一種襯底及其回收再利用的方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種襯底及其回收再利用的方法，其中一種能夠回收再利用的襯底，包括：生長襯底和預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠?qū)⑺錾L襯底轉(zhuǎn)換為透明襯底；一種襯底進行回收再利用的方法，包括以下步驟：所述生長襯底依次外延生長所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層和功能層，利用腐蝕液選擇性消除所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，同時通過牽引的方式分離所述功能層，分離后剩余的所述生長襯底經(jīng)過表面處理步驟之后，進行再利用。本發(fā)明的生長襯底可以重復(fù)利用，節(jié)省成本；同時生長襯底的As不會帶入后續(xù)工藝流程，降低工業(yè)廢水的污染治理成本，使得其具有明顯的技術(shù)先進性和良好的經(jīng)濟效益。
【專利說明】一種襯底及其回收再利用的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED領(lǐng)域，特別是指一種襯底及其回收再利用的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有發(fā)光器件的外延結(jié)構(gòu)的制備過程中，將生長襯底一次性使用，或者將其直接作為外延結(jié)構(gòu)的襯底形成產(chǎn)品，或者將其磨薄后隨外延結(jié)構(gòu)形成產(chǎn)品。生長襯底大都作為外延結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的一部分。
[0003]目前常規(guī)使用的紅黃光外延結(jié)構(gòu)生長襯底是GaAs，使用這種生長襯底的外延結(jié)構(gòu)產(chǎn)品則會含砷。在使用這種生長襯底的外延結(jié)構(gòu)的制備過程中，如果應(yīng)用了生長襯底減薄工藝，則工業(yè)廢水中將含有GaAs顆粒，增加了工業(yè)廢水的污染，同時提高了企業(yè)排污和廢水處理的成本。
[0004]本發(fā)明中生長襯底的重復(fù)利用使得其具有明顯的技術(shù)先進性和良好的經(jīng)濟效益。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提出一種襯底及其回收再利用的方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中生長襯底無法重復(fù)使用使得成本增加、造成環(huán)境污染的問題。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長襯底和預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠?qū)⑺錾L襯底轉(zhuǎn)換為透明襯底。
[0007]進一步地，生長襯底通過外延方式形成所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層通過外延方式形成功能層。
[0008]進一步地，功能層通過粘附方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底；或者所述功能層通過第一鍵合介質(zhì)結(jié)合所述支撐襯底；所述支撐襯底具體為藍寶石襯底或石英襯
。
[0009]進一步地，所述功能層通過第二鍵合介質(zhì)與所述透明襯底結(jié)合；所述第一鍵合介質(zhì)能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。
[0010]進一步地，第一鍵合介質(zhì)為光阻劑，所述光阻劑具體為有機膠；所述第二鍵合介質(zhì)具體為 Si02、ITO 或 Si3N4O
[0011]進一步地，預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠被腐蝕液選擇性消除，所述腐蝕液具體為HF或Β0Ε。
[0012]進一步地,生長襯底包括GaAs。
[0013]進一步地,所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層包括AlAs。
[0014]進一步地，所述功能層包括外延層N區(qū)、有源區(qū)和外延層P區(qū)；所述透明襯底具體為藍寶石襯底或石英襯底。[0015]一種襯底進行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0016]a)所述生長襯底依次外延生長所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層和所述功能層；
[0017]b)利用腐蝕液選擇性消除所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，同時通過牽引的方式分離所述功能層；[0018]c)分離后剩余的所述生長襯底經(jīng)過表面處理步驟之后，進行再利用；
[0019]d)分離后獲得的所述功能層經(jīng)過表面處理步驟之后，通過第二鍵合介質(zhì)結(jié)合所述透明襯底。
[0020]進一步地，一種襯底進行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0021]A)所述生長襯底依次外延生長所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層和所述功能層；
[0022]B)所述功能層通過粘附的方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底；或者所述功能層通過第一鍵合介質(zhì)結(jié)合所述支撐襯底；
[0023]C)利用腐蝕液選擇性消除所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，同時通過牽引的方式整體分離所述功能層、所述支撐襯底和所述粘合層，或者所述第一鍵合介質(zhì)；
[0024]D)分離后剩余的所述生長襯底經(jīng)過表面處理步驟之后，進行再利用；
[0025]E)整體分離后獲得的所述功能層經(jīng)過表面處理步驟之后，通過第二鍵合介質(zhì)結(jié)合所述透明襯底。
