有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【專利摘要】有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括：包括多個像素的襯底，布置在所述像素中的薄膜晶體管；與所述薄膜晶體管連接并且布置在所述像素中的有機發(fā)光元件，位于所述有機發(fā)光元件上的封裝部件，以及布置在所述封裝部件之上或之下并且包括第一部分和第二部分的外部光遮蔽部件。第一部分的厚度比第二部分厚度薄，并且第一部分布置在像素中。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示器
1.

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開大體上涉及有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
[0002]2.相關(guān)技術(shù)的討論
[0003]有機發(fā)光二極管顯示器可以包括有機發(fā)光元件，所述有機發(fā)光元件由例如空穴注入電極、有機發(fā)射層和電子注入電極組成。通過當(dāng)在有機發(fā)光層中結(jié)合電子和空穴而產(chǎn)生的激子從激發(fā)態(tài)落入基態(tài)時所產(chǎn)生的能量，每一有機發(fā)光元件發(fā)射光，并且有機發(fā)光二極管顯示器通過使用這種光發(fā)射而顯示預(yù)定的圖像。
[0004]因為有機發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)光特性并且不需要單獨的光源，所以與液晶顯示器不同，可以降低該有機發(fā)光二極管顯示器的厚度和重量。此外，因為有機發(fā)光二極管顯示器可以表現(xiàn)出高品質(zhì)特性，例如低功耗、高亮度和快響應(yīng)速度，因此，有機發(fā)光二極管顯示器作為下一代顯示裝置而受到關(guān)注。
[0005]OLED顯示器可以通過共振和薄膜晶體管的反射來提取所產(chǎn)生的光，并且非發(fā)光區(qū)中的電容器、驅(qū)動器和信號線可能導(dǎo)致對比度變差。
[0006]因此，圓形偏振膜用于增加對比度。根據(jù)用于結(jié)合多層膜的方法，圓形偏振膜包括線性偏振膜和相差膜。
[0007]在沉積顯示平板的薄膜封裝之后，連接這樣的圓形偏振膜。然而，因為圓形偏振膜可以厚達(dá)200 μ m,因此顯示裝置可能不是輕薄的，并且可能增加生產(chǎn)成本。
[0008]概述
[0009]本發(fā)明的示例性實施方案提供了有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器，在不使用圓形偏振膜的情況下增加對比率并且使顯示裝置更輕薄且更柔韌。
[0010]示例性實施方案提供了有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器，其包括:包括多個像素的襯底，布置在所述像素中的薄膜晶體管，與所述薄膜晶體管連接并且布置在所述像素中的有機發(fā)光元件，布置在所述有機發(fā)光元件上的封裝部件，以及布置在所述封裝部件之上或之下并且包括第一部分和第二部分的外部光遮蔽部件。第一部分的厚度比第二部分的厚度薄，并且第一部分布置在像素中。
[0011]外部光遮蔽部件可以包括下部外部光遮蔽部件和上部外部光遮蔽部件。
[0012]下部外部光遮蔽部件可以包括凹槽部分，并且所述凹槽部分可以布置在像素中。
[0013]上部外部光遮蔽部件可以布置在下部外部光遮蔽部件上。
[0014]上部外部光遮蔽部件可以包括以下至少之一:金屬層、金屬氧化物層、金屬氮化物層、介電層以及黑色層，并且上部外部光遮蔽部件具有在下部外部光遮蔽部件上的均勻厚度。
[0015]金屬層可以包含選自Al、Ag、Mg、Cr、T1、N1、Au、Ta、Cu、Ca、Co、Fe、Mo、W、Pt、Yb 以及NiS或它們的合金的材料，金屬氧化物可以包含CrOxXuOx和MoOx之一，金屬氮化物層可以包含TiNx、TiNxAl和CrNx之一，并且黑色層可以由含有炭黑和黑色染料的聚合物材料制成。
[0016]包括金屬層、金屬氧化物層或金屬氮化物層的上部外部光遮蔽部件可以具有不大于約50nm的厚度。
[0017]介電層可以包含以下至少之一=S12, Ti02、LiF, CaF2' MgF2' SiNx、Ta2O5' Nb2O5'SiCN, S1x、T1x、ZrO2, Mg。、CaO、Y2O3> ThF4' YF3> Alx0y、S1xNy' ZrOxFy, S1xFy' A10xNy、基于丙烯酸酯的聚合物、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯和聚對苯二甲酸乙二酯。
[0018]介電層可以具有不大于約I μπι的厚度。
[0019]上部外部光遮蔽部件可以包括多個遮蔽部件層，每一遮蔽部件層可以包括以下至少之一:金屬層、金屬氧化物層、金屬氮化物層、介電層以及黑色層，并且所述遮蔽部件層可以具有在下部外部光遮蔽部件上的均勻厚度。
