薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種TFT及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，以解決在柵極上施加負(fù)向偏壓時(shí)，在有源層與源極和柵極的交界處、以及有源層與漏極和柵極的交界處，會(huì)產(chǎn)生較大柵極負(fù)偏壓漏電流，從而會(huì)導(dǎo)致畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題發(fā)生的問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT，包括柵極，位于柵極上的有源層，位于有源層上的歐姆接觸層，以及位于歐姆接觸層上的第一電極和第二電極；其中，歐姆接觸層位于第一電極和第二電極與有源層的交疊區(qū)域；其中：有源層與所述柵極部分交疊，有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，鏤空區(qū)域與所述柵極部分交疊；與有源層部分交疊的所述第一電極和/或第二電極穿過(guò)所述鏤空區(qū)域延伸至有源層外。
【專利說(shuō)明】薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板以及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCDCThin-FiIm Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯不器)包括彩膜基板、陣列基板和位于所述彩膜基板與陣列基板之間的液晶層，所述陣列基板包括TFT。以底柵型TFT為例，如圖1所示，陣列基板的TFT —般包括柵極10、位于柵極10上且全部覆蓋柵極10的柵極絕緣層(圖1中未示出)、位于所述柵極絕緣層上的有源層20、位于有源層20上的歐姆接觸層30、以及位于歐姆接觸層30上的源極41和漏極42 ;其中，柵極10全部覆蓋有源層20，有源層20與源極41和漏極42部分交疊，歐姆接觸層30位于源極41和漏極42與有源層20的交疊區(qū)域。
[0003]當(dāng)在TFT的柵極上施加負(fù)向偏壓以關(guān)閉所述TFT時(shí)，TFT的有源層中的電子會(huì)在柵極負(fù)偏壓的作用下流向柵極絕緣層，使得有源層中形成空穴，尤其在有源層與TFT的源極和漏極的交疊區(qū)域、有源層與源極和柵極的交界處(詳見(jiàn)圖1中的a區(qū)域)、以及有源層與漏極和柵極的交界處(詳見(jiàn)圖1中的b區(qū)域)，形成的空穴數(shù)量比較多。在有源層與源極和漏極的交疊區(qū)域，有源層和源極與漏極所在膜層之間形成有歐姆接觸層，由于歐姆接觸層中的電子可以中和掉大部分空穴，因此，有源層與源極和漏極的交疊區(qū)域的空穴數(shù)量將大幅減少。而在有源層與源極和柵極的交界處、以及有源層與漏極和柵極的交界處，由于有源層直接與源極和漏 極接觸，因此，空穴數(shù)量不會(huì)大幅減少，使得產(chǎn)生較大的柵極負(fù)偏壓漏電流，進(jìn)而引起Flicker (畫(huà)面閃爍),導(dǎo)致畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題的發(fā)生。
[0004]綜上所述，目前在柵極上施加負(fù)向偏壓時(shí)，在有源層與源極和柵極的交界處、以及有源層與漏極和柵極的交界處，會(huì)產(chǎn)生較大的柵極負(fù)偏壓漏電流，從而會(huì)導(dǎo)致畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題的發(fā)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、以及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的在柵極上施加負(fù)向偏壓時(shí)，在有源層與源極和柵極的交界處、以及有源層與漏極和柵極的交界處，會(huì)產(chǎn)生較大的柵極負(fù)偏壓漏電流，從而會(huì)導(dǎo)致畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題的發(fā)生的問(wèn)題。
[0006]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，包括柵極，位于所述柵極上的有源層，位于所述有源層上的歐姆接觸層，以及位于所述歐姆接觸層上的第一電極和第二電極；其中，所述歐姆接觸層位于所述第一電極和第二電極與所述有源層的交疊區(qū)域；其中:
[0007]所述有源層與所述柵極部分交疊，所述有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與所述柵極部分交疊；
[0008]與所述有源層部分交疊的所述第一電極和/或第二電極穿過(guò)所述鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外。
[0009]其中，第一電極為源極，第二電極為漏極；或者，第一電極為漏極，第二電極為源極。
