一種oled顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路，其采用6T2C結(jié)構(gòu)，至少包括：掃描開關(guān)管TFT1、驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2、第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3、第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4、第一復(fù)位開關(guān)管TFT5、第二復(fù)位開關(guān)管TFT6、有機(jī)發(fā)光二極管OLED、耦合電容C1以及存儲(chǔ)電容C2；相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)方法。實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的漂移，從而提高OLED的灰階和畫面均一性。
【專利說明】—種OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管的顯示器的像素驅(qū)動(dòng)技術(shù)，特別是涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為新一代顯示技術(shù)，OLED顯示面板具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、寬視角、高響應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn)，因此備受市場的青睞。
[0003]但隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，被動(dòng)陣列OLED已經(jīng)無法滿足高分辨率和大信息量的要求，對(duì)于大屏幕高分辨率顯示，通常采用主動(dòng)陣列OLED驅(qū)動(dòng)方式。
[0004]如圖1為傳統(tǒng)一種2T1C的主動(dòng)陣列OLED驅(qū)動(dòng)電路，其中2T1C指該電路中包括2個(gè)TFT管以及I個(gè)電容C ;其中TFTl為開關(guān)薄膜晶體管主要是控制電容C的充電開關(guān)，TFT2為OLED驅(qū)動(dòng)晶體管，主要用來驅(qū)動(dòng)0LED，電容C主要是用來存儲(chǔ)data信號(hào)灰階電壓進(jìn)而控制TFT2對(duì)OLED的驅(qū)動(dòng)電流，Gate η為第η行掃描信號(hào)線，Data為第η列訊號(hào)線，Vdd為OLED驅(qū)動(dòng)線。
[0005]而應(yīng)用于主動(dòng)陣列OLED的薄膜晶體管主要有氫氧化非晶硅晶體管(a-Si TFT)和低溫多晶硅薄膜晶體(LTPS TFT)。其中，LTPS TFT的閾值電壓和溝道遷移率在空間分布上是不夠均勻的，而a-Si TFT的閾值電壓和遷移率會(huì)隨時(shí)間偏移，這些缺點(diǎn)會(huì)造成現(xiàn)有OLED顯示屏的各個(gè)像素點(diǎn)驅(qū)動(dòng)T FT閾值電壓不均勻，故使各個(gè)像素點(diǎn)的OLED的亮度出現(xiàn)不均勻性和不穩(wěn)定性。而在實(shí)際的OLED顯示面板產(chǎn)品中，需要將不均勻性控制在約±1%的范圍內(nèi)。為此，需要引入各種像素補(bǔ)償電路，使顯示屏發(fā)光亮度的均勻性和穩(wěn)定性符合商品要求。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法，可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的漂移，可以提高OLED的灰階和畫面均一性。
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例的一方面提供了一種OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路，包括:
掃描開關(guān)管TFTl，其源極接數(shù)據(jù)線，其柵極接掃描控制線，其漏極連接耦合電容Cl的第一端，掃描開關(guān)管TFTl用于控制耦合電容Cl為驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的柵極寫入所述數(shù)據(jù)線提供的灰度數(shù)據(jù)電壓；
驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2，其柵極接耦合電容Cl的第二端；
第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3，其源極接耦合電容Cl的第二端，其漏極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的漏極，其柵極接收第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2 ；
第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4，其源極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的漏極，其漏極接地，其柵極接收第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4 ；
第一復(fù)位開關(guān)管TFT5，其源極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT3的柵極，其漏極接地，其柵極接第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1，且其源極與柵極之間連接一存儲(chǔ)電容C2 ；
第二復(fù)位開關(guān)管TFT6，其源極接掃描開關(guān)管TFTl的漏極，其漏極接地，其柵極接第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3 ；
有機(jī)發(fā)光二極管OLED，其負(fù)極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的源極，其正極接電源線Vdd。
[0008]其中，所述掃描開關(guān)管TFT1、驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2、第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3、第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4、第一復(fù)位開關(guān)管TFT5以及第二復(fù)位開關(guān)管TFT6為多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管或有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。
[0009]其中，所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3以及第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4由外部的時(shí)序控制器Tcon提供。
[0010]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，還提供了一種OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路，包括:
掃描開關(guān)管TFTl，其源極接數(shù)據(jù)線，其柵極接掃描控制線，其漏極連接耦合電容Cl的第一端，掃描開關(guān)管TFTl用于控制耦合電容Cl為驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的柵極寫入所述數(shù)據(jù)線提供的灰度數(shù)據(jù)電壓；
驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2，其柵極接耦合電容Cl的第二端；
第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3，其源極接耦合電容Cl的第二端，其漏極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的漏極，其柵極接收第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2 ；
第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4，其源極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的漏極，其漏極接地，其柵極接收第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4 ；
第一復(fù)位開關(guān)管TFT5，其源極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT3的柵極，其漏極接地，其柵極接第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SWl ；