[0026]進一步地，所述表面處理步驟至多包括拋光步驟、檢測步驟以及位于所述拋光步驟之前和/或之后的清洗步驟，所述拋光步驟具體為化學(xué)拋光或機械拋光；所述清洗步驟具體為所述腐蝕液清洗或者水清洗；所述檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
[0027]進一步地，所述步驟E)之后執(zhí)行步驟F)，所述步驟F)通過有機溶劑溶解法消除所述粘合層或所述第一鍵合介質(zhì)，同時移除所述支撐襯底；所述步驟F)在50°C?100°C的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行。
[0028]進一步地，在18°C?110°C的溫度范圍內(nèi)、在450kPa?1500kPa的壓強范圍內(nèi)執(zhí)行所述步驟E)的結(jié)合操作。
[0029]本發(fā)明的有益效果為:
[0030]I)生長襯底可以重復(fù)利用，節(jié)省成本；
[0031]2)生長襯底的As不會帶入發(fā)光器件制備的后續(xù)工藝流程，降低工業(yè)廢水的污染治理成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1為現(xiàn)有技術(shù)生長襯底剝離外延片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明生長襯底重復(fù)利用的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明生長襯底回收再利用方法一個實施例的流程示意圖；
[0036]圖4為本發(fā)明生長襯底回收再利用方法另一個實施例的流程示意圖；
[0037]圖5為圖4執(zhí)行步驟B)后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖6為圖4執(zhí)行步驟C)后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖7為圖4執(zhí)行步驟D)后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖8為執(zhí)行步驟d)或步驟F)后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]圖中:[0042]1、生長襯底；2_1、腐蝕停止層；2_2、預(yù)置轉(zhuǎn)換層；3、外延層N區(qū)；4、有源區(qū)；5、夕卜延層P區(qū)；6、第一鍵合介質(zhì)；7、支撐襯底；8、透明襯底；9、第二鍵合介質(zhì)。
【具體實施方式】
[0043]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0044]實施例1
[0045]如圖2和圖8所示，本發(fā)明一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L襯底I轉(zhuǎn)換為透明襯底8。生長襯底I通過外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過外延方式形成功能層。
[0046]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，功能層通過第二鍵合介質(zhì)9與透明襯底8結(jié)合。腐蝕液具體為Β0Ε。第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、IT0或Si3N4。
[0047]其中，生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為藍寶石襯底。
[0048]相對于圖1所示的現(xiàn)有生長襯底利用腐蝕停止層2-1的剝離情況，本發(fā)明采用BOE選擇性地腐蝕消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，消除徹底充分，使得生長襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進而避免了生長襯底I中的As對環(huán)境的污染。
[0049]實施例2
[0050]如圖2及圖5?8所示，本發(fā)明一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L襯底I轉(zhuǎn)換為透明襯底8。生長襯底I通過外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過外延方式形成功能層。功能層通過粘附方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底7。支撐襯底7具體為藍寶石襯底。
[0051]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，功能層通過第二鍵合介質(zhì)9與透明襯底8結(jié)合。腐蝕液具體為HF。第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、ITO或Si3N4。
[0052]其中，生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為石英襯底。
[0053]相對于圖1所示的現(xiàn)有生長襯底利用腐蝕停止層2-1的剝離情況，本發(fā)明采用HF選擇性地腐蝕消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，消除徹底充分，使得生長襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進而避免了生長襯底I中的As對環(huán)境的污染。
[0054]實施例3
[0055]如圖2及圖5?8所示，本發(fā)明一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L襯底I轉(zhuǎn)換為透明襯底8。生長襯底I通過外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過外延方式形成功能層。功能層通過第一鍵合介質(zhì)6結(jié)合支撐襯底7，支撐襯底7具體為石英襯底。
[0056]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，功能層通過第二鍵合介質(zhì)9與透明襯底8結(jié)合。腐蝕液具體為HF。第一鍵合介質(zhì)6能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。第一鍵合介質(zhì)6為光阻劑，光阻劑具體為有機膠；第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、ITO或 Si3N4。
