陣列基板及制備方法、顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，能夠減小薄膜晶體管的漏電流，用以改善顯示面板的畫面閃爍、串?dāng)_和殘像等現(xiàn)象，提高顯示性能。所述陣列基板包括：襯底基板，所述襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線以及多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一氧化物薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，每個(gè)所述像素單元還包括至少一個(gè)與第一氧化物薄膜晶體管串聯(lián)的第二氧化物薄膜晶體管，所述像素電極與第二氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第二氧化物薄膜晶體管的源極與所述第一氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第一氧化物薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線相連，所述第二氧化物薄膜晶體管與所述第一氧化物薄膜晶體管串聯(lián)，增加了像素電極與數(shù)據(jù)線之間的關(guān)態(tài)電阻。本發(fā)明實(shí)施例適用于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】。
【專利說明】陣列基板及制備方法、顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體上涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)漏電路徑主要有液晶電容漏電和TFT漏電，前者是由像素電極漏電至公共電極，后者由像素電極漏電至數(shù)據(jù)線，因此后者的漏電會(huì)與數(shù)據(jù)線上的電壓有關(guān)。TFT器件本身的漏電流導(dǎo)電機(jī)制主要是溝道熱離子發(fā)射形成的空穴電流，傳統(tǒng)的非晶硅產(chǎn)品的漏電流會(huì)在光照的條件下劇增加。
[0003]銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)是新一代用于TFT有源層的材料，IGZO解決了傳統(tǒng)TFT的缺陷:晶體尺寸更小，可以使設(shè)備更輕薄，全透明，對(duì)可見光不敏感，能夠大大增加元件的開口率，提高亮度，降低功耗。此外，電子遷移率方面，其載流子遷移率是非晶硅的5?10倍，臨界電壓飄移幾乎一致，比傳統(tǒng)材料提升了 20?50倍，因此開態(tài)電流特性良好，進(jìn)步非常明顯，在面板的主要性能參數(shù)上，IGZO面板比傳統(tǒng)TFT面板有了全面的提升。
[0004]為了減少氧化物有源層的光接觸面積，減小光致漏電流，氧化物TFT —般采用遮光型結(jié)構(gòu)，如圖1、圖2所示，柵線102位于氧化物有源層104、源極106和漏極107的下方，這樣?xùn)啪€102遮擋住了源極106和漏極107的溝道內(nèi)形成的氧化物有源層104，從而能夠有效降低光照時(shí)電子空穴對(duì)產(chǎn)生的概率，因此漏電流(關(guān)態(tài)電流)受光照的影響較小。然而，這種遮光型結(jié)構(gòu)的氧化物TFT，源極106和漏極107直接與氧化物有源層104接觸，這樣會(huì)導(dǎo)致氧化物有源層104內(nèi)空穴流入源極106和漏極107，以及源極106和漏極107的電子流入有源層104中的幾率增大，從而加強(qiáng)“漏極一氧化物TFT有源層一源極”這一漏電路徑，不利于保持已存儲(chǔ)的電荷，導(dǎo)致面板畫質(zhì)下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005](一)要解決的技術(shù)問題
[0006]針對(duì)上述缺陷，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何減小在TFT關(guān)斷時(shí)的漏電流。
[0007](二)技術(shù)方案
[0008]為解決上述問題，一種陣列基板，包括:襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線以及多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一氧化物薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，每個(gè)所述像素單元還包括至少一個(gè)與第一氧化物薄膜晶體管串聯(lián)的第二氧化物薄膜晶體管，所述像素電極與所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第二氧化物薄膜晶體管的源極與所述第一氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第一氧化物薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線相連。
[0009]進(jìn)一步地，所述陣列基板具體包括:
[0010]設(shè)置在所述襯底基板上的所述柵線；[0011]設(shè)置在所述柵線上的柵絕緣層和氧化物有源層；
[0012]設(shè)置在所述柵絕緣層和氧化物有源層上的刻蝕阻擋層；
[0013]設(shè)置在所述刻蝕阻擋層上方的所述第一氧化物薄膜晶體管的源極和漏極、第二氧化物薄膜晶體管的源極和漏極；
[0014]設(shè)置在所述源極和漏極上的鈍化層；
[0015]其中，所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極與所述像素單元中延伸至所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極的所述像素電極相連。
[0016]進(jìn)一步地，所述陣列基板具體包括:
[0017]設(shè)置在所述襯底基板上的氧化物有源層；
[0018]設(shè)置在所述氧化物有源層上的刻蝕阻擋層；