第二復(fù)位開關(guān)管TFT6，其源極接掃描開關(guān)管TFTl的漏極，其漏極接地，其柵極接第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3 ；
有機(jī)發(fā)光二極管0LED，其負(fù)極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的源極，其正極接電源線Vdd ；
其中，在第一復(fù)位開關(guān)管TFT5的源極與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的負(fù)極之間連接一存儲(chǔ)電容C2。
[0011]其中，所述掃描開關(guān)管TFT1、驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2、第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3、第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4、第一復(fù)位開關(guān)管TFT5以及第二復(fù)位開關(guān)管TFT6為多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管或有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。
[0012]其中，所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3以及第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4由外部的時(shí)序控制器Tcon提供。
[0013]相應(yīng)地，本發(fā)明的實(shí)施例的再一方面，還提供一種OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，所述方法包括如下步驟:
復(fù)位階段:掃描控制線、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于低電平，所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3于高電平，所述第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4、第一復(fù)位開關(guān)管TFT5和第二復(fù)位開關(guān)管TFT6為導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵極處電位被復(fù)位，處于低電平；
補(bǔ)償階段:掃描控制線、所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于低電平，所述第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3處于高電平，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2、第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3和第二復(fù)位開關(guān)管TFT6為導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵極電位到達(dá)閾值電壓Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2處于截止?fàn)顟B(tài)；
充電階段:所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3、第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于低電平,所述掃描控制線處于高電平，掃描開關(guān)管TFTl處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述耦合電容Cl被充電，使驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2處于導(dǎo)通狀態(tài)，灰度數(shù)據(jù)電壓通過耦合電容Cl寫入到驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的柵極；
OLED發(fā)光階段:所述掃描控制線、第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3處于低電平，所述第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于高電平，電源線為高電平，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵源電壓差驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光，在OLED發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵源電壓差保持不變，直到下一幀圖像刷新。
[0014]其中，在復(fù)位階段，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2放電直到其截止，驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容C2中。
[0015]實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例，具有如下的有益效果:
本發(fā)明實(shí)施例通過提供一種采用6T2C的像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法，使在OLED發(fā)光時(shí)，通過驅(qū)動(dòng)晶體管的電流與晶體管閾值電壓無關(guān)，從而避免了驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的漂移對(duì)OLED驅(qū)動(dòng)的影響，可以提高OLED的灰階和畫面均一性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0017]圖1是現(xiàn)有的一種OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；
圖2是本發(fā)明提供的OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)實(shí)施例的電路示意圖；
圖3是本發(fā)明提供的OLED顯不器的像素驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)實(shí)施例的電路不意圖；
圖4是圖2中的部份信號(hào)的時(shí)序圖；
圖5是圖2中的部份信號(hào)的時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面參考附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行描述。
[0019]如圖2所示，示出了本發(fā)明提供的OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)實(shí)施例的電路示意圖；在該實(shí)施例中，該OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路為6T2C結(jié)構(gòu)(即包括6個(gè)TFT管以及2個(gè)電容C)，其包括:
掃描開關(guān)管TFTl，其源極接數(shù)據(jù)線(Data n)，其柵極接掃描控制線(Gate n)，其漏極連接耦合電容Cl的第一端，掃描開關(guān)管TFTl用于控制耦合電容Cl為驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的柵極寫入數(shù)據(jù)線提供的灰度數(shù)據(jù)電壓；
驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2，其柵極接耦合電容Cl的第二端；
第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3，其源極接耦合電容Cl的第二端，其漏極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的漏極，其柵極接收第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2 ；第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4，其源極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的漏極，其漏極接地(GND)，其柵極接收第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4 ；
第一復(fù)位開關(guān)管TFT5，其源極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT3的柵極，其漏極接地，其柵極接第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1，且其源極與柵極之間連接一存儲(chǔ)電容C2 ；