[0010]較佳地，所述有源層包含兩個(gè)鏤空區(qū)域；
[0011]所述第一電極穿過(guò)其中一個(gè)鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外，所述第二電極穿過(guò)另一個(gè)鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外。
[0012]較佳地，所述兩個(gè)鏤空區(qū)域分別位于所述柵極兩側(cè)。
[0013]較佳地，所述有源層圖案為“中”字型的圖案。
[0014]較佳地，所述有源層圖案為橫向放置的“日”字型的圖案。
[0015]較佳地，所述鏤空區(qū)域的形狀包括矩形、圓環(huán)形和橢圓環(huán)形中的一種。
[0016]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括所述的薄膜晶體管。
[0017]第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括所述的陣列基板。
[0018]第四方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種所述的薄膜晶體管的制作方法，包括:
[0019]在襯底基板上形成柵極；
[0020]在所述柵極上形成有源層；
[0021 ] 在所述有源層上形成歐姆接觸層；
[0022]在所述歐姆接觸層上形成第一電極和第二電極，所述歐姆接觸層位于所述第一電極和第二電極與所述有源層的交疊區(qū)域；
[0023]其中，所述有源層與所述柵極部分交疊，所述有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與所述柵極部分交疊；與所述有源層部分交疊的所述第一電極和/或第二電極穿過(guò)所述鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外。
[0024]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括:有源層與柵極部分交疊，有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，鏤空區(qū)域與柵極部分交疊，并且與有源層部分交疊的第一電極和/或第二電極穿過(guò)鏤空區(qū)域延伸至有源層外；在柵極上施加負(fù)向偏壓時(shí)，有源層在與柵極、以及第一電極和/或第二電極的交界處形成數(shù)量比較多的空穴；在背光源的照射下，有源層在外露于柵極且與第一電極和/或第二電極的交疊處形成數(shù)量比較多的光生電子；在柵極負(fù)向偏壓作用下，所述光生電子回流到與柵極交疊的有源層處，并中和其中的空穴，使得有源層在與柵極、以及第一電極和/或第二電極的交界處形成的空穴數(shù)量大幅減少，因此，此處產(chǎn)生的柵極負(fù)偏壓漏電流也會(huì)比較小，從而在一定程度上減少或者避免由于柵極負(fù)偏壓漏電流較大引起的畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題的發(fā)生。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2A?圖2E為本發(fā)明實(shí)施例中TFT的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中有源層與柵極和第二電極的交界處的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中有源層在外露于柵極且與第二電極的交疊處的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中制作TFT的方法流程示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0030]在本發(fā)明實(shí)施例中，TFT包括柵極，位于所述柵極上的有源層，位于所述有源層上的歐姆接觸層，以及位于所述歐姆接觸層上的第一電極和第二電極；其中，所述歐姆接觸層位于所述第一電極和第二電極與所述有源層的交疊區(qū)域；其中:所述有源層與所述柵極部分交疊，所述有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與所述柵極部分交疊；與所述有源層部分交疊的所述第一電極和/或第二電極穿過(guò)所述鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外；其中，第一電極為源極，第二電極為漏極；或者，第一電極為漏極，第二電極為源極；
[0031]與現(xiàn)有技術(shù)相比，有源層的形狀有所改變，其中:有源層與柵極部分交疊，有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，鏤空區(qū)域與柵極部分交疊；與有源層部分交疊的第一電極和/或第二電極穿過(guò)鏤空區(qū)域延伸至有源層外；