[0019]設(shè)置在所述刻蝕阻擋層上方的所述第一氧化物薄膜晶體管的源極和漏極、第二氧化物薄膜晶體管的源極和漏極；
[0020]設(shè)置在所述源極和漏極上的柵絕緣層；
[0021]設(shè)置在所述柵絕緣層上的所述柵線；
[0022]設(shè)置在所述柵線上的鈍化層；
[0023]其中，所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極與所述像素單元中延伸至所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極的所述像素電極相連。
[0024]進(jìn)一步地，所述陣列基板上還設(shè)置有公共電極和公共電極線，所述公共電極與所述公共電極線相連。
[0025]進(jìn)一步地，所述公共電極和所述像素電極異層設(shè)置，處于相對(duì)上層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)；處于相對(duì)下層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)或板狀結(jié)構(gòu)；或
[0026]所述公共電極和所述像素電極同層設(shè)置，所述像素電極和所述公共電極均具有狹
縫狀結(jié)構(gòu)。
[0027]進(jìn)一步地，所述氧化物有源層為銦鎵鋅氧化物。
[0028]為解決上述問題，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括上述的陣列基板。
[0029]為解決上述問題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，該方法包括:
[0030]通過構(gòu)圖工藝，在所述襯底基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線、以及多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一氧化物薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，每個(gè)所述像素單元還包括至少一個(gè)與所述第一氧化物薄膜晶體管串聯(lián)的第二氧化物薄膜晶體管，所述像素電極與所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第二氧化物薄膜晶體管的源極與所述第一氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第一氧化物薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線相連。
[0031]進(jìn)一步地,該方法具體包括:
[0032]通過第一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板上形成包括柵線的圖案；
[0033]通過第二次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括柵絕緣層、第一氧化物薄膜晶體管的有源層、以及第二氧化物薄膜晶體管的有源層的圖案，所述氧化物有源層的圖案位于柵線上方；
[0034]通過第三次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括刻蝕阻擋層的圖案；
[0035]通過第四次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括數(shù)據(jù)線、第一氧化物薄膜晶體管的源極和漏極、以及第二氧化物薄膜晶體管的源極和漏極的圖案；
[0036]通過第五次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第四次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括鈍化層的圖案；
[0037]通過第六次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第五次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括像素電極的圖案，所述像素電極延伸至所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極并與所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極相連。
[0038]進(jìn)一步地,該方法具體包括:
[0039]通過第一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板上形成包括第一氧化物薄膜晶體管的有源層和第二氧化物薄膜晶體管的有源層的圖案；
[0040]通過第二次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括刻蝕阻擋層的圖案；
[0041]通過第三次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括數(shù)據(jù)線、第一氧化物薄膜晶體管的源極和漏極、以及第二氧化物薄膜晶體管的源極和漏極的圖案；
[0042]通過第四次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括柵絕緣層?xùn)啪€的圖案，所述柵線的圖案位于氧化物有源層的上方；
[0043]通過第五次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第四次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括鈍化層的圖案；
[0044]通過第六次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第五次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括像素電極的圖案，所述像素電極延伸至所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極并與所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極。