[0020]第一部分可以具有不小于約40%的透光率，并且第二部分可以具有低于約40%的透光率。
[0021]根據(jù)示例性實施方案，提供了有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。所述OLED顯示器包括:包括多個像素和多個非像素區(qū)域的襯底，布置在所述像素中的薄膜晶體管，與所述薄膜晶體管連接并且布置在所述像素中的有機發(fā)光元件，布置在所述有機發(fā)光元件上的封裝部件，布置在所述封裝部件上的防干擾層以及布置在所述防干擾層上的外部光遮蔽部件。外部光遮蔽部件包括布置在像素中和非像素區(qū)域中的下部外部光遮蔽部件，以及布置在所述像素區(qū)域中的下部外部光遮蔽部件之上并且在所述像素中的下部外部光遮蔽部件的凹槽部分之中的上部外部光遮蔽部件。布置在像素中的下部外部光遮蔽部件的厚度小于布置在非像素區(qū)域中的下部外部光遮蔽部件的厚度。
[0022]根據(jù)示例性實施方案，提供了有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。所述OLED顯示器包括:包括多個像素和多個非像素區(qū)域的襯底；布置在所述襯底上的緩沖層；布置在所述緩沖層上的半導(dǎo)體，其中所述半導(dǎo)體包括源區(qū)、漏區(qū)和布置在所述源區(qū)與所述漏區(qū)之間的通道區(qū)；布置在所述半導(dǎo)體上的柵極絕緣層；布置在所述柵極絕緣層上的柵電極；布置在所述柵電極上的層間絕緣層，其中所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層包括分別暴露源區(qū)和漏區(qū)的源接觸孔和漏接觸孔；布置在層間絕緣層上的源極和漏極，其中所述源極與所述源區(qū)通過源接觸孔連接，并且所述漏極與所述漏區(qū)通過漏接觸孔連接；以及布置在層間絕緣層上并且包括暴露所述漏極的接觸孔的保護(hù)層。
[0023]OLED顯示器還包括:布置在保護(hù)層上并且與漏極通過接觸孔連接的第一電極，布置在第一電極上并且包括暴露所述第一電極的開口的像素限定層，布置在所述像素限定層的開口中的有機發(fā)射層，布置在所述像素限定層和所述有機發(fā)射層上的第二電極，布置在第二電極上的包括無機層和有機層至少之一的封裝部件，以及布置在所述封裝部件上的外部光遮蔽部件。外部光遮蔽部件包括布置在像素中和非像素區(qū)域中的下部外部光遮蔽部件，以及布置在所述像素區(qū)域中的下部外部光遮蔽部件之上并且在所述像素中的下部外部光遮蔽部件的凹槽部分之中的上部外部光遮蔽部件。布置在像素中的下部外部光遮蔽部件的厚度小于布置在非像素區(qū)域中的下部外部光遮蔽部件的厚度。
[0024]在示例性實施方案中，通過形成外部光遮蔽部件，可以預(yù)期在不使用厚偏振板的情況下增加對比率的效果。
[0025]此外，當(dāng)不使用厚偏振板時，可以降低OLED顯示器的厚度，由此使其更輕薄并增加其柔韌特性。
[0026]附圖簡述
[0027]從以下詳細(xì)描述并結(jié)合附圖能更詳細(xì)地了解本發(fā)明的示例性實施方案。
[0028]圖1為例性實施方案的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素布局視圖。
[0029]圖2為沿圖1的線I1-1I的剖視圖。
[0030]圖3和圖4為依次示出示例性實施方案的OLED顯示器的制造方法的剖視圖。
[0031]圖5為示例性實施方案的OLED顯示器的中間步驟的剖視圖。
[0032]圖6為示例性實施方案的OLED顯示器的示意性剖視圖。
[0033]圖7為示例性實施方案的OLED顯示器中像素的等效電路。
[0034]圖8為示出圖7所示的OLED顯示器中的像素的剖視圖。
[0035]示例性實施方案詳述
[0036]在以下詳述中，僅通過例示來示出和描述某些示例性實施方案。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識到，可以以各種不同方式修改示例性實施方案，所有方式不背離本發(fā)明的精神或范圍。
[0037]在附圖和本說明書中，與此處描述無關(guān)的部分或元件被省略以清楚地描述示例性實施方案，并且相同或相似的組成元件在整個說明書中以相同符號標(biāo)出。
[0038]此外，任意示出附圖中所示的每一組件的尺寸和厚度以更好地理解和易于描述，但本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
[0039]在附圖中，層、膜、板件、區(qū)域等的厚度可以為了清楚而放大。在附圖中，為了更好地理解和易于描述，可以放大相同層和區(qū)的厚度。在整個本說明書中，當(dāng)層、膜、板等的第一部分被描述為布置在第二部分“上”時，這表明將第一部分直接布置在第二部分上或具有在其之間的第三部分。
[0040]此外，在整個本說明書中，當(dāng)一部分被描述為“包含(comprising)(或包括(including))”組成元件時，這表明該部分可以還包含其他組成部分，除非明確另有規(guī)定。