第二復(fù)位開關(guān)管TFT6，其源極接掃描開關(guān)管TFTl的漏極，其漏極接地，其柵極接第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3 ；
有機(jī)發(fā)光二極管OLED，其負(fù)極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的源極，其正極接電源線Vdd。
[0020]其中，掃描開關(guān)管TFT1、驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2、第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3、第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4、第一復(fù)位開關(guān)管TFT5以及第二復(fù)位開關(guān)管TFT6為多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管或有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。
[0021]其中，第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3以及第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4由外部的時(shí)序控制器Tcon提供。
[0022]如圖3所示，示出了本發(fā)明提供的OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)實(shí)施例的電路示意圖；該實(shí)施例所提供的驅(qū)動(dòng)電路與圖2中提供的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)非常相似，其區(qū)別在于，存儲(chǔ)電容C2的連接位置有所不同，在本實(shí)施例中，存儲(chǔ)電容C2是連接在第一復(fù)位開關(guān)管TFT5的源極與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的負(fù)極之間。其他結(jié)構(gòu)及原理可一并參考圖2中結(jié)構(gòu)，在此不進(jìn)行詳述。
[0023]相應(yīng)地，如圖4和圖5所示，示出了圖2中電路的時(shí)序圖，從圖4和圖5可以看出，本發(fā)明的實(shí)施例還提供 一種OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，方法包括如下步驟:
復(fù)位階段(即圖4中tl階段):此時(shí)，掃描控制線、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于低電平，第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SWl、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3于高電平，第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4、第一復(fù)位開關(guān)管TFT5和第二復(fù)位開關(guān)管TFT6為導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵極處電位(Q點(diǎn)電壓)被復(fù)位，處于低電平；
驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的閾值電壓Vth的補(bǔ)償階段(即圖4中t2階段):此時(shí)，掃描控制線、第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于低電平，第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3處于高電平，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2、第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3和第二復(fù)位開關(guān)管TFT6為導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵極電位到達(dá)閾值電壓Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2處于截止?fàn)顟B(tài)；
存儲(chǔ)電容C2的充電階段(即圖4中t3階段):此時(shí)，第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SWl、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3、第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于低電平,掃描控制線處于高電平，掃描開關(guān)管TFTl處于導(dǎo)通狀態(tài)，耦合電容Cl被充電，使驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2處于導(dǎo)通狀態(tài)，灰度數(shù)據(jù)電壓通過耦合電容Cl寫入到驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的柵極，具體地，當(dāng)Q點(diǎn)電壓(即驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的柵極電壓)Vg為:
Cl
Fg = -Vd￡i￡a)^--4 JTft(I)
Cl
OLED發(fā)光階段(即圖4中t4階段):此時(shí)，掃描控制線、第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3處于低電平，第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于高電平，且電源線為高電平，第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4和驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2處于導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵源電壓差驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光，在OLED發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵源電壓差保持不變，直到下一幀圖像刷新。
[0024]故在發(fā)光階段，流過驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2上電流I為:
【權(quán)利要求】
1.一種OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括: 掃描開關(guān)管TFTl，其源極接數(shù)據(jù)線，其柵極接掃描控制線，其漏極連接耦合電容Cl的第一端，掃描開關(guān)管TFTl用于控制耦合電容Cl為驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的柵極寫入所述數(shù)據(jù)線提供的灰度數(shù)據(jù)電壓； 驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2，其柵極接耦合電容Cl的第二端； 第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3，其源極接耦合電容Cl的第二端，其漏極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的漏極，其柵極接收第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2 ； 第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4，其源極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的漏極，其漏極接地，其柵極接收第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4 ； 第一復(fù)位開關(guān)管TFT5，其源極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT3的柵極，其漏極接地，其柵極接第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1，且其源極與柵極之間連接一存儲(chǔ)電容C2 ； 第二復(fù)位開關(guān)管TFT6，其源極接掃描開關(guān)管TFTl的漏極，其漏極接地，其柵極接第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3 ； 有機(jī)發(fā)光二極管0LED，其負(fù)極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的源極，其正極接電源線Vdd。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述掃描開關(guān)管TFT1、驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2、第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3、第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4、第一復(fù)位開關(guān)管TFT5以及第二復(fù)位開關(guān)管TFT6為多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管或有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3以及第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4由外部的時(shí)序控制器Tcon提供。