[0045]進(jìn)一步地，在形成所述柵線的圖案的同一構(gòu)圖工藝中，還包括:與柵線同步地形成公共電極線。
[0046](三)有益效果
[0047]本發(fā)明提供的陣列基板及制備方法、顯示面板中，由于設(shè)置有與第一氧化物薄膜晶體管串聯(lián)的第二氧化物薄膜晶體管，增加了像素電極與數(shù)據(jù)線之間的關(guān)態(tài)電阻，能夠減小薄膜晶體管的關(guān)態(tài)漏電流，從而可改善顯示面板的畫面閃爍、串?dāng)_和殘像等現(xiàn)象，提高顯示性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0048]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的氧化物TFT陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的氧化物TFT陣列基板沿柵線上的A-A’向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物TFT陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物TFT陣列基板沿柵線上的A-A’向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物TFT陣列基板的制作方法的第一次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0053]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物TFT陣列基板的制作方法的第二次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0054]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物TFT陣列基板的制作方法的第三次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0055]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物TFT陣列基板的制作方法的第四次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0056]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物TFT陣列基板的制作方法的第五次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0057]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物TFT陣列基板的制作方法的第六次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0058]圖11 (a)到圖11 (h)為本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物TFT陣列基板的制作流程示意圖(半色調(diào)掩模技術(shù))。
[0059]圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物TFT陣列基板電路原理圖。
[0060]附圖標(biāo)記說明:
[0061]100:襯底基板；101:公共電極層；102:柵線/柵極；103:公共電極線；104:第一氧化物有源層；105:數(shù)據(jù)線；106:第一源極；107:第一漏極；108:像素電極上的狹縫；109:像素電極；110:柵絕緣層；111:刻蝕阻擋層；112:鈍化層；200:襯底基板；201:公共電極層；202:柵線/柵極；203:公共電極線；204:第一氧化物有源層；204’:第二氧化物有源層；205:數(shù)據(jù)線；206:第一源極；206’:第二源極；207:第一漏極；207’:第二漏極；208:像素電極層；209:像素電極層上的狹縫；210:柵絕緣層；211:刻蝕阻擋層；212:鈍化層。
【具體實(shí)施方式】
[0062]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不能用來限制本發(fā)明的范圍。
[0063]需要說明的是:本發(fā)明實(shí)施例的“上” “下”只是參考附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行說明，不作限定用語(yǔ)。在本發(fā)明實(shí)施例的描述中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。
[0064]本實(shí)施例示例性地，以高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Advanced Dimension Switch, ADS)型的氧化物TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)為例，具體描述該TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中所述第一氧化物TFT為原氧化物TFT，所述第一源極和第一漏極為原氧化物TFT的源極和漏極；第二氧化物TFT為本發(fā)明實(shí)施例所提供的虛擬氧化物TFT，所述第二源極和第二漏極為虛擬氧化物TFT的源極和漏極。
[0065]如圖3、4所示，本發(fā)明提供了一種氧化物TFT陣列基板，包括:襯底基板200，設(shè)置于所述襯底基板200上的柵線202、數(shù)據(jù)線205以及多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一氧化物TFT、和像素電極208，其中，每個(gè)所述像素單元還包括至少一個(gè)與第一氧化物TFT串聯(lián)的第二氧化物TFT，所述像素電極208與所述第二漏極207’相連，所述第二源極206’與所述第一漏極207相連，所述第一源極206與所述數(shù)據(jù)線205相連。