[0032]因而，在柵極上施加負(fù)向偏壓時(shí)，有源層在與柵極、以及第一電極和/或第二電極的交界處形成數(shù)量比較多的空穴；在背光源的照射下，有源層在外露于柵極且與第一電極和/或第二電極的交疊處形成數(shù)量比較多的光生電子；在柵極負(fù)向偏壓作用下，所述光生電子回流到與柵極交疊的有源層處，并中和其中的空穴，使得有源層在與柵極、以及第一電極和/或第二電極的交界處形成的空穴數(shù)量大幅減少，因此，此處產(chǎn)生的柵極負(fù)偏壓漏電流也會(huì)比較小，從而在一定程度上減少或者避免由于柵極負(fù)偏壓漏電流較大引起的畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題的發(fā)生。
[0033]下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0034]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例是以柵極是底柵為例進(jìn)行的介紹，具體實(shí)施中，其他類(lèi)型的柵極(比如，頂柵等)的實(shí)施方式與本發(fā)明實(shí)施例的柵極(底柵)的實(shí)施方式類(lèi)似，在此不再贅述。
[0035]較佳地，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT，包括柵極，位于所述柵極上的有源層，位于所述有源層上的歐姆接觸層，以及位于所述歐姆接觸層上的第一電極和第二電極；其中，所述歐姆接觸層位于所述第一電極和第二電極與所述有源層的交疊區(qū)域，其中:
[0036]所述有源層與所述柵極部分交疊，所述有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與所述柵極部分交疊；
[0037]與所述有源層部分交疊的所述第一電極和/或第二電極穿過(guò)所述鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外；
[0038]其中，第一電極為源極，第二電極為漏極；或者，第一電極為漏極，第二電極為源極。
[0039]實(shí)施中，通過(guò)改變有源層的形狀，使得:有源層與柵極部分交疊，有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，鏤空區(qū)域與柵極部分交疊；與有源層部分交疊的第一電極和/或第二電極穿過(guò)鏤空區(qū)域延伸至有源層外；
[0040]因而，在柵極上施加負(fù)向偏壓時(shí)，有源層在與柵極、以及第一電極和/或第二電極的交界處形成數(shù)量比較多的空穴；在背光源的照射下，有源層在外露于柵極且與第一電極和/或第二電極的交疊處形成數(shù)量比較多的光生電子；在柵極負(fù)向偏壓作用下，所述光生電子回流到與柵極交疊的有源層處，并中和其中的空穴，使得有源層在與柵極、以及第一電極和/或第二電極的交界處形成的空穴數(shù)量大幅減少，因此，此處產(chǎn)生的柵極負(fù)偏壓漏電流也會(huì)比較小，從而提高了 TFT的性能，并在一定程度上減少或者避免由于柵極負(fù)偏壓漏電流較大引起的畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題的發(fā)生。
[0041]較佳地，所述柵極和有源層之間包括用于覆蓋所述柵極的柵極絕緣層。
[0042]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，下面將依據(jù)有源層包含的鏤空區(qū)域的數(shù)量的不同，分別對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施方式進(jìn)行介紹。
[0043]一、有源層包含一個(gè)鏤空區(qū)域。
[0044]較佳地，如圖2A所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT，包括柵極10，位于柵極10上的有源層20，位于有源層20上的歐姆接觸層30，以及位于歐姆接觸層30上的第一電極41和第二電極42 ;其中，歐姆接觸層30位于第一電極41和第二電極42與有源層20的交疊區(qū)域，其中:
[0045]有源層20與柵極10部分交疊，有源層20包含一個(gè)鏤空區(qū)域A，鏤空區(qū)域A與柵極10部分交疊；
[0046]與有源層20部分交疊的第一電極41穿過(guò)鏤空區(qū)域A延伸至有源層20外。
[0047]實(shí)施中，如圖2A所示，有源層20在與柵極10和第一電極41的交界處位于a區(qū)域，有源層20在與柵極10和第二電極42的交界處位于b區(qū)域；有源層20在外露于柵極10且與第一電極41的交疊處位于c區(qū)域；
[0048]在柵極10上施加負(fù)向偏壓時(shí)，有源層20在a區(qū)域和b區(qū)域會(huì)形成數(shù)量比較多的空穴；在背光源的照射下，有源層20在c區(qū)域會(huì)形成數(shù)量比較多的光生電子；在柵極負(fù)向偏壓作用下，c區(qū)域的光生電子回流到與柵極10交疊的有源層20處，并中和其中的空穴，使得a區(qū)域和b區(qū)域的空穴數(shù)量大幅減少，因此，a區(qū)域和b區(qū)域產(chǎn)生的柵極負(fù)偏壓漏電流也會(huì)比較小，從而提高了 TFT的性能，并在一定程度上減少或者避免由于柵極負(fù)偏壓漏電流較大引起的畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題的發(fā)生。