4.一種OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括: 掃描開關(guān)管TFTl，其源極接數(shù)據(jù)線，其柵極接掃描控制線，其漏極連接耦合電容Cl的第一端，掃描開關(guān)管TFTl用于控制耦合電容Cl為驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的柵極寫入所述數(shù)據(jù)線提供的灰度數(shù)據(jù)電壓； 驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2，其柵極接耦合電容Cl的第二端； 第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3，其源極接耦合電容Cl的第二端，其漏極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的漏極，其柵極接收第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2 ； 第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4，其源極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的漏極，其漏極接地，其柵極接收第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4 ； 第一復(fù)位開關(guān)管TFT5，其源極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT3的柵極，其漏極接地，其柵極接第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SWl ； 第二復(fù)位開關(guān)管TFT6，其源極接掃描開關(guān)管TFTl的漏極，其漏極接地，其柵極接第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3 ； 有機(jī)發(fā)光二極管0LED，其負(fù)極接驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的源極，其正極接電源線Vdd ； 其中，在第一復(fù)位開關(guān)管TFT5的源極與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的負(fù)極之間連接一存儲(chǔ)電容C2。
5.如權(quán)利要求4所述的OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述掃描開關(guān)管TFT1、驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2、第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3、第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4、第一復(fù)位開關(guān)管TFT5以及第二復(fù)位開關(guān)管TFT6為多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管或有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。
6.如權(quán)利要求5所述的OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3以及第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4由外部的時(shí)序控制器Tcon提供。
7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的OLED顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟: 復(fù)位階段:掃描控制線、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于低電平，所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3于高電平，所述第二補(bǔ)償開關(guān)管TFT4、第一復(fù)位開關(guān)管TFT5和第二復(fù)位開關(guān)管TFT6為導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵極處電位被復(fù)位，處于低電平； 補(bǔ)償階段:掃描控制線、所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于低電平，所述第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3處于高電平，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2、第一補(bǔ)償開關(guān)管TFT3和第二復(fù)位開關(guān)管TFT6為導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵極電位到達(dá)閾值電壓Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2處于截止?fàn)顟B(tài)； 充電階段:所述第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3、第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于低電平,所述掃描控制線處于高電平，掃描開關(guān)管TFTl處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述耦合電容Cl被充電，使驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2處于導(dǎo)通狀態(tài)，灰度數(shù)據(jù)電壓通過耦合電容Cl寫入到驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2的柵極； OLED發(fā)光階段:所述掃描控制線、第一開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW1、第二開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW2、第三開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW3處于低電平，所述第四開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)SW4處于高電平，電源線為高電平，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵源電壓差驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光，在OLED發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2柵源電壓差保持不變，直到下一幀圖像刷新。
8.如權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在復(fù)位階段，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT2放電直到其截止，驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容C2中。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103927984SQ201410127995
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年4月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月1日
【發(fā)明者】徐向陽 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司