[0066]上述氧化物TFT陣列基板，在現(xiàn)有技術(shù)提供只包括第一氧化物TFT的基礎(chǔ)上，增加第二氧化物TFT。增加的第二氧化物TFT的作用在于:該第二氧化物TFT增加了像素電極208與數(shù)據(jù)線205之間關(guān)態(tài)電阻，能抑制第一氧化物有源層204內(nèi)空穴流入第一漏極207，以及第一漏極207的電子流入第一氧化物有源層204中的幾率，從而有效抑制“漏極一氧化物有源層一源極”的漏電路徑，提升面板的顯示品質(zhì)，如圖12所示，與第一氧化物TFT串聯(lián)設(shè)置的第二氧化物TFT能夠增大TFT的關(guān)態(tài)電阻(RtjffARt5ff2)Rtjffl),達(dá)到減小漏電流的目的。
[0067]上述陣列基板具體包括:襯底基板200 ;設(shè)置在襯底基板200上的柵線202 ;設(shè)置在所述柵線202上方的柵絕緣層210 ;設(shè)置在所述柵絕緣層210上位于柵線202上方的第一氧化物有源層圖案204和第二氧化物有源層圖案204’ ；設(shè)置在所述第一氧化物有源層圖案204和第二氧化物有源層圖案204’上方的刻蝕阻擋層圖案211 ;設(shè)置在所述刻蝕阻擋層圖案211上方的所述第一源極圖案206、第一漏極圖案207、第二源極圖案206’和第二漏極圖案207’，所述第一源極圖案206和第一漏極圖案207通過刻蝕阻擋層圖案211上的過孔與第一氧化物TFT的有源層圖案204相連，所述第二源極圖案206’和第二漏極圖案207’通過刻蝕阻擋層圖案211上的過孔與所述第二氧化物TFT的有源層圖案204’相連；設(shè)置在所述源極和漏極上方的鈍化層212，所述鈍化層212設(shè)有過孔；其中，所述第二漏極207’與像素單元中延伸至所述第二漏極207’的像素電極層208相連。
[0068]需要說明的是，所述刻蝕阻擋層211設(shè)有過孔，以用于防止源極、漏極與氧化物有源層之間的接觸，該刻蝕阻擋層211在制作氧化物TFT陣列基板過程中，用于防止形成源極和漏極的過程中源極和漏極之間形成的溝道內(nèi)的氧化物有源層被刻蝕，刻蝕阻擋層211至少覆蓋第一源極206和第一漏極207、第二源極206’和第二漏極207’之間的溝道，圖4中示例性地示出除源極/漏極與氧化物有源層接觸的區(qū)域外的柵極202的其它區(qū)域都覆蓋刻蝕阻擋層211。在實(shí)際的制備過程中，刻蝕阻擋層211的圖案可視實(shí)際制作工藝和要求而定，本發(fā)明對(duì)此不作具體限定。
[0069]需要說明的是，上述基于圖3、4所描述的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)僅是以ADS型氧化物TFT陣列基板的底柵結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明，但并不限制本發(fā)明僅適用于底柵結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板，同樣適用于頂柵結(jié)構(gòu)等TFT陣列基板。
[0070]具體地，本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員很容易得出本發(fā)明所提供的底柵結(jié)構(gòu)氧化物TFT陣列基板可以輕易改為頂柵結(jié)構(gòu)氧化物TFT陣列基板，頂柵結(jié)構(gòu)氧化物TFT陣列基板具體包括:襯底基板；設(shè)置在襯底基板上的第一氧化物有源層圖案和第二氧化物有源層圖案；設(shè)置在所述第一氧化物有源層圖案和第二氧化物有源層圖案上方的刻蝕阻擋層圖案；設(shè)置在所述刻蝕阻擋層圖案上方的所述第一源極圖案、第一漏極圖案、第二源極圖案和第二漏極圖案，所述第一源極圖案和第一漏極圖案通過刻蝕阻擋層圖案上的過孔與第一氧化物TFT的有源層圖案相連，所述第二源極圖案和第二漏極圖案通過刻蝕阻擋層圖案上的過孔與所述第二氧化物TFT的有源層圖案相連；設(shè)置在所述源極和漏極上方的柵絕緣層；設(shè)置在所述柵絕緣層上方的柵線；設(shè)置在所述上位于柵線上方的的鈍化層，所述鈍化層設(shè)有過孔；其中，所述第二漏極與像素單元中延伸至所述第二漏極的像素電極層相連。當(dāng)然，本發(fā)明所提供的氧化物TFT陣列基板結(jié)構(gòu)并不局限于本實(shí)施例中的所提供的氧化物TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，在此不再贅述。
[0071]進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括:設(shè)置在襯底基板200上公共電極201和公共電極線203，所述公共電極線203與所述公共電極201相連。
[0072]進(jìn)一步地，所述公共電極201和所述像素電極208異層設(shè)置，處于相對(duì)上層的所述像素電極208或所述公共電極201具有狹縫狀結(jié)構(gòu)；處于相對(duì)下層的所述像素電極208或所述公共電極201具有板狀結(jié)構(gòu)；或所述公共電極201和所述像素電極208同層設(shè)置，所述像素電極208和所述公共電極201均具有狹縫狀結(jié)構(gòu)。
[0073]此外，需要說明的是，上述基于圖3、4所描述的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)僅是以ADS型氧化物TFT陣列基板為例進(jìn)行說明，但并不限制本發(fā)明僅適用于ADS型氧化物TFT陣列基板，同樣適用于扭曲向列(Twisted Nematic, TN)型第一源極206、第一漏極207和第一氧化物TFT的有源層204直接接觸的TFT陣列基板，在此本發(fā)明不作具體限定。
[0074]進(jìn)一步地，所述氧化物有源層為銦鎵鋅氧化物。
[0075]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種氧化物TFT陣列基板，由于在現(xiàn)有技術(shù)提供只包括第一氧化物TFT的基礎(chǔ)上，增加第二氧化物TFT，該第二氧化物TFT增加了像素電極與數(shù)據(jù)線之間的關(guān)態(tài)電阻，能夠抑制“漏極一氧化物有源層一源極”的漏電路徑，提升面板的顯示品質(zhì)；另一個(gè)角度，與第一氧化物TFT串聯(lián)設(shè)置的第二氧化物TFT能夠增大TFT的關(guān)態(tài)電阻(Roffi+Roff2>Roffi)?達(dá)到減小漏電流的目的。