[0041]在下文中，將參考附圖描述示例性實施方案的包括光學(xué)單元的顯示裝置。
[0042]圖1為示例性實施方案的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素布局視圖，并且圖2為沿圖1的線I1-1I的剖視圖。
[0043]如圖1和圖2所示，本示例性實施方案的OLED顯示器包括例如襯底100和多個像素P，每一像素包括位于襯底100上的薄膜晶體管Q和與薄膜晶體管Q連接的有機發(fā)光元件70。
[0044]襯底100可以由例如玻璃、石英、塑料等制成。例如，在實施方案中，襯底100可以為由塑料材料形成的柔性襯底，所述塑料材料例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚烯丙醇酯(polyallylate)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚醚砜(PES)、聚酰亞胺(PI)等。
[0045]像素包括例如顯示紅色的紅色像素RP、顯示綠色的綠色像素GP、以及顯示藍(lán)色的藍(lán)色像素BP。例如，紅色、綠色和藍(lán)色可以用作用于顯示全色的基色的實例，并且紅色、綠色和藍(lán)色像素RP、GP和BP可以用作用于顯示全色的原色像素。依照行和列來重復(fù)布置組成一組的紅色像素RP、綠色像素GP和藍(lán)色像素BP。該組可以包括其他像素，例如顯示白色的白色像素(未示出)等。
[0046]OLED顯示器包括例如像素LA和非像素LB。像素LA表示用于顯示顏色、例如紅色、綠色和藍(lán)色的發(fā)光區(qū)，而非像素LB表示除像素LA之外的其余區(qū)。
[0047]OLED顯示器包括用于遮蔽外部光的外部光遮蔽部件200，并且外部光遮蔽部件200包括例如通常在像素LA和非像素LB中形成的下部外部光遮蔽部件2，以及位于下部外部光遮蔽部件2上的上部外部光遮蔽部件20。
[0048]下部外部光遮蔽部件2的厚度為例如約20nm至約10 μ m。下部外部光遮蔽部件2可以由例如選自以下之一形成:鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、金(Au)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鈣(Ca)、鈷(Co)、鐵(Fe)、.(Mo)、鎢(W)、鉬(Pt)、鐿(Yb)、鎳硫化物(NiS)或它們的合金。例如，在實施方案中，下部外部光遮蔽部件2可以包括金屬氧化物或金屬氮化物，例如鉻氧化物(CrOx)、銅氧化物(CuOx)、鑰氧化物(MoOx)、鈦氮化物(TiNx)、鈦鋁氮化物TiAlNx或鉻氮化物(CrNx)。
[0049]下部外部光遮蔽部件2可以包括例如由含有炭黑或黑色染料的聚合物制成的黑色層(未不出)。
[0050]下部外部光遮蔽部件2包括例如位于像素LA中的凹槽部分10。因此，位于像素LA中的下部外部光遮蔽部件2a的厚度可以比位于非像素LB的下部外部光遮蔽部件2b的厚度薄。
[0051]上部外部光遮蔽部件20包括例如多層遮蔽部件層，并且可以通過例如堆疊單層或多層的金屬層、金屬氮化物層、金屬氧化物層、黑色層和介電層形成遮蔽部件層。上部外部光遮蔽部件20的整個厚度為例如約0.02 μ m至約10 μ m。
[0052]上部外部光遮蔽部件20的金屬層24和34可以由例如選自以下之一形成:Al、Ag、Mg、Cr、T1、N1、Au、Ta、Cu、Ca、Co、Fe、Mo、W、Pt、Yb、NiS 或它們的合金，并且金屬氧化物或金屬氮化物可以包括例如CrOx、CuOx、MoOx、TiNx、TiNxAl或CrNx。金屬層24和34具有例如不大于約50nm的厚度。黑色層可以由例如包含炭黑或黑色染料的聚合物材料制成，并且具有約0.05 μ m至約10 μ m的厚度。
[0053]上部外部光遮蔽部件20的介電層22和32可以包含例如以下至少之一:二氧化硅(S12)、二氧化鈦(T12)、氟化鋰(LiF)、氟化鈣(CaF2)、氟化鎂(MgF2)、硅氮化物(SiNx)、五氧化二鉭(Ta2O5)、五氧化二鈮(Nb2O5)、硅碳氮化物(SiCN)、硅氧化物(S1x)、鈦氧化物(T1x)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化釔(Y2O3)、四氟化釷(ThF4)、釔氟化物(YF3)、鋁氧化物(AlxOy)、硅氧氮化物(S1xNy)、鋯氧氟化物(ZrOxFy)、硅氧氟化物(S1xFy)、鋁氧氮化物(AlOxNy)、丙烯酸酯、丙烯酸酯聚合物材料、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯以及聚對苯二甲酸乙二酯，并且可以具有例如不大于約Iym的厚度。
[0054]同時，參考圖2，可以在上部外部光遮蔽部件20中堆疊例如多層金屬層24和34以及介電層22和32?？梢岳缃惶娌⑶抑貜?fù)堆疊金屬層24和34以及介電層22和32。如此形成上部外部光遮蔽部件20的金屬層24和34以及介電層22和32以具有例如沿下部外部光遮蔽部件2的表面的相同厚度。