[0049]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，以與有源層部分交疊的第一電極穿過(guò)鏤空區(qū)域延伸至有源層外為例，在具體實(shí)施中，與有源層部分交疊的第二電極穿過(guò)鏤空區(qū)域延伸至有源層外的實(shí)施方式和與有源層部分交疊的第一電極穿過(guò)鏤空區(qū)域延伸至有源層外的實(shí)施方式類(lèi)似，在此不再贅述。
[0050]二、有源層包含兩個(gè)鏤空區(qū)域。
[0051]較佳地，所述有源層包含兩個(gè)鏤空區(qū)域；所述第一電極穿過(guò)其中一個(gè)鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外，所述第二電極穿過(guò)另一個(gè)鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外。
[0052]具體實(shí)施中，有源層包含的兩個(gè)鏤空區(qū)域的位置的實(shí)施方式有多種，比如，兩個(gè)鏤空區(qū)域位于有源層的一組對(duì)邊處或者一組鄰邊處；下面將對(duì)這兩種典型的情況進(jìn)行介紹。
[0053]1、兩個(gè)鏤空區(qū)域位于有源層的一組對(duì)邊處。
[0054]較佳地，所述兩個(gè)鏤空區(qū)域分別位于柵極兩側(cè)。
[0055]Itta,以圖2B為例，如圖2B所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT，包括柵極10，位于柵極10上且全面覆蓋柵極10的柵極絕緣層(圖2B中未示出)，位于柵極絕緣層上的有源層20，位于有源層20上的歐姆接觸層30，以及位于歐姆接觸層30上的第一電極41和第二電極42 ;其中，歐姆接觸層30位于第一電極41和第二電極42與有源層20的交疊區(qū)域，其中:
[0056]有源層20與柵極10部分交疊，有源層20包含分別位于柵極10兩側(cè)的鏤空區(qū)域A和鏤空區(qū)域B，鏤空區(qū)域A和鏤空區(qū)域B分別與柵極10部分交疊；[0057]與有源層20部分交疊的第一電極41穿過(guò)鏤空區(qū)域A延伸至有源層20外，與有源層20部分交疊的第二電極42穿過(guò)鏤空區(qū)域B延伸至有源層20外。
[0058]實(shí)施中，如圖2B所示，有源層20在與柵極10和第一電極41的交界處位于a區(qū)域，有源層20在與柵極10和第二電極42的交界處位于b區(qū)域；其中，b區(qū)域的截面圖(S卩，圖2B中的AB向截面圖)如圖3所示，從圖3可以看出，在b區(qū)域，有源層20位于柵極絕緣層50和歐姆接觸層30之間、且與第二電極42直接接觸；
[0059]如圖2B所示，有源層20在外露于柵極10且與第一電極41的交疊處位于c區(qū)域，有源層20在外露于柵極10且與第二電極42的交疊處位于d區(qū)域；其中，d區(qū)域的截面圖(即，圖2B中的⑶向截面圖)如圖4所示，從圖4可以看出，有源層20和第二電極42之間設(shè)置有歐姆接觸層30 ；
[0060]在柵極10上施加負(fù)向偏壓時(shí)，有源層20在a區(qū)域和b區(qū)域會(huì)由于直接與第一電極41和第二電極42接觸而形成數(shù)量比較多的空穴；
[0061]在背光源的照射下，有源層20在c區(qū)域和d區(qū)域會(huì)由于與歐姆接觸層30接觸而形成數(shù)量比較多的光生電子；
[0062]在柵極負(fù)向偏壓作用下，c區(qū)域的光生電子回流到與柵極10交疊的有源層20處，并中和其中的空穴，使得a區(qū)域的空穴數(shù)量大幅減少；以及，d區(qū)域的光生電子回流到與柵極10交疊的有源層20處，并中和其中的空穴，使得b區(qū)域的空穴數(shù)量大幅減少；
[0063]因此，a區(qū)域和b區(qū)域產(chǎn)生的柵極負(fù)偏壓漏電流也會(huì)比較小，從而提高了 TFT的性能，并在一定程度上減少或者避免由于柵極負(fù)偏壓漏電流較大引起的畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題的發(fā)生。
[0064]較佳地，在圖2B中，有源層20的圖案為“中”字型的圖案；在具體實(shí)施中，有源層20的圖案也可以為除“中”字型圖案以外的圖案。
[0065]較佳地，如圖2C所示，有源層20的圖案為橫向放置的“日”字型的圖案。
[0066]實(shí)施中，在有源層20的圖案為橫向放置的“日”字型的圖案時(shí)，其解決在一定程度上減少或者避免由于柵極負(fù)偏壓漏電流較大引起的畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題的發(fā)生的問(wèn)題的原理與在有源層20的圖案為“中”字型圖案時(shí)解決問(wèn)題的原理類(lèi)似，在此不再贅述。