[0076]基于上述氧化物TFT陣列基板，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括上述氧化物TFT陣列基板。
[0077]基于上述氧化物TFT陣列基板，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種氧化物TFT陣列基板的制備方法，該方法包括:通過構(gòu)圖工藝，在所述陣列基板上形成柵線202、數(shù)據(jù)線205、以及多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一氧化物薄膜晶體管和像素電極208，其中，每個(gè)所述像素單元還包括至少一個(gè)與所述第一氧化物薄膜晶體管串聯(lián)的第二氧化物薄膜晶體管，所述像素電極208與所述第二漏極207’相連，所述第二源極206’與所述第一漏極207相連，所述第一源極206與所述數(shù)據(jù)線205相連。
[0078]具體的，本發(fā)明實(shí)施例以底柵型ADS型氧化物TFT陣列基板的制備方法為例進(jìn)行詳細(xì)描述，具體方法如下所述。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的構(gòu)圖工藝包括曝光、顯影、刻蝕、灰化等主要工藝。
[0079]S1、通過第一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板200上形成包括公共電極201、柵線202和公共電極線203的圖案。
[0080]具體的，在第一次構(gòu)圖工藝過程中，首先在襯底基板200上柵金屬層薄膜，然后在涂布有柵金屬層的襯底基板200上形成光刻膠。如圖11 (a)到(h)所示，利用半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)公共電極201、柵線202和公共電極線203的區(qū)域；所述光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中的除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的柵金屬層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成如圖11 (a)到(h)所示的公共電極201、柵線202和公共電極線203的圖案。如圖5所示，露出柵線202的圖案，形成柵線202。
[0081]S2、通過第二次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝的襯底基板200上形成包括柵絕緣層210、第一氧化物有源層204和第二氧化物有源層204’的圖案。其中，所述氧化物有源層的圖案位于柵線202上方。
[0082]具體的，在第二次構(gòu)圖工藝的過程中，首先在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝的襯底基板200上涂布柵絕緣層薄膜和氧化物有源層薄膜。然后在涂布有柵絕緣層薄膜和氧化物有源層薄膜的襯底基板200上形成光刻膠。利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)第一氧化物TFT的有源層204和第二氧化物TFT的有源層204’的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的氧化物有源層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，如圖6所示，露出第一氧化物TFT的有源層204和第二氧化物TFT的有源層204’的圖案，形成柵絕緣層210和氧化物有源層。
[0083]S3、通過第三次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的襯底基板200上形成包括刻蝕阻擋層211的圖案。
[0084]具體的，在第三次構(gòu)圖工藝的過程中，首先在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的襯底基板200上涂布刻蝕阻擋層薄膜，然后在涂布有刻蝕阻擋層薄膜的襯底基板200形成光刻膠。利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)刻蝕阻擋層211的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的刻蝕阻擋層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，如圖7所示，露出刻蝕阻擋層211的圖案，形成刻蝕阻擋層211。
[0085]S4、通過第四次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝的襯底基板200上形成包括數(shù)據(jù)線205、第一源極206、第一漏極207、第二源極206’和第二漏極207’的圖案。
[0086]具體的，在第四次構(gòu)圖工藝的過程中，首先在經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝的襯底基板200上涂布源漏金屬層薄膜，然后在涂布有源漏金屬層薄膜的襯底基板200形成光刻膠。利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)數(shù)據(jù)線205、第一源極206、第一漏極207、第二源極206’和第二漏極207’的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的刻蝕阻擋層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成如圖3所示的數(shù)據(jù)線205、第一源極206、第一漏極207、第二源極206’和第二漏極207’的圖案。如圖8所示，露出源極、漏極的圖案，形成源極、漏極。
[0087]S5、通過第五次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第四次構(gòu)圖工藝的襯底基板200上形成包括鈍化層212的圖案。