[0055]此外，金屬層24和34以及介電層22和32由例如相同材料形成，并且在像素LA和非像素LB中具有相同堆疊結(jié)構(gòu)。例如，如果介電層22、金屬層24和介電層22以該順序堆疊在像素LA中，則介電層32、金屬層34和介電層32也以相同順序堆疊在非像素LB中。此外，堆疊在像素LA中的介電層22或金屬層24以及堆疊在非像素LB中的介電層32或金屬層34由例如相同材料制成。
[0056]如此，如果形成上部外部光遮蔽部件20，則沿下部外部光遮蔽部件2的凹槽部分形成上部外部光遮蔽部件20。因此，根據(jù)凹槽部分10的深度，在像素LA中形成的外部光遮蔽部件200具有與非像素LB中的外部光遮蔽部件200的厚度不同的厚度。易言之，形成位于像素LA的外部光像素部件200的厚度比位于非像素LB中的外部光遮蔽部件200的厚度薄。
[0057]根據(jù)示例性實施方案，當(dāng)形成凹槽部分10時，通過調(diào)節(jié)凹槽部分10的深度來控制在像素LA和非像素LB中形成的外部光遮蔽部件200的厚度差。然而，通過移除(未示出)像素LA的所有下部外部光遮蔽部件2并僅在非像素LB形成具有所需厚度的下部外部光遮蔽部件2，從而控制在像素LA和非像素LB中形成的外部光遮蔽部件200的厚度差。
[0058]同時，介電層可以具有厚度，其中通過在金屬層反射的光的例如約180°相位差來產(chǎn)生相消干涉。
[0059]像素LA的外部光遮蔽部件200可以具有例如不小于約40%的透光率，并且非像素LB的外光遮蔽部件200可以具有例如低于約40%的透光率。
[0060]在本示例性實施方案中，通過如此形成外部光遮蔽部件200以在像素LA和非像素LB具有不同厚度，可以在不形成圓形偏振膜的情況下防止外部光反射，由此增加黑色可見度。
[0061]易言之，由位于非像素LB中的外部光遮蔽部件200的厚的厚度來遮蔽從外部流入的光。因為由金屬層反射的光由于介電層導(dǎo)致的約180°倒相而消失，所以可以防止由金屬層反射的光免于轉(zhuǎn)移向外部。
[0062]此外，可以形成下部外部光遮蔽部件200以使其在像素LA的厚度例如比其在非像素LB的厚度薄，由此獲得不小于約40%的透光率。
[0063]在下文，將參考圖3和圖4描述OLED顯示器的制造方法。
[0064]圖3和圖4是依次示出示例性實施方案的OLED顯示器的制造方法的剖視圖，并且圖5是示例性實施方案的OLED顯示器的中間步驟的剖視圖。
[0065]如圖3所示，在襯底100上形成薄膜晶體管Q和有機發(fā)光元件70。形成封裝部件260以覆蓋有機發(fā)光元件70。
[0066]接下來，如圖4所示，在封裝部件260上形成具有凹槽部分10的下部外部光遮蔽部件2。下部外部光遮蔽部件2由例如金屬形成。
[0067]如圖4所示，下部外部光遮蔽部件2的凹槽部分10可以通過例如在金屬膜上通過光蝕刻方法形成蝕刻掩模PR并通過蝕刻法來形成。或者，如圖5所示，可以通過使用液體墨的噴墨印刷法或使用金屬糊的絲網(wǎng)印刷法，例如僅在非像素LB中選擇性地形成下部外部光遮蔽部件2。此外，或者，可以通過形成金屬膜并使用例如激光器蝕刻金屬膜來形成下部外部光遮蔽部件2，或通過使用轉(zhuǎn)移法選擇性地將金屬層轉(zhuǎn)移至非像素LB。
[0068]接下來，如圖2所示，可以通過例如在下部外部光遮蔽部件2上堆疊介電層和金屬層來在下部外部光遮蔽部件2上形成上部外部光遮蔽部件20。
[0069]圖6為示例性實施方案的OLED顯示器的示意性剖視圖。
[0070]因為圖6所示的OLED顯示器的大部分層間構(gòu)型與圖2所示的OLED顯示器的層間構(gòu)型相同，所以將僅詳述不同元件。
[0071]如圖6所示,本示例性實施方案的OLED顯示器包括例如襯底100,位于襯底100上的薄膜晶體管Q，與薄膜晶體管Q連接的有機發(fā)光元件70，位于發(fā)光元件70上的封裝部件260，位于封裝部件260上的防干擾層300，以及位于防干擾層300上的外部光遮蔽部件200。
[0072]防干擾層300用于防止封裝部件260與外部光遮蔽部件200之間的干擾。對此，形成防干擾層300以具有例如不小于光的相干長度的厚度。易言之，可以形成防干擾層300以具有例如不小于約I μ m的厚度。
[0073]防干擾層300可以例如為無機或有機膜，并且無機膜可以包含例如以下至少之一:Si02, Ti02、LiF, CaF2' MgF2' SiNx, Ta2O5' Nb2O5' SiCN, S1x、T1x、ZrO2, Mg。、CaO、Y2O3>ThF4, YF3、AlxOy, S1xNy、ZrOxFy, S1xFy以及AlOxNy、或基于丙烯酸酯的聚合物、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯和聚對苯二甲酸乙二酯。有機膜可以由例如透明有機聚合物或單體形成，例如基于丙烯酸酯的材料，并且可以包括丙烯酸酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯和聚對苯二甲酸乙二酯。
[0074]在下文，將參考圖7和圖8詳述包括外部光遮蔽部件的OLED顯示器。