[0067]需要說(shuō)明的是，在具體實(shí)施中，圖2B和圖2C所示的鏤空區(qū)域的形狀也可以為除矩形以外的其他形狀，比如，圓環(huán)形或者橢圓環(huán)形。因此，所述“中”字型的圖案中的“中”并不限于矩形結(jié)構(gòu)，可以為圓環(huán)形或者橢圓環(huán)形。同理，橫向放置的“日”字型的圖案也不限于矩形結(jié)構(gòu)，可以為圓環(huán)形或者橢圓環(huán)形。
[0068]需要說(shuō)明的是，在圖2B和圖2C中，以兩個(gè)鏤空區(qū)域分別位于柵極兩側(cè)、一個(gè)鏤空區(qū)域位于柵極的第一水平方向、且另一個(gè)鏤空區(qū)域位于柵極的第二水平方向?yàn)槔?，在具體實(shí)施中，兩個(gè)鏤空區(qū)域分別位于柵極兩側(cè)、一個(gè)鏤空區(qū)域位于柵極的第一垂直方向、且另一個(gè)鏤空區(qū)域位于柵極的第二垂直方向的實(shí)施方式與本發(fā)明實(shí)施例圖2B和圖2C的實(shí)施方式類(lèi)似，在此不再贅述。
[0069]2、兩個(gè)鏤空區(qū)域位于有源層的一組鄰邊處。
[0070]較佳地，所述兩個(gè)鏤空區(qū)域位于柵極的相鄰側(cè)。
[0071]比如，如圖2D所示，有源層20與柵極10部分交疊，有源層20包含鏤空區(qū)域A和鏤空區(qū)域B，鏤空區(qū)域A和鏤空區(qū)域B分別與柵極10部分交疊；[0072]與有源層20部分交疊的第一電極41穿過(guò)鏤空區(qū)域A延伸至有源層20外，與有源層20部分交疊的第二電極42穿過(guò)鏤空區(qū)域B延伸至有源層20外；
[0073]其中，柵極10為矩形圖案，有源層20為垂直翻轉(zhuǎn)后的“L”字型圖案，有源層20的鏤空區(qū)域A和鏤空區(qū)域B位于柵極10的相鄰側(cè)。
[0074]實(shí)施中，圖2D所示的TFT解決在一定程度上減少或者避免由于柵極負(fù)偏壓漏電流較大引起的畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題的發(fā)生的問(wèn)題的原理與圖2B所示的TFT解決問(wèn)題的原理類(lèi)似，在此不再贅述。
[0075]需要說(shuō)明的是，在具體實(shí)施中，與圖2B和圖2C的實(shí)施方式類(lèi)似，圖2D所示的鏤空區(qū)域的形狀可以為除矩形以外的其他形狀，比如，圓環(huán)形或者橢圓環(huán)形。因此，所述“中”字型的圖案中的“中”并不限于矩形結(jié)構(gòu)，可以為圓環(huán)形或者橢圓環(huán)形。同理，橫向放置的“日”字型的圖案也不限于矩形結(jié)構(gòu)，可以為圓環(huán)形或者橢圓環(huán)形。
[0076]三、有源層包含三個(gè)鏤空區(qū)域。
[0077]較佳地，如圖2E所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT，包括柵極10，位于柵極10上的有源層20，位于有源層20上的歐姆接觸層30，以及位于歐姆接觸層30上的第一電極41和第二電極42 ;其中，歐姆接觸層30位于第一電極41和第二電極42與有源層20的交疊區(qū)域，其中:
[0078]有源層20與柵極10部分交疊，有源層20包含鏤空區(qū)域A、鏤空區(qū)域B和鏤空區(qū)域C，鏤空區(qū)域A、鏤空區(qū)域B和鏤空區(qū)域C分別與柵極10部分交疊，其中，鏤空區(qū)域A和鏤空區(qū)域B分別位于柵極10兩側(cè)；
[0079]與有源層20部分交疊的第一電極41穿過(guò)鏤空區(qū)域A延伸至有源層20外，與有源層20部分交疊的第二電極42穿過(guò)鏤空區(qū)域B延伸至有源層20外。
[0080]實(shí)施中，鏤空區(qū)域A和鏤空區(qū)域B對(duì)解決在一定程度上減少或者避免由于柵極負(fù)偏壓漏電流較大引起的畫(huà)面品質(zhì)不良問(wèn)題的發(fā)生的問(wèn)題起到作用，而鏤空區(qū)域C則對(duì)解決該問(wèn)題不起實(shí)際作用。
[0081]實(shí)施中，圖2E所示的TFT解決問(wèn)題的原理與圖2B所示的TFT解決問(wèn)題的原理類(lèi)似，在此不再贅述。
[0082]需要說(shuō)明的是，在有源層包含的鏤空區(qū)域多于三個(gè)時(shí)有源層的【具體實(shí)施方式】，與在有源層包含的鏤空區(qū)域?yàn)槿齻€(gè)時(shí)有源層的【具體實(shí)施方式】類(lèi)似，在此不再贅述。
[0083]需要說(shuō)明的是，在上述圖2A?圖2E所示的TFT中，均是以鏤空區(qū)域的形狀為矩形為例；而在具體實(shí)施中，鏤空區(qū)域的形狀可以根據(jù)具體需要或經(jīng)驗(yàn)設(shè)定。
[0084]較佳地，所述鏤空區(qū)域的形狀包括矩形、圓環(huán)形和橢圓環(huán)形中的一種。
[0085]較佳地，可以根據(jù)在柵極施加負(fù)向偏壓時(shí)有源層在與柵極交疊部分產(chǎn)生的空穴的數(shù)量，確定有源層在外露于柵極且與第一電極和/或第二電極的交疊區(qū)域的尺寸，以達(dá)到因柵極負(fù)偏壓產(chǎn)生的柵漏電流與光照產(chǎn)生的光漏電流的平衡，保證在關(guān)閉TFT時(shí)產(chǎn)生的漏電流最小。
[0086]較佳地，所述歐姆接觸層的材料為N型摻雜的非晶硅卿，n+a-si)，所述有源層的材料為非晶硅(即，a-si)。