[0057]其中，生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為石英襯底。
[0058]相對于圖1所示的現(xiàn)有生長襯底利用腐蝕停止層2-1的剝離情況，本發(fā)明采用HF選擇性地腐蝕消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，消除徹底充分，使得生長襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進而避免了生長襯底I中的As對環(huán)境的污染。
[0059]實施例4
[0060]如圖2及圖5?8所示，本發(fā)明一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L襯底I轉(zhuǎn)換為透明襯底8。生長襯底I通過外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過外延方式形成功能層。功能層通過第一鍵合介質(zhì)6結(jié)合支撐襯底7，支撐襯底7具體為藍寶石襯底。
[0061]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，功能層通過第二鍵合介質(zhì)9與透明襯底8結(jié)合。腐蝕液具體為Β0Ε。第一鍵合介質(zhì)6能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。第一鍵合介質(zhì)6為光阻劑，光阻劑具體為有機膠；第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、ITO
或 Si3N4。
[0062]其中，生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs0功能層包括外延層N區(qū)
3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為藍寶石襯底。
[0063]相對于圖1所示的現(xiàn)有生長襯底利用腐蝕停止層2-1剝離的情況，本發(fā)明中預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2采用BOE選擇性地腐蝕消除，消除徹底充分，使得生長襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進而避免了生長襯底I中的As對環(huán)境的污染。
[0064]實施例5
[0065]如圖2、圖3和圖8所示，本發(fā)明一種襯底進行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0066]a)生長襯底I依次外延生長預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0067]b)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，同時通過牽引的方式分離功能層；
[0068]c)分離后剩余的生長襯底I經(jīng)過表面處理步驟之后，進行再利用；
[0069]d)分離后獲得的功能層經(jīng)過表面處理步驟之后，通過第二鍵合介質(zhì)9結(jié)合透明襯底8。
[0070]其中，第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、IT0或Si3N4。生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為石英襯底或藍寶石襯底。
[0071]步驟b)實現(xiàn)了生長襯底I的剝離，步驟d)實現(xiàn)了透明襯底8的鍵合，通過以上步驟實現(xiàn)了生長襯底I的反復(fù)利用。
[0072]實施例6
[0073]如圖2、圖3和圖8所示，本發(fā)明一種襯底進行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0074]a)生長襯底I依次外延生長預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0075]b)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，同時通過牽引的方式分離功能層；
[0076]c)分離后剩余的生長襯底I經(jīng)過表面處理步驟之后，進行再利用；
[0077]d)分離后獲得的功能層經(jīng)過表面處理步驟之后，通過第二鍵合介質(zhì)9結(jié)合透明襯底8。[0078]其中，第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、IT0或Si3N4。生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為石英襯底或藍寶石襯底。
[0079]步驟b)實現(xiàn)了生長襯底I的剝離，步驟d)實現(xiàn)了透明襯底8的鍵合，通過以上步驟實現(xiàn)了生長襯底I的反復(fù)利用。
[0080]表面處理步驟包括檢測步驟和清洗步驟；清洗步驟具體為腐蝕液清洗或者水清洗；檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
[0081]實施例7
[0082]如圖2及圖4?7所示，本發(fā)明一種襯底進行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0083]A)生長襯底I依次外延生長預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0084]B)功能層通過粘附的方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底7 ;或者功能層通過第一鍵合介質(zhì)6結(jié)合支撐襯底7 ；
[0085]C)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，同時通過牽引的方式整體分離功能層、所述支撐襯底7和所述粘合層，或者所述第一鍵合介質(zhì)6 ；
[0086]D)分離后剩余的生長襯底I經(jīng)過表面處理步驟之后，進行再利用；
[0087]E)整體分離后獲得的功能層經(jīng)過表面處理步驟之后，通過第二鍵合介質(zhì)9結(jié)合透明襯底8。