[0075]圖7為示例性實施方案的OLED顯示器中像素的等效電路。
[0076]本示例性實施方案的OLED顯示器包括例如多個信號線121、171和172以及與其連接的像素PX。
[0077]信號線包括例如用于傳遞門信號(或掃描信號)的掃描信號線121，用于傳遞數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171，用于傳遞驅(qū)動電壓的驅(qū)動電壓線172等。掃描信號線121例如基本在行向中延伸并基本彼此平行，并且數(shù)據(jù)線171例如基本在列向中延伸并基本彼此平行。示出了驅(qū)動電壓線172例如基本在列向中延伸，但本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。例如，在實施方案中，驅(qū)動電壓線172可以在行向或列向中延伸，并且可以形成為網(wǎng)狀。
[0078]一像素PX包括例如開關(guān)晶體管Qs，驅(qū)動晶體管Qd，存儲電容器Cst和有機發(fā)光元件LD。
[0079]例如，開關(guān)晶體管Qs具有例如與相應(yīng)的掃描信號線121連接的控制終端，與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線171連接的輸入終端，以及與驅(qū)動晶體管Qd連接的輸出終端。開關(guān)晶體管Qs將從數(shù)據(jù)線171傳遞的數(shù)據(jù)信號傳輸至驅(qū)動晶體管Qd，以響應(yīng)從掃描信號線121傳遞的門信號。
[0080]驅(qū)動晶體管Qd也可以具有與開關(guān)晶體管Qs連接的控制終端，與驅(qū)動電壓線172連接的輸入終端以及與有機發(fā)光元件LD連接的輸出終端。驅(qū)動晶體管Qd使輸出電流ILD流動，所述輸出電流ILD的振幅取決于驅(qū)動晶體管Qd的控制終端與輸出終端之間的電壓。
[0081]電容器Cst連接在驅(qū)動晶體管Qd的控制終端和輸入終端之間。電容器Cst使向驅(qū)動晶體管Qd的控制終端施加的數(shù)據(jù)信號帶電，并且甚至在關(guān)閉開關(guān)晶體管Qs之后保持?jǐn)?shù)據(jù)信號帶電。
[0082]OLED形式的有機發(fā)光元件LD具有與驅(qū)動晶體管Qd連接的輸出終端以及與常規(guī)電壓Vss連接的陰極。有機發(fā)光元件LD發(fā)射光，從而顯示圖像，所述光的強度取決于驅(qū)動晶體管Qd的輸出電流ILD。有機發(fā)光元件LD可以包含例如有機材料，其獨特地發(fā)射原色，例如紅色、綠色和藍(lán)色的三原色，中至少一種顏色的光，并且有機發(fā)光裝置通過其空間集合(spatial sums)而顯示期望的圖像。
[0083]圖8為示出圖7所示的OLED顯示器中的像素的剖視圖。
[0084]參考圖8，根據(jù)堆疊順序，基于圖7的薄膜晶體管Qd和有機發(fā)光元件LD來詳細(xì)描述OLED顯示器的結(jié)構(gòu)。在下文，驅(qū)動晶體管Qd系指薄膜晶體管。
[0085]如圖8所示，在襯底100上形成防止不必要的組分的滲透并同時使表面平整的緩沖層120，所述不必要的組分例如雜質(zhì)或水分。
[0086]可以在緩沖層120上形成包括例如無機半導(dǎo)體如氧化物半導(dǎo)體或有機半導(dǎo)體的半導(dǎo)體135。在實施方案中，半導(dǎo)體135可以由例如無定形娃(例如氫化無定形娃)制成?；蛘撸趯嵤┓桨钢?，半導(dǎo)體135可以由例如多晶硅、微晶硅或單晶硅形成。
[0087]例如，在本示例性實施方案中，在緩沖層120上形成由例如多晶硅形成的半導(dǎo)體135。
[0088]將半導(dǎo)體135分為例如通道區(qū)1355、源區(qū)1356和漏區(qū)1357。在通道區(qū)1355的對側(cè)形成源區(qū)1356和漏區(qū)1357。半導(dǎo)體135的通道區(qū)1355為例如不摻雜雜質(zhì)的多晶硅，即，本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體135的源區(qū)1356和漏區(qū)1357例如為摻雜導(dǎo)電雜質(zhì)的多晶硅，S卩，雜質(zhì)半導(dǎo)體。
[0089]向源區(qū)1356和漏區(qū)1357摻雜的雜質(zhì)可以為p_型雜質(zhì)和n_型雜質(zhì)之一。
[0090]在半導(dǎo)體135上形成柵極絕緣層140。柵極絕緣層140可以例如為包含以下至少之一的單層或多層:原硅酸四乙酯(TEOS)、硅氮化物、硅氧化物、硅氧氮化物(S1N)、鋁氧化物(AlOx)、釔氧化物(Y2O3)、鉿氧化物(HfOx)、鋯氧化物(ZrOx)、氮化鋁(AlN)、鋁氧氮化物(AlNO)、鈦氧化物(T1x)、酞酸鋇(BaTi03)以及酞酸鉛(PbT13)。
