臨時地實施。軟件或指令和任何相關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)還可以被分布在網(wǎng)絡(luò)耦合的計算機(jī)系統(tǒng)上，從而以分布式方式存儲和執(zhí)行軟件或指令和任何相關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
[0073]例如，軟件或指令和任何相關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可以記錄、存儲或固定在一個或更多個非臨時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中。非臨時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)可以是能夠存儲軟件或指令和任何相關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件、以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的任何數(shù)據(jù)存儲裝置，以便它們可以被計算機(jī)系統(tǒng)或處理裝置讀取。非臨時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)的示例包括本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員公知的只讀存儲器(ROM)、隨機(jī)存取存儲器(RAM)、閃存、CD-ROM、CD-R、CD+R、CD-RW、CD+RW、DVD-ROM、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM、BD-ROM、BD-R、BD-RLTH、BD-RE、磁帶、軟盤、磁光數(shù)據(jù)存儲裝置、光數(shù)據(jù)存儲裝置、硬盤、固態(tài)盤、或者任何其他非臨時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)。
[0074]基于本文提供的附圖和附圖的相應(yīng)描述，示例所屬領(lǐng)域的編程技術(shù)人員可以容易地構(gòu)建用于實施本文公開示例的功能程序、代碼和代碼段。
[0075]雖然本公開包括具體示例，但是對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員明顯的是，在不脫離權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍的情況下，在這些示例中可以作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。本文所述的示例僅在描述意義上被考慮，并不用于限制目的。每個示例中特征或方面的描述被認(rèn)為適用于其他示例中類似的特征或方面。如果以不同順序執(zhí)行所述技術(shù)，和/或如果所述系統(tǒng)、構(gòu)造、裝置或電路中的組件以不同方式組合和/或由其他組件或其等同物代替或補(bǔ)充，也可以實現(xiàn)適當(dāng)?shù)慕Y(jié)果。因此，本公開的范圍不由【具體實施方式】來限定，而是由權(quán)利要求及其等同物來限定，并且應(yīng)理解權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的所有變化包括在本公開中。
【權(quán)利要求】
1.一種用于測試晶片上的磁場傳感器的方法，包括: 在晶片上布置被配置成產(chǎn)生磁場的線圈； 使用所述線圈，將磁場施加到磁場傳感器；以及 檢測施加到所述磁場傳感器的磁場。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述磁場傳感器被配置成檢測具有多軸分量的磁場。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述線圈具有比晶片的橫截面面積更小的橫截面面積。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在線圈區(qū)域內(nèi)且在遠(yuǎn)離線圈中心點的距離處布置所述磁場傳感器。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，從磁場產(chǎn)生的磁場線和磁場傳感器的表面之間的入射角小于90。。
6.如權(quán)利要求5所述的方法,其中，響應(yīng)于施加到磁場傳感器的磁場被分成X、？和2軸分量，X、V和2軸分量具有相似的值。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述晶片形成在探針卡上。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，針連接到所述探針卡，并且遠(yuǎn)離所述線圈的中心點朝向所述線圈的邊布置。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述線圈的區(qū)域外布置所述磁場傳感器。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在除所述線圈的中心點之外的所述線圈的區(qū)域內(nèi)的任何象限上布置所述磁場傳感器。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括在所述線圈的區(qū)域內(nèi)布置多個磁場傳感器。
12.一種用于測試磁場傳感器的裝置，包括: 包括磁場傳感器的晶片；以及 被配置成產(chǎn)生到所述磁場傳感器的磁場的環(huán)形線圈，其中， 所述磁場傳感器被放置在遠(yuǎn)離所述線圈的中心點的距離處。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，還包括: 包括所述環(huán)形線圈的探針卡；以及 連接到所述探針卡的針，其中， 連接到所述探針卡的針遠(yuǎn)離所述線圈的中心點朝向所述線圈的邊布置。
14.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述磁場傳感器布置在遠(yuǎn)離所述線圈的中心點的位置且朝向所述線圈的邊布置。
15.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述線圈具有比所述晶片的橫截面面積更小的橫截面面積。
16.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，從磁場產(chǎn)生的磁場線和磁場傳感器的表面之間的入射角小于90。。
17.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，響應(yīng)于施加到所述磁場傳感器的磁場被分成X、V和2軸分量，X、V和2軸分量具有相似的值。
18.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述線圈和所述晶片彼此平行。
19.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述磁場傳感器布置在除所述線圈的中心點之外的所述線圈的區(qū)域內(nèi)的任何象限上。
20.如權(quán)利要求12所述的裝置，還包括布置在所述線圈的區(qū)域內(nèi)的多個磁場傳感器。
21.—種用于測試多軸磁場傳感器的方法,所述方法包括: 提供被配置成產(chǎn)生具有多軸分量的磁場的線圈； 將磁場的多軸分量提供到多軸磁場傳感器；以及 使用所述多軸磁場傳感器檢測磁場的多軸分量。
【文檔編號】H01L21/66GK104347444SQ201410181517
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】金動昊, 曹基錫 申請人:美格納半導(dǎo)體有限公司