[0088]其中，第一鍵合介質(zhì)6能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。第一鍵合介質(zhì)6為光阻劑，光阻劑具體為有機膠；第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、IT0或Si3N4。生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為石英襯底或藍寶石襯底。
[0089]其中，表面處理步驟包括拋光步驟、檢測步驟以及位于拋光步驟之前和之后的清洗步驟，拋光步驟具體為化學(xué)拋光或機械拋光；清洗步驟具體為腐蝕液清洗或者水清洗；檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
[0090]其中，執(zhí)行步驟E)的結(jié)合在18°C的溫度下、在IOOOkPa壓強下操作。步驟C)生長襯底I借助支撐襯底7實現(xiàn)了剝離，步驟E)實現(xiàn)了透明襯底8的鍵合，通過以上步驟實現(xiàn)了生長襯底I的反復(fù)利用。
[0091]實施例8
[0092]如圖2及圖4?8所示，本發(fā)明一種襯底進行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0093]A)生長襯底I依次外延生長預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0094]B)功能層通過粘附的方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底7 ；
[0095]C)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，同時通過牽引的方式整體分離功能層、粘合層和支撐襯底7 ；
[0096]D)分離后剩余的生長襯底I經(jīng)過表面處理步驟之后，進行再利用；
[0097]E)整體分離后獲得的功能層經(jīng)過表面處理步驟之后，通過第二鍵合介質(zhì)9結(jié)合透明襯底8 ;
[0098]F)通過有機溶劑溶解法消除粘合層，同時移除支撐襯底7。
[0099]其中，步驟F)在80°C的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行。
[0100]其中，執(zhí)行步驟E)的結(jié)合在70°C的溫度下、在750kPa壓強下操作。[0101]其中，第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、IT0或Si3N4。生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為石英襯底或藍寶石襯底。
[0102]步驟C)生長襯底I借助支撐襯底7實現(xiàn)了剝離，步驟E)實現(xiàn)了透明襯底8的鍵合，通過以上步驟實現(xiàn)了生長襯底I的反復(fù)利用。
[0103]實施例9
[0104]如圖2及圖4?8所示，本發(fā)明一種襯底進行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0105]A)生長襯底I依次外延生長預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0106]B)功能層通過粘附的方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底7 ；
[0107]C)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，同時通過牽引的方式整體分離功能層、粘合層和支撐襯底7 ；
[0108]D)分離后剩余的生長襯底I經(jīng)過表面處理步驟之后，進行再利用；
[0109]E)整體分離后獲得的功能層經(jīng)過表面處理步驟之后，通過第二鍵合介質(zhì)9結(jié)合透明襯底8 ;
[0110]F)通過有機溶劑溶解法消除粘合層，同時移除支撐襯底7。
[0111]其中，步驟F)在50°C的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行。
[0112]其中，執(zhí)行步驟E)的結(jié)合在110°C的溫度下、在450kPa壓強下操作。
[0113]其中，第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、IT0或Si3N4。生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為石英襯底或藍寶石襯底。
[0114]步驟C)生長襯底I借助支撐襯底7實現(xiàn)了剝離，步驟E)實現(xiàn)了透明襯底8的鍵合，通過以上步驟實現(xiàn)了生長襯底I的反復(fù)利用。
[0115]表面處理步驟包括拋光步驟、檢測步驟以及位于拋光步驟之前和之后的清洗步驟，拋光步驟具體為化學(xué)拋光或機械拋光；清洗步驟具體為腐蝕液清洗或者水清洗；檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
[0116]實施例10
[0117]如圖2及圖4?8所示，本發(fā)明一種襯底進行回收再利用的方法，包括以下步驟:
[0118]A)生長襯底I依次外延生長預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2和功能層；
[0119]B)功能層通過第一鍵合介質(zhì)6結(jié)合支撐襯底7 ；
[0120]C)利用腐蝕液選擇性消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，同時通過牽引的方式整體分離功能層、第一鍵合介質(zhì)6和支撐襯底7 ；
[0121]D)分離后剩余的生長襯底I經(jīng)過表面處理步驟之后，進行再利用；
[0122]E)整體分離后獲得的功能層經(jīng)過表面處理步驟之后，通過第二鍵合介質(zhì)9結(jié)合透明襯底8 ;
[0123]F)通過有機溶劑溶解法消除第一鍵合介質(zhì)6，同時移除支撐襯底7。
[0124]其中，步驟F)在100°C的溫度下執(zhí)行。
[0125]其中，執(zhí)行步驟E)的結(jié)合在50°C的溫度下、在1500kPa壓強下操作。