[0091]在柵極絕緣層140上形成柵電極155。柵電極155與通道區(qū)1355重疊。柵電極155可以包含例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鑰鎢(Moff)以及鋁(Al)/銅(Cu)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鈷(Co)、猛(Mn)、銥(Ir)、銠(Rh)、鋨(Os)、鉭(Ta)，或這些中任一種的化合物。
[0092]在柵電極155上形成層間絕緣層160。與柵極絕緣層140相似,層間絕緣層160可以由以下形成:例如，原硅酸四乙酯(TEOS)、硅氮化物、硅氧化物、硅氧氮化物(S1N)、鋁氧化物(AlOx)、氧化釔(Y2O3)、鉿氧化物(HfOx)、鋯氧化物(ZrOx)、氮化鋁(AlN)、鋁氧氮化物(AlNO)、鈦氧化物(T1x)、鈦酸鋇(BaTi03)以及鈦酸鉛(PbT13)。
[0093]層間絕緣層160和柵極絕緣層140具有例如分別暴露源區(qū)1356和漏區(qū)1357的源接觸孔166和漏接觸孔167。在層間絕緣層160上形成源電極176和漏電極177。源電極176通過源接觸孔166與源區(qū)1356連接，并且漏極177通過漏接觸孔167與漏區(qū)1357連接。源電極176和漏電極177可以包含例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鑰鎢(Moff)以及鋁(Al)/銅(Cu)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鈷(Co)、錳(Mn)、銥(Ir)、銠(Rh)、鋨(Os)、鉭(Ta)，或這些中任一種的化合物。
[0094]在層間絕緣層160上形成保護(hù)層180。保護(hù)層180包括例如暴露漏電極177的接觸孔185。
[0095]在保護(hù)層180上形成通過接觸孔185與漏電極177連接的第一電極710。第一電極710成為圖6的有機發(fā)光元件的陽極。
[0096]在第一電極710上形成像素限定層190。
[0097]像素限定層190包括例如暴露第一電極710的開口 195?？梢孕纬上袼叵薅▽?90以包含例如諸如聚丙烯酸酯或聚酰亞胺的樹脂以及諸如二氧化硅的無機材料。
[0098]在像素限定層190的開口 195中形成有機發(fā)射層720。
[0099]有機發(fā)射層720形成為例如包括以下一個或多個的多層:發(fā)光層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。
[0100]例如，如果有機發(fā)射層720包括上述所有層，則在第一電極710上布置電子注入層，隨后在其上依次堆疊電子傳輸層、有機發(fā)射層、空穴傳輸層和空穴注入層。
[0101]在像素限定層190和有機發(fā)射層720上形成第二電極730。
[0102]第二電極730成為圖5的有機發(fā)光元件70的陰極。因此，第一電極710、有機發(fā)射層720和第二電極730形成有機發(fā)光元件70。
[0103]OLED顯示器可以構(gòu)造成正面顯示型、反面顯示型和兩面顯示型之一，這取決于有機發(fā)光兀件70的發(fā)光方向。
[0104]當(dāng)OLED顯示器構(gòu)造成正面顯示型時，例如用反射膜形成第一電極710并且用半透明膜形成第二電極730。當(dāng)OLED顯示器構(gòu)造成反面顯示型時，例如用半透明膜形成第一電極710并且例如用反射膜形成第二電極730。當(dāng)OLED顯示器構(gòu)造成兩面顯示型時，例如用透明膜或半透明膜形成第一電極710和第二電極730。
[0105]例如用選自鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、鋁(Al)及它們的合金中至少一種金屬材料形成反射膜和半透明膜。給定的膜為反射膜或半透明膜根據(jù)它們的厚度而定。對于半透明膜，厚度越小，透光率增加得越大，而厚度越大，電阻增加得越大。
[0106]透明膜由例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物(ZnO)、銦氧化物(In2O3)等形成。
[0107]可以在第二電極730上由無機層或有機層形成封裝部件260，并且可以例如交替堆疊無機層和有機層。封裝部件260保護(hù)像素避免外部空氣。
[0108]可以交替堆疊一個或多個有機層和一個或多個無機層?？梢蕴峁├缍鄠€各無機層或有機層。
[0109]有機層由例如聚合物形成。例如，在實施方案中，有機層可以為由聚對苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中任一種形成的單層或?qū)訅簩?。例如，在實施方案中，有機層可以由聚丙烯酸酯形成，并且特別包括其中聚合包含基于二丙烯酸酯的單體和基于三丙烯酸酯的單體的單體組合物的物質(zhì)。此外，在單體組合物中可以進(jìn)一步例如包含基于單丙烯酸酯的單體。此外，在單體組合物中可以進(jìn)一步包含已知的光引發(fā)劑，例如2，4，6-三甲基苯甲?；交趸?TPO)，但本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