[0088]具體的，在第五次構(gòu)圖工藝的過程中，首先在經(jīng)過第四次構(gòu)圖工藝的襯底基板200上涂布鈍化層薄膜，然后在涂布有鈍化層薄膜的襯底基板200形成光刻膠。利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)鈍化層212的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域，具體的所述光刻膠完全去除區(qū)域包括柵線引線過孔和數(shù)據(jù)線引線過孔。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的鈍化層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，如圖8所示，形成鈍化層207的圖案、柵線引線過孔和數(shù)據(jù)線引線過孔，其中柵線引線過孔和數(shù)據(jù)線引線過孔圖中未示出。
[0089]S6、通過第六次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第五次構(gòu)圖工藝的襯底基板200上形成包括像素電極208的圖案，所述像素電極208延伸至所述第二漏極207’并與所述第二漏極207’相連。[0090]具體的，在第六次構(gòu)圖工藝的過程中，首先在經(jīng)過第五次構(gòu)圖工藝的襯底基板200上涂布透明導(dǎo)電層薄膜，然后在涂布有透明導(dǎo)電層薄膜的襯底基板200形成光刻膠。利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)像素電極208的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的透明導(dǎo)電層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，如圖9所示，形成具有狹縫209的像素電極208。
[0091]進(jìn)一步地，本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員很容易得出本發(fā)明所提供的底柵結(jié)構(gòu)氧化物TFT陣列基板可以輕易改為頂柵結(jié)構(gòu)氧化物TFT陣列基板，與底柵結(jié)構(gòu)氧化物TFT陣列基板結(jié)構(gòu)制備方法步驟不同，頂柵結(jié)構(gòu)氧化物TFT陣列基板制備方法具體包括:
[0092]SI’、通過第一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板上形成包括第一氧化物有源層、第二氧化物有源層和公共電極的圖案。
[0093]具體的，在第一次構(gòu)圖工藝的過程中，首先在襯底基板上涂布透明導(dǎo)電薄膜、氧化物有源層薄膜。然后在涂布有透明導(dǎo)電薄膜、氧化物有源層薄膜的襯底基板上形成光刻膠。利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)第一氧化物TFT的有源層和第二氧化物TFT的有源層的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的氧化物有源層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成公共電極、第一氧化物TFT的有源層和第二氧化物TFT的有源層的圖案。
[0094]S2’、通過第二次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括刻蝕阻擋層的圖案。
[0095]具體的，在第二次構(gòu)圖工藝的過程中，首先在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝的襯底基板上涂布刻蝕阻擋層薄膜，然后在涂布有刻蝕阻擋層薄膜的襯底基板形成光刻膠。利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)刻蝕阻擋層的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的刻蝕阻擋層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成刻蝕阻擋層的圖案。
[0096]S3’、通過第三次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括數(shù)據(jù)線、第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的圖案。
[0097]具體的，在第三次構(gòu)圖工藝的過程中，首先在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的襯底基板上涂布源、漏金屬層薄膜，然后在涂布有源、漏金屬層薄膜的襯底基板形成光刻膠。利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)數(shù)據(jù)線、第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的刻蝕阻擋層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成數(shù)據(jù)線、第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的圖案。
[0098]S4’、通過第四次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括柵絕緣層、柵線、和公共電極線的圖案。
[0099]具體的，在第四次構(gòu)圖工藝的過程中，首先在經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝的襯底基板上涂布柵絕緣層薄膜和柵金屬層薄膜。然后在涂布有柵絕緣層薄膜和柵金屬層薄膜的襯底基板上形成光刻膠。利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)柵金屬層薄膜的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的柵金屬層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成柵絕緣層、柵線和公共電極線的圖案。