[0126]步驟C)生長襯底I借助支撐襯底7實現(xiàn)了剝離，步驟E)實現(xiàn)了透明襯底8的鍵合，通過以上步驟實現(xiàn)了生長襯底I的反復(fù)利用。[0127]以上實施例中，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2對HF或BOE腐蝕液有十萬倍以上的選擇性腐蝕，由于預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2的選擇腐蝕性，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2被腐蝕液消融，功能層就與生長襯底I剝離。剝離后的生長襯底1，經(jīng)過清洗、檢測或拋光后，可以重復(fù)使用。
[0128]以上實施例涉及的功能層通過第一鍵合介質(zhì)6與支撐襯底7結(jié)合、通過第二鍵合介質(zhì)9與透明襯底8結(jié)合，該操作目的是使兩部分結(jié)構(gòu)單元的結(jié)合，具體實施時可以是鍵合方式，也可以是粘合方式，以及其他可以實現(xiàn)結(jié)合目的的方式或技術(shù)手段。
[0129]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，包括: 生長襯底； 預(yù)置轉(zhuǎn)換層； 所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠?qū)⑺錾L襯底轉(zhuǎn)換為透明襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述生長襯底通過外延方式形成所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層通過外延方式形成功能層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述功能層通過粘附方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底；或者所述功能層通過第一鍵合介質(zhì)結(jié)合所述支撐襯底；所述支撐襯底具體為藍寶石襯底或石英襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述功能層通過第二鍵合介質(zhì)與所述透明襯底結(jié)合；所述第一鍵合介質(zhì)能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述第一鍵合介質(zhì)為光阻劑，所述光阻劑具體為有機膠；所述第二鍵合介質(zhì)具體為Si02、ITO或Si3N4。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠被腐蝕液選擇性消除；所述腐蝕液具體為HF或Β0Ε。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6任一項所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述生長襯底包括GaAs。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~6任一項所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述預(yù)直轉(zhuǎn)換層包括AlAs。`
9.根據(jù)權(quán)利要求2~6任一項所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述功能層包括外延層N區(qū)、有源區(qū)和外延層P區(qū)；所述透明襯底具體為藍寶石襯底或石英襯底。
10.一種權(quán)利要求2所述的襯底進行回收再利用的方法，其特征在于，包括以下步驟: a)所述生長襯底依次外延生長所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層和所述功能層； b)利用腐蝕液選擇性消除所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，同時通過牽引的方式分離所述功能層； c)分離后剩余的所述生長襯底經(jīng)過表面處理步驟之后，進行再利用； d)分離后獲得的所述功能層經(jīng)過表面處理步驟之后，通過第二鍵合介質(zhì)結(jié)合所述透明襯底。
11.一種權(quán)利要求3所述的襯底進行回收再利用的方法，其特征在于，包括以下步驟: A)所述生長襯底依次外延生長所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層和所述功能層； B)所述功能層通過粘附的方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底；或者所述功能層通過第一鍵合介質(zhì)結(jié)合所述支撐襯底； C)利用腐蝕液選擇性消除所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，同時通過牽引的方式整體分離所述功能層、所述支撐襯底和所述粘合層，或者所述第一鍵合介質(zhì)； D)分離后剩余的所述生長襯底經(jīng)過表面處理步驟之后，進行再利用； E)整體分離后獲得的所述功能層經(jīng)過表面處理步驟之后，通過第二鍵合介質(zhì)結(jié)合所述透明襯底。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的一種襯底進行回收再利用的方法，其特征在于，所述表面處理步驟至多包括拋光步驟、檢測步驟以及位于所述拋光步驟之前和/或之后的清洗步驟，所述拋光步驟具體為化學(xué)拋光或機械拋光；所述清洗步驟具體為所述腐蝕液清洗或者水清洗；所述檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種襯底進行回收再利用的方法，其特征在于，所述步驟E)之后執(zhí)行步驟F)，所述步驟F)通過有機溶劑溶解法消除所述粘合層或所述第一鍵合介質(zhì)，同時移除所述支撐襯底；所述步驟F)在50°C~100°C的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種襯底進行回收再利用的方法，其特征在于，在18°C~110°C的溫度范圍內(nèi)、在45`0kPa~1500kPa的壓強范圍內(nèi)執(zhí)行所述步驟E)的結(jié)合操作。
【文檔編號】H01L33/02GK103872196SQ201410050755
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年2月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月13日
【發(fā)明者】廉鵬 申請人:馬鞍山太時芯光科技有限公司