[0110]無機層可以為例如包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或?qū)訅簩印＠?，無機層可以包括SiNx、Al2O3' S12和T12中任一種。
[0111]暴露于外界的封裝部件260的最上層可以由無機層形成以防止水分向有機發(fā)光元件70滲透。
[0112]封裝部件260可以包括例如至少一夾層結(jié)構(gòu)，其中在至少兩無機層之間插入至少一有機層。此外，封裝部件260可以包括例如至少一夾層結(jié)構(gòu)，其中在至少兩有機層之間插入至少一無機層。
[0113]包括例如LiF的鹵化金屬層可以被進(jìn)一步包括在第二電極730和無機層之間。當(dāng)通過例如濺射方式或等離子沉積方式形成無機層時，鹵化金屬層可以防止包括第二電極730的顯示部分免受破壞。
[0114]可以例如通過諸如金屬襯底或玻璃襯底的封裝襯底來替代封裝部件260，而不用形成有機層和無機層。
[0115]在封裝部件260上形成與圖1至6相同的外部光遮蔽部件200。形成外部光遮蔽部件200以便具有例如在像素LA和非像素LB中不同的厚度。布置在像素LA中的外部光遮蔽部件200的厚度例如比布置在非像素LB中的外部光遮蔽部件200的厚度薄。
[0116]已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實施方案，但還應(yīng)注意，可以在不背離由隨附權(quán)利要求的界限所限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種修改，這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而目是顯而易見的。
【權(quán)利要求】
1.有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器，其包括: 包括多個像素的襯底； 布置在所述像素中的薄膜晶體管； 與所述薄膜晶體管連接并且布置在所述像素中的有機發(fā)光元件； 布置在所述有機發(fā)光元件上的封裝部件；以及 布置在所述封裝部件之上或之下并且包括第一部分和第二部分的外部光遮蔽部件， 其中所述第一部分的厚度比所述第二部分的厚度薄，并且其中所述第一部分布置在所述像素中。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其中所述外部光遮蔽部件包括下部外部光遮蔽部件和上部外部光遮蔽部件。
3.如權(quán)利要求2所述的OLED顯示器，其中所述下部外部光遮蔽部件包括凹槽部分，并且所述凹槽部分布置在所述像素中。
4.如權(quán)利要求3所述的OLED顯示器，其中所述上部外部光遮蔽部件布置在所述下部外部光遮蔽部件上。
5.如權(quán)利要求4所述的OLED顯示器，其中所述上部外部光遮蔽部件包括以下至少之一:金屬層、金屬氧化物層、金屬氮化物層、介電層以及黑色層，并且其中所述上部外部光遮蔽部件具有在所述下部外部光遮蔽部件上的均勻厚度。
6.如權(quán)利要求5所述的OLED顯示器，其中所述金屬層包含選自以下的材料:鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、金(Au)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鈣(Ca)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鑰(Mo)、鎢(W)、鉬(Pt)、鐿(Yb)、鎳硫化物(NiS)或它們的合金， 所述金屬氧化物層包含鉻氧化物(CrOx)、銅氧化物(CuOx)和鑰氧化物(MoOx)之一， 所述金屬氮化物層包含鈦氮化物(TiNx)、TiAlNx和鉻氮化物(CrNx)之一，以及 其中所述黑色層包括包含炭黑或黑色染料的聚合物材料。
7.如權(quán)利要求5所述的0LED，其中所述上部外部光遮蔽部件包括所述金屬層、所述金屬氧化物層或所述金屬氮化物層，并且具有不大于50nm的厚度。
8.如權(quán)利要求5所述的OLED顯示器，其中所述介電層包含以下至少之一:二氧化硅(S12)、二氧化鈦(T12)、氟化鋰(LiF)、氟化鈣(CaF2)、氟化鎂(MgF2)、硅氮化物(SiNx)、五氧化二鉭(Ta2O5)、五氧化二鈮(Nb2O5)、硅碳氮化物(SiCN)、硅氧化物(S1x)、鈦氧化物(T1x)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化釔(Y2O3)、四氟化釷(ThF4)、釔氟化物(YF3)、鋁氧化物(AlxOy)、硅氧氮化物(S1xNy)、鋯氧氟化物(ZrOxFy)、硅氧氟化物(S1xFy)、鋁氧氮化物(AlOxNy)、基于丙烯酸酯的聚合物、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯以及聚對苯二甲酸乙二酯。
9.如權(quán)利要求5所述的OLED顯示器，其中所述介電層具有不大于Iμ m的厚度。