[0087]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括所述的TFT。
[0088]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括所述的陣列基板。所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0089]基于同一發(fā)明構(gòu)思，如圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種所述的TFT的制作方法，包括:
[0090]步驟501、在襯底基板上形成柵極；
[0091]步驟502、在所述柵極上形成有源層；
[0092]步驟503、在所述有源層上形成歐姆接觸層；
[0093]步驟504、在所述歐姆接觸層上形成第一電極和第二電極，所述歐姆接觸層位于所述第一電極和第二電極與所述有源層的交疊區(qū)域；
[0094]其中，所述有源層與所述柵極部分交疊，所述有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與所述柵極部分交疊；與所述有源層部分交疊的所述第一電極和/或第二電極穿過(guò)所述鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外。
[0095]較佳地，在步驟501之后，在步驟502之前，還包括:
[0096]在柵極上形成覆蓋所述柵極的柵極絕緣層。
[0097]其中，第一電極為源極，第二電極為漏極，或者，第一電極為漏極，第二電極為源極。
[0098]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0099]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，包括柵極，位于所述柵極上的有源層，位于所述有源層上的歐姆接觸層，以及位于所述歐姆接觸層上的第一電極和第二電極；其中，所述歐姆接觸層位于所述第一電極和第二電極與所述有源層的交疊區(qū)域，其特征在于， 所述有源層與所述柵極部分交疊，所述有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與所述柵極部分交疊； 與所述有源層部分交疊的所述第一電極和/或第二電極穿過(guò)所述鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，第一電極為源極，第二電極為漏極；或者，第一電極為漏極，第二電極為源極。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層包含兩個(gè)鏤空區(qū)域； 所述第一電極穿過(guò)其中一個(gè)鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外，所述第二電極穿過(guò)另一個(gè)鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述兩個(gè)鏤空區(qū)域分別位于所述柵極兩側(cè)。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層圖案為“中”字型的圖案。
6.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層圖案為橫向放置的“日”字型的圖案。
7.如權(quán)利要求5或6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述鏤空區(qū)域的形狀包括矩形、圓環(huán)形和橢圓環(huán)形中的一種。
8.—種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1?7任一所述的薄膜晶體管。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的陣列基板。
10.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該方法包括: 在襯底基板上形成柵極； 在所述柵極上形成有源層； 在所述有源層上形成歐姆接觸層； 在所述歐姆接觸層上形成第一電極和第二電極，所述歐姆接觸層位于所述第一電極和第二電極與所述有源層的交疊區(qū)域； 其中，所述有源層與所述柵極部分交疊，所述有源層包含至少一個(gè)鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與所述柵極部分交疊；與所述有源層部分交疊的所述第一電極和/或第二電極穿過(guò)所述鏤空區(qū)域延伸至所述有源層外。
【文檔編號(hào)】H01L29/786GK103943684SQ201410115392
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年3月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月26日
【發(fā)明者】沈奇雨 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司