[0100]S5’、通過第五次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第四次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括鈍化層的圖案。
[0101]具體的，在第五次構(gòu)圖工藝的過程中，首先在經(jīng)過第四次構(gòu)圖工藝的襯底基板上涂布鈍化層薄膜，然后在涂布有鈍化層薄膜的襯底基板形成光刻膠。利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)鈍化層的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域，具體的所述光刻膠完全去除區(qū)域包括柵線引線過孔和數(shù)據(jù)線引線過孔。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的鈍化層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成鈍化層的圖案、柵線引線過孔和數(shù)據(jù)線引線過孔。
[0102]S6’、通過第六次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第五次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括像素電極的圖案。
[0103]具體的，在第六次構(gòu)圖工藝的過程中，首先在經(jīng)過第五次構(gòu)圖工藝的襯底基板上涂布透明導(dǎo)電層薄膜，然后在涂布有透明導(dǎo)電層薄膜的襯底基板形成光刻膠。利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)像素電極的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。利用刻蝕工藝去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的透明導(dǎo)電層薄膜，再利用灰化工藝剝離掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成具有狹縫的像素電極。
[0104]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例描述的氧化物TFT陣列基板的制備方法僅示例性的六次構(gòu)圖工藝進(jìn)行描述，但不能理解為限制本發(fā)明僅能采用六次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)。其它不同構(gòu)圖工藝次數(shù)，能夠在所述陣列基板還包括第二氧化物TFT的制備方法，也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種氧化物TFT陣列基板的制作方法，在陣列基板上設(shè)置有第二氧化物TFT，由于在現(xiàn)有技術(shù)提供只包括第一氧化物TFT的基礎(chǔ)上，增加第二氧化物TFT,該第二氧化物TFT增加了像素電極與數(shù)據(jù)線之間的關(guān)態(tài)電阻，能夠抑制“漏極一氧化物有源層一源極”的漏電路徑，提升面板的顯示品質(zhì)；另一個(gè)角度，與第一氧化物TFT串聯(lián)設(shè)置的第二氧化物TFT能夠增大TFT的關(guān)態(tài)電阻(RtjffARt5ff2)Rtjffl),達(dá)到減小漏電流的目的。此外，當(dāng)氧化物TFT開啟時(shí)，信號(hào)由第一氧化物TFT的有源層傳至第一漏極，接著傳至第二源極，經(jīng)第二氧化物TFT的有源層傳至第二漏極，再通過像素電極上的鈍化層過孔傳送至像素電極，最終可在液晶盒內(nèi)形成橫向電場(chǎng)，供液晶偏轉(zhuǎn)，通過控制數(shù)據(jù)信號(hào)，可控制液晶偏轉(zhuǎn)角度，影響面板透過率。
[0105]以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線以及多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一氧化物薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，每個(gè)所述像素單元還包括至少一個(gè)與第一氧化物薄膜晶體管串聯(lián)的第二氧化物薄膜晶體管，所述像素電極與所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第二氧化物薄膜晶體管的源極與所述第一氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第一氧化物薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板具體包括: 設(shè)置在所述襯底基板上的所述柵線； 設(shè)置在所述柵線上的柵絕緣層和氧化物有源層； 設(shè)置在所述柵絕緣層和氧化物有源層上的刻蝕阻擋層； 設(shè)置在所述刻蝕阻擋層上方的所述第一氧化物薄膜晶體管的源極和漏極、第二氧化物薄膜晶體管的源極和漏極； 設(shè)置在所述源極和漏極上的鈍化層； 其中，所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極與所述像素單元中延伸至所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極的所述像素電極相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板具體包括: 設(shè)置在所述襯底基板上的氧化物有源層； 設(shè)置在所述氧化物有源層上的刻蝕阻擋層； 設(shè)置在所述刻蝕阻擋層上方的所述第一氧化物薄膜晶體管的源極和漏極、第二氧化物薄膜晶體管的源極和漏極； 設(shè)置在所述源極和漏極上的柵絕緣層； 設(shè)置在所述柵絕緣層上的所述柵線； 設(shè)置在所述柵線上的鈍化層； 