10.如權(quán)利要求4所述的OLED顯示器，其中所述上部外部光遮蔽部件包括多個遮蔽部件層， 其中每一所述遮蔽部件層包括金屬層、金屬氧化物層、金屬氮化物層、介電層和黑色層中至少之一，以及 其中所述遮蔽部件層具有在所述下部外部光遮蔽部件上的均勻厚度。
11.如權(quán)利要求10所述的OLED顯示器，其中所述金屬層包含選自以下的材料:鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、金(Au)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鈣(Ca)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鑰(Mo)、鎢(W)、鉬(Pt)、鐿(Yb)、鎳硫化物(NiS)或它們的合金， 其中所述金屬氧化物層包含鉻氧化物(CrOx)、銅氧化物(CuOx)和鑰氧化物(MoOx)之 其中所述金屬氮化物層包含鈦氮化物(TiNx)、鈦鋁氮化物(TiAlNx)和鉻氮化物(CrNx)之一，以及 其中所述黑色層包括包含炭黑或黑色染料的聚合物材料。
12.如權(quán)利要求10所述的0LED，其中包括所述金屬層、所述金屬氧化物層或所述金屬氮化物層的所述上部外部光遮蔽部件具有不大于50nm的厚度。
13.如權(quán)利要求10所述的OLED顯示器，其中所述介電層包含以下至少之一:二氧化硅(S12)、二氧化鈦(T12)、氟化鋰(LiF)、氟化鈣(CaF2)、氟化鎂(MgF2)、硅氮化物(SiNx)、五氧化二鉭(Ta2O5)、五氧化二鈮(Nb2O5)、硅碳氮化物(SiCN)、硅氧化物(S1x)、鈦氧化物(T1x)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化釔(Y2O3)、四氟化釷(ThF4)、釔氟化物(YF3)、鋁氧化物(AlxOy)、硅氧氮化物(S1xNy)、鋯氧氟化物(ZrOxFy)、硅氧氟化物(S1xFy)、鋁氧氮化物(AlOxNy)、基于丙烯酸酯的聚合物、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯以及聚對苯二甲酸乙二酯。
14.如權(quán)利要求10所述的OLED顯示器，其中所述介電層具有不大于Iμ m的厚度。
15.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其中所述第一部分具有不小于40%的透光率，并且所述第二部分具有低于40%的透光率。
16.有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器，其包括: 包括多個像素和多個非像素區(qū)域的襯底； 布置在所述像素中的薄膜晶體管； 與所述薄膜晶體管連接并且布置在所述像素中的有機發(fā)光元件； 布置在所述有機發(fā)光元件的封裝部件； 布置在所述封裝部件上的防干擾層；以及 布置在所述防干擾層上的外部光遮蔽部件，其中所述外部光遮蔽部件包括布置在所述像素中并且在所述非像素區(qū)域中的下部外部光遮蔽部件，以及布置在所述非像素區(qū)域中的所述下部外部光遮蔽部件之上并且在所述像素中的所述下部外部光遮蔽部件的凹槽部分之中的上部外部光遮蔽部件， 其中布置在所述像素中的下部外部光遮蔽部件的厚度小于布置在所述非像素區(qū)域中的下部外部光遮蔽部件的厚度。
17.如權(quán)利要求16所述的OLED顯示器，其中所述防干擾層具有不小于Iμ m的厚度。
18.如權(quán)利要求17所述的OLED顯示器，其中所述防干擾層包括無機膜和有機膜之一。
19.如權(quán)利要求18所述的OLED顯示器，其中所述防干擾層包含選自以下的至少一種材料:二氧化硅(S12)、二氧化鈦(T12)、氟化鋰(LiF)、氟化鈣(CaF2)、氟化鎂(MgF2)、硅氮化物(SiNx)、五氧化二鉭(Ta2O5)、五氧化二鈮(Nb2O5)、硅碳氮化物(SiCN)、硅氧化物(S1x)、鈦氧化物(T1x)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化釔(Y2O3)、四氟化釷(ThF4)、氟化釔(YF3)、鋁氧化物(AlxOy)、硅氧氮化物(S1xNy)、鋯氧氟化物(ZrOxFy)、硅氧氟化物(S1xFy)以及鋁氧氮化物(AlOxNy)。
20.如權(quán)利要求18所述的OLED顯示器，其中所述防干擾層包含選自以下的至少一種材料:丙烯酸酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯以及聚對苯二甲酸乙二酯。
【文檔編號】H01L27/32GK104241319SQ201410116825
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年3月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月18日
【發(fā)明者】曺尚煥, 金秀燕, 樸相炫, 趙尹衡, 宋昇勇 申請人:三星顯示有限公司