其中，所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極與所述像素單元中延伸至所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極的所述像素電極相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板上還設(shè)置有公共電極和公共電極線，所述公共電極與所述公共電極線相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極和所述像素電極異層設(shè)置，處于相對(duì)上層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)；處于相對(duì)下層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)或板狀結(jié)構(gòu)；或 所述公共電極和所述像素電極同層設(shè)置，所述像素電極和所述公共電極均具有狹縫狀結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物有源層為銦鎵鋅氧化物。
7.—種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的制備方法,其特征在于,該方法包括: 通過構(gòu)圖工藝，在所述襯底基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線、以及多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一氧化物薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，每個(gè)所述像素單元還包括至少一個(gè)與所述第一氧化物薄膜晶體管串聯(lián)的第二氧化物薄膜晶體管，所述像素電極與所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第二氧化物薄膜晶體管的源極與所述第一氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第一氧化物薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該方法具體包括: 通過第一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板上形成包括柵線的圖案； 通過第二次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括柵絕緣層、第一氧化物薄膜晶體管的有源層、以及第二氧化物薄膜晶體管的有源層的圖案，所述氧化物有源層的圖案位于柵線上方； 通過第三次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括刻蝕阻擋層的圖案； 通過第四次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括數(shù)據(jù)線、第一氧化物薄膜晶體管的源極和漏極、以及第二氧化物薄膜晶體管的源極和漏極的圖案； 通過第五次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第四次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括鈍化層的圖案；通過第六次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第五次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括像素電極的圖案，所述像素電極延伸至所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極并與所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該方法具體包括: 通過第一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板上形成包括第一氧化物薄膜晶體管的有源層和第二氧化物薄膜晶體管的有源層的圖案； 通過第二次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括刻蝕阻擋層的圖案； 通過第三次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括數(shù)據(jù)線、第一氧化物薄膜晶體管的源極和漏極、以及第二氧化物薄膜晶體管的源極和漏極的圖案； 通過第四次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括柵絕緣層和柵線的圖案，所述柵線的圖案位于氧化物有源層的上方； 通過第五次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第四次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括鈍化層的圖案；通過第六次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第五次構(gòu)圖工藝的襯底基板上形成包括像素電極的圖案，所述像素電極延伸至所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極并與所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極相連。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，在形成所述柵線的圖案的同一構(gòu)圖工藝中，還包括:與柵線同步地形成公共電極線。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103811503SQ201410057337
【公開日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2014年2月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月19日
【發(fā)明者】蔣學(xué)兵, 林琳 申請(qǐng)人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司